JPH04134741A - ４層膜構造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体 - Google Patents
４層膜構造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体Info
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- JPH04134741A JPH04134741A JP2257928A JP25792890A JPH04134741A JP H04134741 A JPH04134741 A JP H04134741A JP 2257928 A JP2257928 A JP 2257928A JP 25792890 A JP25792890 A JP 25792890A JP H04134741 A JPH04134741 A JP H04134741A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録磁界）（ｂの向き及び強度を変調せずに
、光ビームの強度を記録すべき２値化情報に従い変調す
るだけでオーバーライト（ｏｖｅｒｗｒｉｔｅ）か可能
な４層膜構造光磁気記録媒体に関する。
、光ビームの強度を記録すべき２値化情報に従い変調す
るだけでオーバーライト（ｏｖｅｒｗｒｉｔｅ）か可能
な４層膜構造光磁気記録媒体に関する。
最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。
広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を記録した後、消去することができ、再び新
たな情報を記録することが繰り返し何度も可能であると
いうユニークな利点のために、最も大きな魅力に満ちて
いる。
法は、情報を記録した後、消去することができ、再び新
たな情報を記録することが繰り返し何度も可能であると
いうユニークな利点のために、最も大きな魅力に満ちて
いる。
この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ ｍａｇｎｅｔｉｃ １ａｙｅｒ ｏｒ １
ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモルフ
ァスのＧｄＦｅやＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ１
ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅＣｏなとからなる。記録層は一般に
同心円状又はらせん状のトラックを成しており、このト
ラックの上に情報か記録される。ここで、本明細書では
、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａｒｄ） Ｊ又は「下向
き（ｄｏｗｎｗａｒｄ） Ｊの何れか一方を、「Ａ向き
」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべき情報は
、予め２値化されており、この情報が「Ａ向き」の磁化
を有するビット（Ｂ１）と、「逆Ａ向き」の磁化を存す
るビ・ソ）（ＢＯ）の２つの信号で記録される。これら
のビットＢ、、Ｂ、は、デジタル信号の１．０の何れか
一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般には記録
されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部磁場を印
加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。その上
でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するビット（Ｂ１）
を形成する。情報は、このビット（Ｂ１）の有無及び／
又はビット長によって表現される。尚、ビットは最近マ
ークと呼ばれることかある。
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ ｍａｇｎｅｔｉｃ １ａｙｅｒ ｏｒ １
ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモルフ
ァスのＧｄＦｅやＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ１
ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅＣｏなとからなる。記録層は一般に
同心円状又はらせん状のトラックを成しており、このト
ラックの上に情報か記録される。ここで、本明細書では
、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａｒｄ） Ｊ又は「下向
き（ｄｏｗｎｗａｒｄ） Ｊの何れか一方を、「Ａ向き
」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべき情報は
、予め２値化されており、この情報が「Ａ向き」の磁化
