JP2555245B2 - 光磁気記録媒体およびその製法 - Google Patents
光磁気記録媒体およびその製法Info
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- JP2555245B2 JP2555245B2 JP4090492A JP9049292A JP2555245B2 JP 2555245 B2 JP2555245 B2 JP 2555245B2 JP 4090492 A JP4090492 A JP 4090492A JP 9049292 A JP9049292 A JP 9049292A JP 2555245 B2 JP2555245 B2 JP 2555245B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、交換結合した多層磁性
膜を用いることにより光変調ダイレクトオーバーライト
が可能な光磁気記録媒体およびその製法に関する。
膜を用いることにより光変調ダイレクトオーバーライト
が可能な光磁気記録媒体およびその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、たとえばジャーナル オブ ア
プライド フィジックス（Journal ofApplied Physic
s）67巻 第９号 パートII A 1990年５月１日4415〜44
16頁に記載された従来の光磁気記録媒体の構成および記
録再生時の光ビームを示す説明図である。図中、１は半
導体レーザなどより出射され、レンズにより集光された
光ビーム、２は磁界Ｈｂを発生させる外部磁界発生装
置、３はガラスまたはプラスチックの透明基板、４、
５、６、11、８は互いに交換結合した５層の磁性層、す
なわち第１磁性層４、第２磁性層５、第３磁性層６、第
４磁性層11および第５磁性層８であり、９、10は誘電体
層である。また、それぞれが接する磁性層は、互いに交
換結合力で結合されている。ここで交換結合力とは磁性
層中の希土類金属あるいは遷移金属それぞれの磁化（副
格子磁化）が互いに平行になろうとする力である。
プライド フィジックス（Journal ofApplied Physic
s）67巻 第９号 パートII A 1990年５月１日4415〜44
16頁に記載された従来の光磁気記録媒体の構成および記
録再生時の光ビームを示す説明図である。図中、１は半
導体レーザなどより出射され、レンズにより集光された
光ビーム、２は磁界Ｈｂを発生させる外部磁界発生装
置、３はガラスまたはプラスチックの透明基板、４、
５、６、11、８は互いに交換結合した５層の磁性層、す
なわち第１磁性層４、第２磁性層５、第３磁性層６、第
４磁性層11および第５磁性層８であり、９、10は誘電体
層である。また、それぞれが接する磁性層は、互いに交
換結合力で結合されている。ここで交換結合力とは磁性
層中の希土類金属あるいは遷移金属それぞれの磁化（副
格子磁化）が互いに平行になろうとする力である。
【０００３】つぎに、光変調ダイレクトオーバーライト
動作について説明する。図８は記録再生に用いる光ビー
ムの光強度を示す説明図である。光ビームの光強度は３
値変調され、図８において、ＰREADは再生時の光強度レ
ベル、ＰLOWは記録時の低い光強度レベルおよびＰHIGH
は記録時の高い光強度レベルを示す。ＰREADは小さな強
度のため光磁気記録媒体（以下、媒体ともいう）の磁化
状態は変化しないが、ＰLOW、ＰHIGHはＰREADに比べて
大きな強度のため媒体温度は上昇し、その到達温度はそ
れぞれＴLOW、ＴHIGHとなり、以後の冷却時の磁化状態
の変化により「０」または「１」の記録が行なわれる。
ここで「０」の記録が行なわれる工程を「低パワープロ
セス」、「１」の記録が行なわれる工程を「高パワープ
ロセス」という。
動作について説明する。図８は記録再生に用いる光ビー
ムの光強度を示す説明図である。光ビームの光強度は３
値変調され、図８において、ＰREADは再生時の光強度レ
ベル、ＰLOWは記録時の低い光強度レベルおよびＰHIGH
は記録時の高い光強度レベルを示す。ＰREADは小さな強
度のため光磁気記録媒体（以下、媒体ともいう）の磁化
状態は変化しないが、ＰLOW、ＰHIGHはＰREADに比べて
大きな強度のため媒体温度は上昇し、その到達温度はそ
れぞれＴLOW、ＴHIGHとなり、以後の冷却時の磁化状態
の変化により「０」または「１」の記録が行なわれる。
ここで「０」の記録が行なわれる工程を「低パワープロ
セス」、「１」の記録が行なわれる工程を「高パワープ
ロセス」という。
【０００４】以下、この２つの工程について図９に基づ
き説明する。
き説明する。
【０００５】図９は図中に示す各温度での各磁性層の遷
移金属副格子磁化の方向を示す説明図であり、Ｔroomは
室温、Ｔc1は第１磁性層４のキュリー温度、Ｔc2は第２
磁性層５のキュリー温度、Ｔc3は第３磁性層６のキュリ
ー温度、Ｔc4は第４磁性層11のキュリー温度を示す。ま
た、図中の各磁性層は上から順に第１磁性層４、第２磁
性層５、第３磁性層６および第４磁性層11である。
移金属副格子磁化の方向を示す説明図であり、Ｔroomは
室温、Ｔc1は第１磁性層４のキュリー温度、Ｔc2は第２
磁性層５のキュリー温度、Ｔc3は第３磁性層６のキュリ
ー温度、Ｔc4は第４磁性層11のキュリー温度を示す。ま
た、図中の各磁性層は上から順に第１磁性層４、第２磁
性層５、第３磁性層６および第４磁性層11である。
【０００６】まず、「低パワープロセス」において光ビ
ームを照射した際、媒体温度はＴLOWまで、つまりＴc1
近傍まで上昇する。このとき第２磁性層５と第４磁性層
11はその遷移金属副格子磁化に変化なく上向きであり、
そののちの冷却時に、第１磁性層４は第２磁性層５から
の交換結合力により遷移金属副格子磁化の方向は揃い上
向きになり「０」が記録される。
ームを照射した際、媒体温度はＴLOWまで、つまりＴc1
近傍まで上昇する。このとき第２磁性層５と第４磁性層
11はその遷移金属副格子磁化に変化なく上向きであり、
そののちの冷却時に、第１磁性層４は第２磁性層５から
の交換結合力により遷移金属副格子磁化の方向は揃い上
向きになり「０」が記録される。
【０００７】また、「高パワープロセス」において光ビ
ームを照射した際、媒体温度がＴHIGHまで、つまりＴｃ
2近傍まで上昇する。このとき第４磁性層11のみが遷移
