JPH0296952A - 光学記憶素子 - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、光学記憶素子に関する。さらに詳しくは、本
発明は、レーザ等の光を照射することにより、情報の記
憶、再生、消去等を行う光学記憶素子に関するものであ
る。
発明は、レーザ等の光を照射することにより、情報の記
憶、再生、消去等を行う光学記憶素子に関するものであ
る。
（ロ）従来の技術
近年、情報の記憶、再生、消去が可能なメモリいろ。
中でら記憶媒体として希土類遷移金属非晶質合金薄膜を
用いたものは、記憶ビットが粒界の影響を受けない点及
び記憶媒体の膜を大面積にわたって作製することが比較
的容易である点から注目を集めている。
用いたものは、記憶ビットが粒界の影響を受けない点及
び記憶媒体の膜を大面積にわたって作製することが比較
的容易である点から注目を集めている。
そして、ことに、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＧｄＴｂＦｅＣｏ
等の希土類としてテルビウムを用いた非晶質合金薄膜は
、保磁力［−１ｃが高いため、最も注目され多くの研究
がなされている。
等の希土類としてテルビウムを用いた非晶質合金薄膜は
、保磁力［−１ｃが高いため、最も注目され多くの研究
がなされている。
しかし、このようなテルビウム系の非晶質合金薄膜で構
成した記憶媒体、すなわち、光磁気記憶膜を用いて光学
記憶素子を構成しても磁気光学効果（カー効果、〕・ア
ラデー効果）が充分に得られず、そのため再生信号のＳ
／Ｎが不充分なものであった。このような問題点を改良
するために、従来から、誘電体膜、Ｔｂ−遷移金属合金
薄膜、誘電体膜及び反射膜をこの順に積層形成してなる
反射膜構造と呼ばれる素子構造の光学記憶素子が提案さ
れている（＾ｐｐｌｉｅｄ ０ｐＬｉｃｓ、第２３巻、
第２２号。
成した記憶媒体、すなわち、光磁気記憶膜を用いて光学
記憶素子を構成しても磁気光学効果（カー効果、〕・ア
ラデー効果）が充分に得られず、そのため再生信号のＳ
／Ｎが不充分なものであった。このような問題点を改良
するために、従来から、誘電体膜、Ｔｂ−遷移金属合金
薄膜、誘電体膜及び反射膜をこの順に積層形成してなる
反射膜構造と呼ばれる素子構造の光学記憶素子が提案さ
れている（＾ｐｐｌｉｅｄ ０ｐＬｉｃｓ、第２３巻、
第２２号。
３９７２頁（１９８４） ；特開昭５７−１２４２８号
公報、米国特許第４３９０６００号、第４４１４６５０
号及び第４４８９１３９号明細書等参照）。
公報、米国特許第４３９０６００号、第４４１４６５０
号及び第４４８９１３９号明細書等参照）。
第９図は従来の反射膜構造の光学記憶素子の一部側面断
面図である。
面図である。
第９図において、１は透明基板、ｂはこの透明基板ａよ
りら屈折率の高い特性を有する透明誘電体膜、ＣはＴｂ
−遷移金属合金薄膜、ｄは透明誘電膜、ｅは金属反射膜
である。
りら屈折率の高い特性を有する透明誘電体膜、ＣはＴｂ
−遷移金属合金薄膜、ｄは透明誘電膜、ｅは金属反射膜
である。
以上の素子構造の採用によってカー回転角が著しく増大
し再生信号のＳ／Ｎ比ら改善される。その理由は、透明
基板ａからレーザ光りをＴｂ−遷移金属合金薄＠Ｃに照
射した場合、入射レーザ光りは透明誘電体膜すの内部で
反射を操り返して干渉する多重反射の効果と、Ｔｂ−遷
移金属合金薄膜Ｃを通過して金属反射膜ｅにて反射され
た後、再びＴｂ−遷移金属合金薄膜Ｃを通過して戻る光
とＴｂ−遷移金属合金薄膜Ｃの表面で反射された光とが
合成され、ファラデー効果とカー効果が合わさる効果に
より、見かけ上のカー回転角が助人するからである。
し再生信号のＳ／Ｎ比ら改善される。その理由は、透明
基板ａからレーザ光りをＴｂ−遷移金属合金薄＠Ｃに照
射した場合、入射レーザ光りは透明誘電体膜すの内部で
反射を操り返して干渉する多重反射の効果と、Ｔｂ−遷
移金属合金薄膜Ｃを通過して金属反射膜ｅにて反射され
た後、再びＴｂ−遷移金属合金薄膜Ｃを通過して戻る光
とＴｂ−遷移金属合金薄膜Ｃの表面で反射された光とが
合成され、ファラデー効果とカー効果が合わさる効果に
より、見かけ上のカー回転角が助人するからである。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかしながら、テルビウム（Ｔ ｂ ）は、重希土類元
素の中では、最乙酸素に対して活性であると共に最も高
価でであることから、上記Ｔｂ ａ移金属合金薄膜は
、光磁気記憶膜としての信頼性及びコストの点で問題が
多かった。
素の中では、最乙酸素に対して活性であると共に最も高
価でであることから、上記Ｔｂ ａ移金属合金薄膜は
、光磁気記憶膜としての信頼性及びコストの点で問題が
多かった。
そこで、他の希土類遷移金属合金を適用することが考え
られ、ことに重希土類金属の中でら安価な元素であるデ
ィスプロンラム（Ｄｙ）を適用することが曽えられろ。
られ、ことに重希土類金属の中でら安価な元素であるデ
ィスプロンラム（Ｄｙ）を適用することが曽えられろ。
その中でＤｙＦｅＣｏ合金は従来から光磁気記憶膜用の
非合質合金材料として適用できることは知られている（
特開昭５８７３７４６号公報）。ただし、Ｄｙ−遷移金
属合金薄膜で構成した光学記憶素子の実用化の研究は未
た充分になされておらず、上記特開昭５８−７３７４６
号公報らＤｙＦｅＣｏについては具体的な磁気光学特性
のデータ、適用する素子構造については何ら開示してい
ない。
非合質合金材料として適用できることは知られている（
特開昭５８７３７４６号公報）。ただし、Ｄｙ−遷移金
属合金薄膜で構成した光学記憶素子の実用化の研究は未
た充分になされておらず、上記特開昭５８−７３７４６
号公報らＤｙＦｅＣｏについては具体的な磁気光学特性