を有するビット（Ｂ１）と、「逆Ａ向き」の磁化を存す
るビ・ソ）（ＢＯ）の２つの信号で記録される。これら
のビットＢ、、Ｂ、は、デジタル信号の１．０の何れか
一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般には記録
されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部磁場を印
加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。その上
でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するビット（Ｂ１）
を形成する。情報は、このビット（Ｂ１）の有無及び／
又はビット長によって表現される。尚、ビットは最近マ
ークと呼ばれることかある。
ビット形成の原理：
ビットの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的時
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）が有利
に使用され、レーザー光の波長によって決定される回折
限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り
込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、
記録層に直径か１μｍ以下のビットを形成することによ
り情報が記録される。光学的記録においては、理論的に
約１０” ビット／ｃｄまでの記録密度を達成すること
かできる。何故ならば、レーザビームはその波長とほと
んど同じ位に小さい直径を有するスポットにまで凝縮（
ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅ）することが出来るからである
。
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）が有利
に使用され、レーザー光の波長によって決定される回折
限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り
込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、
記録層に直径か１μｍ以下のビットを形成することによ
り情報が記録される。光学的記録においては、理論的に
約１０” ビット／ｃｄまでの記録密度を達成すること
かできる。何故ならば、レーザビームはその波長とほと
んど同じ位に小さい直径を有するスポットにまで凝縮（
ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅ）することが出来るからである
。
第２図に示すように、光磁気記録においては、レーザー
ビーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加
熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記
録磁界（Ｈｂ）を加熱された部分に外部から印加する。
ビーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加
熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記
録磁界（Ｈｂ）を加熱された部分に外部から印加する。
そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｅ（ｃｏ
ｅｒｓｉｖｉｔｙ）は減少し記録磁界（Ｈｂ）より小さ
くなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界（Ｈｂ
）の向きに並ぶ。こうして逆に磁化されたビットが形成
される。
ｅｒｓｉｖｉｔｙ）は減少し記録磁界（Ｈｂ）より小さ
くなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界（Ｈｂ
）の向きに並ぶ。こうして逆に磁化されたビットが形成
される。
フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｅの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するＨｅを有し、この現象に基づいて記録が実行
される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー点書込み）と引
用される。
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するＨｅを有し、この現象に基づいて記録が実行
される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー点書込み）と引
用される。
他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度（
ＣＯｍｐｅｎＳａｊｌＯｎ ｊｅｍｐｅｒａｔＬＩｒｅ
）Ｔｅａｓｅ を有しており、そこでは磁化（Ｍ）は