金属副格子磁化の方向が上向きであり、そののちの冷却
時に、外部磁界発生装置２による磁界Ｈｂにより、第２
磁性層５の遷移金属副格子磁化の方向が下向きになり、
つぎに第１磁性層４の遷移金属副格子磁化が「低パワー
プロセス」のばあいと同様に第２磁性層５からの交換結
合力により下向きになる。そして、室温近傍において第
２磁性層５の遷移金属副格子磁化が第３磁性層６からの
交換結合力によって上向きとなる、いわゆる初期化過程
がおこるが、第１磁性層４の遷移金属副格子磁化はこの
時点で交換結合力による反転はなく下向きを保ち「１」
が記録される。
ームを照射した際、媒体温度がＴHIGHまで、つまりＴｃ
2近傍まで上昇する。このとき第４磁性層11のみが遷移
金属副格子磁化の方向が上向きであり、そののちの冷却
時に、外部磁界発生装置２による磁界Ｈｂにより、第２
磁性層５の遷移金属副格子磁化の方向が下向きになり、
つぎに第１磁性層４の遷移金属副格子磁化が「低パワー
プロセス」のばあいと同様に第２磁性層５からの交換結
合力により下向きになる。そして、室温近傍において第
２磁性層５の遷移金属副格子磁化が第３磁性層６からの
交換結合力によって上向きとなる、いわゆる初期化過程
がおこるが、第１磁性層４の遷移金属副格子磁化はこの
時点で交換結合力による反転はなく下向きを保ち「１」
が記録される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述の光変調ダイレク
トオーバーライト動作における初期化過程を実現するた
めには、光磁気記録媒体が前記第４磁性層11のような記
録再生時において副格子磁化が反転しない少なくとも１
つの磁性層（以下、初期化層ともいう）をもつことが必
要であり、また、記録再生時の全温度範囲にわたり初期
化層の副格子磁化の反転磁界が充分大きくなければなら
ない。
トオーバーライト動作における初期化過程を実現するた
めには、光磁気記録媒体が前記第４磁性層11のような記
録再生時において副格子磁化が反転しない少なくとも１
つの磁性層（以下、初期化層ともいう）をもつことが必
要であり、また、記録再生時の全温度範囲にわたり初期
化層の副格子磁化の反転磁界が充分大きくなければなら
ない。
【０００９】しかし、従来の光磁気記録媒体の製法によ
りえられた初期化層は、副格子磁化の反転磁界が充分に
大きくないため記録再生条件を狭い範囲に限定してしま
うおそれがあるという問題がある。
りえられた初期化層は、副格子磁化の反転磁界が充分に
大きくないため記録再生条件を狭い範囲に限定してしま
うおそれがあるという問題がある。
【００１０】したがって、より広範囲な記録再生条件下
での安定な光変調ダイレクトオーバーライト動作を保証
するためには初期化層の副格子磁化が反転しない光強度
および外部磁界強度の許容範囲をさらに広く確保する必
要がある。
での安定な光変調ダイレクトオーバーライト動作を保証
するためには初期化層の副格子磁化が反転しない光強度
および外部磁界強度の許容範囲をさらに広く確保する必
要がある。
【００１１】本発明は前記のような問題を解消するため
になされたもので、従来よりもより広範囲な記録再生条
件下において副格子磁化が反転しない少なくとも１つの
磁性層を備えている光磁気記録媒体および前記光磁気記
録媒体の製法を提供することを目的とする。
になされたもので、従来よりもより広範囲な記録再生条
件下において副格子磁化が反転しない少なくとも１つの
磁性層を備えている光磁気記録媒体および前記光磁気記
録媒体の製法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に垂直
磁気異方性を有する基本的に希土類金属とＦｅおよび
（または）Ｃｏ遷移金属からなる複数の磁性層が積層さ
れ、これらの積層された磁性層は隣接する磁性層と互い
に交換結合力で結合し、上記磁性層の１つは、情報が記
録される記録層、他の少なくとも１つは記録再生時に副
格子磁化が反転をおこさない初期化層であり、上記初期
化層は基本的に希土類金属とＦｅおよび（または）Ｃｏ
遷移金属が磁性層面の垂直方向に組成変調された磁性層
であり、この組成変調された磁性層によって光変調ダイ
レクトオーバーライト（重ね書き）が可能であることを
特徴とする光磁気記録媒体および基板上に垂直磁気異方
性を有する基本的に希土類金属とＦｅおよび（または）
Ｃｏ遷移金属からなる複数の磁性層が積層され、これら
の磁性層は隣接する磁性層と互いに交換結合力で結合
し、上記記録層の１つは、情報が記録される記録層、他
の少なくとも１つは記録再生時に副格子磁化が反転をお
こさない初期化層である光磁気記録媒体の製法であっ
て、上記初期化層を成膜する際、基本的に希土類金属と
Ｆｅおよび（または）Ｃｏ遷移金属を磁性層面の垂直方
向に組成変調することを特徴とする光磁気記録媒体の製
法に関する。
磁気異方性を有する基本的に希土類金属とＦｅおよび
（または）Ｃｏ遷移金属からなる複数の磁性層が積層さ
れ、これらの積層された磁性層は隣接する磁性層と互い
に交換結合力で結合し、上記磁性層の１つは、情報が記
録される記録層、他の少なくとも１つは記録再生時に副
格子磁化が反転をおこさない初期化層であり、上記初期
化層は基本的に希土類金属とＦｅおよび（または）Ｃｏ
遷移金属が磁性層面の垂直方向に組成変調された磁性層
であり、この組成変調された磁性層によって光変調ダイ
レクトオーバーライト（重ね書き）が可能であることを
特徴とする光磁気記録媒体および基板上に垂直磁気異方
性を有する基本的に希土類金属とＦｅおよび（または）
Ｃｏ遷移金属からなる複数の磁性層が積層され、これら
の磁性層は隣接する磁性層と互いに交換結合力で結合
し、上記記録層の１つは、情報が記録される記録層、他
の少なくとも１つは記録再生時に副格子磁化が反転をお
こさない初期化層である光磁気記録媒体の製法であっ
て、上記初期化層を成膜する際、基本的に希土類金属と
Ｆｅおよび（または）Ｃｏ遷移金属を磁性層面の垂直方
向に組成変調することを特徴とする光磁気記録媒体の製
法に関する。
【００１３】
【作用】本発明の光磁気記録媒体は、磁性膜面の垂直方
向に組成変調された磁性膜が初期化層として用いられて
いるので、初期化層の副格子磁化が反転しない光強度お
よび外部磁界強度の許容範囲を広くすることができ、よ
り安定な光変調ダイレクトオーバーライト動作が可能と
なる。さらにこれによって光磁気記録媒体を構成する磁
