JPH0670858B2 - 光磁気記録媒体とその製法 - Google Patents

光磁気記録媒体とその製法

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JPH0670858B2
JPH0670858B2 JP58092067A JP9206783A JPH0670858B2 JP H0670858 B2 JPH0670858 B2 JP H0670858B2 JP 58092067 A JP58092067 A JP 58092067A JP 9206783 A JP9206783 A JP 9206783A JP H0670858 B2 JPH0670858 B2 JP H0670858B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、例えば書き換え可能な光磁気ディスクに適用
する光磁気記録媒体とその製法に係わる。
背景技術とその問題点 レーザー光、例えば半導体レーザー光による書き込み、
読み出しを行うことができ書き換え可能な光磁気ディス
クとして、希土類金属と遷移金属とのアモルファス（非
晶質）合金によるものが提案されている。このような光
磁気ディスク、すなわち光磁気記録媒体を得る方法とし
ては、スパッタリング法がある。この場合のスパッタリ
ングは、１つのスパッタリング源からなされる。すなわ
ち、そのスパッタリング源、すなわちターゲットは、遷
移金属ターゲット上に希土類金属のペレット（細片）を
載せた構成とし、これら金属を同時に基体上にスパッタ
リングするという方法がとられる。このようにして得た
光磁気記録媒体の磁化曲線（磁化の強さＭ−磁場の強さ
Ｈ曲線）は、第１図に示すようにそのヒステリシス特性
の角型が悪い。したがって、この場合、何らかの理由
で、記録ずみの媒体に外部磁界が与えられた場合などに
おいて媒体上の記録が劣化しＳ／Ｎを低めてしまうなど
の欠点がある。また、このような方法による場合、記録
媒体の全域に亘って一様のスパッタリング、したがって
一様の磁気特性を有するものが得難いという欠点があ
る。
発明の目的 本発明は上述した諸欠点を解消し、各部一様にすぐれた
特性を有する光磁気記録媒体とその製法を提供するもの
である。
発明の概要 本発明においては、第２図に示すように、基体（１）、
例えばガラス，或いはアクリル，ポリカーボネイト等よ
り成るディスク基体上に、Tb,Gd等の希土類金属の単体
若しくは合金による希土類金属層（２）と,Fe,Co等の遷
移金属の同様に単体若しくは合金による遷移金属層
（３）とが、夫々１層以上例えば多層に順次交互に積層
されるようにすると共に、これら希土類金属層（２）と
遷移金属層（３）との間に、これら金属層（２）及び
（３）の各成分を共に含む中間層（４）を介存させる。
図中（５）は本発明による光磁気記録媒体を全体として
示す。
また本発明においては、このような構成を有する光磁気
記録媒体（５）を得るに、特に希土類金属と遷移金属と
を夫々異るスパッター源として設け、両スパッター源か
ら媒体（５）を構成する基体（１）に向って同時に夫々
金属をスパッタリングする。この場合、両スパッタリン
グ源からの基体に対する主たるスパッタリング位置が互
いに異るように、両スパッタリング源と基体との位置関
係と、更に両スパッタリング源と基体との間に配置する
マスクを選定する。そして、これら各スパッター源と基
体とを相対的に回転移動させることによって基体上に、
希土類金属層と、遷移金属層とを積層し、両金属層間に
希土類金属と遷移金属との両成分を含む中間層を介在さ
せた光磁気記録層を形成する。
このようにして、基体上に遷移金属層と希土類金属層と
が積層された記録層におけるその厚さ方向に関する各金
属の分布は、例えば第３図に夫々遷移金属を実線で、希
土類金属を破線で示すように、厚さ方向に交互にピーク
を有し、このピーク部では互いに他の金属を殆んど含ま
ないような分布を生じるようにする。すなわち遷移金属
