JPS6192457A - 光学的記録媒体 - Google Patents
光学的記録媒体Info
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- JPS6192457A JPS6192457A JP21144084A JP21144084A JPS6192457A JP S6192457 A JPS6192457 A JP S6192457A JP 21144084 A JP21144084 A JP 21144084A JP 21144084 A JP21144084 A JP 21144084A JP S6192457 A JPS6192457 A JP S6192457A
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- optical recording
- carbide
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- film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ビームにより記録・再生を行うことが可能
な光学的記録媒体に関するものである。
な光学的記録媒体に関するものである。
従来より、光ディスクに用いられる光学的記録媒体とし
ては希土類−遷移金属の合金薄膜、非晶質から結晶質へ
の相転移を利用したカルコゲン化合物等の還元性酸化物
薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモプラスチック記録
媒体等が知られている。例えば、希土類−遷移金属の合
金薄膜で形成される光磁気記録媒体としては、ＭｎＢ１
、ＭｎＣｕＢｊなどの多結晶薄膜、ＧｄＣｏ、ＧｄＦ
ｅ、 ＴｂＦｅ、 ＤｙＦｅ。
ては希土類−遷移金属の合金薄膜、非晶質から結晶質へ
の相転移を利用したカルコゲン化合物等の還元性酸化物
薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモプラスチック記録
媒体等が知られている。例えば、希土類−遷移金属の合
金薄膜で形成される光磁気記録媒体としては、ＭｎＢ１
、ＭｎＣｕＢｊなどの多結晶薄膜、ＧｄＣｏ、ＧｄＦ
ｅ、 ＴｂＦｅ、 ＤｙＦｅ。
ＧｄＴｂＦｅ、 ＴｂＤｙＦｅ、 ＧｄＦｅＣｏ、 Ｔ
ｂＦｅＣｏ、 ＧｄＴｂＣｏ などの非晶質薄膜、Ｇｄ
ＩＧなどの単結晶薄膜などが知られている。
ｂＦｅＣｏ、 ＧｄＴｂＣｏ などの非晶質薄膜、Ｇｄ
ＩＧなどの単結晶薄膜などが知られている。
これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近傍の温度で
製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エネルギーで書
き込むための書き込み効率、および書き込まれた信％Ｓ
／Ｎ比よく読み出すだめの読み出し効率等を勘案して、
最近では前記非晶質薄膜が光磁気記録媒体用として優れ
ていると考えられている。特に、１５０〜２００℃程度
のキューリーａ度を持つＧｄＴｂＦｅ やカー回転角
が大きく再生性能に優れたＧｄＴｂＦｅＣｏ （特開昭
５８−１９６６３９）等が光磁気記録媒体用として最適
である。
製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エネルギーで書
き込むための書き込み効率、および書き込まれた信％Ｓ
／Ｎ比よく読み出すだめの読み出し効率等を勘案して、
最近では前記非晶質薄膜が光磁気記録媒体用として優れ
ていると考えられている。特に、１５０〜２００℃程度
のキューリーａ度を持つＧｄＴｂＦｅ やカー回転角
が大きく再生性能に優れたＧｄＴｂＦｅＣｏ （特開昭
５８−１９６６３９）等が光磁気記録媒体用として最適
である。
しかしながら、一般に前記ＧｄＴｂＦｅ 等の光磁気
記録媒体をはじめとする磁気記録媒体に用いられる非晶
質磁性体は、耐食性が悪いという欠点を持っている。す
なわち、大気、水蒸気に触れると磁気特性が低下し、最
終的には完全に酸化されて透間化するに至る。
記録媒体をはじめとする磁気記録媒体に用いられる非晶
質磁性体は、耐食性が悪いという欠点を持っている。す
なわち、大気、水蒸気に触れると磁気特性が低下し、最