性膜の特性の許容範囲が広くなり、媒体設計上の自由度
を増すことができる。
向に組成変調された磁性膜が初期化層として用いられて
いるので、初期化層の副格子磁化が反転しない光強度お
よび外部磁界強度の許容範囲を広くすることができ、よ
り安定な光変調ダイレクトオーバーライト動作が可能と
なる。さらにこれによって光磁気記録媒体を構成する磁
性膜の特性の許容範囲が広くなり、媒体設計上の自由度
を増すことができる。
【００１４】
【実施例】本発明の光磁気記録媒体は、基板上に垂直磁
気異方性を有する基本的に希土類金属とＦｅおよび（ま
たは）Ｃｏ遷移金属からなる磁性層が積層され、それぞ
れが接する層は交換結合力で結合している多層磁性膜に
情報が記録される光磁気記録媒体であり、記録再生時に
副格子磁化が反転をおこさない少なくとも１つの磁性層
を備え、その層は基本的に希土類金属とＦｅおよび（ま
たは）Ｃｏ遷移金属が磁性膜面の垂直方向に組成変調さ
れた磁性層であることが特徴である。
気異方性を有する基本的に希土類金属とＦｅおよび（ま
たは）Ｃｏ遷移金属からなる磁性層が積層され、それぞ
れが接する層は交換結合力で結合している多層磁性膜に
情報が記録される光磁気記録媒体であり、記録再生時に
副格子磁化が反転をおこさない少なくとも１つの磁性層
を備え、その層は基本的に希土類金属とＦｅおよび（ま
たは）Ｃｏ遷移金属が磁性膜面の垂直方向に組成変調さ
れた磁性層であることが特徴である。
【００１５】本発明の光磁気記録媒体では、初期化層が
従来のものと異なるが、その他の基板や磁性層などは従
来と同様のものが用いられる。すなわち、従来から用い
られている基板上に、たとえば誘電体層が設けられ、そ
の上に従来から用いられている希土類−遷移金属合金か
らなる磁性薄膜が通常の厚さでそれぞれ積層されてお
り、最上層として保護膜が設けられている。
従来のものと異なるが、その他の基板や磁性層などは従
来と同様のものが用いられる。すなわち、従来から用い
られている基板上に、たとえば誘電体層が設けられ、そ
の上に従来から用いられている希土類−遷移金属合金か
らなる磁性薄膜が通常の厚さでそれぞれ積層されてお
り、最上層として保護膜が設けられている。
【００１６】また、それぞれが接する磁性層は、従来と
同様に交換結合力で結合されている。
同様に交換結合力で結合されている。
【００１７】本発明の光磁気記録媒体の一実施例を示す
と図１のようになる。図中、１は半導体レーザなどより
出射されレンズにより集光された光ビーム、２は磁界Ｈ
ｂを発生させる外部磁界発生装置、３はガラスまたはプ
ラスチックの透明基板、４〜８は互いに交換結合した５
層の磁性層であり、４は第１磁性層、５は第２磁性層、
６は第３磁性層、７は磁性膜面の垂直方向に組成が変調
された磁性層（組成変調磁性層）、８は第５磁性層、
９、10は誘電体層である。
と図１のようになる。図中、１は半導体レーザなどより
出射されレンズにより集光された光ビーム、２は磁界Ｈ
ｂを発生させる外部磁界発生装置、３はガラスまたはプ
ラスチックの透明基板、４〜８は互いに交換結合した５
層の磁性層であり、４は第１磁性層、５は第２磁性層、
６は第３磁性層、７は磁性膜面の垂直方向に組成が変調
された磁性層（組成変調磁性層）、８は第５磁性層、
９、10は誘電体層である。
【００１８】また、図１で示される光磁気記録媒体の各
層の具体例を示すと、たとえば以下のようになる。ここ
で、たとえばＴｂ25Ｆｅ65Ｃｏ10中の25、65および10
は、原子比率（ａｔ％）を示す。
層の具体例を示すと、たとえば以下のようになる。ここ
で、たとえばＴｂ25Ｆｅ65Ｃｏ10中の25、65および10
は、原子比率（ａｔ％）を示す。
【００１９】 基板 ：ガラスまたはプラスチック透明基板 誘電体層 ：ＳｉＮｘ 600 Å 第１磁性層：ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質磁性合金層 Ｔｂ25Ｆｅ65Ｃｏ10 700 Å 第５磁性層：ＧｄＦｅＣｏ３元系非晶質磁性合金層 Ｇｄ33Ｆｅ60Ｃｏ7 100 Å 第２磁性層：ＧｄＤｙＦｅＣｏ４元系非晶質磁性合金層 Ｇｄ10Ｄｙ19Ｆｅ47Ｃｏ24 800 Å 第３磁性層：ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質磁性合金層 Ｔｂ17Ｆｅ79Ｃｏ4 200 Å 組成変調磁性層：Ｔｂ層およびＦｅＣｏ層が磁性膜面の垂直方向に周期的に 積層され、組成の変調された構造を有するＴｂＦｅＣｏ系非晶 質磁性層 ＴｂX（Ｆｅ100-Y ＣｏY ）100-X 400 Å 保護層 ：ＳｉＮｘ 600 Å 本発明の光磁気記録媒体への光変調ダイレクトオーバー
ライト動作は従来と同様である。
ライト動作は従来と同様である。
【００２０】本発明では、前記初期化層が従来のものと
異なり、磁性膜面の垂直方向に組成変調されている。磁
性膜面の垂直方向に組成変調されているとは、たとえば
希土類金属層および遷移金属層が磁性膜面の垂直方向に
積層され、希土類金属（あるいは遷移金属）の原子比率
が磁性膜面の垂直方向に変調された構造で、その組成変
調構造はたとえば高分解能オージェ電子分光法などによ
り確認される。
異なり、磁性膜面の垂直方向に組成変調されている。磁
性膜面の垂直方向に組成変調されているとは、たとえば
希土類金属層および遷移金属層が磁性膜面の垂直方向に
積層され、希土類金属（あるいは遷移金属）の原子比率
が磁性膜面の垂直方向に変調された構造で、その組成変
調構造はたとえば高分解能オージェ電子分光法などによ
り確認される。
【００２１】本発明の初期化層の具体例としては、たと
えばＴｂ層およびＣｏ層が磁性膜面の垂直方向に周期的
に積層され組成変調された構造を有するＴｂＣｏ非晶質
磁性層があげられるが、その組成はＴｂXＣｏ100-X（21
≦Ｘ≦30（at％））が好ましい。この組成は層全体での
組成である。また、変調周期λは組成の均一な従来の合
金層（λ＝０Å）と比較して副格子磁化が反転しない光
強度および外部磁界強度のより広い許容範囲が確保され
る点から３Å≦λ≦20Åであるのが好ましい。
えばＴｂ層およびＣｏ層が磁性膜面の垂直方向に周期的
に積層され組成変調された構造を有するＴｂＣｏ非晶質
磁性層があげられるが、その組成はＴｂXＣｏ100-X（21
≦Ｘ≦30（at％））が好ましい。この組成は層全体での
組成である。また、変調周期λは組成の均一な従来の合