ゼロになる。逆にこの温度付近でＨｅが非常に大きくな
り、その温度から外れるとＨｃが急激に低下する。この
低下したＨｅは、比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって
打ち負かされる。つまり、記録が可能になる。
ＣＯｍｐｅｎＳａｊｌＯｎ ｊｅｍｐｅｒａｔＬＩｒｅ
）Ｔｅａｓｅ を有しており、そこでは磁化（Ｍ）は
ゼロになる。逆にこの温度付近でＨｅが非常に大きくな
り、その温度から外れるとＨｃが急激に低下する。この
低下したＨｅは、比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって
打ち負かされる。つまり、記録が可能になる。
この記録プロセスはＴ ｃａｍｅ 書込み（補償点書
込み）と呼ばれる。
込み）と呼ばれる。
もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下したＨｃを育する磁性材料に対し
、その低下したＨｅを打ち負かせる記録磁界（Ｈｂ ）
を印加すれば、記録は可能である。
辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下したＨｃを育する磁性材料に対し
、その低下したＨｅを打ち負かせる記録磁界（Ｈｂ ）
を印加すれば、記録は可能である。
再生の原理
第３図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示す。
光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発散し
ている電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が直線
偏光（Ｌ、）に変換され、そして記録層（１）に照射さ
れたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層（１
）を透過する。
ている電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が直線
偏光（Ｌ、）に変換され、そして記録層（１）に照射さ
れたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層（１
）を透過する。
このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向きに従って回転する
。この回転する現象は、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果又は
磁気ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。
。この回転する現象は、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果又は
磁気ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。
例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向きＪ磁化に対して
θに度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
一θに度回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を−θに度傾けた面に垂直にセットしておくと、「
逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）から反射された
光はアナライザーを透過することができない。それに対
して「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ１）から反射さ
れた光は、 （ｓｉｎ２θｋ）２を乗じた分がアナライ
ザーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲さ
れる。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビ１．ト（Ｂ
＋）は「逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）よりも
明るく見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生
させる。このディテクターからの電気信号は、記録され
た情報に従って変調されるのて、情報が再生されるので
ある。
θに度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
一θに度回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を−θに度傾けた面に垂直にセットしておくと、「
逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）から反射された
光はアナライザーを透過することができない。それに対
して「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ１）から反射さ