終的には完全に酸化されて透間化するに至る。
このような欠点を除（ために、従来から光学的記録層の
上に各種の保護層例えばＳ ｉＯｚ、５ｉＯ１Ａ７２０
３など透明物質の保護層を設けたり、さらに不活性ガス
により封じ込めたディスク状記録媒体が提案されている
が、いずれも、記録層が酸化され易い材料から成る場合
、磁性膜の厚さが〜数百Ａと薄い場合には、保護効果が
不十分であった。
上に各種の保護層例えばＳ ｉＯｚ、５ｉＯ１Ａ７２０
３など透明物質の保護層を設けたり、さらに不活性ガス
により封じ込めたディスク状記録媒体が提案されている
が、いずれも、記録層が酸化され易い材料から成る場合
、磁性膜の厚さが〜数百Ａと薄い場合には、保護効果が
不十分であった。
上記酸化物に代わり窒化物の薄膜、例えばＡ４＼Ｓｉ３
Ｎ４膜など、あるいは炭化物の薄膜、例えばＳｉＣ、Ｂ
４Ｃ膜を保護層として用いることも提案されている。炭
化物、窒化物の保護層は酸化物の保護層に比較し、それ
自体酸素を含まない防湿性に優れる等の利点を有するが
、熱伝導率がよ（膜厚が厚くなると書き込めな（なると
いう欠点を有している。
Ｎ４膜など、あるいは炭化物の薄膜、例えばＳｉＣ、Ｂ
４Ｃ膜を保護層として用いることも提案されている。炭
化物、窒化物の保護層は酸化物の保護層に比較し、それ
自体酸素を含まない防湿性に優れる等の利点を有するが
、熱伝導率がよ（膜厚が厚くなると書き込めな（なると
いう欠点を有している。
本発明の目的は、従来の記録媒体に比べ更に耐腐食性に
優れ、且つ書込み、読出し効果の向上も可能な光学的記
録媒体を提供することにある。
優れ、且つ書込み、読出し効果の向上も可能な光学的記
録媒体を提供することにある。
本発明の目的は、以下の光学的記録媒体によって達成さ
れる。
れる。
すなわち、基板上に少なくとも光学的記録層を有する光
学的記録媒体において、前記光学的記録層の片側または
両側に炭化水素と炭化物よりなる膜を設けたことを特徴
とする光学的記録媒体である。
学的記録媒体において、前記光学的記録層の片側または
両側に炭化水素と炭化物よりなる膜を設けたことを特徴
とする光学的記録媒体である。
炭化水素と炭化物よりなる膜は、少なくとも前記基板と
光学的記録層の間に設けられれば、本発明の目的を達成
することができるが、光学的記録層の両側に設けられて
もよい。
光学的記録層の間に設けられれば、本発明の目的を達成
することができるが、光学的記録層の両側に設けられて
もよい。
炭化水素と炭化物よりなる膜は、メタン、エタン等の炭
化水素ガスのプラズマ雰囲気中で炭化物を反応性スパッ
タリングにより成膜する。膜厚は１００〜３０００Ａが
好ましく特に好ましいのは５００〜１００ＯＡである。
化水素ガスのプラズマ雰囲気中で炭化物を反応性スパッ
タリングにより成膜する。膜厚は１００〜３０００Ａが
好ましく特に好ましいのは５００〜１００ＯＡである。
炭化物としてはＡｄ−Ｃ系、Ｂ−Ｃ系、 Ｂａ−Ｃ系、
Ｂｅ−Ｃ系、Ｃｅ−Ｃ系、ｃｒ−ｃ系。
Ｂｅ−Ｃ系、Ｃｅ−Ｃ系、ｃｒ−ｃ系。
Ｆｅ−Ｃ系、Ｈｆ−Ｃ系、 Ｌａ−Ｃ系、 ＭｎＣ系、
Ｍｏ−Ｃ系。
Ｍｏ−Ｃ系。
Ｎｂ−Ｃ系、５ｉ−Ｃ系、 ５ｒ−Ｃ系、Ｔａ−Ｃ系、
Ｔｉ−Ｃ系。
Ｔｉ−Ｃ系。
Ｖ−Ｃ系、Ｗ−Ｃ系、Ｙ−Ｃ系、ｚｒ−ｃ系の炭化物が
用いられ、好ましくはＳｉＣ、Ｂ４Ｃが用いられる。
用いられ、好ましくはＳｉＣ、Ｂ４Ｃが用いられる。
本発明の光学的記録媒体の略断面図の一例を第１図に示
す。
す。
図中、１ａは書き込み側基板、２は炭化水素と炭化物よ
りなる膜、３は光学的記録層、４はスペーサ一層、５は
反射層、６は保護層、７は接着層、ｌｂは保護用基板で
ある。
りなる膜、３は光学的記録層、４はスペーサ一層、５は
反射層、６は保護層、７は接着層、ｌｂは保護用基板で
ある。
１ａの書き込み側基板としては、使用光に対して３の光
学的記録層としては、ＧｄＴｂＦｅ の３元糸非晶質
膜、ＧｄＴｂＦｅＣｏ の４元系非晶質膜の１５０〜
２００Ａ厚の薄膜、あるいはカルコゲン化合物ノｌＯＯ
〜２００ＯＡ厚の薄膜などを用いることができる。
学的記録層としては、ＧｄＴｂＦｅ の３元糸非晶質
膜、ＧｄＴｂＦｅＣｏ の４元系非晶質膜の１５０〜
２００Ａ厚の薄膜、あるいはカルコゲン化合物ノｌＯＯ
〜２００ＯＡ厚の薄膜などを用いることができる。
４のスペーサ一層としては、３ｉ０．５ｉ０２などの酸