金層（λ＝０Å）と比較して副格子磁化が反転しない光
強度および外部磁界強度のより広い許容範囲が確保され
る点から３Å≦λ≦20Åであるのが好ましい。
【００２２】また、本発明の初期化層の具体例として、
たとえばＴｂ層およびＦｅＣｏ層が磁性層面の垂直方向
に周期的に積層され組成変調された構造を有するＴｂＦ
ｅＣｏ非晶質磁性層があげられるが、その組成はＴｂX
（Ｆｅ100-YＣｏY）100-X（21≦Ｘ≦30（at％）、50≦
Ｙ＜100（at％））が好ましい。この組成は層全体での
組成である。また、変調周期λは組成の均一な従来の合
金層（λ＝０Å）と比較して、副格子磁化が反転しない
光強度および外部磁界強度のより広い許容範囲が確保さ
れる点から３Å≦λ≦20Åであるのが好ましい。
たとえばＴｂ層およびＦｅＣｏ層が磁性層面の垂直方向
に周期的に積層され組成変調された構造を有するＴｂＦ
ｅＣｏ非晶質磁性層があげられるが、その組成はＴｂX
（Ｆｅ100-YＣｏY）100-X（21≦Ｘ≦30（at％）、50≦
Ｙ＜100（at％））が好ましい。この組成は層全体での
組成である。また、変調周期λは組成の均一な従来の合
金層（λ＝０Å）と比較して、副格子磁化が反転しない
光強度および外部磁界強度のより広い許容範囲が確保さ
れる点から３Å≦λ≦20Åであるのが好ましい。
【００２３】本発明の光磁気記録媒体は、上述のような
初期化層を有するため、初期化層の副格子磁化が反転し
ない光強度および外部磁界強度の許容範囲を広くするこ
とができ、より広範囲な記録再生条件下での安定な光変
調ダイレクトオーバーライト動作が可能となる。さらに
これによってこの光磁気記録媒体を構成する他の磁性膜
の特性の許容範囲が広くなり、媒体設計上の自由度を増
すことができる。
初期化層を有するため、初期化層の副格子磁化が反転し
ない光強度および外部磁界強度の許容範囲を広くするこ
とができ、より広範囲な記録再生条件下での安定な光変
調ダイレクトオーバーライト動作が可能となる。さらに
これによってこの光磁気記録媒体を構成する他の磁性膜
の特性の許容範囲が広くなり、媒体設計上の自由度を増
すことができる。
【００２４】つぎに、本発明の光磁気記録媒体の製法に
ついて図１に基づき説明する。
ついて図１に基づき説明する。
【００２５】本発明では、前記初期化層を形成するた
め、たとえばスパッタ装置を用いて基板を回転させなが
ら希土類金属と遷移金属を同時にスパッタして行なう。
め、たとえばスパッタ装置を用いて基板を回転させなが
ら希土類金属と遷移金属を同時にスパッタして行なう。
【００２６】まず、従来の方法と同様にたとえばターゲ
ット上を基板が通過するように回転する基板ホルダに装
着した透明基板３上に、たとえば第１磁性層４、第５磁
性層８、第２磁性層５、第３磁性層６と順次各合金ター
ゲットをスパッタすることにより成膜する。
ット上を基板が通過するように回転する基板ホルダに装
着した透明基板３上に、たとえば第１磁性層４、第５磁
性層８、第２磁性層５、第３磁性層６と順次各合金ター
ゲットをスパッタすることにより成膜する。
【００２７】そののち、初期化層である第４磁性層７を
たとえば基板を回転させながらＴｂターゲットとＣｏタ
ーゲットとを同時にスパッタを行ない成膜する。
たとえば基板を回転させながらＴｂターゲットとＣｏタ
ーゲットとを同時にスパッタを行ない成膜する。
【００２８】基板を回転させる際、希土類金属および遷
移金属の成膜速度がそれぞれ、ａÅ／分、ｂÅ／分のと
き、基板回転数がＲｒ．ｐ．ｍ．として変調周期λがλ
＝（ａ＋ｂ）／Ｒである組成変調磁性膜がえられる。た
とえばＴｂターゲットとＣｏターゲットを用いてＴｂお
よびＣｏの成膜速度がともに100Å／分のとき、基板回
転数を20ｒ．ｐ．ｍ．としてλ＝10ÅのＴｂＣｏ組成変
調磁性膜がえられる。また、基板の回転数を変化させる
ことにより、組成変調磁性膜の変調周期λを任意に変化
させることができる。
移金属の成膜速度がそれぞれ、ａÅ／分、ｂÅ／分のと
き、基板回転数がＲｒ．ｐ．ｍ．として変調周期λがλ
＝（ａ＋ｂ）／Ｒである組成変調磁性膜がえられる。た
とえばＴｂターゲットとＣｏターゲットを用いてＴｂお
よびＣｏの成膜速度がともに100Å／分のとき、基板回
転数を20ｒ．ｐ．ｍ．としてλ＝10ÅのＴｂＣｏ組成変
調磁性膜がえられる。また、基板の回転数を変化させる
ことにより、組成変調磁性膜の変調周期λを任意に変化
させることができる。
【００２９】図２は変調周期λの異なるＴｂ25Ｃｏ75膜
の室温における垂直磁気異方性Ｋｕ⊥および保磁力Ｈｃ
を示す。同図より明らかなように、組成変調によりＫｕ
⊥およびＨｃの大きな磁性膜をうることができる。
の室温における垂直磁気異方性Ｋｕ⊥および保磁力Ｈｃ
を示す。同図より明らかなように、組成変調によりＫｕ
⊥およびＨｃの大きな磁性膜をうることができる。
【００３０】さらに図３はＨｃが極大値をとるλ＝10Å
と組成変調が無いλ＝０ÅのＴｂ25Ｃｏ75膜のＨｃの温
度依存性の測定結果であり、測定温度範囲にわたりλ＝
10ÅのＴｂ25Ｃｏ75膜の方がＨｃが大きいことがわか
る。なお、Ｈｃ１（λ＝０）は室温での保磁力を示す。
と組成変調が無いλ＝０ÅのＴｂ25Ｃｏ75膜のＨｃの温
度依存性の測定結果であり、測定温度範囲にわたりλ＝
10ÅのＴｂ25Ｃｏ75膜の方がＨｃが大きいことがわか
る。なお、Ｈｃ１（λ＝０）は室温での保磁力を示す。
【００３１】したがって、本発明の光磁気記録媒体の製
法によりえられる組成変調磁性膜は、組成の均一な従来
の磁性膜に比較して垂直磁気異方性が大きく、広い温度
範囲にわたり保磁力が大きい。この組成変調磁性膜を初
期化層として用いると広い温度範囲にわたり反転磁界が
大きく、より広範囲な記録再生条件下での安定な光変調
ダイレクトオーバーライト動作が可能となる。
法によりえられる組成変調磁性膜は、組成の均一な従来
の磁性膜に比較して垂直磁気異方性が大きく、広い温度
範囲にわたり保磁力が大きい。この組成変調磁性膜を初
期化層として用いると広い温度範囲にわたり反転磁界が
大きく、より広範囲な記録再生条件下での安定な光変調
ダイレクトオーバーライト動作が可能となる。
【００３２】またこのような効果は、たとえば蒸着装置
を用いてシャッターの開閉により組成変調磁性膜をうる
ような製法であつてもよく、スパッタ装置を用いた上述
の製法に限定される訳ではないのはいうまでもない。