れた光は、 （ｓｉｎ２θｋ）２を乗じた分がアナライ
ザーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲さ
れる。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビ１．ト（Ｂ
＋）は「逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）よりも
明るく見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生
させる。このディテクターからの電気信号は、記録され
た情報に従って変調されるのて、情報が再生されるので
ある。
ところで、記録ずみの媒体を再使用するには、（ｉ）媒
体を再び初期化装置で初期化するが、又は（ｉｉ）記録
装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するが、又
は（ｉｉ）予め、前段処理として記録装置又は消去装置
を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。
体を再び初期化装置で初期化するが、又は（ｉｉ）記録
装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するが、又
は（ｉｉ）予め、前段処理として記録装置又は消去装置
を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。
従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情報
の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できるオ
ーバーライトは、不可能とされていた。
の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できるオ
ーバーライトは、不可能とされていた。
もっとも、もし記録磁界Ｈｂの向きを必要に応じて「Ａ
向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調することがで
きれば、オーバーライトか可能になる。しかしながら、
記録磁界Ｈｂの向きを高速度で変調することは不可能で
ある。例えば、記録磁界Ｈｂが永久磁石である場合、磁
石の向きを機械的に反転させる必要がある。しかし、磁
石の向きを高速で反転させることは、無理である。記録
磁界Ｈｂが電磁石である場合にも、大容量の電流の向き
をそのように高速で変調することは不可能である。
向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調することがで
きれば、オーバーライトか可能になる。しかしながら、
記録磁界Ｈｂの向きを高速度で変調することは不可能で
ある。例えば、記録磁界Ｈｂが永久磁石である場合、磁
石の向きを機械的に反転させる必要がある。しかし、磁
石の向きを高速で反転させることは、無理である。記録
磁界Ｈｂが電磁石である場合にも、大容量の電流の向き
をそのように高速で変調することは不可能である。
しかしなから、技術の進歩は著しく、記録磁界Ｈｂの強
度（ＯＮ、ＯＦＦを含む）又は記録磁界Ｈｂの向きを変
調せずに、照射する光ビームの強度を記録すべき２値化
情報に従い変調するだけで、オーバーライトが可能な光
磁気記録方法と、それに使用されるオーバーライト可能
な光磁気記録媒体と、同じくそれに使用されるオーバー
ライト可能な記録装置が発明され、特許出願された（特
開昭６２−１７５９４８号）。以下、この発明を「基本
発明」と引用する。
度（ＯＮ、ＯＦＦを含む）又は記録磁界Ｈｂの向きを変
調せずに、照射する光ビームの強度を記録すべき２値化
情報に従い変調するだけで、オーバーライトが可能な光
磁気記録方法と、それに使用されるオーバーライト可能
な光磁気記録媒体と、同じくそれに使用されるオーバー
ライト可能な記録装置が発明され、特許出願された（特
開昭６２−１７５９４８号）。以下、この発明を「基本
発明」と引用する。
Ｃ基本発明の説明〕
基本発明では、「基本的に垂直磁化可能な磁性薄膜から
なる記録再生層（本明細書では、メモリー層又はＭ層と
言う）と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなる記録補助層
（本明細書では、「記録層１又はＷ層と言う）とを含み
、両層は交換結合しており、かつ、室温でＭ層の磁化の
向きは変えないでＷ層の磁化のみを所定の向きに向けて
おくことができるオーバーライト可能な多層光磁気記録
媒体」を使用する。
なる記録再生層（本明細書では、メモリー層又はＭ層と
言う）と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなる記録補助層
（本明細書では、「記録層１又はＷ層と言う）とを含み
、両層は交換結合しており、かつ、室温でＭ層の磁化の
向きは変えないでＷ層の磁化のみを所定の向きに向けて
おくことができるオーバーライト可能な多層光磁気記録
媒体」を使用する。
そして、情報をＭ層（場合によりＷ層にも）における「