化ケイ素膜を用いることができる。スペーサ一層の代わ
りに２の炭化水素と炭化物よりなる膜を設けてもよい。
化ケイ素膜を用いることができる。スペーサ一層の代わ
りに２の炭化水素と炭化物よりなる膜を設けてもよい。
スペーサ一層の膜厚は５００〜３０００Ａが適している
。
。
５０反射層としては、ＡｌあるいはＣｕを用いることが
できる。膜厚は４００〜１００ＯＡが適している。
できる。膜厚は４００〜１００ＯＡが適している。
６の保護層としては、スペーサーＦｆｉ 同ｎ Ｓ ｉ
ｏ 。
ｏ 。
Ｓ ｉＯｚ などの酸化ケイ素を用いることができる
。
。
膜厚は１０００〜３０００Ａが適している。
７の接着層としては、シリコーン系接着剤、例えば東し
シリコーン■製Ｓ Ｅ １７００などが、１０μｍ程度
の厚さで用いられる。
シリコーン■製Ｓ Ｅ １７００などが、１０μｍ程度
の厚さで用いられる。
１ｂの保護用基板としては、ガラス、プラヌチツクなど
が用いられる。
が用いられる。
スペーサ一層１反射層、保護層、接着層、保護用基板は
必要に応じ設けても設けなくてもよい。
必要に応じ設けても設けなくてもよい。
又、他の補助層を設けてもよい。
第１図には貼り合わせ構造の光学的記録媒体を示したが
、不活性ガスを封じ込めたエアーサンドインチ構造であ
ってもよい。
、不活性ガスを封じ込めたエアーサンドインチ構造であ
ってもよい。
本発明を更に具体的に説明するだめに、以下に実施例を
示す。
示す。
実施例１
第１図に示す構造の光磁気記録媒体を以下のように製造
した。
した。
書き込み側基板１ａとして厚さｌ ｍｍのグラスチック
板を用い、炭化水素と炭化物よりなる膜２としてＡｒ
、 Ｃｌ−１、＋ ガスのプラズマ雰囲気中でＳｉＣ
の反応性スパッタにより炭化水素とＳｉＣとからなる膜
を１００ＯＡ 厚に成膜した。次に光学的記録層３とし
てＧｄＴｂＦｅＣｏ をスパッタリングにより２０Ｏ
Ａ厚に形成した。スペーサ一層４の代わりに炭化水素と
炭化物よりなる膜を２と同様にして１００ＯＡ厚に形成
した。次いで反射層５としてＡＩ！膜を６００Ａ厚に真
空蒸着法により形成し保護層６としてＳｉＯを２０００
Ａ厚に真空蒸着法により形成した後、接着層７として東
しシリコーン（４’ｌ［！５Ｅ１７００を１０μ厚にス
クリーン印刷して、保護用基板１ｂのｌ ｍｍ厚のアク
リル樹脂板と接着した。
板を用い、炭化水素と炭化物よりなる膜２としてＡｒ
、 Ｃｌ−１、＋ ガスのプラズマ雰囲気中でＳｉＣ
の反応性スパッタにより炭化水素とＳｉＣとからなる膜
を１００ＯＡ 厚に成膜した。次に光学的記録層３とし
てＧｄＴｂＦｅＣｏ をスパッタリングにより２０Ｏ
Ａ厚に形成した。スペーサ一層４の代わりに炭化水素と
炭化物よりなる膜を２と同様にして１００ＯＡ厚に形成
した。次いで反射層５としてＡＩ！膜を６００Ａ厚に真
空蒸着法により形成し保護層６としてＳｉＯを２０００
Ａ厚に真空蒸着法により形成した後、接着層７として東
しシリコーン（４’ｌ［！５Ｅ１７００を１０μ厚にス
クリーン印刷して、保護用基板１ｂのｌ ｍｍ厚のアク
リル樹脂板と接着した。
作製した磁気記録媒体を温度４５℃、相対湿度９５％の
ｍ温恒湿槽に１０００時間入れて耐腐食性試験を行った
。試験前後における保磁力の変化、外観の肉眼的観察を
行ったところ、耐腐食性試験後において保磁力は初期値
に対して９割以上とほとんど変化な（、外観も変化は認
められなかった。
ｍ温恒湿槽に１０００時間入れて耐腐食性試験を行った
。試験前後における保磁力の変化、外観の肉眼的観察を
行ったところ、耐腐食性試験後において保磁力は初期値
に対して９割以上とほとんど変化な（、外観も変化は認
められなかった。
比較のために、保護層２．スペーサ一層４としてＳｉＯ
を用い、他は実施例１と同様にして光磁気記録媒体を製
作した。この媒体に実施例１と同様の耐腐食性試験を行
なったところ、試験後、保磁力は初期１直の２〜３割程
度に劣化し、媒体として使用不可能になった。
を用い、他は実施例１と同様にして光磁気記録媒体を製
作した。この媒体に実施例１と同様の耐腐食性試験を行
なったところ、試験後、保磁力は初期１直の２〜３割程
度に劣化し、媒体として使用不可能になった。
実施例２
実施例１の炭化水素と炭化物よりなる膜を２００ＯＡ厚
に成膜した他は実施例１と同様にして光磁気記録媒体を
製造した。
に成膜した他は実施例１と同様にして光磁気記録媒体を