のデータ、適用する素子構造については何ら開示してい
ない。
しかし、ＤＹＦｅＣｏを光学記憶素子へ適用するには以
下の問題があった。
下の問題があった。
即ち、例えば、同しキュリー点を汀するＴ ｂ Ｆ ｅ
ＣｏとＤｙＦｅＣｏの非晶質合金薄ニド）の特性を比
較すると、カー回転角Ｏｋと反ｑｔ率１）はほぼ同一の
値を示すが、冊償点祖成近１カの鉱化Ｍｓと保磁カドＩ
ｃについては、ＤｙＰｅＣｏは、ＴｂＦｅＣｏに対し、
同じＭｓではＩ−１ｃか小さく、同じ！−１ｃではＭｓ
が小さい。
ＣｏとＤｙＦｅＣｏの非晶質合金薄ニド）の特性を比
較すると、カー回転角Ｏｋと反ｑｔ率１）はほぼ同一の
値を示すが、冊償点祖成近１カの鉱化Ｍｓと保磁カドＩ
ｃについては、ＤｙＰｅＣｏは、ＴｂＦｅＣｏに対し、
同じＭｓではＩ−１ｃか小さく、同じ！−１ｃではＭｓ
が小さい。
このＭｓ及び＋４ ｃは下記の第（１）式％式％［１
ｄ ：安定に存在する最小ビット径
σ１：磁壁エネルギ
で表されるごとく、ｔｆＩ報の記録に際し、安定に存在
する記録ヒント径ｄを決定する要因である。
する記録ヒント径ｄを決定する要因である。
従って、高密度且つ大容量な記録素子を得るためには、
ｄの値をより小さくする必要があり、Ｍ ｓとＨｅの積
（Ｍｓ−Ｈｃ値）はより大きくする必要がある。
ｄの値をより小さくする必要があり、Ｍ ｓとＨｅの積
（Ｍｓ−Ｈｃ値）はより大きくする必要がある。
しかし、ＤｙＦｅＣｏ合金薄膜は、上記のようにＴ ｂ
Ｆ ｅ Ｃｏ合金薄膜に比してＭ ｓ 、！： ｔ−
［ｃの漬が小さく、記録ビット径か大きくなって、高密
Ｉｔ、大容量の光学記録素子を提供することは困難でし
うった。
Ｆ ｅ Ｃｏ合金薄膜に比してＭ ｓ 、！： ｔ−
［ｃの漬が小さく、記録ビット径か大きくなって、高密
Ｉｔ、大容量の光学記録素子を提供することは困難でし
うった。
（ニ）課題を解決するための手段及び作用不発川音らは
、鋭き研究の結果、特定組成、特定厚みのｌ） ｙ Ｐ
ｅＣｏ非晶質合金薄膜を光磁気記憶膜として用い、こ
れを従来の反射膜＋１′Ｉｔ造の光学記憶素子に組み合
わせることにより、高いＭ ｓ・Ｈｃ値を有して高密度
化、大容量化され、しが６実用に極めて適した磁気特性
を有ずろ光学記憶素子が得られる事実を見出した。
、鋭き研究の結果、特定組成、特定厚みのｌ） ｙ Ｐ
ｅＣｏ非晶質合金薄膜を光磁気記憶膜として用い、こ
れを従来の反射膜＋１′Ｉｔ造の光学記憶素子に組み合
わせることにより、高いＭ ｓ・Ｈｃ値を有して高密度
化、大容量化され、しが６実用に極めて適した磁気特性
を有ずろ光学記憶素子が得られる事実を見出した。
かくして本発明によれば、基板上に、誘電体膜、光磁気
記憶膜、誘電体膜及び反射膜を積層してなり、光磁気記
憶膜が、下記組成式： ％式％） （式中、Ｘは０．２０〜０．２７、ｙは０．７０〜０．
９０の範囲の数値を示す）で表わされろ希土類遷移金属
合金からなる厚みＩＯ〜５０ｎｍの膜で構成されてなる
光学記憶素子が提供される。
記憶膜、誘電体膜及び反射膜を積層してなり、光磁気記
憶膜が、下記組成式： ％式％） （式中、Ｘは０．２０〜０．２７、ｙは０．７０〜０．
９０の範囲の数値を示す）で表わされろ希土類遷移金属
合金からなる厚みＩＯ〜５０ｎｍの膜で構成されてなる
光学記憶素子が提供される。
本発明の光学記憶素子によれば、ＤｙＦｅＣ。
非晶質合金を光磁気記憶膜として用いているにも拘わら
ず、記録ビット径が小さく、高密度、大容量記憶を行う
ことができる。
ず、記録ビット径が小さく、高密度、大容量記憶を行う
ことができる。
また、キャリアレベル（ＣＬ）、Ｃ／Ｎ 比か高く、
ノイズレベル（ＮＬ）、ジッター（Ｊ）が低く、記録、
再生特性にも浸れている。
ノイズレベル（ＮＬ）、ジッター（Ｊ）が低く、記録、
再生特性にも浸れている。
そして安価なり３／を希土類金属として用いているため
、低コストである。
、低コストである。
この発明の光学記憶素子は、誘電体膜、光磁気記憶膜、
誘電体膜及び反射膜をこの順に積層した４層構造からな
り、これらは基板上に形成される。
誘電体膜及び反射膜をこの順に積層した４層構造からな
り、これらは基板上に形成される。
これらの膜は、基板上に上方向かって上記類に積層され
ていてもよく、下方、すなわち逆の順に積層されていて
もよい。ここで基板としては、ガラスやプラスチック（
例えば、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレート
等）などの透光性基板が適している。かかる光学素子の
形聾はとくに限定されず、例えば円盤状（光磁気ディス
ク）や矩形状（光磁気カード）であってもよい。
ていてもよく、下方、すなわち逆の順に積層されていて
もよい。ここで基板としては、ガラスやプラスチック（
例えば、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレート
等）などの透光性基板が適している。かかる光学素子の
形聾はとくに限定されず、例えば円盤状（光磁気ディス
ク）や矩形状（光磁気カード）であってもよい。
この発明の二つの誘電体膜としては、窒化ケイ素、窒化
アルミニウム、窒化アルミニウム−ケイ素等の窒化金属
膜が適している。かかる窒化金属膜中には、高い誘電率
を付与するためのイツトリウム、酸素、炭素のような池
の元素がドープされていてもよい。酸化ケイ素膜らこれ
らの誘電体膜として用いることができる。これらの誘電
体膜は、ＣＶＤ、スパッタリング、イオンブレーティン
グ、反応性ガス蒸着等の公知の方法で形成することがで
きる。
アルミニウム、窒化アルミニウム−ケイ素等の窒化金属
膜が適している。かかる窒化金属膜中には、高い誘電率
を付与するためのイツトリウム、酸素、炭素のような池
の元素がドープされていてもよい。酸化ケイ素膜らこれ
らの誘電体膜として用いることができる。これらの誘電
