JPS62239350A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS62239350A JPS62239350A JP8166786A JP8166786A JPS62239350A JP S62239350 A JPS62239350 A JP S62239350A JP 8166786 A JP8166786 A JP 8166786A JP 8166786 A JP8166786 A JP 8166786A JP S62239350 A JPS62239350 A JP S62239350A
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は光磁気記録媒体、特に磁気光学記憶素子に関す
るものである。
るものである。
口、従来技術・
光ディスクは、高密度、大容量、高速アクセスの特徴を
持ち、種々の研究開発が行われている。
持ち、種々の研究開発が行われている。
このうち、一度だけ追加記録できる光ディスクの記録媒
体としては、TeOx、TeC,Te−3n−3e等が
知られ、一部商品化されている。
体としては、TeOx、TeC,Te−3n−3e等が
知られ、一部商品化されている。
一方、書き換えが可能である光記録としては、光磁気記
録が注目されている。
録が注目されている。
光磁気記録媒体としては、MnB iSMnCuB i
などの多結晶薄膜、T b F 13 % G d F
e % G d Co −。
などの多結晶薄膜、T b F 13 % G d F
e % G d Co −。
DyFe、GdTbFe、TbDyFeなどの非晶質薄
膜などが知られている。例えば、特開昭59−1710
55号公報には、希土類−遷移金属アモルファス合金薄
膜(例えばGdTbFe)と、酸素を含有しないAIN
又はSi3N4からなる透明誘電体膜と、Ti又はTi
Nからなる反射膜とをこの順にて基板上に積層せしめた
磁気光学記憶素子が示されている。
膜などが知られている。例えば、特開昭59−1710
55号公報には、希土類−遷移金属アモルファス合金薄
膜(例えばGdTbFe)と、酸素を含有しないAIN
又はSi3N4からなる透明誘電体膜と、Ti又はTi
Nからなる反射膜とをこの順にて基板上に積層せしめた
磁気光学記憶素子が示されている。
しかしながら、上記のように、磁性層に希土類金属を用
いた場合、非常に酸化されやすく、磁気光学特性が劣化
しやすい。ところが、これまでの媒体においては、そう
した酸化による経時変化を十分には防止できていない。
いた場合、非常に酸化されやすく、磁気光学特性が劣化
しやすい。ところが、これまでの媒体においては、そう
した酸化による経時変化を十分には防止できていない。
ハ1発明の目的
本発明の目的は、酸化による経時変化が防止され、再生
信号の品質の向上した光磁気記録媒体を提供することに
ある。
信号の品質の向上した光磁気記録媒体を提供することに
ある。
二0発明の構成及びその作用効果
即ち、本発明は、金属薄膜からなる光磁気記録層と、反
射膜とが積層されている光磁気記録媒体において、前記
反射膜がステンレス鋼によって形成されていることを特
徴とする光磁気記録媒体に係るものである。
射膜とが積層されている光磁気記録媒体において、前記
反射膜がステンレス鋼によって形成されていることを特
徴とする光磁気記録媒体に係るものである。
本発明によれば、上記組成の反射膜を設けているので、
カー回転角の増大に加え、光磁気記録層の酸化防止効果
が十分となることが判明した。これは、上記反射膜を構
成する合金元素が酸素の拡散を阻止する作用をもつから
であると考えられる。
カー回転角の増大に加え、光磁気記録層の酸化防止効果
が十分となることが判明した。これは、上記反射膜を構
成する合金元素が酸素の拡散を阻止する作用をもつから
であると考えられる。
本発明の目的を達成する上で、上記反射膜はステンレス
鋼(例えばオーステナイト系)からなっていて1例えば
下記のA−Dのいずれの物質で形成しても、はぼ同等の
効果が得られる(「%」はatos+ic%を表わす)
。
鋼(例えばオーステナイト系)からなっていて1例えば
下記のA−Dのいずれの物質で形成しても、はぼ同等の
効果が得られる(「%」はatos+ic%を表わす)
。
藍−羞
Cr Ni Mo Cu
CFeA 16〜20% 10〜16% 2〜
4 % 0.1% 残部810〜16
% 17〜19% 1.2〜2.75% 1.0〜2.
5% 0.08% 〃C22〜24% 12〜15%
0.1% “D 24〜26
% 19〜22% 0.1%
“また、この他、マルテンサイト系、フェライト系のス
テンレス鋼でも、同等の効果が得られる。
CFeA 16〜20% 10〜16% 2〜
4 % 0.1% 残部810〜16
% 17〜19% 1.2〜2.75% 1.0〜2.