製造した。
本実施例および実施例１の光磁気記録媒体の記録感度を
次のようにして調べた。媒体に記録周波数１００ｋｌ（
ｚで信号と書き込んでいっだときの書き込まれた記録の
ピット径を測定した。
次のようにして調べた。媒体に記録周波数１００ｋｌ（
ｚで信号と書き込んでいっだときの書き込まれた記録の
ピット径を測定した。
比較のために炭化水素と炭化物よりなる膜２、およびス
ペーサ一層４に代わる炭化水素と炭化物よりなる腺をＳ
ｉＣで表ＩＫ示すような膜厚で設けた他は実施例１と同
様にして光磁気記録媒体を製造し、実施例１．２の光磁
気記録媒体同様にして記録感度を詞べた。
ペーサ一層４に代わる炭化水素と炭化物よりなる腺をＳ
ｉＣで表ＩＫ示すような膜厚で設けた他は実施例１と同
様にして光磁気記録媒体を製造し、実施例１．２の光磁
気記録媒体同様にして記録感度を詞べた。
結果は第１表に示したとおりで、炭化水素と炭化物より
なる膜を設けた場合には、ＳｉＣより熱伝４率が低いた
めに書き込み効率を上昇させることができる。
なる膜を設けた場合には、ＳｉＣより熱伝４率が低いた
めに書き込み効率を上昇させることができる。
実施例３
第２図に示す構造の光磁気記録媒体を以下のよｊＫｇ造
した。
した。
厚さｌＩＩｇＭのプラスチック基板１１上にＳｉＯより
なる下引きＮ８を真空蒸着法により１０００λ厚に設食
性試験を行なったところ、保磁力は９割以上であり外観
にも変化は認められなかった。
なる下引きＮ８を真空蒸着法により１０００λ厚に設食
性試験を行なったところ、保磁力は９割以上であり外観
にも変化は認められなかった。
記録感度についても実施例１，２と同様にして調べたと
ころピット径４μ程度と記録感度も良好であった。
ころピット径４μ程度と記録感度も良好であった。
実施例４
実施例３においてスペーサ一層４として炭化水素とＳｉ
Ｃからなる膜にかえてＳｉＣ膜を用いた他は実施例３と
同様にして記録媒体を構成した。耐腐食性試験の結果は
８〜９割程度と若干実施例３に比較して劣ったが記録感
度では同等であった。
Ｃからなる膜にかえてＳｉＣ膜を用いた他は実施例３と
同様にして記録媒体を構成した。耐腐食性試験の結果は
８〜９割程度と若干実施例３に比較して劣ったが記録感
度では同等であった。
実施例５
第３図に示す構造の光磁気記録媒体を以下のように製造
した。厚さ１朋のプラスチック基板ｌａ上にＳｉよりな
る金属下引き層９をスパッタにより基板との密着性を高
め耐腐食性試験による媒体のを ピンホール膜割れ等の外観カイｂ善することが出来た。
した。厚さ１朋のプラスチック基板ｌａ上にＳｉよりな
る金属下引き層９をスパッタにより基板との密着性を高
め耐腐食性試験による媒体のを ピンホール膜割れ等の外観カイｂ善することが出来た。
磁気媒体の１制久性、記録感度は実施例１と同等であっ
た。
た。
実施例６
第４図に示す構造の光磁気記録媒体を以下のように製造
した。厚さ１朋のプラスチック基板ｌａ上にＳｉＯより
なる下引き層８を真空蒸着法により１０００Ａ厚に設け
、さらに金属下引き層９としてＳ１膜をスパッタにより
％４０Ａ厚に設け、以下実施例１と同様に製造した。実
施例１と同様の耐腐食性試験を行なったところ、保磁力
は９割以上であり外観変化も認められなかった。さらに
実施し１１１と同等の良好な記録感度であった。
した。厚さ１朋のプラスチック基板ｌａ上にＳｉＯより
なる下引き層８を真空蒸着法により１０００Ａ厚に設け
、さらに金属下引き層９としてＳ１膜をスパッタにより
％４０Ａ厚に設け、以下実施例１と同様に製造した。実
施例１と同様の耐腐食性試験を行なったところ、保磁力
は９割以上であり外観変化も認められなかった。さらに
実施し１１１と同等の良好な記録感度であった。
本発明は光学的記録層の片側又は両側に炭化水素と炭化
物よりなる膜を設けることにより耐腐食性を向上させる
ことができる。更に炭化水素と炭化物よりなる膜は、従
来の炭化物、窒化物に比べ熱伝導率が低いので書き込み
効・率も向上させることができる。
物よりなる膜を設けることにより耐腐食性を向上させる
ことができる。更に炭化水素と炭化物よりなる膜は、従
来の炭化物、窒化物に比べ熱伝導率が低いので書き込み
効・率も向上させることができる。
尚、本発明は光磁気記録媒体に限定されるものでなく、
たとえばカルコゲン化合物の薄膜等、酸化され易い記録