の分布のピーク部では、希土類金属を殆んど含まれずに
遷移金属のみの単一若しくは合金層（３）が形成される
ようにし、希土類金属の分布のピーク部では遷移金属を
殆んど含まずに希土類金属のみの単一若しくは合金層
（２）が形成され、両ピーク部間において希土類合金及
び遷移金属の両金属を含む中間層（４）が形成されるよ
うにする。
尚、この場合、基体に対するスパッタリングによる各金
属層の成長速度は、２〜20Å／秒就中５〜10Å／秒とな
るように基体とスパッタリング源との相対的回転速度、
そのほかのスパッタリング条件を選定することが望まし
い。すなわち、基体とスパッタリング源との相対的回転
速度が速すぎて、その成長速度が２Å／秒未満となる
と、遷移金属と希土類金属とが夫々層状に形成され難く
なり、また20Å／秒を超えると磁気的特性が低下してく
ることが認められた。
実施例 本発明製法を実施するスパッタリング装置としては、マ
グネトロン型構成をとり得るが、これを特殊の構成とす
る。第４図は本発明製法を実施するスパッタリング装置
の一例の略線的構成を示すもので、この場合、ベルジャ
（図示せず）内に、軸心０−０′を中心として回転する
基台（６）を設け、これの例えば下面に目的とする光磁
気記録媒体を構成するガラス板、樹脂板等より成る基体
（１）が配置される。そして、この基体（１）に対向し
て軸心０−０′を中心に等角間隔、すなわち180゜の角
間隔を保持して２個のスパッター源（７）及び（８）を
配置する。これらスパッター源（７）及び（８）と基台
（６）、すなわち基体（１）との間には、スパッター源
（７）及び（８）より夫々スパッターされる金属のスパ
ッター位置を規制するマスク（９）を配置する。スパッ
ター源（７）は希土類金属Tbの板状体より成るターゲッ
ト（10）を有し、スパッター源（８）は、遷移金属Feの
板状体より成るターゲット（11）を有して成る。（12）
及び（13）は、夫々マグネットを示す。
マスク（９）は、例えば第５図に示すように、ターゲッ
ト（10）及び（11）に対向する部分にこれらターゲット
（10）及び（11）の中心を通る直線ｘ方向に外側に向っ
て広がるいちょう形の窓（14）及び（15）が穿設されて
成り、基台（６）が停止した状態では基体（１）の例え
ば主として一半部に一方のターゲット（10）からの希土
類金属がスパッタリングされ、主として他半部に他方の
ターゲット（11）からの遷移金属がスパッリングされる
ようにする。
そして基台（６）を回転させながらターゲット（10）及
び（11）を負極側として直流スパッタリングを行う。
今この方法によってこの基台（６）の回転を１回転３秒
間の回転速度をもって回転させて６分間、すなわち、12
0回の回転によってスパッタリングを行った。この場
合、基体（１）上には、全体として1000Åの金属層が堆
積被着された。そして、このようにして形成された金属
層は、第２図で説明したようにTb層、すなわち希土類金
属層（２）と、Fe層、すなわち遷移金属層（３）と両者
間に両金属の成分を含んで成る中間層（４）が介存され
た積層構造を有するものとなった。この場合の磁化曲線
は第６図に示すように、角型比持にHcの向上がみられ
る。
このように角型比の向上がはかられるのは、次の理由に
よるものと思われる。すなわち、抗磁力Hcは、磁気異方
性と歪力とに依存するが、本発明による光磁気記録媒体
においては、希土類金属層（２）と遷移金属層（３）
と、希土類金属及び遷移金属の両者より成る中間層
（４）とを積層したことによって、主として両金属成分
を含む中間層（４）においては、両成分の相互作用によ
って磁気異方性が得られるが、上述の３層（２）（３）
（４）の形成によって主として中間層（４）と各金属層
（２）及び（３）との間に歪力が発生し、これがHcの改
善、ひいては角型の改善に寄与しているものと思われ
る。
尚、上述のスパッタリングは、直流スパッタリングで行
うことが望ましい。第７図及び第８図は、夫々高周波ス
パッタリングと直流スパッタリングで夫々形成した媒体