Ａ向き」磁化を有するビットと「逆Ａ向きＪ磁化を存す
るビットで表現し、記録するのである。
Ａ向き」磁化を有するビットと「逆Ａ向きＪ磁化を存す
るビットで表現し、記録するのである。
この媒体は、Ｗ層か外部手段（例えば初期補助磁界Ｈｉ
ｎｉ、 ）によって、その磁化の向きを「Ａ向き」に揃
えることができ、しかも、そのとき、Ｍ層は、磁化の向
きは反転せず、更に、−旦「Ａ向き」に揃えられたＷ層
の磁化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を受けても反転
せず、逆にＭ層の磁化の向きは、「Ａ向き」に揃えられ
たＷ層からの交換結合力を受けても反転しない。
ｎｉ、 ）によって、その磁化の向きを「Ａ向き」に揃
えることができ、しかも、そのとき、Ｍ層は、磁化の向
きは反転せず、更に、−旦「Ａ向き」に揃えられたＷ層
の磁化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を受けても反転
せず、逆にＭ層の磁化の向きは、「Ａ向き」に揃えられ
たＷ層からの交換結合力を受けても反転しない。
そして、Ｗ層は、Ｍ層に比べて低い保磁力Ｈｃと高いキ
ュリー点Ｔｃを持つ。
ュリー点Ｔｃを持つ。
基本発明の記録方法によれば、記録媒体は、記録前まで
に、外部手段によりＷ層の磁化の向きが「Ａ向き」に揃
えられる。この行為を本明細書では特別に「初期化（ｉ
ｎｉ ｔｉａｌｉｚｅ）Ｊと呼ぶ。この初期化はオーバ
ーライト可能な媒体に特有なことである。
に、外部手段によりＷ層の磁化の向きが「Ａ向き」に揃
えられる。この行為を本明細書では特別に「初期化（ｉ
ｎｉ ｔｉａｌｉｚｅ）Ｊと呼ぶ。この初期化はオーバ
ーライト可能な媒体に特有なことである。
その上で、２値化情報に従いパルス変調されたレーザー
ビームが媒体に照射される。レーザービームの強度は、
高レベルＰ８と低レベルＰＬがあり、これはパルスの高
レベルと低レベルに相当する。尚、この低レベルは、再
生時に媒体を照射する非常な低レベル１Ｐ１よりも高い
。
ビームが媒体に照射される。レーザービームの強度は、
高レベルＰ８と低レベルＰＬがあり、これはパルスの高
レベルと低レベルに相当する。尚、この低レベルは、再
生時に媒体を照射する非常な低レベル１Ｐ１よりも高い
。
ビームが照射された部分の媒体に、向きも強度も変調さ
れない記録磁界Ｈｂが作用する。Ｗｂは、ビームの照射
された部分（スポット領域）と同じ位の寸法に絞ること
はできず、Ｈｂが作用する領域は、スポット領域に比べ
れば、ずっと大きい。
れない記録磁界Ｈｂが作用する。Ｗｂは、ビームの照射
された部分（スポット領域）と同じ位の寸法に絞ること
はできず、Ｈｂが作用する領域は、スポット領域に比べ
れば、ずっと大きい。
低レベルのビームが照射されると、前のビットの磁化の
向きに無関係に、Ｍ層にｒＡ向きＪのビット（Ｂ１）又
は「逆Ａ向き」のビット（Ｂｏ）の−方が形成される。
向きに無関係に、Ｍ層にｒＡ向きＪのビット（Ｂ１）又
は「逆Ａ向き」のビット（Ｂｏ）の−方が形成される。
そして、高レベルのビームか照射されると、前のビット
の磁化の向きに無関係に、Ｍ層に他方のビットが形成さ
れる。
の磁化の向きに無関係に、Ｍ層に他方のビットが形成さ
れる。
これでオーバーライトが完了する。
基本発明では、レーザービームは、記録すべき情報に従
いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は、従
来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値化情
報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既知の
手段である。例えば、ＴＨＥ ＢＥＬＬ ＳＹ
ＳＴＥＭ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＪＯＵＲＮＡ
Ｌ。
いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は、従
来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値化情
報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既知の
手段である。例えば、ＴＨＥ ＢＥＬＬ ＳＹ
ＳＴＥＭ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＪＯＵＲＮＡ
Ｌ。
Ｖｏｌ、 ６２（１９８３）、 １９２３−１９３６に
詳しく説明されている。従って、ビーム強度の必要な高
レベルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一
部修正するだけで容易に入手できる。当業者にとって、
そのような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが
与えられれば、容易であろう。
詳しく説明されている。従って、ビーム強度の必要な高
レベルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一
部修正するだけで容易に入手できる。当業者にとって、