体膜は、ＣＶＤ、スパッタリング、イオンブレーティン
グ、反応性ガス蒸着等の公知の方法で形成することがで
きる。
この誘電体膜は、基板上並びに光磁気記憶膜上に形成さ
れる。その厚みは、基板上側で５０〜１００ｒ＋ｍ、光
磁気記憶膜上でＩＱ〜１ｏＯｒ＋＋＋＋とするのが適し
ている。
れる。その厚みは、基板上側で５０〜１００ｒ＋ｍ、光
磁気記憶膜上でＩＱ〜１ｏＯｒ＋＋＋＋とするのが適し
ている。
この発明の光磁気記憶膜は、下記組成式％式％）
（式中、Ｘは０．２０〜０．２７、ｙは０．７０〜０．
９０の範囲の数値を示す）で表わされろ希土類遷移金属
合金膜からなる。
９０の範囲の数値を示す）で表わされろ希土類遷移金属
合金膜からなる。
ここで、Ｘが０．２０未満及び０，２７を越えると、Ｍ
ｓＩＫｃ値が小さくて記録ビット径ｄが大きくなり、か
つ素子の記録、再生特性が低くなるため適さない。また
ｙが０７０未満の場合には、キュリー温度（’ｒｅ）と
記録レーザーパワー（Ｐｗ）が高くてｊさす、ｙが０９
０を越えるとＴ ｃか低くなり再生レーザパワーによる
昇温て記録ピントか変形ずろおそれがあるため適さない
。これらのうちＸか０．２２〜０．２５、ｙが０．７５
〜０８５とするのが最し好ましい。
ｓＩＫｃ値が小さくて記録ビット径ｄが大きくなり、か
つ素子の記録、再生特性が低くなるため適さない。また
ｙが０７０未満の場合には、キュリー温度（’ｒｅ）と
記録レーザーパワー（Ｐｗ）が高くてｊさす、ｙが０９
０を越えるとＴ ｃか低くなり再生レーザパワーによる
昇温て記録ピントか変形ずろおそれがあるため適さない
。これらのうちＸか０．２２〜０．２５、ｙが０．７５
〜０８５とするのが最し好ましい。
この光磁気記憶膜は、ＣＶＤ、スパッタリング、イオン
ブレーティング、蒸着等の公知の方法により誘電体膜上
に形成される。ここで、膜厚は、約１０ｎｍ〜約５０ｎ
ｍとされる。膜厚がｌＯｎｍ未満や５０ｎｍを越えると
、Ｍｓ−Ｆ１ａ値が小さくなって記録ビット径ｄが大き
くなるため適さない。とくに膜厚を１５〜３０ｎｍとす
るのが好ましい。
ブレーティング、蒸着等の公知の方法により誘電体膜上
に形成される。ここで、膜厚は、約１０ｎｍ〜約５０ｎ
ｍとされる。膜厚がｌＯｎｍ未満や５０ｎｍを越えると
、Ｍｓ−Ｆ１ａ値が小さくなって記録ビット径ｄが大き
くなるため適さない。とくに膜厚を１５〜３０ｎｍとす
るのが好ましい。
この光磁気記憶膜中には、湿気による腐蝕防止のために
、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ５Ｔａ、Ｎｉのような耐食性の金属
原子か少量ドープされていてらよい。
、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ５Ｔａ、Ｎｉのような耐食性の金属
原子か少量ドープされていてらよい。
この発明における反射膜は、アルミニウム、ニッケル、
チタン、金、銀、テルル、ステンレス鋼等の耐食性が高
くかつ光を効率良く反射しうる金属膜が適用できる。こ
の反射膜はアルミニウムーニッケル合金、アルミニウム
ーチタン合金、アルミニウムーパラジウム合金等の合金
からなっていてもよい。これらのうち、Ｉａ１％〜ｌ０
ａｉ％のパラジウムを含むアルミニウムーパラジウム合
金で作製された反射膜を用いるのが好ましい。とくにこ
のアルミニウムーパラジウム合金膜を用いた場合には、
他の効果と相俟って、記録感度がより高い光学記憶素子
を構成することができる。例えば、アルミニウム膜に比
して、同じＣ／Ｎ比を得るのに必要な記録レーザーパワ
ー（Ｐｗ）を著しく低減することができる。
チタン、金、銀、テルル、ステンレス鋼等の耐食性が高
くかつ光を効率良く反射しうる金属膜が適用できる。こ
の反射膜はアルミニウムーニッケル合金、アルミニウム
ーチタン合金、アルミニウムーパラジウム合金等の合金
からなっていてもよい。これらのうち、Ｉａ１％〜ｌ０
ａｉ％のパラジウムを含むアルミニウムーパラジウム合
金で作製された反射膜を用いるのが好ましい。とくにこ
のアルミニウムーパラジウム合金膜を用いた場合には、
他の効果と相俟って、記録感度がより高い光学記憶素子
を構成することができる。例えば、アルミニウム膜に比
して、同じＣ／Ｎ比を得るのに必要な記録レーザーパワ
ー（Ｐｗ）を著しく低減することができる。
この反射膜は、ＣＶＤ、スパッタリング、イオンブレー
ティング、蒸着等の公知の方法で形成でき、厚みは１０
〜３００ｎｍが適している。
ティング、蒸着等の公知の方法で形成でき、厚みは１０
〜３００ｎｍが適している。
（ホ）実施例
実施例１
第１図は、本発明の一実施例の光学記録素子（光磁気デ
ィスク：１３０ｘｚφ）を示す。
ィスク：１３０ｘｚφ）を示す。
第１図において、ｌはガラスから成る透明基板であり、
この透明ガラス基Ｉｆｆ上に第１の透明誘電体膜である
ＡＩＮ（窒化アルミニウム）膜２が膜厚８０ｒ＋ｍに形
成され、このＡＩＮ膜２上２上土類遷移金属合金薄膜で
あるＤ ｙＯ，２：１５ （Ｆ ｅ ｏ、ｓＣｏ 、、
、）。？６５ （デイスブロノウム、鉄、コノくルト）
合金薄膜３が膜厚２０ｎｍに形成され、このＤｙＦｅＣ
ｏ合金薄膜３上に第２の透明誘電体膜であるＡＩＮ膜、
１が膜厚３０ｎｍに形成され、更にこのＡＩＮ膜４上に
反射膜であるＡ ｌ ｏ、ｅｅＰ ｄ ｏ、ｏ−（アル
ミニウム・パラジウム）合金膜５が膜厚５０ｎｍに形成
されている。
この透明ガラス基Ｉｆｆ上に第１の透明誘電体膜である
ＡＩＮ（窒化アルミニウム）膜２が膜厚８０ｒ＋ｍに形
成され、このＡＩＮ膜２上２上土類遷移金属合金薄膜で
あるＤ ｙＯ，２：１５ （Ｆ ｅ ｏ、ｓＣｏ 、、
、）。？６５ （デイスブロノウム、鉄、コノくルト）
合金薄膜３が膜厚２０ｎｍに形成され、このＤｙＦｅＣ
ｏ合金薄膜３上に第２の透明誘電体膜であるＡＩＮ膜、
