JPS62289948A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁性薄膜および透明誘電体膜が共にアモルフ
ァスからなる光磁気記録媒体に関する。

〔発明の背景〕

光磁気記録は、記録密度が高い、非接触で記録・読み出
しが可能、高速ランダムアクセスができる、信号の並列
処理が可能、さらに書換えもできるなどの特徴を有して
いるため、近年、特に注目されている。

光磁気記録媒体の基本的構成は、ｉ％明樹脂またはガラ
スを基板とし、これに希土類−遷移金属−Ｉモルファス
合金、たとえばＧｄＦｅやＧｄＴｈＦｅ等の磁性薄膜を
設けたものである。

周知のように、光磁気記録は、記録に際して、熱磁気記
録によって磁性薄膜にレーザー光を照射して反転磁区を
形成するとともに、読み出しに際しては、磁性薄膜にレ
ーザーの直線偏光を入射し、記録した磁化状態（大きさ
、方向）に対応して反射光または透過光の偏光面が回転
する現象を利用するものである。反射光の偏光面が１０
１転する現象がカー効果、その回転角がカー回転角と呼
ばわている。

このカー効果を利用する読み出しでのＳＮ比は、性能指
数−θＸ　Ｘ　Ｊ”ＴＵ　（Ｒ：反射率）に比例し、こ
の性能指数は光磁気記録媒体の特性に主として依存する
。そこで、従来から、カー回転角θイを増大し、ＳＮ比
を高めるために、種々の提案がなされてきた。

例えば、特開昭５６−１５６９４３号公報では、磁性薄
膜と透明基板との間に透明誘電体膜を介在させ、見掛は
上のカー回転角の増大を図っている。

しかしながら、このようにカー回転角の増大を目的とし
て透明誘電体膜を透明基板などの上に設ける場合、従来
一般に用いられている誘電材は結晶質のものであるため
、透明基板などに対する接着性が低く、膜剥れが生じ易
いものであった。

他方、前述のように、磁性薄膜は高い記録・再生特性を
得るために通常酸化され易い希土類を含む希土類−遷移
金属アモルファス合金を使用しているため、孔食やクラ
ックを生じ易いものであった。そこで、たとえば特開昭
５９−１）００５２号公報では、磁性薄膜を一方が少く
とも酸素を含まない透明誘電体層で挟持する構造を提案
しているけれども、十分な耐食性を得ることができない
ものであった。

そこで、本発明の主たる目的は、透明基板などに対して
透明誘電体膜が優れた接着性を示し、しかも磁性薄膜の
耐食性が向上する光磁気記録媒体を提供することにある
。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、透明基板と、膜面に垂Ｉ育な方向に磁化容
易軸をもつ磁性薄膜と、透明誘電体層とを含む媒体にお
いて；前記磁性薄膜および透明誘電体膜が共にアモルフ
ァスからなることで達成される。

〔発明の具体的構成〕

以下本発明をさらに詳説する。

本発明における光磁気記録媒体は、透明基板と、膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄膜と、透明誘電
体膜とを有する構造となっている。

しかも、本発明では、前記磁性薄膜および透明誘電体膜
が共にアモルファスからなる特徴を有している。

この種の光磁気記録媒体は、取扱時における膜剥れかな
いことが要求されるが、従来の誘電体膜は結晶質のもの
であるため、膜剥れが生しることがあった。これに対し
て、本発明の透明誘電体膜は、アモルファスからなるも
のであるため、その原子の配列がランダム配列している
ために、透明基材など接触する相手との接触面積が大き
くなるため、接着性が向上する。

また、アモルファスの原子がランダム配列であるため、
酸素に対するバリヤー性が高くなり、酸素が磁性薄膜に
移行することを防止し、結晶質のみである従来の誘電体
膜による耐食性改善効果より高い効果が得られる。

本発明においてアモルファス透明誘電体膜を得る手段と
しては、たとえばスパッタ法の場合、ガス圧などのスパ
ッタ条件を適宜選択することによって得ることができる
。また蒸着法などにおいても、蒸着条件を変えることに
よって可能である。

磁性薄膜をアモルファスとすることは、後記の材料を常
法に従って成膜することで容易に得ることができる。磁
性薄膜および透明誘電体膜がアモルファスであるか否か
は、たとえばＸ線回折のパターン条件（非晶質の場合、
ハローパターンを示す）などに基いて判断できる。

本発明において好適に用いることができる透明誘電体と
しては、ＡβＮ、　Ｓｉ３Ｎ４．　Ａ　Ｉ　ＳｉＮ等の
窒化物のほか、ＣｅＦ３＋　ＭｇＦｚ＋　ＬａＦ３．　
ＣａＦｉ＋　ＮａＦ＋　ＺｎＳ＋アモルファスＳｉを挙
げることができる。

