JPS61144742A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

Info

Publication number
JPS61144742A
JPS61144742A JP59265640A JP26564084A JPS61144742A JP S61144742 A JPS61144742 A JP S61144742A JP 59265640 A JP59265640 A JP 59265640A JP 26564084 A JP26564084 A JP 26564084A JP S61144742 A JPS61144742 A JP S61144742A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording medium
rare earth
magneto
optical recording
transition metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59265640A
Other languages
English (en)
Inventor
Noboru Sato
昇 佐藤
Kazutaka Haniyu
和隆 羽生
Sanae Abe
安部　早苗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP59265640A priority Critical patent/JPS61144742A/ja
Priority to GB8530509A priority patent/GB2169742B/en
Priority to US06/808,991 priority patent/US4710434A/en
Publication of JPS61144742A publication Critical patent/JPS61144742A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • G11B11/10589—Details
    • G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/90—Magnetic feature
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
    • Y10S428/9265—Special properties
    • Y10S428/928—Magnetic property
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12931—Co-, Fe-, or Ni-base components, alternative to each other

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、書き換え可能な光磁気記録媒体に係わる− 〔従来の技術〕 光照射による記録と読み出しとを行う書き換え可能な光
磁気記録媒体は、非晶質の希土類−遷移金属系（以下Ｒ
Ｅ−ＴＭ系という）Ｍ膜によってその光磁気記録磁性膜
を形成している。
このＲＥ−ＴＭ系の光磁気記録において、その記録がＲ
Ｅ−ＴＭ系のフェリ磁性垂直磁化によるものは、磁性膜
の結晶状態が非晶質状態でのみ生じるものであって、結
晶状態ではフェリ磁性が消失して記録の消失ないしは記
録不能となる。したがってこの種の光記録用のＲＥ−Ｔ
Ｍ系磁性膜においては、その相転移温度Ｔｃｒｙができ
るだけ高いことが望まれる。ところが、ＲＥ−ＴＭ系の
Ｔｂ−ＦｅＣｏ　、　Ｇｄ−ＦｅＣｏ　、　Ｄｙ−Ｆｅ
Ｃｏにおいては、相転移温度は２４０℃程度である。
一方、いわゆるキュリ一点記録による場合その記録・消
去はそのＲＥ−ＴＭ磁性膜のキュリ一温度（１００℃〜
３００℃程度）近くの加熱で行う。
したがって、相転移温度が低い場合は、その記録・消去
に際して相転移が生じ磁気特性の劣化や、フェリ磁性の
消失が生じる。また非晶質ＲＥ−ＴＭ磁性膜では、室温
でも構成元素の熱拡散が生じているので、相転移温度が
低い場合、室温でも長時間保存で磁気特性劣化を招く。
したがって、この種のＲＥ−ＴＭ磁性膜としては、キュ
リ一温度より充分高い転移温度を有するＲＥ−７Ｍ磁性
材料の開発が望まれるが、一方、この種の光磁気記録媒
体においては、高いＳ／ＮないしＣ／Ｎを得るには、で
きるだけ大きいカー回転角θＫが得られることが望まれ
、更に、記録密度を高める上で記録ビット径ｄが小さく
できることが望まれる。この記録ビットの最小径ｄは、
ｓ−Ｈｅ （ＭＳは飽和磁化、）ｌｃは保持力、ＥＶは磁壁エネル
ギー）の関係を有するので、この種の記録媒体における
ＲＥ−ＴＭ磁性材としては、ＭＳ及びＨｃが高いことが
望まれる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述したように光磁気記録媒体における従来のＲＥ−７
Ｍ磁性膜においては、一般に相転移温度が低いという問