１が膜厚３０ｎｍに形成され、更にこのＡＩＮ膜４上に
反射膜であるＡ ｌ ｏ、ｅｅＰ ｄ ｏ、ｏ−（アル
ミニウム・パラジウム）合金膜５が膜厚５０ｎｍに形成
されている。
上記の構成において、図示しない波長８３０ｎｍの半導
体レーザ光源によりガラス基板ｌを介してレーザ光を記
録媒体であるＤｙＦｅＣｏ合金薄膜３上に照射しながら
、補助磁場Ｈを印加することによって記録を行った。ま
た、一方、再生時には、上記のレーザ光をガラス基板Ｉ
を介して照射しながら、反射光を図示しない光検出器に
より受光することにより、情報の読み取りを行った。
体レーザ光源によりガラス基板ｌを介してレーザ光を記
録媒体であるＤｙＦｅＣｏ合金薄膜３上に照射しながら
、補助磁場Ｈを印加することによって記録を行った。ま
た、一方、再生時には、上記のレーザ光をガラス基板Ｉ
を介して照射しながら、反射光を図示しない光検出器に
より受光することにより、情報の読み取りを行った。
上記のような構成の光学記録素子を作１現し、情報の記
録再生を行ったときの、静特性、および、動特性を第１
表に示した。静特性としては、保磁力Ｈｃ、波長８３０
ｒ＋ａ＋の半導体レーザ光に対する反射率Ｒ１見かけ上
のカー回転角θｋ、キュリー温度Ｔｃを、また、動特性
としては、記録レーザパワーＰｗ、再生性能Ｃ／Ｎ、再
生信号のジッターＪを示した。いずれら、光メモリとし
て十分な性能を有していることが分かる。
録再生を行ったときの、静特性、および、動特性を第１
表に示した。静特性としては、保磁力Ｈｃ、波長８３０
ｒ＋ａ＋の半導体レーザ光に対する反射率Ｒ１見かけ上
のカー回転角θｋ、キュリー温度Ｔｃを、また、動特性
としては、記録レーザパワーＰｗ、再生性能Ｃ／Ｎ、再
生信号のジッターＪを示した。いずれら、光メモリとし
て十分な性能を有していることが分かる。
第【表
実施例２
Ｄｙ、（Ｆ ｅｙｃｏ＋−ｙ）ｌ−１膜におけるＸおよ
びｙの値と、その膜厚りを種々に変更して、静特性およ
び動特性の測定を行った。具体的には、静特性としては
、反射膜を形成しない以外、実施例１と同様な構造の光
学記憶素子を構成し、Ｍ Ｓ Ｎｌ−１ｃ、カー回転角
θｋ、キュリー温度′ｌ″ｃ１補償温度Ｔ ＣＯｍｐを
測定しｌ二。
びｙの値と、その膜厚りを種々に変更して、静特性およ
び動特性の測定を行った。具体的には、静特性としては
、反射膜を形成しない以外、実施例１と同様な構造の光
学記憶素子を構成し、Ｍ Ｓ Ｎｌ−１ｃ、カー回転角
θｋ、キュリー温度′ｌ″ｃ１補償温度Ｔ ＣＯｍｐを
測定しｌ二。
動特性としては、実施例１と同様な光学記憶素子を構成
し、再生信号のキャリアレベルＣＩ−、ノイズレベルＮ
Ｌ、再生性能Ｃ／Ｎ、記録レーザパワーＰｗ、再生信号
のノツターＪを測定した。動特性の測定に際しては、光
学記録素子（ディスク）の回転時の線速度はＩＯ，４ｍ
／ ｓ 、記録周波数はＩＭ Ｈｚに固定した。
し、再生信号のキャリアレベルＣＩ−、ノイズレベルＮ
Ｌ、再生性能Ｃ／Ｎ、記録レーザパワーＰｗ、再生信号
のノツターＪを測定した。動特性の測定に際しては、光
学記録素子（ディスク）の回転時の線速度はＩＯ，４ｍ
／ ｓ 、記録周波数はＩＭ Ｈｚに固定した。
まず、Ｄ ３’ Ｘ （Ｆ ｅ ｙＣＯ＋−膜） ＋−
膜のｙを０８に固定し、その膜厚りがｌ１００ｎと２０
ｎｍの場合について、それぞれ、Ｘの値を変えたときの
Ｈｃ、Ｔｃ、Ｔｃｏｍｐを測定し、その結果を第２表、
第３表に示す。また、その測定値をプロットして得たグ
ラフを第２図、第３図に示す。
膜のｙを０８に固定し、その膜厚りがｌ１００ｎと２０
ｎｍの場合について、それぞれ、Ｘの値を変えたときの
Ｈｃ、Ｔｃ、Ｔｃｏｍｐを測定し、その結果を第２表、
第３表に示す。また、その測定値をプロットして得たグ
ラフを第２図、第３図に示す。
第２表（膜厚１００１００
ｎ以下余白）
第３表（膜厚２０ｎｍ）
第２図、第３図から分かるように、補償温度が室温近傍
となるような補償組成が存在し、この組成は、ｈ−１０
０ｎｍの場合、ｘ ＝ ０．２２〜０．２３であσ、ｈ
＝２０ｎｍの場合、ｘ ＝０．２３−０．２４である。
となるような補償組成が存在し、この組成は、ｈ−１０
０ｎｍの場合、ｘ ＝ ０．２２〜０．２３であσ、ｈ
＝２０ｎｍの場合、ｘ ＝０．２３−０．２４である。
このように、補償組成は、膜厚りによって異なった値を
示す。従って、媒体膜厚りが異なる場合には、最適な媒
体組成も異なることになる。しかし、媒体膜厚りが、１
ＯｎＩＩＩ≦ｈ≦５０ｎｍの範囲にある時は、この組成
のずれはわずかであり、無視してらよいことが確認され
ている。
示す。従って、媒体膜厚りが異なる場合には、最適な媒
体組成も異なることになる。しかし、媒体膜厚りが、１
ＯｎＩＩＩ≦ｈ≦５０ｎｍの範囲にある時は、この組成
のずれはわずかであり、無視してらよいことが確認され
ている。
次に、Ｄ ｙ 、ｔ （Ｆ ｅ ｙＣＯ＋−ｙ） ＋−
ｘ膜において、ｙの値を変えたときの、Ｎｌｉ償組成の
Ｘの値の変化を、ｈ＝ｌｏＯｎｍの場合とｈ ＝ ２０
ｎｍの場合について、測定した結果を第４表に示す。
ｘ膜において、ｙの値を変えたときの、Ｎｌｉ償組成の
Ｘの値の変化を、ｈ＝ｌｏＯｎｍの場合とｈ ＝ ２０
ｎｍの場合について、測定した結果を第４表に示す。
また、その測定値をプロットして得たグラフを第４図に
示す。
示す。
第４図から、補償組成におけるＸの値は、膜厚りの値に
よって変化するが、ｙの値によってはほとんど変化しな
いことが分かる。
よって変化するが、ｙの値によってはほとんど変化しな
いことが分かる。
次に、Ｄ Ｙ ｘ （Ｆ ｅ ｙＣｏ ＋−ｙ） ＋−
ｘ膜において、ｈ＝１００ｎｎとｈ＝２０ｎｍのぞれぞ
れの場合について、ｙ＝０．８に固定し、Ｘの値を変化
させたときのＭｓｉ−１ｃ値を測定した結果を第５表に
示し、その測定値をプロットして得たグラフを第５図に