を用いてシャッターの開閉により組成変調磁性膜をうる
ような製法であつてもよく、スパッタ装置を用いた上述
の製法に限定される訳ではないのはいうまでもない。
【００３３】［実施例１］スパッタ装置を使用し、図１
に示される構成となるようにガラス基板上に誘電体層
９、第１磁性層４、第５磁性層８、第２磁性層５、第３
磁性層６、組成変調磁性層７などをスパッタ法により順
次成膜して、下記の構成の光磁気記録媒体を製造した。
に示される構成となるようにガラス基板上に誘電体層
９、第１磁性層４、第５磁性層８、第２磁性層５、第３
磁性層６、組成変調磁性層７などをスパッタ法により順
次成膜して、下記の構成の光磁気記録媒体を製造した。
【００３４】 誘電体層 ：ＳｉＮｘ 600 Å 第１磁性層：ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質磁性合金層 Ｔｂ25Ｆｅ65Ｃｏ10 700 Å 第５磁性層：ＧｄＦｅＣｏ３元系非晶質磁性合金層 Ｇｄ33Ｆｅ60Ｃｏ7 100 Å 第２磁性層：ＧｄＤｙＦｅＣｏ４元系非晶質磁性合金層 Ｇｄ10Ｄｙ19Ｆｅ47Ｃｏ24 800 Å 第３磁性層：ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質磁性合金層 200 Å Ｔｂ17Ｆｅ79Ｃｏ4 組成変調磁性層：ＴｂＣｏ２元系非晶質磁性層 400 Å Ｔｂ25Ｃｏ75（変調周期λ＝10Å） 保護層 ：ＳｉＮｘ 600 Å 組成変調磁性層７はＴｂターゲットとＣｏターゲットを
用いて成膜した変調周期λ＝10ÅのＴｂ25Ｃｏ75膜であ
る。このときの成膜条件は、成膜時Ａｒ圧力2.3mTorr、
ＴｂターゲットおよびＣｏターゲットともに投入電力30
0Wで、基板回転数20r.p.m.である。
用いて成膜した変調周期λ＝10ÅのＴｂ25Ｃｏ75膜であ
る。このときの成膜条件は、成膜時Ａｒ圧力2.3mTorr、
ＴｂターゲットおよびＣｏターゲットともに投入電力30
0Wで、基板回転数20r.p.m.である。
【００３５】以上のようにして製造した光磁気記録媒体
を用い、ビット長3.8μmの信号上にビット長2.9μmの信
号を線速7.5ｍ／秒、印加磁界300 Oe、ＰLOW 3.0mWの
条件で、ＰHIGHの値を変化させて光変調ダイレクトオー
バーライトし、再生した。なお、このときＰREADは1.0m
Wとした。
を用い、ビット長3.8μmの信号上にビット長2.9μmの信
号を線速7.5ｍ／秒、印加磁界300 Oe、ＰLOW 3.0mWの
条件で、ＰHIGHの値を変化させて光変調ダイレクトオー
バーライトし、再生した。なお、このときＰREADは1.0m
Wとした。
【００３６】図４に測定結果を示す。同図に示すように
ＣＮＲ（搬送波対雑音比）が極大値より２dB落ちる値を
ＰHIGHの許容範囲を決定する下限（ＰHmin.）および上
限（ＰHmax.）の値と定義すると、ＰHIGHの許容範囲
（（ＰHmax.-ＰHmin.）／｛（ＰHmax.+ＰHmin.）／
２｝）は、このばあい70％確保できた。
ＣＮＲ（搬送波対雑音比）が極大値より２dB落ちる値を
ＰHIGHの許容範囲を決定する下限（ＰHmin.）および上
限（ＰHmax.）の値と定義すると、ＰHIGHの許容範囲
（（ＰHmax.-ＰHmin.）／｛（ＰHmax.+ＰHmin.）／
２｝）は、このばあい70％確保できた。
【００３７】［比較例１］初期化層のほかは実施例１と
同様にして、ガラス基板上に第１磁性層４、第５磁性層
８、第２磁性層５、第３磁性層６、第４磁性層11をスパ
ッタ法により順次成膜して、前記の構成の光磁気記録媒
体を製造した。第４磁性層11はＴｂＣｏ合金ターゲット
を用いて通常の方法で成膜した変調周期λ＝０ÅのＴｂ
25Ｃｏ75膜である。
同様にして、ガラス基板上に第１磁性層４、第５磁性層
８、第２磁性層５、第３磁性層６、第４磁性層11をスパ
ッタ法により順次成膜して、前記の構成の光磁気記録媒
体を製造した。第４磁性層11はＴｂＣｏ合金ターゲット
を用いて通常の方法で成膜した変調周期λ＝０ÅのＴｂ
25Ｃｏ75膜である。
【００３８】以上のようにして製造した光磁気記録媒体
を用いて、実施例１と同様にビット長3.8μmの信号上に
ビット長2.9μmの信号を線速7.5ｍ／秒、印加磁界300 O
ｅ、ＰLOW 3.0mWの条件で、ＰHIGHの値を変化させて光
変調ダイレクトオーバーライトし、再生した。なお、こ
のときＰREADは1.0mWとした。
を用いて、実施例１と同様にビット長3.8μmの信号上に
ビット長2.9μmの信号を線速7.5ｍ／秒、印加磁界300 O
ｅ、ＰLOW 3.0mWの条件で、ＰHIGHの値を変化させて光
変調ダイレクトオーバーライトし、再生した。なお、こ
のときＰREADは1.0mWとした。
【００３９】このばあい、ＰHIGHの許容範囲は50％であ
った。
った。
【００４０】［実施例２〜６］初期化層のほかは実施例
１と同様にして、ガラス基板上に第１磁性層４、第５磁
性層８、第２磁性層５、第３磁性層６、組成変調磁性層
７をスパッタ法により順次成膜して、前記の構成の光磁
気記録媒体を製造した。組成変調磁性層７はＴｂターゲ
ットとＣｏターゲットを用いて成膜したλ＝３Å、λ＝
５Å、λ＝15Å、λ＝20Å、λ＝30Å（それぞれ実施例
２〜６）のＴｂ25Ｃｏ75膜である。
１と同様にして、ガラス基板上に第１磁性層４、第５磁
性層８、第２磁性層５、第３磁性層６、組成変調磁性層
７をスパッタ法により順次成膜して、前記の構成の光磁
気記録媒体を製造した。組成変調磁性層７はＴｂターゲ
ットとＣｏターゲットを用いて成膜したλ＝３Å、λ＝
５Å、λ＝15Å、λ＝20Å、λ＝30Å（それぞれ実施例
２〜６）のＴｂ25Ｃｏ75膜である。
【００４１】以上のようにして製造した光磁気記録媒体
を用いて、実施例１と同様にビット長3.8μmの信号上に
ビット長2.9μmの信号を線速7.5ｍ／秒、印加磁界300 O
ｅ、ＰLOW 3.0mWの条件で、ＰHIGHの値を変化させて光
変調ダイレクトオーバーライトし、再生した。なお、こ
のときＰREADは1.0mWとした。
を用いて、実施例１と同様にビット長3.8μmの信号上に
ビット長2.9μmの信号を線速7.5ｍ／秒、印加磁界300 O
ｅ、ＰLOW 3.0mWの条件で、ＰHIGHの値を変化させて光
変調ダイレクトオーバーライトし、再生した。なお、こ