題があった。
本発明においてはキュリ一点を高めることなく相転移温
度が高く、しかもカー回転角θＫが大で、磁化Ｍｓ及び
保持力Ｈｅにおいても満足できる光磁気記録媒体を提供
するものである。
ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明は、希土類金属−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）系光磁
気記録材料による光磁気記録媒体において、その光磁気
材料を１〜１４原子％のＧｅが添加され、１５〜３５原
子％のＧｄ、　Ｔｂ、　ｏｙの少くとも１種以上の希土
類金属と、残部ＦｅまたはＣｏの少くともいずれか１種
またはこれらの混合による遷移金属とによって構成する
。
〔作用〕
上述したようにＧｅを１〜１４原子％添加したＲＥ−７
Ｍ磁性膜は、その非晶質相から結晶質への相転移温度Ｔ
ｃｒｙを、キュリ一点を高めることなく数十℃〜百数十
℃高めることができた。
〔実施例〕
本発明による光磁気記録媒体は、非磁性の例えばガラス
、プラスチック、アルミニウム等の基体上にＲＥ−７Ｍ
磁性膜をスパッタリングによって形成し得る。
このスパッタリングを実施するスパッタリング装置とし
ては、マグネトロン型構成をとり得るもので第１図には
このスパッタリング装置の一例の路線的構成を示す。こ
の場合、ベルジャ（図示せず）内に、軸心ｏ−ａ’を中
心として回転する基台（１）を設け、これの例えば下面
に目的とする光磁気記録媒体を構成するガラス板、プラ
スチック板等より成る基体（２）を配置する。そして、
この基体（２）に対向して軸心Ｏ−θ′を中心に等角間
隔、例えば１８０°の角間隔を保持して２個のスパッタ
ー源（３）及び（４）を配置する。これらのスパッター
源（３）及び（４）と基台（１）、すなわら基体（２）
との間には、スパッター源（３）及び（４）より夫々ス
パッターされる金属のスパッター位置を規制するマスク
（５）を配置する。このスパッター源（３）は例えば希
土類金属の板状体より成るターゲット（６）を有し、ス
パッター源（４）は、例えば遷移金属とＧｅの合金の板
状体より成るターゲット（７）を有して成る。（８）及
び（９）は、夫々マグネットを示す。
マスク（５）は、例えば第２図に示すように、ターゲッ
ト（６）及び（７）に対向する部分にこれらターゲット
（６）及び（７）の中心を通る直線Ｘ方向に外側に向か
って広がる例えばいちょう形の窓α〔及び（１１）が穿
設されて成る。第２図においては両窓顛及び（１１）の
大きさは、同一に選ばれているが、これら窓ａ〔及び（
１１）の面積は、基体（２）上に形成する磁性膜の組成
に応じて形成し得る。
そして基台（６）を回転させながらターゲット（６）及
び（７）を負極側として直流スパッタリングを行う。
このようにして基体（２）上に形成された磁性膜は、タ
ーゲット（６）よりの希土類金属に富んだ層と、ターゲ
ット（７）よりの遷移金属とＧｅとに冨んだ層とが順次
交互に堆積された磁性膜となる。
実施例１ 第１図及び第２図で説明したスパッタリング装置におい
て、一方のターゲット（６）としてＴｂを、他方のター
ゲット（７）として、Ｆｅｃ＋ｏ　Ｃｏｓ　Ｇｅｓ　　
（Ｆｅが９０原子％、　Ｃｏが５原子％、　Ｇｅが５原
子％）を配置して、計ガス雰囲気中で基台（１）を回転
しつつ、基体（２）にスパッタリングを行って厚さが数
百へ〜１μｍの磁性膜を形成した。このようにして形成
した磁性膜の全体的な組成は、Ｔｂ２ｏ　（Ｆｅ９ｏ　
Ｃｏｓ　Ｇｅｓ　）　＠０であった、そして、この磁性
膜の相転移温度Ｔｃｒｙは、３００℃程度となった。因
みにＧｅを含まないＴｂ２ｏ　（Ｆｅ９ｓ　Ｃｏｓ　）
　ｓｏの相転移温度は２３０℃であった。
また、実施例１において、Ｇｅの添加量を変化させて得
た各光磁気記録媒体におけるすなわちＴｂ２ｏ　（Ｆｅ
９５−ｘＣｏｓ　Ｇｅ）（）　ｓｏにおけるＸ値を変え
た場合の各特性の測定結果を第３図に示す。第３図にお
いて（３１）　、　　（３２）　、　　（３３）　、　
　（３４）は夫々各媒体における相転移温度Ｔｃｒｙ、
キュリ一温度Ｔｃ。
飽和磁化Ｍｓ＋カー回転角θにの各測定結果を示すもの
である。この場合の各媒体の保磁力Ｒｃは、約３ｋＯｅ
であった。
また、第４図の表図は、ＲＥ−ＴＭの各組成において、
Ｇｅを添加した場合と、しない場合との各特性を対比さ
せた場合で、Ｇｅを添加した本発明の場合、Ｇｅを添加
しない従来のものに比し、キュリ一点Ｔｃを上げること
なく、相転移温度が高められ、またカー回転角の向上が
はかられる。
そして、本発明においては、Ｇｅの添加量をｌ〜１４原
子％に選定するものであるが、これは第３図でみられる
ようにＧｅが１〜１４原子％において相転移温度を高め
ながらキュリ一点Ｔｃ、カー回転角θＫにおいて実用上
問題が生じる程度の低下を招来することがないことを認
めたことと、Ｇｅを１原子％以上添加することによって
相転移温度を１５℃以上高めることができるのでこれに
よって遷移金属としてのＧｏの添加量を例えば１０原子
％以上にも高めることができ、これによって、より高い
θＫ、Ｌ−ｔたがってＣ／Ｎの向上をはかることができ
