JP2543509B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP2543509B2 JP2543509B2 JP61213811A JP21381186A JP2543509B2 JP 2543509 B2 JP2543509 B2 JP 2543509B2 JP 61213811 A JP61213811 A JP 61213811A JP 21381186 A JP21381186 A JP 21381186A JP 2543509 B2 JP2543509 B2 JP 2543509B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、交換結合した２層の磁性層を少なくとも有
する光磁気メモリ用媒体の耐食性の改良に関する。
する光磁気メモリ用媒体の耐食性の改良に関する。
希土類−鉄族非晶質合金薄膜等を用いた光磁気メモリ
は、読み出し特性が充分ではなく、その改善方法につい
てさまざまな提案がなされている。その一つに記録特性
が良い膜と読み出し特性が良い膜とからなる交換結合二
層膜がある（例えば特開昭57−78652号）。従来の交換
結合二層膜では、記録層にはTb−Fe、Dy−Fe、読み出し
層にはGd−Fe、Gd−Fe−Coなどが用いられていた。
は、読み出し特性が充分ではなく、その改善方法につい
てさまざまな提案がなされている。その一つに記録特性
が良い膜と読み出し特性が良い膜とからなる交換結合二
層膜がある（例えば特開昭57−78652号）。従来の交換
結合二層膜では、記録層にはTb−Fe、Dy−Fe、読み出し
層にはGd−Fe、Gd−Fe−Coなどが用いられていた。
このような従来の交換結合二層膜を有する光磁気メモ
リ用媒体の一例を第２図に示す。この媒体は、書き込み
側基板1a上に下引き層２、読み出し層３、記録層４及び
SiC等の保護層５が順次設けられ、更に接着剤６により
保護用基板1bが貼り合わされたものである。
リ用媒体の一例を第２図に示す。この媒体は、書き込み
側基板1a上に下引き層２、読み出し層３、記録層４及び
SiC等の保護層５が順次設けられ、更に接着剤６により
保護用基板1bが貼り合わされたものである。
光磁気メモリの実用化に対しては、その磁性膜の耐食
性がかなり重要な問題となっている。希土類−鉄族非晶
質合金薄膜では、鉄族元素としてCoを多量に含むほど耐
食性が改善されることがわかっている。
性がかなり重要な問題となっている。希土類−鉄族非晶
質合金薄膜では、鉄族元素としてCoを多量に含むほど耐
食性が改善されることがわかっている。
交換結合二層膜では、その読み出し層にはCoを含む磁
性膜を用いることができ、Coの濃度を高くして、読み出
し特性の改善とともに読み出し層自身の耐食性の改善を
図ることができる。
性膜を用いることができ、Coの濃度を高くして、読み出
し特性の改善とともに読み出し層自身の耐食性の改善を
図ることができる。
しかし、この種の読み出し層を初めとして、読み出し
層の腐食は、なお酸素、水分等により進行するので、い
っそうの改良が望まれている。
層の腐食は、なお酸素、水分等により進行するので、い
っそうの改良が望まれている。
また、記録層によく用いられるTb−FeやDy−Fe等にCo
を添加すると、少量でもキュリー温度がかなり上昇し、
記録感度が悪くなるので、記録層にCoを添加することは
通常行なわれず、記録層の腐食は従来有効に防止されて
いなかった。
を添加すると、少量でもキュリー温度がかなり上昇し、
記録感度が悪くなるので、記録層にCoを添加することは
通常行なわれず、記録層の腐食は従来有効に防止されて
いなかった。
本発明は、上記従来の欠点を改良するためになされた
ものであり、その目的は、交換二層膜の酸素、水分等に
よる侵食が充分に抑制され、腐食性が改善された光磁気
記録媒体の製造方法を提供することにある。
ものであり、その目的は、交換二層膜の酸素、水分等に
よる侵食が充分に抑制され、腐食性が改善された光磁気
記録媒体の製造方法を提供することにある。
上記の目的は、読み出し層と、前記読み出し層と交換
結合すると共に前記読み出し層に対して室温において大
きな保磁力と低いキュリー温度を備える記録層とを、そ
の順で基板上に有してなる光磁気記録媒体の製造方法で
あって、 前記読み出し層、記録層を前記基板上に成膜する前
に、前記基板上に希土類元素からなる層を成膜すること
を特徴とする本発明によって達成される。