のときＰREADは1.0mWとした。
【００４２】図５はえられたＰHIGHの許容範囲の各測定
結果を実施例１および比較例１の結果も含めて変調周期
λに対してプロットしたものである。従来の合金ターゲ
ットを用いたスパッタ法により製造した光磁気記録媒体
に比べてＰHIGHの許容範囲は３Å≦λ≦20Åの範囲で大
きな値をえられることが、同図により明らかである。
結果を実施例１および比較例１の結果も含めて変調周期
λに対してプロットしたものである。従来の合金ターゲ
ットを用いたスパッタ法により製造した光磁気記録媒体
に比べてＰHIGHの許容範囲は３Å≦λ≦20Åの範囲で大
きな値をえられることが、同図により明らかである。
【００４３】［実施例７〜１０および比較例２］初期化
層のほかは実施例１と同様にして、ガラス基板上に第１
磁性層４、第５磁性層８、第２磁性層５、第３磁性層
６、初期化層をスパッタ法により順次成膜して、前記の
構成の光磁気記録媒体を製造した。初期化層はＴｂター
ゲットとＣｏターゲットを用いて成膜したλ＝３Å、λ
＝10Å、λ＝20Å、λ＝30Å（それぞれ実施例７〜10）
のＴｂ30Ｃｏ70膜（組成変調磁性膜７）およびＴｂＣｏ
合金ターゲットを用いて通常の方法で成膜したλ＝０Å
（比較例２）のＴｂ30Ｃｏ70膜（第４磁性層11）であ
る。
層のほかは実施例１と同様にして、ガラス基板上に第１
磁性層４、第５磁性層８、第２磁性層５、第３磁性層
６、初期化層をスパッタ法により順次成膜して、前記の
構成の光磁気記録媒体を製造した。初期化層はＴｂター
ゲットとＣｏターゲットを用いて成膜したλ＝３Å、λ
＝10Å、λ＝20Å、λ＝30Å（それぞれ実施例７〜10）
のＴｂ30Ｃｏ70膜（組成変調磁性膜７）およびＴｂＣｏ
合金ターゲットを用いて通常の方法で成膜したλ＝０Å
（比較例２）のＴｂ30Ｃｏ70膜（第４磁性層11）であ
る。
【００４４】以上のようにして製造した光磁気記録媒体
を用いて、実施例１と同様にビット長3.8μmの信号上に
ビット長2.9μmの信号を線速7.5ｍ／秒、印加磁界300 O
ｅ、ＰLOW 3.0mWの条件で、ＰHIGHの値を変化させて光
変調ダイレクトオーバーライトし、再生した。なお、こ
のときＰREADは1.0mWとした。
を用いて、実施例１と同様にビット長3.8μmの信号上に
ビット長2.9μmの信号を線速7.5ｍ／秒、印加磁界300 O
ｅ、ＰLOW 3.0mWの条件で、ＰHIGHの値を変化させて光
変調ダイレクトオーバーライトし、再生した。なお、こ
のときＰREADは1.0mWとした。
【００４５】図５はえられたＰHIGHの許容範囲の各測定
結果を変調周期λに対してプロットしたものである。従
来の合金ターゲットを用いたスパッタ法により製造した
光磁気記録媒体に比べてＰHIGHの許容範囲は３Å≦λ≦
20Åの範囲で大きな値をえられることが、同図により明
らかである。
結果を変調周期λに対してプロットしたものである。従
来の合金ターゲットを用いたスパッタ法により製造した
光磁気記録媒体に比べてＰHIGHの許容範囲は３Å≦λ≦
20Åの範囲で大きな値をえられることが、同図により明
らかである。
【００４６】［実施例１１〜１４および比較例３］初期
化層のほかは実施例１と同様にして、ガラス基板上に第
１磁性層４、第５磁性層８、第２磁性層５、第３磁性層
６、初期化層をスパッタ法により順次成膜して、前記の
構成の光磁気記録媒体を製造した。初期化層７はＴｂタ
ーゲットとＦｅＣｏターゲットを用いて成膜したλ＝３
Å、λ＝10Å、λ＝20Å、λ＝30Å（それぞれ実施例11
〜14）のＴｂ25（Ｆｅ30Ｃｏ70）75膜（組成変調磁性層
７）およびＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて通常の
方法で成膜したλ＝０Å（比較例３）のＴｂ25（Ｆｅ30
Ｃｏ70）75膜（第４磁性膜11）である。
化層のほかは実施例１と同様にして、ガラス基板上に第
１磁性層４、第５磁性層８、第２磁性層５、第３磁性層
６、初期化層をスパッタ法により順次成膜して、前記の
構成の光磁気記録媒体を製造した。初期化層７はＴｂタ
ーゲットとＦｅＣｏターゲットを用いて成膜したλ＝３
Å、λ＝10Å、λ＝20Å、λ＝30Å（それぞれ実施例11
〜14）のＴｂ25（Ｆｅ30Ｃｏ70）75膜（組成変調磁性層
７）およびＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて通常の
方法で成膜したλ＝０Å（比較例３）のＴｂ25（Ｆｅ30
Ｃｏ70）75膜（第４磁性膜11）である。
【００４７】以上のようにして製造した光磁気記録媒体
を用いて、実施例１と同様にビット長3.8μmの信号上に
ビット長2.9μmの信号を線速7.5ｍ／秒、印加磁界300 O
ｅ、ＰLOW 3.0mWの条件でＰHIGHの値を変化させて光変
調ダイレクトオーバーライトし、再生した。なお、この
ときＰREADを1.0mWとした。
を用いて、実施例１と同様にビット長3.8μmの信号上に
ビット長2.9μmの信号を線速7.5ｍ／秒、印加磁界300 O
ｅ、ＰLOW 3.0mWの条件でＰHIGHの値を変化させて光変
調ダイレクトオーバーライトし、再生した。なお、この
ときＰREADを1.0mWとした。
【００４８】図６はえられたＰHIGHの許容範囲の各測定
結果を変調周期λに対してプロットしたものである。従
来の合金ターゲットを用いたスパッタ法により製造した
光磁気記録媒体に比べてＰHIGHの許容範囲は３Å≦λ≦
20Åの範囲で大きな値をえられることが、同図により明
らかである。
結果を変調周期λに対してプロットしたものである。従
来の合金ターゲットを用いたスパッタ法により製造した
光磁気記録媒体に比べてＰHIGHの許容範囲は３Å≦λ≦
20Åの範囲で大きな値をえられることが、同図により明
らかである。
【００４９】［実施例１５〜１８および比較例４］初期
化層のほかは実施例１と同様にして、ガラス基板上に第
１磁性層４、第５磁性層８、第２磁性層５、第３磁性層
６、初期化層をスパッタ法により順次成膜して、前記の
構成の光磁気記録媒体を製造した。初期化層はＴｂター
ゲットとＦｅＣｏターゲットを用いて成膜したλ＝３
Å、λ＝10Å、λ＝20Å、λ＝30Å（それぞれ実施例15
〜18）のＴｂ30（Ｆｅ30Ｃｏ70）70膜（組成変調磁性層