る効果が得られる。すなわち、Ｇｅを添加しない場合に
おいて遷移金属としてＣｏを含ましめる場合、このＣ。
が５原子％を超えると、相転移温度Ｔｃｒｙにキュリ一
点Ｔｃが近づき過ぎるとかＴｃｒｙを超えてしまうので
Ｃｏの添加量は５原子％以下に抑えざるを得なかったが
、Ｇｅを１原子％以上添加することによってＧｏの添加
量を５原子％を超えＩＯ原子％、或いはこれ以上に高め
ることができることを認めたことに因る。
また、希土類金属を１５〜３５原子％に選定するのは、
これが１５原子％未満でも、また３５原子％を超えても
保磁力Ｈｃ、及びカー回転角θＫが著しく低下してくる
ことを認めたことに因る。
〔発明の効果〕
上述したように本発明によれば、Ｇｅ添加によって相転
移温度Ｔｃｒｙを、キュリ一点を高めることなく、高め
ることができるのでキュリ一点近傍の加熱下で良好な記
録・消去を行うことができ、また、磁気特性に経時変化
を来すことのない安定な光磁気記録媒体を得ることがで
きるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による光磁気記録媒体を作製するための
スパッタリング装置の一例の構成図、第２図はそのマス
クのパターン図、第３図は、Ｔｂ−ＦｅＣｏＧｅのＧｅ
添加量に対する各特性の測定曲線図、第４図は各組成の
磁性膜の各特性の測定結果を示す表図である。 （２）は基体、（１）は基台、（３）及び（４）はスパ
ッタ源である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 希土類金属−遷移金属系光磁気記録材料による光磁気記
    録媒体において、上記光磁気記録材料が１〜１４原子％
    のＧｅが添加され、１５〜３５％のＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙの
    少くとも１種以上の希土類金属と、残部がＦｅまたはＣ
    ｏの少くともいずれか１種またはこれらの混合による遷
    移金属より成ることを特徴とする光磁気記録媒体。
JP59265640A 1984-12-17 1984-12-17 光磁気記録媒体 Pending JPS61144742A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59265640A JPS61144742A (ja) 1984-12-17 1984-12-17 光磁気記録媒体
GB8530509A GB2169742B (en) 1984-12-17 1985-12-11 Optomagnetic recording media
US06/808,991 US4710434A (en) 1984-12-17 1985-12-16 Optomagnetic recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59265640A JPS61144742A (ja) 1984-12-17 1984-12-17 光磁気記録媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61144742A true JPS61144742A (ja) 1986-07-02

Family

ID=17419940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59265640A Pending JPS61144742A (ja) 1984-12-17 1984-12-17 光磁気記録媒体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4710434A (ja)
JP (1) JPS61144742A (ja)
GB (1) GB2169742B (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5265073A (en) * 1987-03-13 1993-11-23 Canon Kabushiki Kaisha Overwritable magneto-optical recording medium having two-layer magnetic films wherein one of the films contains one or more of Cu, Ag, Ti, Mn, B, Pt, Si, Ge, Cr and Al, and a method of recording on the same
GB8718916D0 (en) * 1987-08-10 1987-09-16 Ion Tech Ltd Thin film alloying apparatus
US5225289A (en) * 1987-08-25 1993-07-06 Canon Kabushiki Kaisha Opto-magnetic recording medium having plurality of exchange-coupled magnetic layers