示す。第５図から明らかなように、ｈ＝２０ｎｍの場合
の方が、ＭＳ−Ｈｅ値は大きくなっており、第（Ｌ）式
から、記録ビットの安定性に浸れているということが分
かる。
ｘ膜において、ｈ＝１００ｎｎとｈ＝２０ｎｍのぞれぞ
れの場合について、ｙ＝０．８に固定し、Ｘの値を変化
させたときのＭｓｉ−１ｃ値を測定した結果を第５表に
示し、その測定値をプロットして得たグラフを第５図に
示す。第５図から明らかなように、ｈ＝２０ｎｍの場合
の方が、ＭＳ−Ｈｅ値は大きくなっており、第（Ｌ）式
から、記録ビットの安定性に浸れているということが分
かる。
（以下余白）
さらに、補償組成近傍で補償組成よりも遷移金属の含有
量が少しだけ多い組成で、かづ、ＨｃｌｏＫＯｅとなる
ような組成におけるＭｓ−Ｈｅ値について、膜厚りを変
えたときの変化を測定した結果を第６表に示し、その測
定値をプロットして得たグラフを第６図に示す。Ｈｃの
値は、大きいほど記録ビットの安定性が増すが、光学記
憶素子として充分な値であるＨｅ−１０ＫＯｅ程度のも
のをここでは選択した。
量が少しだけ多い組成で、かづ、ＨｃｌｏＫＯｅとなる
ような組成におけるＭｓ−Ｈｅ値について、膜厚りを変
えたときの変化を測定した結果を第６表に示し、その測
定値をプロットして得たグラフを第６図に示す。Ｈｃの
値は、大きいほど記録ビットの安定性が増すが、光学記
憶素子として充分な値であるＨｅ−１０ＫＯｅ程度のも
のをここでは選択した。
第６図において、膜厚りが、５０ｎｍより厚くなると、
ＭＳ−Ｈｅ値が小さくなることが分かる。
ＭＳ−Ｈｅ値が小さくなることが分かる。
また、膜厚りが、ｌｏｎｍより薄くなると、薄膜の形成
初期段階における界面状態の変化や界面の部分的酸化な
どによって、磁気的特性が劣化し、Ｍｓ−Ｈｅ値は急激
に低下する。従って、記録媒体として特性の優れた膜厚
りの範囲は、ｌｏｎｍ≦ｈ≦５０帥であることが分かる
。また、１５ｎｍ≦ｈ≦３０ｎｍの範囲では、とりわけ
好ましい特性が得られる。
初期段階における界面状態の変化や界面の部分的酸化な
どによって、磁気的特性が劣化し、Ｍｓ−Ｈｅ値は急激
に低下する。従って、記録媒体として特性の優れた膜厚
りの範囲は、ｌｏｎｍ≦ｈ≦５０帥であることが分かる
。また、１５ｎｍ≦ｈ≦３０ｎｍの範囲では、とりわけ
好ましい特性が得られる。
従って、光磁気記憶膜の膜厚を上述した範囲に薄くすれ
ば、記録ビットの安定性に浸れた光学記憶素子を形成す
ることができろ。
ば、記録ビットの安定性に浸れた光学記憶素子を形成す
ることができろ。
次に、Ｄ ５’ ｇ （Ｆ ｅ ｙＣＯ＋−ｙ） ｌ−
１膜において、ｙの値を０．８に固定し、膜厚）〕を２
０ｎｍとして、Ｘの値を変化させながら動特性を測定し
た。この時、測定に際しては、前述のごとく、光学記録
素子として、（ガラス基［／Ａ Ｉ Ｎ膜８０ｎｍ／Ｄ
ｙＦｅＣｏ膜２０膜ｍ／Ａ Ｉ Ｎ膜３０膜ｍ／Ａ Ｉ
−Ｐ ｄ合金膜５０膜ｍ）のらのを採用し、光源とし
ては、波長８３０ｎｍのレーザ光を射出する半導体レー
ザを使用した。測定に使用した光学記憶素子の動特性の
測定結果を第７表に示す。また、第７表の測定値をプロ
ットして得たグラフを第７図に示す。
１膜において、ｙの値を０．８に固定し、膜厚）〕を２
０ｎｍとして、Ｘの値を変化させながら動特性を測定し
た。この時、測定に際しては、前述のごとく、光学記録
素子として、（ガラス基［／Ａ Ｉ Ｎ膜８０ｎｍ／Ｄ
ｙＦｅＣｏ膜２０膜ｍ／Ａ Ｉ Ｎ膜３０膜ｍ／Ａ Ｉ
−Ｐ ｄ合金膜５０膜ｍ）のらのを採用し、光源とし
ては、波長８３０ｎｍのレーザ光を射出する半導体レー
ザを使用した。測定に使用した光学記憶素子の動特性の
測定結果を第７表に示す。また、第７表の測定値をプロ
ットして得たグラフを第７図に示す。
（以下余白）
第７図から明らかなように、補償組成のＤｙ含有虫であ
るｘ＝０．２３５の近傍で、再生信号のキャリアレベル
ＣＬが高くなり、ノイズレベルＮＬは逆に低くなり、結
果として、再生Ｃ／Ｎは、極大となる。また、再生信号
のノツター、■乙、ｈ１１償組成近傍で極小となってい
ることが分かる。記録レーザーパワーＰｗは、補償組成
近傍で高くなっているが、これは、後述するように、ｙ
の値を変えることによって低減化できる。
るｘ＝０．２３５の近傍で、再生信号のキャリアレベル
ＣＬが高くなり、ノイズレベルＮＬは逆に低くなり、結
果として、再生Ｃ／Ｎは、極大となる。また、再生信号
のノツター、■乙、ｈ１１償組成近傍で極小となってい
ることが分かる。記録レーザーパワーＰｗは、補償組成
近傍で高くなっているが、これは、後述するように、ｙ
の値を変えることによって低減化できる。
補償組成より右側の、Ｘの値の大きいところでＰｗが低
下しているのは、第３図から分かるように、Ｘの値か大
きいはとＴｃが低くなっているからである。また、Ｔｃ
の低下と共に、θにら小さくなっているので、キャリア
レベルＣＬら同時に低下している。
下しているのは、第３図から分かるように、Ｘの値か大
きいはとＴｃが低くなっているからである。また、Ｔｃ
の低下と共に、θにら小さくなっているので、キャリア
レベルＣＬら同時に低下している。
ｈｌｉ償組成より左側の、Ｘの１直の小さいところでは
、Ｔ ｃが高くなり、Ｏｋら大きくなっているに６１旬
わらす′、Ｐｗ、ＣＬと乙（こ低下している。これは、
Ｍｓか大きいために、記録ヒツトの形成時にｆ＠４洩磁
界磁界きく働き、補助磁場を太き（したのと同じ効果を
生じてＰｗが低下すると共に、記録ビット内に再反転領
域を生ずるためにコントラストが低下し、ＣＬが低下す
るのである。また、同時に、記録ビットの周辺部を乱す
ために、記録ビットの艮分布が太き（なり、ＮＬとＪが
大きくなっている。
、Ｔ ｃが高くなり、Ｏｋら大きくなっているに６１旬
わらす′、Ｐｗ、ＣＬと乙（こ低下している。これは、