そのような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが
与えられれば、容易であろう。
基本発明に於いて特徴的なことの１つは、ビーム強度の
高レベルと低レベルである。即ち、ビーム強度が高レベ
ルの時に、記録磁界Ｈｂその他の外部手段によりＷ層の
「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（ｒｅｖｅｒｓｅ
）させ、このＷ層の「逆Ａ向き」磁化によってＭ層に「
逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するビット
を形成する。ビーム強度か低レベルの時は、Ｗ層の磁化
の向きは初期化状態と変わらず、そして、Ｗ層の作用（
この作用は交換結合力を通じてＭ層に伝わる）によって
Ｍ層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有す
るビットを形成する。
高レベルと低レベルである。即ち、ビーム強度が高レベ
ルの時に、記録磁界Ｈｂその他の外部手段によりＷ層の
「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（ｒｅｖｅｒｓｅ
）させ、このＷ層の「逆Ａ向き」磁化によってＭ層に「
逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するビット
を形成する。ビーム強度か低レベルの時は、Ｗ層の磁化
の向きは初期化状態と変わらず、そして、Ｗ層の作用（
この作用は交換結合力を通じてＭ層に伝わる）によって
Ｍ層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有す
るビットを形成する。
なお、本明細書で、
０００ Ｃ又は△△△〕という表現は、先にＣ〕の外の
ＯＯＯを読んだときには、以下のＯＯＯ〔又は△△△〕
のときにも、〔〕の外のＯＯＯを読むことにする。それ
に対して先にＯＯＯを読まずに〔〕内の△△△の方を選
択して読んだと○Ｏ○を読まずに〔〕内の△△△を読む
ものとする。
ＯＯＯを読んだときには、以下のＯＯＯ〔又は△△△〕
のときにも、〔〕の外のＯＯＯを読むことにする。それ
に対して先にＯＯＯを読まずに〔〕内の△△△の方を選
択して読んだと○Ｏ○を読まずに〔〕内の△△△を読む
ものとする。
基本発明で使用される媒体は、第１実施態様と第２実施
態様とに大別される。いずれの実施態様においても、記
録媒体は、Ｍ層とＷ層を含む多層構造を有する。
態様とに大別される。いずれの実施態様においても、記
録媒体は、Ｍ層とＷ層を含む多層構造を有する。
Ｍ層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い磁性層
である。Ｗ層はＭ層に比べ相対的に室温で保磁力が低く
磁化反転温度が高い磁性層である。
である。Ｗ層はＭ層に比べ相対的に室温で保磁力が低く
磁化反転温度が高い磁性層である。
なお、Ｍ層とＷ層ともに、それ自体多層膜から構成され
ていてもよい。場合によりＭ層とＷ層との間に第３の層
（例えば、交換結合力σＷの調整層）が存在していても
よい。更にＭ層とＷ層との間に明確な境界がなく、一方
から徐々に他方に変わってもよい。
ていてもよい。場合によりＭ層とＷ層との間に第３の層
（例えば、交換結合力σＷの調整層）が存在していても
よい。更にＭ層とＷ層との間に明確な境界がなく、一方
から徐々に他方に変わってもよい。
第１実施態様では、Ｍ層の保磁力をＨＣＩ、Ｗ層のそれ
をＨＣｌ、Ｍ層のキュリー点をＴ Ｃ１、Ｗ層のそれを
ＴＣｌ、室温をＴ１、低レベルＰＬのレーザービームを
照射した時の記録媒体の温度をＴＬ、高レベルＰ、のレ
ーザービームを照射した時のそれをＴ、、Ｍ層が受ける
結合磁界をＨ９１、Ｗ層が受ける結合磁界をＨｏｔとし
た場合、記録媒体は、下記の式ｌを満足し、そして室温
で式２〜５を満足するものである。
をＨＣｌ、Ｍ層のキュリー点をＴ Ｃ１、Ｗ層のそれを
ＴＣｌ、室温をＴ１、低レベルＰＬのレーザービームを
照射した時の記録媒体の温度をＴＬ、高レベルＰ、のレ
ーザービームを照射した時のそれをＴ、、Ｍ層が受ける
結合磁界をＨ９１、Ｗ層が受ける結合磁界をＨｏｔとし
た場合、記録媒体は、下記の式ｌを満足し、そして室温
で式２〜５を満足するものである。
ＴＩ ＜ＴＣＩ２ＴＬ ＜Ｔｃ２ｘＴＨ−−−−−一一
−−式ＩＨｃ ＋ ＞ ＨＣ２＋ＩＨｏ ｌ”； ＨＤ
２１−−−−−−−一式２ＨＣｌ ＞ ＨＤ ｌ
−−−−一−−−−−−−−−式３ＨＣ２＞ Ｈｏｚ−
−・−・−−−−ｍ＝−−−・−・−−一−−−−−−
−・−・・−・−−−一−−−式４ＨＣ２＋ ＨＤ２＜
１Ｈｉｎｉ、 ｌ ＜ Ｈｃ１±ＨＤｌ−−−
−一式５上記式中、符号Ｉｍ」は、等しいか又はほぼ等
しい（±２０°Ｃ位）ことを表す。また上記式中、複合
上、；については、上段が後述する Ａ （ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合
であり、下段は後述するＰ （ｐａｒａｌｌｅｌ）タイ
プの媒体の場合である。なお、フェロ磁性体媒体はＰタ
イプに属する。
−−式ＩＨｃ ＋ ＞ ＨＣ２＋ＩＨｏ ｌ”； ＨＤ