JP2673807B2 (ja) * 1987-10-30 1997-11-05 パイオニア株式会社 光磁気記録媒体の製造方法
JPH0296952A (ja) * 1988-06-28 1990-04-09 Sharp Corp 光学記憶素子
US4885134A (en) * 1988-08-22 1989-12-05 Eastman Kodak Company Sputtering target and method of preparing the same
DE3904611A1 (de) * 1989-02-16 1990-08-23 Hoechst Ag Magnetooptische schicht und verfahren zu ihrer herstellung
EP0482606B1 (en) * 1990-10-26 1995-08-16 Teijin Limited Magneto-optical recording medium
JP3539531B2 (ja) * 1996-04-22 2004-07-07 シャープ株式会社 光磁気記録媒体

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3965463A (en) * 1972-08-29 1976-06-22 International Business Machines Corporation Apparatus using amorphous magnetic compositions
US4293621A (en) * 1978-10-12 1981-10-06 Nippon Hoso Kyokai Recording medium
JPS586542A (ja) * 1981-07-02 1983-01-14 Sharp Corp 磁気光学記憶素子
JPS58175809A (ja) * 1982-04-07 1983-10-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光磁気記録媒体
DE3317101A1 (de) * 1982-05-10 1983-11-10 Canon K.K., Tokyo Magnetooptischer aufzeichnungstraeger
JPH0670858B2 (ja) * 1983-05-25 1994-09-07 ソニー株式会社 光磁気記録媒体とその製法
US4556291A (en) * 1983-08-08 1985-12-03 Xerox Corporation Magneto-optic storage media
JPS60145543A (ja) * 1984-01-06 1985-08-01 Fuji Photo Film Co Ltd 光磁気デイスク
JPS60145541A (ja) * 1984-01-06 1985-08-01 Fuji Photo Film Co Ltd 光磁気記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
GB8530509D0 (en) 1986-01-22
GB2169742A (en) 1986-07-16
GB2169742B (en) 1989-06-07
US4710434A (en) 1987-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0670858B2 (ja) 光磁気記録媒体とその製法
JPH0118506B2 (ja)
US4544602A (en) Magneto-optical recording medium having a ferrimagnetic recording layer
JPS6227459B2 (ja)
JP2896193B2 (ja) 酸化物結晶配向膜の製造方法及び酸化物結晶配向膜並びに光磁気記録媒体
US4814238A (en) Magneto-optical recording medium
JPS61144742A (ja) 光磁気記録媒体
JPH0351082B2 (ja)
JP2594030B2 (ja) 光磁気記録媒体
JPS59217249A (ja) 光磁気記録媒体
JPS60237655A (ja) 光磁気記録媒体
JPS60101742A (ja) 光磁気記録媒体
JPS60173745A (ja) 光磁気記録媒体
JPH0614488B2 (ja) 光磁気記録媒体
JP2553145B2 (ja) 光磁気記録媒体
JPS60194505A (ja) 光磁気記録媒体
JPS62267950A (ja) 磁気光学記録媒体
JPS61296551A (ja) 光磁気記録素子の製造方法
JPH0410132B2 (ja)
JPH04111302A (ja) 人工格子膜
JPS6139252A (ja) 光磁気記録媒体
JPS5988808A (ja) 磁気記録媒体
JPH0221440A (ja) 光磁気記録媒体
JPS6224459A (ja) 光磁気記録媒体
JPS60101702A (ja) 光磁気記録媒体の記録方法