結合すると共に前記読み出し層に対して室温において大
きな保磁力と低いキュリー温度を備える記録層とを、そ
の順で基板上に有してなる光磁気記録媒体の製造方法で
あって、 前記読み出し層、記録層を前記基板上に成膜する前
に、前記基板上に希土類元素からなる層を成膜すること
を特徴とする本発明によって達成される。
希土類層を構成する好ましい成分としては、GdTb,Dy
の各々またはそれらの合金が挙げられる。
の各々またはそれらの合金が挙げられる。
希土類層には、前記の本発明の目的達成を妨げない範
囲で他の元素が添加されてよい。
囲で他の元素が添加されてよい。
以下、本発明の光磁気メモリ用媒体についてより詳し
く説明する。
く説明する。
第１図は本発明の光磁気メモリ用媒体の一態様を示す
模式断面図である。この光磁気メモリ用媒体は、書き込
み用基板1aの上に、下引き層２、希土類層7a、室温にお
ける高い保磁力と低いキュリー温度とを有する読み出し
層３、室温における低い保磁力と高いキュリー温度とを
有する記録層４、希土類層7b及び保護層５が、順次成膜
され、更にその上に接着剤６により保護用基板1bが張り
合わされたものである。
模式断面図である。この光磁気メモリ用媒体は、書き込
み用基板1aの上に、下引き層２、希土類層7a、室温にお
ける高い保磁力と低いキュリー温度とを有する読み出し
層３、室温における低い保磁力と高いキュリー温度とを
有する記録層４、希土類層7b及び保護層５が、順次成膜
され、更にその上に接着剤６により保護用基板1bが張り
合わされたものである。
交換結合をした読み出し層及び記録層を構成する磁性
材料には、それらの材料として利用されている材料が制
限なく使用できるが、例えば書き込み層として好適なも
のとしてTb−Fe、Dy−Fe、Tb−Dy−Fe,Tb−Fe−Ｍ（Ｍ
＝Cr,Al）、読み出し層として好適なものとしてGd−F
e、Gd−Fe−Co,Gd−FeCo−Ｍ（Ｍ＝Cr,Al）が挙げられ
る。
材料には、それらの材料として利用されている材料が制
限なく使用できるが、例えば書き込み層として好適なも
のとしてTb−Fe、Dy−Fe、Tb−Dy−Fe,Tb−Fe−Ｍ（Ｍ
＝Cr,Al）、読み出し層として好適なものとしてGd−F
e、Gd−Fe−Co,Gd−FeCo−Ｍ（Ｍ＝Cr,Al）が挙げられ
る。
下引き層２と保護層５は耐食性をより向上させる等の
目的で設けられたもので、その材料としては例えば種々
の窒化物、炭化物が用いられる。
目的で設けられたもので、その材料としては例えば種々
の窒化物、炭化物が用いられる。
上述のような本発明の光磁気記録媒体の作用効果につ
いて次に述べる。
いて次に述べる。
一般に希土類−鉄族非晶質合金薄膜等から成る磁性膜
の腐食原因としては、磁性膜の成膜中に取り込まれる酸
素、水分による酸化と、磁性膜成膜後に保護膜や基板か
ら磁性膜中に拡散してくる酸素、水分による酸化とが考
えられる。このうちの前者に関しては、スパッタリング
におけるターゲットや蒸着における蒸発源の中の酸素濃
度を減らしたり、真空装置の残留ガス圧やArガス中の不
純物を減らすことによりかなり改善されるが、まだ改良
の余地は残されている。
の腐食原因としては、磁性膜の成膜中に取り込まれる酸
素、水分による酸化と、磁性膜成膜後に保護膜や基板か
ら磁性膜中に拡散してくる酸素、水分による酸化とが考
えられる。このうちの前者に関しては、スパッタリング
におけるターゲットや蒸着における蒸発源の中の酸素濃
度を減らしたり、真空装置の残留ガス圧やArガス中の不
純物を減らすことによりかなり改善されるが、まだ改良
の余地は残されている。
一方、後者については、緻密で酸素を含まない公知の
保護層によってかなり抑えられるが、媒体全体としての
耐食性のいっそうの改善が望まれている。特に基板にプ
ラスチックを用いる場合には、基板にはある程度の吸水
性があり炭化物等の公知の保護層では不十分である。
保護層によってかなり抑えられるが、媒体全体としての
耐食性のいっそうの改善が望まれている。特に基板にプ
ラスチックを用いる場合には、基板にはある程度の吸水
性があり炭化物等の公知の保護層では不十分である。
本発明の光磁気記録媒体では次に説明するように、上
記前、後者の腐食原因を除去できる。
記前、後者の腐食原因を除去できる。
第１図に示した、本発明に係る上記態様の光磁気記録
媒体においては、読み出し層３が成膜される直前に希土
類層7aが成膜されることとなり、この希土類層7aが成膜
中に真空層内の酸素、水分を取り込む。よって、その後