２１−−−−−−−一式２ＨＣｌ ＞ ＨＤ ｌ
−−−−一−−−−−−−−−式３ＨＣ２＞ Ｈｏｚ−
−・−・−−−−ｍ＝−−−・−・−−一−−−−−−
−・−・・−・−−−一−−−式４ＨＣ２＋ ＨＤ２＜
１Ｈｉｎｉ、 ｌ ＜ Ｈｃ１±ＨＤｌ−−−
−一式５上記式中、符号Ｉｍ」は、等しいか又はほぼ等
しい（±２０°Ｃ位）ことを表す。また上記式中、複合
上、；については、上段が後述する Ａ （ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合
であり、下段は後述するＰ （ｐａｒａｌｌｅｌ）タイ
プの媒体の場合である。なお、フェロ磁性体媒体はＰタ
イプに属する。
つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、第６
図の如くなる。細線はＭ層のそれを、太線はＷ層のそれ
を表す。
図の如くなる。細線はＭ層のそれを、太線はＷ層のそれ
を表す。
従って、この記録媒体に室温で外部手段例えば初期補助
磁界（Ｈｉｎｉ、 ）を印加すると、式５によれば、Ｍ
層の磁化の向きは反転せずにＷ層の磁化のみが反転する
。そこで、記録前に媒体に外部手段から作用（例えば、
初期補助磁界Ｈｉｎｉ、 ）を及ぼすと、Ｗ層のみをｒ
Ａ向き」 ここでは「Ａ向き」を便宜的に本明
細書紙面において上向きの矢？で示し、「逆Ａ向き」を
下向きの矢８で示す に磁化させることができ
る。そして、Ｈｉｎｉ、がゼロになっても、式４により
、Ｗ層の磁化９は再反転せずにそのまま保持される。
磁界（Ｈｉｎｉ、 ）を印加すると、式５によれば、Ｍ
層の磁化の向きは反転せずにＷ層の磁化のみが反転する
。そこで、記録前に媒体に外部手段から作用（例えば、
初期補助磁界Ｈｉｎｉ、 ）を及ぼすと、Ｗ層のみをｒ
Ａ向き」 ここでは「Ａ向き」を便宜的に本明
細書紙面において上向きの矢？で示し、「逆Ａ向き」を
下向きの矢８で示す に磁化させることができ
る。そして、Ｈｉｎｉ、がゼロになっても、式４により
、Ｗ層の磁化９は再反転せずにそのまま保持される。
外部手段によりＷ層のみが、記録前までに「Ａ向き」９
に磁化されている状態を概念的に表すと、第７図になる
。
に磁化されている状態を概念的に表すと、第７図になる
。
第７図でＭ層における磁化の向き０は、それまでに記録
されていた情報を表わす。以下の説明においては、向き
に関係がないので、これをＸで示し簡略化すると、第７
図は、第８図の状態ｌで示せる。
されていた情報を表わす。以下の説明においては、向き
に関係がないので、これをＸで示し簡略化すると、第７
図は、第８図の状態ｌで示せる。
ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して媒
体温度をＴ。に上昇させる。すると、Ｔ、はキュリー点
Ｔ ｃ ＋より高温度なのでＭ層の磁化は消失してしま
う。更にＴ。はキュリー点ＴＣ１付近なのでＷ層の磁化
も全く又はほぼ消失する。
体温度をＴ。に上昇させる。すると、Ｔ、はキュリー点
Ｔ ｃ ＋より高温度なのでＭ層の磁化は消失してしま
う。更にＴ。はキュリー点ＴＣ１付近なのでＷ層の磁化
も全く又はほぼ消失する。
ここで、媒体の種類に応じて「Ａ向き」又は「逆Ａ向き
ｊの記録磁界Ｈｂを印加する。Ｈｂは、媒体自身からの
浮遊磁界でもよい。説明を簡単にするために「逆Ａ向き
Ｊの記録磁界Ｈｂを印加したとする。媒体は移動してい
るので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに
遠ざかり、冷却される。Ｈｂの存在下で、媒体の温度が
低下すると、Ｗ層の磁化は、Ｈｂに従い、反転されて「
逆Ａ向き」ａの磁化となる（第８図状態２）。
ｊの記録磁界Ｈｂを印加する。Ｈｂは、媒体自身からの
浮遊磁界でもよい。説明を簡単にするために「逆Ａ向き
Ｊの記録磁界Ｈｂを印加したとする。媒体は移動してい
るので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに
遠ざかり、冷却される。Ｈｂの存在下で、媒体の温度が
低下すると、Ｗ層の磁化は、Ｈｂに従い、反転されて「
逆Ａ向き」ａの磁化となる（第８図状態２）。
そして、さらに放冷か進み、媒体温度がＴ ｃ＋より少
し下がると、再びＭ層の磁化が現れる。その場合、磁気
的結合（交換結合）力のために、Ｍ層の磁化の向きは、
Ｗ層の影響を受は所定の向きとなる。その結果、媒体の
種類に応じて「逆Ａ向き」８のビット（Ｐタイプの媒体
の場合）又はｒＡ向き」合のビット（Ａタイプの媒体の
場合）がＭ層に形成される。この状態が第８図状態３
（Ｐタイブ）又は状態４ （Ａタイプ）である。
し下がると、再びＭ層の磁化が現れる。その場合、磁気
的結合（交換結合）力のために、Ｍ層の磁化の向きは、
Ｗ層の影響を受は所定の向きとなる。その結果、媒体の
種類に応じて「逆Ａ向き」８のビット（Ｐタイプの媒体
の場合）又はｒＡ向き」合のビット（Ａタイプの媒体の
場合）がＭ層に形成される。この状態が第８図状態３
（Ｐタイブ）又は状態４ （Ａタイプ）である。
この高レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では高温サイクルと呼ぶことにする。
では高温サイクルと呼ぶことにする。
