JPS586542A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents

磁気光学記憶素子

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JPS586542A
JPS586542A JP10407281A JP10407281A JPS586542A JP S586542 A JPS586542 A JP S586542A JP 10407281 A JP10407281 A JP 10407281A JP 10407281 A JP10407281 A JP 10407281A JP S586542 A JPS586542 A JP S586542A
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JP
Japan
Prior art keywords
film
thin film
rotation angle
reflected
kerr rotation
Prior art date
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Pending
Application number
JP10407281A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Takahashi
明 高橋
Kenji Oota
賢司 太田
Hideyoshi Yamaoka
山岡 秀嘉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP10407281A priority Critical patent/JPS586542A/ja
Publication of JPS586542A publication Critical patent/JPS586542A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はレーザ光により情報の記録・再生・消去を行う
磁気光学記憶素子に関する。
近年、高密度・大容量・高速アクセス等積々の要求を満
足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推進されてい
る。
そして既に実用化に達したものとして、記憶ディスクに
微細ピット列を形成し各ピット部における光ビームの回
折現象を利用して再生信号を得る装置、及び記憶媒体の
反射率変化を利用して再生信号を得る装置がある。しか
しながらこれらの装置は再生専用であるか又は再生及び
情報の追加記憶が可能なものに留まり、不要な情報を消
去し再記憶可能なものについては未だ研究開発段階にあ
る。
本発明は上記した、記憶した情報を消去し新しい情報を
再記憶出来る素子として期待される、記憶材料として希
土類−遷移金属の非晶質薄膜を用いた磁気光学記憶素子
に関するものである。
次に磁気光学記憶素子の従来問題点について説明する。
磁気光学記憶素子は上記の利点を有する一方で再生信号
レベルが低いという欠点がある。特に磁気光学記憶素子
からの反射光を利用して情報の再生を行う所謂カー効果
再生方式においてはカー回転角が小さいため信号雑音比
(S/N)を高める事が困難であった。その為従来では
記憶媒体である磁性材料を改良したり或いは記憶媒体上
にSiOや5i02の誘電体薄膜を形成したりしてカー
回転角を高める工夫がなされていた。後者の例として例
えばTbFe磁性体薄膜上にSiO膜を形成することに
よってカー回転角が0.15度から0.6度に増大した
例が報告されている(IEEE Trans onMa
g Vol−16No51980 p 1194)。し
かしながら上記SiOやS i02の誘電体薄膜では、
磁性体に腐蝕の恐れのある場合はその腐蝕の実質的な防
制とはなり得なく、又1μm程度の小さなほこりやゴミ
が該誘電体薄膜に付着した場合は記録ビット径が1μm
程度であるためビット検出が不可能になり、よって上記
5iO1Si02の誘電体薄膜を形成することは実用に
適さなかった。そして前記腐蝕の防制及びほこりやゴミ
に対する対策の為には0−5〜2m程度のガラス又は透
明樹脂を磁性体に被覆することが望ましいとされている
。しかし、この被覆材では当然ながらカー回転角の増大
は難しく従ってS/N の増大の効果を得ることも困難
である。
本発明は以上の従来点に鑑みなされたものであり、カー
回転角を増大せしめしかも充分に実用に適する手段を提
供することを目的とする。
以下、本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例を図
面を用いて詳細に説明する。
第1図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例の
側面断面図である。同図で1はガラス、アクリル樹脂等
の基板であり厚さは0.5〜2II111程度である。
2はGdTbFe、TbDyFe、GdDyFe等の膜
面に垂直な磁化容易軸を有する希土類−遷移金属非晶質
薄膜である。8はAI 、Au 、Ag 、Cu等の反
射膜である。基板1側から入射した入射光は上記非晶質
薄膜2の表面で反射され、かつ上記非晶質薄膜2を通り
上記反射膜3で反射される。
その為s6上記二種の反射光が合成されることになりカ
ー効果とファラデー効果が加わり、見かけのカー回転角
は上記反射膜8が存在しない場合に比べて極めて大きな
ものが得られる。そしてその結果としてこの磁気光学記
憶素子にレーザ光を照射して得られる情報のS/Nは向
上する。
上記カー回転角の増大率は、使用するレーザ光の波長、
上記非晶質薄膜2の種類、該非晶質薄膜2の膜厚及び上
記反射膜3の種類によって変化する。
第2図はGdTbFe非晶質薄膜2の膜厚とカー回転角
との関係を、各種反射膜に関して示している。但し使用
したレーザの波長は6828λである。
同図において示されるカー回転角の値は、反射膜の無い
場合のGdTbFe非晶質薄膜のカー回転角が0.27