Ｍｓか大きいために、記録ヒツトの形成時にｆ＠４洩磁
界磁界きく働き、補助磁場を太き（したのと同じ効果を
生じてＰｗが低下すると共に、記録ビット内に再反転領
域を生ずるためにコントラストが低下し、ＣＬが低下す
るのである。また、同時に、記録ビットの周辺部を乱す
ために、記録ビットの艮分布が太き（なり、ＮＬとＪが
大きくなっている。
また、第７図中に記していないが、Ｘ ＜ ０．２０、
または、ｘ＞０．２７の範囲では、Ｘの値が補償組成か
ら離れるほど動特性が劣化する。
または、ｘ＞０．２７の範囲では、Ｘの値が補償組成か
ら離れるほど動特性が劣化する。
以上より、動特性の優れた組成範囲は、はぼ０゜２０≦
Ｘ≦０２７であり、その中でも、補償組成近傍の０．２
２≦Ｘ≦０．２５の、範囲では、とりわけ優れた動特性
が得られる。
Ｘ≦０２７であり、その中でも、補償組成近傍の０．２
２≦Ｘ≦０．２５の、範囲では、とりわけ優れた動特性
が得られる。
なお、ここで示したデータは、ｙ−０８の場合のみであ
るが、ｙの値を変化さ口たと４３シ、Ｕｊ特性の浸れた
Ｘの値の範囲は、ＬｊｌＥした（直とほぼ同しであるこ
とが、本発明の実験により明らかになっている。
るが、ｙの値を変化さ口たと４３シ、Ｕｊ特性の浸れた
Ｘの値の範囲は、ＬｊｌＥした（直とほぼ同しであるこ
とが、本発明の実験により明らかになっている。
次に、Ｄ Ｙ ｘ （Ｆ ｅ ｙＣＯ＋−ｙ） Ｉ−Ｘ
膜において、Ｘの値を動特性の良好な値である０、２３
５に固定し、ｙの値を変化さ仕た場合のＴｃ、Ｐｗ、Ｃ
／Ｎの測定結果を第８表に示す。また、第８表の測定値
をプロットして得たグラフを第８図に示す。この時、測
定に際しては、ディスクの膜構成、光学系ともに第７表
のところで示したものと同しく、のを用いた。
膜において、Ｘの値を動特性の良好な値である０、２３
５に固定し、ｙの値を変化さ仕た場合のＴｃ、Ｐｗ、Ｃ
／Ｎの測定結果を第８表に示す。また、第８表の測定値
をプロットして得たグラフを第８図に示す。この時、測
定に際しては、ディスクの膜構成、光学系ともに第７表
のところで示したものと同しく、のを用いた。
（以下余白）
第８表
第８図から分かるように、ｙの値が減少するに従って、
Ｔｃ、Ｐｗ共に直線的に上昇しているが、Ｃ／Ｎ値はあ
まり変化していない。
Ｔｃ、Ｐｗ共に直線的に上昇しているが、Ｃ／Ｎ値はあ
まり変化していない。
従って、記録パワーの許容上限値から使用に適するｙの
値の範囲が決定される。その際、半導体レーザを使用す
る場合には、半導体レーザの耐久性を考慮して、記録レ
ーザーパワーはＩＯｍＷ以下であることが望ましい。ま
た、第８図のデータを測定する際には、基板としてガラ
ス基板を用いたが、ＰＭＭＡなどのプラスチック基板を
使用することによって、記録レーザーパワーを１〜２ｍ
Ｗ樫度削減できることが、本発明者の実験により明らか
になっている。一方、再生レーザーパワーによる昇温で
記録ビットが変化しないためには、Ｔｃは約１３０℃以
上必要であることが本発明者の実験により、また、明ら
かになっている。以上のことを鑑みて、ｙの値のａ囲は
、０．７０≦ｙ≦０．９０であることが必要である。
値の範囲が決定される。その際、半導体レーザを使用す
る場合には、半導体レーザの耐久性を考慮して、記録レ
ーザーパワーはＩＯｍＷ以下であることが望ましい。ま
た、第８図のデータを測定する際には、基板としてガラ
ス基板を用いたが、ＰＭＭＡなどのプラスチック基板を
使用することによって、記録レーザーパワーを１〜２ｍ
Ｗ樫度削減できることが、本発明者の実験により明らか
になっている。一方、再生レーザーパワーによる昇温で
記録ビットが変化しないためには、Ｔｃは約１３０℃以
上必要であることが本発明者の実験により、また、明ら
かになっている。以上のことを鑑みて、ｙの値のａ囲は
、０．７０≦ｙ≦０．９０であることが必要である。
なお、ここで示したデータは、Ｘの値を補償組成に限定
したときのらのだけであるが、０２０≦Ｘ≦０．２７の
［Ｌ囲でＸの値を変化させた場合にら、好ましいｙの値
の範囲は上述した値とほぼ同じであることが、本発明者
の実験により明らかになっている。
したときのらのだけであるが、０２０≦Ｘ≦０．２７の
［Ｌ囲でＸの値を変化させた場合にら、好ましいｙの値
の範囲は上述した値とほぼ同じであることが、本発明者
の実験により明らかになっている。
以上のことより、非晶質合金膜Ｄｙや（Ｆ ｅ。
Ｃｏ ｔ−ｙ） ｔ−えにおいて、光学記憶素子として
好ましいものは、組成範囲が、０．２０≦Ｘ≦０．２７
、かつ、０．７０≦ｙ≦０．９０であって、かつ、磁化
膜の膜厚りが、１０賎≦ｈ≦５０ｎｍのらのである。
好ましいものは、組成範囲が、０．２０≦Ｘ≦０．２７
、かつ、０．７０≦ｙ≦０．９０であって、かつ、磁化
膜の膜厚りが、１０賎≦ｈ≦５０ｎｍのらのである。
また、上記の組成範囲、及び、膜厚顛囲中、０．２２≦
Ｘ≦０．２５、かつ、０．７５≦ｙ≦０．８５、かつ、
１５ｒ＋ｍ≦ｈ≦３０ｒ＋ｍの範囲にあるものは、光学
記憶素子として、とりわけ浸れた特性を有する。
Ｘ≦０．２５、かつ、０．７５≦ｙ≦０．８５、かつ、
１５ｒ＋ｍ≦ｈ≦３０ｒ＋ｍの範囲にあるものは、光学
記憶素子として、とりわけ浸れた特性を有する。
（へ）発明の効果
この発明の光学ｇｃ！憶素子は、低コストに構成できる
と共に、記録ビット径が小さく高密度、大容量記憶を可
能とするものである。しかも、記録、再生特性ら優れた
ちのであり、その実用価値は極めて大なるものである。
と共に、記録ビット径が小さく高密度、大容量記憶を可
能とするものである。しかも、記録、再生特性ら優れた
ちのであり、その実用価値は極めて大なるものである。
第１図は、本発明に係る光学記憶素子の一実施例の構成
を示す一部側面断面図である。 第２図及び第３図は、ＤｙＦｅＣｏにおけるＦｅとＣｏ
の含有量の比を一定としてＤｙの含有量を変化させたと