７）およびＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて通常の
方法で成膜したλ＝０Å（比較例４）のＴｂ30（Ｆｅ30
Ｃｏ70）70膜（第４磁性層11）である。
化層のほかは実施例１と同様にして、ガラス基板上に第
１磁性層４、第５磁性層８、第２磁性層５、第３磁性層
６、初期化層をスパッタ法により順次成膜して、前記の
構成の光磁気記録媒体を製造した。初期化層はＴｂター
ゲットとＦｅＣｏターゲットを用いて成膜したλ＝３
Å、λ＝10Å、λ＝20Å、λ＝30Å（それぞれ実施例15
〜18）のＴｂ30（Ｆｅ30Ｃｏ70）70膜（組成変調磁性層
７）およびＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて通常の
方法で成膜したλ＝０Å（比較例４）のＴｂ30（Ｆｅ30
Ｃｏ70）70膜（第４磁性層11）である。
【００５０】以上のようにして製造した光磁気記録媒体
を用いて、実施例１と同様にビット長3.8μmの信号上に
ビット長2.9μmの信号を線速7.5ｍ／秒、印加磁界300 O
ｅ、ＰLOW 3.0mWの条件でＰHIGHの値を変化させて光変
調ダイレクトオーバーライトし、再生した。なお、この
ときＰREADを1.0mWとした。
を用いて、実施例１と同様にビット長3.8μmの信号上に
ビット長2.9μmの信号を線速7.5ｍ／秒、印加磁界300 O
ｅ、ＰLOW 3.0mWの条件でＰHIGHの値を変化させて光変
調ダイレクトオーバーライトし、再生した。なお、この
ときＰREADを1.0mWとした。
【００５１】図６はえられたＰHIGHの許容範囲の各測定
結果を変調周期λに対してプロットしたものである。従
来の合金ターゲットを用いたスパッタ法により製造した
光磁気記録媒体に比べてＰHIGHの許容範囲は３Å≦λ≦
20Åの範囲で大きな値をえられることが、同図により明
らかである。
結果を変調周期λに対してプロットしたものである。従
来の合金ターゲットを用いたスパッタ法により製造した
光磁気記録媒体に比べてＰHIGHの許容範囲は３Å≦λ≦
20Åの範囲で大きな値をえられることが、同図により明
らかである。
【００５２】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体を用いることに
より、初期化層の副格子磁化が反転しない光強度および
外部磁界強度の許容範囲を広くすることができ、より広
範囲な記録再生条件下での安定な光変調ダイレクトオー
バーライト動作が可能となる。また、本発明の光磁気記
録媒体では光磁気記録媒体を構成する磁性膜の特性の許
容範囲が広くなり、媒体設計上の自由度を増すことがで
きる。
より、初期化層の副格子磁化が反転しない光強度および
外部磁界強度の許容範囲を広くすることができ、より広
範囲な記録再生条件下での安定な光変調ダイレクトオー
バーライト動作が可能となる。また、本発明の光磁気記
録媒体では光磁気記録媒体を構成する磁性膜の特性の許
容範囲が広くなり、媒体設計上の自由度を増すことがで
きる。
【００５３】また、本発明の製法によれば、垂直磁気異
方性を有する基本的に希土類金属とＦｅおよび（また
は）Ｃｏ遷移金属からなる磁性膜において希土類金属と
遷移金属が磁性膜面の垂直方向に組成変調した構造を持
ち、従来の製法による組成の均一な磁性膜に比較して垂
直磁気異方性が大きく、広い温度範囲にわたり保磁力の
大きな磁性膜をえることができる。
方性を有する基本的に希土類金属とＦｅおよび（また
は）Ｃｏ遷移金属からなる磁性膜において希土類金属と
遷移金属が磁性膜面の垂直方向に組成変調した構造を持
ち、従来の製法による組成の均一な磁性膜に比較して垂
直磁気異方性が大きく、広い温度範囲にわたり保磁力の
大きな磁性膜をえることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録媒体の構成および記録再生
時の光ビームを示す説明図である。
時の光ビームを示す説明図である。
【図２】本発明の製法により形成された初期化層の垂直
磁気異方性および保磁力の組成変調周期依存性を示すグ
ラフである。
磁気異方性および保磁力の組成変調周期依存性を示すグ
ラフである。
【図３】本発明の製法により形成された初期化層の保磁
力の温度依存性を示すグラフである。
力の温度依存性を示すグラフである。
【図４】実施例１でえられた光磁気記録媒体のＣＮＲと
（ＰHIGH／ＰHmin.）との関係を示すグラフである。
（ＰHIGH／ＰHmin.）との関係を示すグラフである。
【図５】実施例１〜10および比較例１〜２でえられた光
磁気記録媒体のＰHIGHの許容範囲の組成変調周期依存性
を示すグラフである。
磁気記録媒体のＰHIGHの許容範囲の組成変調周期依存性
を示すグラフである。
【図６】実施例11〜18および比較例３〜４でえられた光
磁気記録媒体のＰHIGHの許容範囲の組成変調周期依存性
を示すグラフである。
磁気記録媒体のＰHIGHの許容範囲の組成変調周期依存性
を示すグラフである。
【図７】従来の光磁気記録媒体の構成および記録再生時
の光ビームを示す説明図である。
の光ビームを示す説明図である。
【図８】３値変調された光ビームの光強度を示す説明図
である。
である。
【図９】従来の光磁気記録媒体の各温度における磁化状
態を示す説明図である。
態を示す説明図である。
３ 基板 ４ 第１磁性層 ５ 第２磁性層 ６ 第３磁性層 ７ 組成変調磁性層（磁性膜面の垂直方向に組成が変調
された層） ８ 第５磁性層
された層） ８ 第５磁性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徳永 隆志 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 産業システム研究所内 (72)発明者 中木 義幸 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 産業システム究所内 (56)参考文献 特開 平２−230531（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−156752（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−211141（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−128041（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−71041（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に垂直磁気異方性を有する基本的