°であることを考えればかなり大きく、反射膜を備えた
場合の優位性を表わしている。又、同図では反射膜とし
て膜厚の充分厚いAg、Au、Cu、AIを用いた。A
g%Au、Cuを用いた場合はAIを用いた場合に比較
してカー回転角が大きくしかも互いに略同等の特性とな
る。これは反射膜の屈折率の値の相違による現象である
。即ち使用レーザの波長6828Aに於るAIの屈折率
は1.6−5.4i。
Agの屈折率は0.18−8.8i%Auの屈折率は0
.85−8.16i、Cuの屈折率は0.62−8.6
 iであり、Ag。
Au%Cuの屈折率は比較的近く、AIの屈折率のみが
離れた値を有する。この為、GdTbFe非晶質薄膜の
膜厚が850X以下で、Ag%Au、 Cuのいi (
、かの反射膜を設けた場合カー回転角は大きく、÷−1
晶質薄の膜厚が150^近傍でカー回転角は頭をとる。
しかしAIの反射膜を設けた場合はカー回転角は比較的
小さい。しかし、Ag、 Au。
Cuのいずれかの場合であっても、又Alの場合であっ
ても非晶質薄膜の膜厚カ月00〜250λでカー回転角
の良好な結果が得られた。
次に第8図では反射膜の膜厚を薄くした場合についての
GdTbFe非晶質薄膜2の膜厚とカー回転角との関係
を示す。同図に示すものは130AのCu反射膜を用い
た場合である。第2図と比較してカー回転角の極大値を
とる非晶質薄膜の膜厚値が小さい方へずれている。
次に第4図には反射膜の膜厚を薄くし、かつ反射膜と非
晶質薄膜との間に断熱層を挾んだ場合についてのGdT
bFe非晶質薄膜2の膜厚とカー回転角との関係を示す
。同図に示すものは1BOAのCu反射膜と断熱層とし
て100λの5i02を用いた場合である。第3図と比
較して更にカー回転角の極大値をとる非晶質薄膜の値が
小さい方へずれ、又上記″極大値は大きくなっている。
上記断熱層としては他にSiO,TiO2、SiN4等
があり、又この断熱層の膜厚を適当に選定することによ
りカー回転角を向上させることができる。実験によれば
、GdTbFe 100X/Sj02gooX/cu 
260^の組合わせによってカー回転角o、rtが得ら
れた。
ここで、以上の実施例に留まらず、本発明の好適な実施
の形態として次のものが挙げられる。
f1+  前述の構成に加え基板1と非晶質薄膜2の間
に5iO1Ti02等の透明誘電体膜を設ける。これは
基板1がアクリル、ポリカーボ等の樹脂の場合は水を含
有する為ゴミやホコリに対しては防制可能だが腐蝕に対
して充分な対応が不可能であるために設けられるもので
ある。この場合上記透明誘電体膜の屈折率を上記基板の
屈折率より大きく、かつ上記透明誘電体膜の膜厚を略λ
/4n(λ:入射レしザ波長、n:整数)とすれば上記
基板より入射した光は、上記透明誘電体膜の°内部で干
渉し、それによってカー回転角が増大しS/Nが向上す
る。実験によれば5iO850^/GdTbFe 10
0λ/5i02800λ/Cu260λの組合わせでカ
ー回転角は1.05°が得られた。
(2)基板1に凹凸状のガイドトラックを形成する。
(3)非晶質薄膜2の一部を結晶化せしめガイドトラッ
クとなす。
(4)反射膜3に接着層を介しjJ2の非晶質薄膜2、
第2の基板■を設は両面使用とする。
以上の+11〜(4)の形態は互いに組合わせることも
可能である。
以上説明した如く本発明によれば適切なる非晶質薄膜の
膜厚と反射膜とによって、効果的にカー回転角を増大せ
しめることができるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施例の
側面断面図、第2図、第8図、第4図は特性グラフ図で
ある。 図中、1:基板、2:非晶質薄膜、8:反射膜。 代理人 弁理士  福 士 愛 彦 第tm yes<A> 第2図 第3図 手続補正書 昭和56年72月12日 特許庁長官       殿 1、事件の表示 特願昭56−+04072 2、発明の名称 磁気光学記憶素子 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 4、代 理 人 自   発 6、補正の対象 ill  明細書の発明の詳細な説明の欄(2)明細書
の図面の簡単な説明の欄 (3)図面 +l)  明細書の第7頁第2行I乃至第3行目の旬刊
・・・得られた。」を「入射レーザの波長を800 O
A 。 GdTbFe非晶質薄膜2の膜厚を100ASCu反射
膜の膜厚を180λに固定肱断熱層の膜厚−回転角は夫
々0.72 .0.82 .0.88 .0.86と変
化した。この様にカー回転角は入射した光の断熱層内で
の干渉の程度に影響されるものと考えられる。因に断熱
層の膜厚を固定し入射光の波長を変えて干渉具合を変化
させた時のカー回転角の変化は第5図の様になった。同
図でAは断熱層の膜厚が100^、Bは断熱層がない場
合であり、A、B共にGdTbFe非晶質薄膜2の膜厚
は150^SCU反射膜の膜厚は110^である。Bに
おいて入射光波長が6000^近傍でカー回転角が向上
しているのはこの付近でCuの反射率が急激に大りくな
る為と考えられる。 又、Cu反射膜の膜厚を多少厚くした時の例として入射
レーザの波長6B28A、GdTbFe+00A/Si
O2800A/Cu  26OAの組み合わせではカー
回転角0.75°が得られた。」と補正する。 (2)明細書の第8頁第18行目の「第4図は」を「第
4図、第5図は」と補正する。 (3)図面に別紙添附の第5図を挿入する。 以  上 4000    5000    6000    7
000    8000喚厚(A) 第5!5

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、希土類−遷移金属非晶質薄膜の膜厚を250λ以下
    とするとともに前記非晶質薄膜の裏面に反射膜を形成し
    たことを特徴とする磁気光学記憶素子。
JP10407281A 1981-07-02 1981-07-02 磁気光学記憶素子 Pending JPS586542A (ja)

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