に続く読み出し層３、記録層４の成膜時、それらの膜中
に酸素、水分が取込まれるのを抑制できる。即ち前者の
腐食原因を除去し、光磁気記録媒体の耐食性を向上させ
ることができる。
媒体においては、読み出し層３が成膜される直前に希土
類層7aが成膜されることとなり、この希土類層7aが成膜
中に真空層内の酸素、水分を取り込む。よって、その後
に続く読み出し層３、記録層４の成膜時、それらの膜中
に酸素、水分が取込まれるのを抑制できる。即ち前者の
腐食原因を除去し、光磁気記録媒体の耐食性を向上させ
ることができる。
また、光磁気記録媒体の完成後には、読み出し層３の
表面に設けられた希土類層7aは、基板1a、下引き層２側
から酸素、水分が読み出し層３ひいては記録層４へ拡散
するのをも防止する役目をも果たし、後者の腐食原因も
除去する。更に記録層４に接して希土類層7bが設けられ
ていることにより接着層６側からの酸素、水分の拡散も
防止することができる。
表面に設けられた希土類層7aは、基板1a、下引き層２側
から酸素、水分が読み出し層３ひいては記録層４へ拡散
するのをも防止する役目をも果たし、後者の腐食原因も
除去する。更に記録層４に接して希土類層7bが設けられ
ていることにより接着層６側からの酸素、水分の拡散も
防止することができる。
上記の態様とは逆に、…希土類層、記録層、読み出し
層…の順に成膜された光磁気記録媒体では、記録層に接
して設けられた希土類層が前、後者の腐食原因を除去す
る。
層…の順に成膜された光磁気記録媒体では、記録層に接
して設けられた希土類層が前、後者の腐食原因を除去す
る。
本発明の光磁気メモリ用媒体において、希土層７を形
成する方法としては、スパッタ等の方法を利用すればよ
い。希土類層の厚さについては、記録感度を下げないた
めには薄い方が好ましいこと、耐食性を向上させるため
にはある程度の膜厚を有すること等を考慮して決定され
る。また、読み出し層側の希土類層は再生光が透過でき
る範囲内であることも必要である。具体的には読み出し
層側の希土類層は約100Å以内、記録層側の希土類層は
約300Å以内が有効である。
成する方法としては、スパッタ等の方法を利用すればよ
い。希土類層の厚さについては、記録感度を下げないた
めには薄い方が好ましいこと、耐食性を向上させるため
にはある程度の膜厚を有すること等を考慮して決定され
る。また、読み出し層側の希土類層は再生光が透過でき
る範囲内であることも必要である。具体的には読み出し
層側の希土類層は約100Å以内、記録層側の希土類層は
約300Å以内が有効である。
［実施例］ 実施例１ 第１図に示したのと同様な光磁気記録媒体を作成し
た。基板1a,1bとしてポリカーボネート、保護層25とし
てZnS（厚さ順に800Å、1500Å）、希土類層7aとしてGd
膜（厚さ50Å）、読み出し層３としてGdFeCo（厚さ300
Å）、記録層４としてTbFe膜（厚さ400Å）を用いた。
更に希土類層7bとしてTb膜（厚さ200Å）、接着剤６と
してはホットメルト接着剤を用いた。各成膜はスパッタ
リング法によった。
た。基板1a,1bとしてポリカーボネート、保護層25とし
てZnS（厚さ順に800Å、1500Å）、希土類層7aとしてGd
膜（厚さ50Å）、読み出し層３としてGdFeCo（厚さ300
Å）、記録層４としてTbFe膜（厚さ400Å）を用いた。
更に希土類層7bとしてTb膜（厚さ200Å）、接着剤６と
してはホットメルト接着剤を用いた。各成膜はスパッタ
リング法によった。
また、比較用に第２図に示した従来の光磁気記録媒体
を作製した。基板1a,1b、保護層2,5の材料、厚さは上記
と全く同じ。読み出し層３はGdFeCo（厚さ500Å）、記
録層４はTbFe膜（厚さ500Å）とした。
を作製した。基板1a,1b、保護層2,5の材料、厚さは上記
と全く同じ。読み出し層３はGdFeCo（厚さ500Å）、記
録層４はTbFe膜（厚さ500Å）とした。
上記の両記録媒体は、反射率、カー回転角は同等であ
り、また本発明の記録媒体は交換結合作用も何ら損なわ
れず、両者は同等の記録感度を示した。しかし、60℃、
相対湿度80％、500時間の耐湿テストの結果、従来例の
媒体は保磁力で１割の劣化、及びビットエラーレートで
５倍の上昇を示したのに対して、本発明の媒体は保磁力
に関してはほとんど変化がなくビットエラーレートの上
昇も２倍程度と、耐食性が向上した。
り、また本発明の記録媒体は交換結合作用も何ら損なわ
れず、両者は同等の記録感度を示した。しかし、60℃、