きの静特性の変化を示すグラフであって、第２図は、Ｄ
ｙＦｅＣｏの膜厚が１１００ｎのときのらの、第３図は
、ＤｙＦｅＣ。 の膜厚が２０ｎｍのときのものである。各図中の（ａ）
は、キュリー温度および補償温度の変化を表すものであ
り、（ｂ）は、室温における保持力の変化を表すもので
ある。また、同図（ａ）中の記号は、カーループの角型
性を示すものであって、点線は、その角型性を示す領域
を表している。 第４図は、ＤｙＦｅＣｏにおけるＰｅとＣｏの含有量の
比を変化さ仕たときの、補償組成となるＤｙ含何量の変
化を示すグラフであって、ＤｙＦｅＣｏの膜厚が１１０
０ｎと２０ｎｍのときを比較している。 第５図は、ＤｙＦｅＣｏにおけるＦｅとＣｏの自存ｍの
比を一定としてＤｙの含有量を変化させたときのＭＳ−
Ｈｃ積の変化を示すグラフであって、ＤｙＦｅＣｏの膜
厚がｌｏｏｎｍと２０ｎｍのときを比較している。 第６図は、ＤｙＦｅＣｏの膜厚を変化させたときの補償
組成におけろＭｓ−Ｈｃ値の変化を示すグラフである。 第７図は、ＤｙＦｅＣｏにおけるＦｅとＣｏの含有量の
比を一定としてＤｙの含有量を変化させたときの動特性
の変化を示すグラフであって、（ａ）は、再生信号のキ
十リアレベルの変化を示し、（ｂ）は、再生信号のノイ
ズレベルの変化を示し、（ｃ）は、再生信号のＣ／Ｎ比
の変化を示し、（ｄ）は、記録レーザーパワーの変化を
示し、（ｅ）は、再生信号のジッターの変化を示すもの
である。 第８図は、ＤｙＦｅＣｏにおけるＤｙの含有量を一定と
し、ＦｅとＣｏの含有量の比を変化させたときの特性の
変化を示すグラフであって、（ａ）は、キコリー温度の
変化を示し、（ｂ）は、記録レーザーパワーの変化を示
し、（ｃ）は、再生信号のＣ／Ｎの変化を示すしのであ
る。 第９図は従来の光学記憶素子の構成を示す一部側面断面
図である。 ｌ・・ 透明基板、２．ｔｌ・・・・ＡＩＮ膜、３・・
・・・・ＤｙＦｅＣｏ合金薄膜、４・・・・・ＡｌＰｄ
合金膜。 図 第 図 厚＃（ｈ） 第 図 第８７
を示す一部側面断面図である。 第２図及び第３図は、ＤｙＦｅＣｏにおけるＦｅとＣｏ
の含有量の比を一定としてＤｙの含有量を変化させたと
きの静特性の変化を示すグラフであって、第２図は、Ｄ
ｙＦｅＣｏの膜厚が１１００ｎのときのらの、第３図は
、ＤｙＦｅＣ。 の膜厚が２０ｎｍのときのものである。各図中の（ａ）
は、キュリー温度および補償温度の変化を表すものであ
り、（ｂ）は、室温における保持力の変化を表すもので
ある。また、同図（ａ）中の記号は、カーループの角型
性を示すものであって、点線は、その角型性を示す領域
を表している。 第４図は、ＤｙＦｅＣｏにおけるＰｅとＣｏの含有量の
比を変化さ仕たときの、補償組成となるＤｙ含何量の変
化を示すグラフであって、ＤｙＦｅＣｏの膜厚が１１０
０ｎと２０ｎｍのときを比較している。 第５図は、ＤｙＦｅＣｏにおけるＦｅとＣｏの自存ｍの
比を一定としてＤｙの含有量を変化させたときのＭＳ−
Ｈｃ積の変化を示すグラフであって、ＤｙＦｅＣｏの膜
厚がｌｏｏｎｍと２０ｎｍのときを比較している。 第６図は、ＤｙＦｅＣｏの膜厚を変化させたときの補償
組成におけろＭｓ−Ｈｃ値の変化を示すグラフである。 第７図は、ＤｙＦｅＣｏにおけるＦｅとＣｏの含有量の
比を一定としてＤｙの含有量を変化させたときの動特性
の変化を示すグラフであって、（ａ）は、再生信号のキ
十リアレベルの変化を示し、（ｂ）は、再生信号のノイ
ズレベルの変化を示し、（ｃ）は、再生信号のＣ／Ｎ比
の変化を示し、（ｄ）は、記録レーザーパワーの変化を
示し、（ｅ）は、再生信号のジッターの変化を示すもの
である。 第８図は、ＤｙＦｅＣｏにおけるＤｙの含有量を一定と
し、ＦｅとＣｏの含有量の比を変化させたときの特性の
変化を示すグラフであって、（ａ）は、キコリー温度の
変化を示し、（ｂ）は、記録レーザーパワーの変化を示
し、（ｃ）は、再生信号のＣ／Ｎの変化を示すしのであ
る。 第９図は従来の光学記憶素子の構成を示す一部側面断面
図である。 ｌ・・ 透明基板、２．ｔｌ・・・・ＡＩＮ膜、３・・
・・・・ＤｙＦｅＣｏ合金薄膜、４・・・・・ＡｌＰｄ
合金膜。 図 第 図 厚＃（ｈ） 第 図 第８７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に、誘電体膜、光磁気記憶膜、誘電体膜及び
反射膜を積層してなり、光磁気記憶膜が、下記組成式： Ｄｙ＿ｘ（Ｆｅ＿ｙＣｏ＿１＿−＿ｙ）＿１＿−＿ｘ （式中、ｘは０．２０〜０．２７、ｙは０．７０〜０．
９０の範囲の数値を示す）で表わされる希土類遷移金属
合金からなる厚み１０〜５０ｎｍの膜で構成されてなる
光学記憶素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16197688 | 1988-06-28 | ||
| JP63-161976 | 1988-06-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0296952A true JPH0296952A (ja) | 1990-04-09 |
Family
ID=15745659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1164349A Pending JPH0296952A (ja) | 1988-06-28 | 1989-06-27 | 光学記憶素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0349271B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0296952A (ja) |