の磁化曲線を示すもので直流スパッタリングによる場
合、よりすぐれた角型特性を示している。
尚、上述した例においては、各希土類金属層（２）と遷
移金属層（３）とを夫々単一金属によって構成した場合
であるが、これらの一方若しくは双方を２元以上の組成
とすることもできる。例えば希土類金属としてTbGd合
金，遷移金属としてFeCo合金を用い得る。このように希
土類金属，或いは（及び）遷移金属として２元以上の金
属より構成する場合は、ターゲット（10）或いは（及
び）（11）として夫々これらの合金によって構成する
か、或いはターゲット（10）或いは（及び）（11）を部
分的に、特にマスク（９）の窓（14）或いは（及び）
（15）に臨む部分において部分的に夫々の金属部分の面
積の比率か、最終的に各金属層（２）或いは（及び）
（３）得ようとする組成比の割合となるように選定する
とか、ターゲット（10）或いは（及び）（11）として１
種の金属の板体上に他の金属ペレットを載せてそのスパ
ッターを行うなどの方法を採り得る。
また、スパッタリング源は、希土類金属と遷移金属とに
関し、夫々異るスパッタリング源を用いるものである
が、これらは夫々複数個設けることもできる。
発明の効果 上述したように本発明によれば、高い抗磁力を有し、す
ぐれた角型を有する、したがってＳ／Ｎの高い光磁気記
録媒体を得ることができるものである。尚、本発明に垂
直磁化膜、すなわち光磁気記録層の異方性定数Kuは、従
来一般のそれの約１桁高い106erg／ccとなつた。すなわ
ち、本発明によれば、抗磁力Hcが高められ、これによつ
て保存性にすぐれ、熱的安定性にすぐれ、更に高密度記
録化がはかられる。すなわち、記録ビツトの最小径ｄ
は、 （Ewは磁壁エネルギー,Msは飽和磁化） で与えられるので、Hcが大となることによつて記録ビツ
トの径ｄを小さくでき、これによつて高密度記録化がは
かられるのである。
また、従来一般の希土類−遷移金属による光磁気記録層
の場合、その飽和磁化Ms−温度Ｔ特性は、第９図中破線
図示のようなフエリ磁性を示すものであり、その補償温
度Tcomp近傍で用いられるものであるが、本発明によるM
s−Ｔ特性は、第９図中実線図示の特性を示し、その補
償温度Tcompは、０゜Kないしはそれ以下となるので、特
性の安定化がはかられ、これに伴つてその作製方法も容
易となるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の光磁気記録媒体の磁化曲線図、第２図は
本発明による光磁気記録媒体の略線的拡大断面図、第３
図はその成分分布図、第４図は本発明製法を実施するス
パッタリング装置の一例の略線的構成図、第５図はその
要部の平面図、第６図は本発明による光磁気記録媒体の
磁化曲線図、第７図及び第８図は夫々本発明の説明に供
する磁化曲線図、第９図は飽和磁化−温度特性曲線図で
ある。 （１）は基体、（２）は希土類金属層、（３）は遷移金
属層、（４）は中間層である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基体上に、希土類金属層と、遷移金属層
    と、両金属層間に介存された上記希土類金属及び上記遷
    移金属の両成分を含む中間層とが積層されて成る光磁気
    記録媒体。
  2. 【請求項２】基体に対して互いに分離して設けられた遷
    移金属のスパッター源と希土類金属のスパッター源とか
    ら夫々の金属を同時に上記基体に対し夫々の主たるスパ
    ッタリング位置が異る位置となるようにスパッタリング
    すると共に、上記両金属のスパッター源と上記基体とを
    相対的に回転移動させることによって上記基体上に、希
    土類金属層と、遷移金属層と、両金属層間に介存された
    上記希土類金属及び上記遷移金属の両成分を含む中間層
    とが積層された光磁気記録媒体の製法。
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