相対湿度80％、500時間の耐湿テストの結果、従来例の
媒体は保磁力で１割の劣化、及びビットエラーレートで
５倍の上昇を示したのに対して、本発明の媒体は保磁力
に関してはほとんど変化がなくビットエラーレートの上
昇も２倍程度と、耐食性が向上した。
［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、交換結合２層磁性膜に希
土類層を設けた本発明により、磁性膜の成膜及び成膜後
において、該膜中に水分、酸素等が侵入するのを抑制で
き、磁食性が改善された。
土類層を設けた本発明により、磁性膜の成膜及び成膜後
において、該膜中に水分、酸素等が侵入するのを抑制で
き、磁食性が改善された。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の一実施例を示す模式
断面図、第２図は従来の光磁気記録媒体の一例を示す模
式断面図である。 1a,1b:基板 2:下引層、3:読み出し層 4:記録層、5:保護層 6:接着剤、7a,7b:希土類層
断面図、第２図は従来の光磁気記録媒体の一例を示す模
式断面図である。 1a,1b:基板 2:下引層、3:読み出し層 4:記録層、5:保護層 6:接着剤、7a,7b:希土類層
Claims (1)
- 【請求項１】読み出し層と、前記読み出し層と交換結合
すると共に前記読み出し層に対して室温において大きな
保磁力と低いキュリー温度を備える記録層とを、その順
で基板上に有してなる光磁気記録媒体の製造方法であっ
て、 前記読み出し層、記録層を前記基板上に成膜する前に、
前記基板上に希土類元素からなる層を成膜することを特
徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213811A JP2543509B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213811A JP2543509B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370944A JPS6370944A (ja) | 1988-03-31 |
| JP2543509B2 true JP2543509B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=16645425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213811A Expired - Fee Related JP2543509B2 (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543509B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04134741A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Nikon Corp | ４層膜構造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| EP0487847A1 (en) * | 1990-11-26 | 1992-06-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60219655A (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-02 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6148148A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-08 | Toshiba Corp | 光熱磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP61213811A patent/JP2543509B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6370944A (ja) | 1988-03-31 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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