層を有する他の光学的記録媒体の耐久性向上に関しても
同様に効果的である。
たとえばカルコゲン化合物の薄膜等、酸化され易い記録
層を有する他の光学的記録媒体の耐久性向上に関しても
同様に効果的である。
第１図〜第４図は本発明の光学的記録媒体の略断面図で
ある。 １ａ・・・書き込み側基板 ｌｂ・・・保護用基板 ２・・・炭化水素と炭化物よりなる膜 ３・・・光学的記録層 ４・・・スペーサ一層 ５・・・反射層 ６・・・保護層 ７・・・接着層 ８・・・下引き層 ９・・・金属下引き層 第 １ 図 第 ２ 図
ある。 １ａ・・・書き込み側基板 ｌｂ・・・保護用基板 ２・・・炭化水素と炭化物よりなる膜 ３・・・光学的記録層 ４・・・スペーサ一層 ５・・・反射層 ６・・・保護層 ７・・・接着層 ８・・・下引き層 ９・・・金属下引き層 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 基板上に少なくとも光学的記録層を有する光学的記録媒
体において、前記光学的記録層の片側または両側に炭化
水素と炭化物よりなる膜を設けたことを特徴とする光学
的記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21144084A JPS6192457A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光学的記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21144084A JPS6192457A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光学的記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6192457A true JPS6192457A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=16605987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21144084A Pending JPS6192457A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6192457A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4990387A (en) * | 1988-01-30 | 1991-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical memory |
| US5411838A (en) * | 1992-06-30 | 1995-05-02 | The Dow Chemical Company | Method for the preparation of optical recording media containing overcoat |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP21144084A patent/JPS6192457A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4990387A (en) * | 1988-01-30 | 1991-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical memory |
| US5411838A (en) * | 1992-06-30 | 1995-05-02 | The Dow Chemical Company | Method for the preparation of optical recording media containing overcoat |
| US5427892A (en) * | 1992-06-30 | 1995-06-27 | The Dow Chemical Company | Optical recording media containing overcoat |
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