に希土類金属とＦｅおよび（または）Ｃｏ遷移金属から
なる複数の磁性層が積層され、これらの積層された磁性
層は隣接する磁性層と互いに交換結合力で結合し、上記
磁性層の１つは、情報が記録される記録層、他の少なく
とも１つは記録再生時に副格子磁化が反転をおこさない
初期化層であり、上記初期化層は基本的に希土類金属と
Ｆｅおよび（または）Ｃｏ遷移金属が磁性層面の垂直方
向に組成変調された磁性層であり、この組成変調された
磁性層によって光変調ダイレクトオーバーライト（重ね
書き）が可能であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 初期化層は、Ｔｂ層およびＦｅＣｏ層ま
たはＣｏ層が磁性層面の垂直方向に周期的に積層され組
成変調された構造を有する一般式ＴｂＸ（Ｆｅ100-YＣ
ｏY）100-X（21≦Ｘ≦30（at％）、50≦Ｙ＜100（at
％））で示されるＴｂＦｅＣｏ非晶質磁性層またはＴｂ
Ｃｏ非晶質磁性膜であり、その変調周期λが、３Å≦λ
≦20Åである請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 基板上に垂直磁気異方性を有する基本的
に希土類金属とＦｅおよび（または）Ｃｏ遷移金属から
なる複数の磁性層が積層され、これらの磁性層は隣接す
る磁性層と互いに交換結合力で結合し、上記記録層の１
つは、情報が記録される記録層、他の少なくとも１つは
記録再生時に副格子磁化が反転をおこさない初期化層で
ある光磁気記録媒体の製法であって、上記初期化層を成
膜する際、基本的に希土類金属とＦｅおよび（または）
Ｃｏ遷移金属を磁性層面の垂直方向に組成変調すること
を特徴とする光磁気記録媒体の製法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4090492A JP2555245B2 (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 光磁気記録媒体およびその製法 |
| US08/209,258 US5547751A (en) | 1992-04-10 | 1994-03-14 | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same |
| US08/543,517 US5593791A (en) | 1992-04-10 | 1995-10-16 | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4090492A JP2555245B2 (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 光磁気記録媒体およびその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05290431A JPH05290431A (ja) | 1993-11-05 |
| JP2555245B2 true JP2555245B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=14000025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4090492A Expired - Fee Related JP2555245B2 (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 光磁気記録媒体およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555245B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7646179B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-01-12 | Ricoh Company, Ltd. | Electric power supply circuit and electronic device |
| US7675276B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-03-09 | Torex Semiconductor Ltd. | DC/DC converter |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0670858B2 (ja) * | 1983-05-25 | 1994-09-07 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体とその製法 |
| JP2820154B2 (ja) * | 1989-06-19 | 1998-11-05 | 富士写真フイルム株式会社 | ハロゲン化銀写真感光材料 |
-
1992
- 1992-04-10 JP JP4090492A patent/JP2555245B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7675276B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-03-09 | Torex Semiconductor Ltd. | DC/DC converter |
| US7646179B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-01-12 | Ricoh Company, Ltd. | Electric power supply circuit and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05290431A (ja) | 1993-11-05 |
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