誘電体膜の膜厚としては、２００人〜２０００人が好ま
しい。

誘電体膜の形成手段としては、スパッタ法、プラズマＣ
ＶＤ法、真空蒸着法、イオンブレーティング法などを採
用できる。

他方、アモルファスの磁性薄膜としては、ＧｄＦｅ。

ＴｂＦｅ、　ＧｄＣｏ、　ＤｙＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅ、
　ＴｂＤｙＦｅ、　ＴｂＦｅＣｏ。

ＧｄＴｂＣｏ、　ＧｄＴｂＦｅＣｏ、　ＧｄＦｅＢ１．
　ＧｄＴｂＦｅＧｅを挙げることができる。

磁性薄膜の厚さは２００人〜１５００人が好ましい。

この膜形成手段としては、誘電体膜の場合と同様である
。

本発明の光磁気記録媒体の構造は、透明基板、磁性薄膜
、透明誘電体膜を構成要素としている限り、その順序に
限定されず、また他の機能を有する膜を含んでいてもよ
い。

たとえば、第１図のように、透明基板ｌ、誘電体膜２、
磁性画ｌＩ！３、保ｉＩ層４の順の構造、第２図のよう
に、透明基板１、第１誘電体膜２Ａ、磁性薄膜３、第２
誘電体膜２Ｂの順の構造、さらに、第３図のように、第
２図の構造に対して反射膜５を付加した構造などを挙げ
ることができる。

本発明において用いることができる透明基板としては、
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネ
ート、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリアミド、エポ
キシ、三酢酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート
等の樹脂基板のほか、ガラスやセラミック等も挙げるこ
とができる。

保護（オーハーコー日層としては、たとえばアクリル系
の紫外線硬化樹脂を、スピンコード法などによって形成
することによって得る。この層厚は１〜２０μｍが望ま
しい。

反射膜は、Ａｇ、　Ａ　ｌ　＋　５１０２１　Ｃｕ、　
Ａｒ、銅合金、　Ｆｅ合金、　Ｎｉ合金等を用い、誘電
体膜の形成法と同じ方法をもって、望ましくは５００人
〜１０００人に成膜する。

なお、本発明は、上記構造において基板が相互に外側と
なるよう貼り合せたものも含む。

〔実施例〕

次に実施例および比較例をもって本発明の効果を明らか
にする。

（実施例） ポリカーボネート基板／誘電体膜：　　（ＡｆｆＮ　　
；８００人）／磁性薄膜（ＴｂＦｅＣｏ　；　１０００
人）／誘電体膜：（ＡβＮ　　；８００人）の順の層構
造Ｏ）試料を作成した。この場合の窒化アルミニラＪ、
は、Ｘ線回折の結果、ハローパターンがみられアモルフ
ァスと認められた。

（比較例） 実施例と同材料、層構造で試料を作成した。ただし、こ
の場合の窒化子ルミニウムは、結晶質であることのみを
除いて、他の条件は実施例と同一である。

（結　果） 上記実施例および比較例の各試料について、強制劣化条
件として、６０℃×８０％ＲＨの雰囲気中に放置し、抗
磁力Ｈｃの所期のそれとの比、すなわち保磁力について
の経時変化を調べたところ、第３図の結果を得た。

この結果から、誘電体膜が結晶質のみの場合にあっては
保磁力の増加が認められる耐食性に劣るのに対して、本
発明に基くアモルファスである場合には、保磁力の増加
が認められないことが判った。

他方、カー回転角の比較を行ったが、両者に有意差がな
く、また経時変化は両者とも殆んどなかった。

さらに、磁性薄膜および第２誘電体膜の形成を行わず、
第１誘電体膜のみを形成した試料を、実施例および比較
例と同条件でそれぞれ作成した。

そして、これら試料について、ビールテストを行ったと
ころ、後者の試料については、簡単にＡＩＮ膜が剥れて
しまったが、前者の試料については剥れなかった。

なお、ＡＩＮ以外のもの、たとえばＳｉ３Ｎ４やＣｅＦ
３等についても同様な結果が得られた。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、透明誘電体膜の接着性が
向上するとともに、耐食性に優れた光磁気媒体を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明に係る媒体の層構造例の断面図
、第４図は保磁力の経時変化測定結果図である。 １・・・透明基材、２．２Ａ、２Ｂ・・・誘電体膜、３
・・・磁性薄膜、４・・・保護層、５・・・反射膜。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明基板と、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
   つ磁性薄膜と、透明誘電体膜とを有する媒体において； 前記磁性薄膜および透明誘電体膜が共にアモルファスか
   らなることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）前記透明誘電体膜がＡｌＮ、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、Ｃ
   ｅＦ＿３、ＭｇＦ＿３、ＭａＦ＿２、ＬａＦ＿３、Ｃａ
   Ｆ＿２、ＮａＦ、ＺｎＳの群から選ばれた一種またはそ
   れらの混合物である上記第１項記載の光磁気記録媒体。