5% 0.08% 〃C22〜24% 12〜15%
0.1% “D 24〜26
% 19〜22% 0.1%
“また、この他、マルテンサイト系、フェライト系のス
テンレス鋼でも、同等の効果が得られる。
他方、上記光磁気記録層は、膜面に垂直方向に磁化容易
軸を有するものであって、公知の材質、即ちTbFe、
GdFe、GdTbFeCo、GdCo等の希土類−遷
移金属アモルファス合金で構成することができる。その
製膜には、公知のようにスパッタリングを採用してよい
。
軸を有するものであって、公知の材質、即ちTbFe、
GdFe、GdTbFeCo、GdCo等の希土類−遷
移金属アモルファス合金で構成することができる。その
製膜には、公知のようにスパッタリングを採用してよい
。
また、この光磁気記録層上には、上記反射膜との間に透
明誘電体膜が設けられるが、こうした誘電体としては、
Si3N4をはじめAl1N。
明誘電体膜が設けられるが、こうした誘電体としては、
Si3N4をはじめAl1N。
S i O! 、ZnS、 I To (Indiu
m Tin 0xide)等が挙げられる。この誘
電体膜はスパッタリングによって光磁気記録層上に積層
して設けることができるが、光磁気記録層と基板との間
にも設けて光磁気記録層を誘電体膜でサンドイッチした
構造としてもよい。このサンドインチ構造にすれば、基
板として樹脂基板を用いるときに生じがちな基板からの
酸素の取り込みが膜形成時に生じ難くなるので、有利で
あると考えられる。
m Tin 0xide)等が挙げられる。この誘
電体膜はスパッタリングによって光磁気記録層上に積層
して設けることができるが、光磁気記録層と基板との間
にも設けて光磁気記録層を誘電体膜でサンドイッチした
構造としてもよい。このサンドインチ構造にすれば、基
板として樹脂基板を用いるときに生じがちな基板からの
酸素の取り込みが膜形成時に生じ難くなるので、有利で
あると考えられる。
また、基板の構成材料は種々のものが採用可能であるが
、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、三酢
酸セルロース、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリア
ミド、ポリメチルメタクリレートの如きプラスチックス
がある。ガラス等、セラミックス等からなる基板も使用
可能である。或いは金属基板も使用してもよい。基板又
は基体の形状はシート、カード、ディスク、ドラムの他
、長尺テープ状でもよい。
、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、三酢
酸セルロース、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリア
ミド、ポリメチルメタクリレートの如きプラスチックス
がある。ガラス等、セラミックス等からなる基板も使用
可能である。或いは金属基板も使用してもよい。基板又
は基体の形状はシート、カード、ディスク、ドラムの他
、長尺テープ状でもよい。
第1図は、基板l上に、誘電体膜5と光磁気記録WJ2
と誘電体膜3と反射膜4とが順次積層された、本発明に
基づく光磁気記録媒体の一例を示すものであ・る。
と誘電体膜3と反射膜4とが順次積層された、本発明に
基づく光磁気記録媒体の一例を示すものであ・る。
ここで、各層の厚みは誘電体膜5が1000〜2000
人、光磁気記録層2が200〜400人、誘電体膜3が
300〜700人、反身1漠4が250〜1000人で
あるのがよい。この反射膜4の存在によって、耐蝕性の
向上に加えてカー回転角の増大、S/Nの向上が得られ
る。
人、光磁気記録層2が200〜400人、誘電体膜3が
300〜700人、反身1漠4が250〜1000人で
あるのがよい。この反射膜4の存在によって、耐蝕性の
向上に加えてカー回転角の増大、S/Nの向上が得られ
る。
ホ、実施例
以下、本発明を実施例について更に詳細に説明する。
尖旌炭
透明ポリカーボネート基板上に、膜[1400人のSi
3N、誘電体膜と膜厚250人のGdTbFeC。
3N、誘電体膜と膜厚250人のGdTbFeC。
非晶質合金薄膜とがスパッタリングによって順次形成さ
れ、その上に、膜厚500人のSisNam電体膜(保
護膜)が窒素雰囲気中での反応性スパッタリングによっ
て形成された。更にその上に、1000人のオーステナ
イト系ステンレス合金膜(18〜20%Cr、3〜13
%N i 、 0.08%C2残部FG)がスパッタリ
ングによって反射膜として形成された。
れ、その上に、膜厚500人のSisNam電体膜(保
護膜)が窒素雰囲気中での反応性スパッタリングによっ
て形成された。更にその上に、1000人のオーステナ
イト系ステンレス合金膜(18〜20%Cr、3〜13
%N i 、 0.08%C2残部FG)がスパッタリ
ングによって反射膜として形成された。
このようにして作製された光磁気記録媒体を温度60℃
、相対湿度80%の恒温恒湿槽に入れて、耐腐蝕性試験
を行った。
、相対湿度80%の恒温恒湿槽に入れて、耐腐蝕性試験
を行った。
止較撚
実施例において、反射膜としてTi膜を用いた以外は同
様の記録媒体を作成し、これを上記した耐腐蝕性試験に
供した。
様の記録媒体を作成し、これを上記した耐腐蝕性試験に
供した。
以上の結果を第2図に示したが、θk(カー回転角)に
ついては両者ともそれ程度化がないが、Hc(保磁力)
については反射膜がTiの場合よりも本発明に基づ(オ
ーステナイト系ステンレス合金の場合の方が変化がずっ
と少ないことが分かる。
ついては両者ともそれ程度化がないが、Hc(保磁力)
については反射膜がTiの場合よりも本発明に基づ(オ
ーステナイト系ステンレス合金の場合の方が変化がずっ
と少ないことが分かる。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基づいて更に変形可能である。
思想に基づいて更に変形可能である。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第1図は光
磁気記録媒体の断面図、 第2図は耐腐蝕試験の結果を比較して示すグラフ である。 なお、図面に示す符号に於いて、 ■・・・・・基板 2・・・・・光磁気記録層 3.5・・・誘電体膜 4・・・・・反射膜 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 第 2 図
磁気記録媒体の断面図、 第2図は耐腐蝕試験の結果を比較して示すグラフ である。 なお、図面に示す符号に於いて、 ■・・・・・基板 2・・・・・光磁気記録層 3.5・・・誘電体膜 4・・・・・反射膜 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 第 2 図
Claims (1)
- 1、金属薄膜からなる光磁気記録層と、反射膜とが積層
されている光磁気記録媒体において、前記反射膜がステ
ンレス鋼によって形成されていることを特徴とする光磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8166786A JPS62239350A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8166786A JPS62239350A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62239350A true JPS62239350A (ja) | 1987-10-20 |
Family
ID=13752685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8166786A Pending JPS62239350A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62239350A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0296952A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-04-09 | Sharp Corp | 光学記憶素子 |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP8166786A patent/JPS62239350A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0296952A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-04-09 | Sharp Corp | 光学記憶素子 |
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