| DE (1) | DE68921257T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0224853A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JP2550698B2 (ja) * | 1989-03-28 | 1996-11-06 | 富士電機株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| CA2036890C (en) * | 1990-02-28 | 1996-02-13 | Hiroyuki Katayama | Magneto-optic recording disk and method of reproducing recorded signals |
| WO1992002931A1 (en) * | 1990-08-10 | 1992-02-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermomagnetic recording system having high storage density and direct-overwrite capability |
| CA2048868C (en) * | 1990-08-11 | 1999-11-09 | Junsaku Nakajima | Magnetic recording medium and information recording-reproduction method using the same |
| JP2617025B2 (ja) * | 1990-08-11 | 1997-06-04 | シャープ株式会社 | 磁気記録媒体とその記録再生方法 |
| JP2622206B2 (ja) * | 1991-04-17 | 1997-06-18 | 信越化学工業株式会社 | 光磁気記録媒体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586542A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS5873746A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-04 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
| JPS62239350A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-20 | Konika Corp | 光磁気記録媒体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144742A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-02 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0697514B2 (ja) * | 1985-02-21 | 1994-11-30 | シャープ株式会社 | 磁気光学記憶素子 |
| US4751142A (en) * | 1985-09-18 | 1988-06-14 | Kyocera Corporation | Magneto-optical recording element |
| JPS6271042A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| JPH0719396B2 (ja) * | 1985-12-09 | 1995-03-06 | ソニー株式会社 | 情報記録媒体 |
| JP2712312B2 (ja) * | 1988-06-24 | 1998-02-10 | 株式会社ニコン | オーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-06-27 DE DE68921257T patent/DE68921257T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-27 JP JP1164349A patent/JPH0296952A/ja active Pending
- 1989-06-27 EP EP89306519A patent/EP0349271B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586542A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS5873746A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-04 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
| JPS62239350A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-20 | Konika Corp | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68921257T2 (de) | 1995-09-21 |
| EP0349271A3 (en) | 1991-07-17 |
| DE68921257D1 (de) | 1995-03-30 |
| EP0349271B1 (en) | 1995-02-22 |
| EP0349271A2 (en) | 1990-01-03 |
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