次に、低レベルＰＬのレーザービームを照射して媒体温
度をＴＬに上昇させる。ＴＬはキュリー点Ｔ ｃ ＋付
近なのでＭ層の磁化は全（又はほぼ消失してしまうが、
キュリー点Ｔ０よりは低温であるのでＷ層の磁化は消失
しない。この状態は第８図状態５で示される。ここでは
、記録磁界Ｈｂは、不要であるが、高速度（短時間）で
Ｈｂを０ＮＯＦＦすることは不可能である。従って、止
むを得ず高温サイクルのときのままになっている。
度をＴＬに上昇させる。ＴＬはキュリー点Ｔ ｃ ＋付
近なのでＭ層の磁化は全（又はほぼ消失してしまうが、
キュリー点Ｔ０よりは低温であるのでＷ層の磁化は消失
しない。この状態は第８図状態５で示される。ここでは
、記録磁界Ｈｂは、不要であるが、高速度（短時間）で
Ｈｂを０ＮＯＦＦすることは不可能である。従って、止
むを得ず高温サイクルのときのままになっている。
しかし、ＨＣＩはまだ大きいままなので、Ｈｂによって
Ｗ層の磁化膜か反転することはない。媒体は移動してい
るので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに
遠ざかり、冷却される。冷却が進むと、再びＭ層に磁化
が現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合力のために
Ｗ層の影響を受は所定の向きとなる。その結果、媒体の
種類に応じて「Ａ向き」合のビット（Ｐタイプの媒体の
場合）又は「逆Ａ向き」８のビット（Ａタイプの媒体の
場合）かＭ層に形成される。この磁化は室温でも変わら
ない。この状態か第８図状態６ （Ｐタイプ）又は状Ｌ
３ｉ７（Ａタイプ）である。
Ｗ層の磁化膜か反転することはない。媒体は移動してい
るので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに
遠ざかり、冷却される。冷却が進むと、再びＭ層に磁化
が現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合力のために
Ｗ層の影響を受は所定の向きとなる。その結果、媒体の
種類に応じて「Ａ向き」合のビット（Ｐタイプの媒体の
場合）又は「逆Ａ向き」８のビット（Ａタイプの媒体の
場合）かＭ層に形成される。この磁化は室温でも変わら
ない。この状態か第８図状態６ （Ｐタイプ）又は状Ｌ
３ｉ７（Ａタイプ）である。
この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。
では低温サイクルと呼ぶことにする。
以上、説明したように、記録前のＭ層の磁化の向きかど
うであれ、高温サイクルと低温サイクルを選択すること
によって、「逆Ａ向き」凸のビットと「Ａ向き」？のビ
ットを自由に形成できる。
うであれ、高温サイクルと低温サイクルを選択すること
によって、「逆Ａ向き」凸のビットと「Ａ向き」？のビ
ットを自由に形成できる。
つまり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サ
イクル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状
に変調することによりオーバーライトが可能となる。第
９図を参照されたい。第９図の磁化の状態は、いずれも
室温又は室温に戻ったときの結果として描いである。
イクル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状
に変調することによりオーバーライトが可能となる。第
９図を参照されたい。第９図の磁化の状態は、いずれも
室温又は室温に戻ったときの結果として描いである。
これまでの説明は、Ｍ層、Ｗ層ともに室温とキュリー点
との間に補償温度Ｔ ｃａｓｔ がない磁性体組成に
ついて説明した。しかし、補償温度Ｔ ｃｏｓｔか存在
する場合には、それを越えると■磁化の向きか反転する
こと□実際にはＲＥ、ＴＭの各副格子磁化の向きは変わ
らないが、その大小関係が逆転するので、全体（合金）
としての磁化の向きが反転する と、■Ａ、Ｐ
タイプが逆になるので、説明はそれだけ複雑になる。こ
の場合、記録磁界ＨｂＯ向きも、室温で考えた場合、前
頁の説明の向き↓と逆になる。つまり、初期化されたＷ
層の磁化の向き↑と同じ向きのＨｂを印加する。
との間に補償温度Ｔ ｃａｓｔ がない磁性体組成に
ついて説明した。しかし、補償温度Ｔ ｃｏｓｔか存在
する場合には、それを越えると■磁化の向きか反転する
こと□実際にはＲＥ、ＴＭの各副格子磁化の向きは変わ
らないが、その大小関係が逆転するので、全体（合金）
としての磁化の向きが反転する と、■Ａ、Ｐ
タイプが逆になるので、説明はそれだけ複雑になる。こ
の場合、記録磁界ＨｂＯ向きも、室温で考えた場合、前
頁の説明の向き↓と逆になる。つまり、初期化されたＷ
層の磁化の向き↑と同じ向きのＨｂを印加する。
記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒体は回
転される。そのため、記録された部分（ビット）は、記
録後に再び外部手段例えばＨｉｎｉ。
転される。そのため、記録された部分（ビット）は、記
録後に再び外部手段例えばＨｉｎｉ。
の作用を受け、その結果、Ｗ層の磁化は元のｒＡ向き」
合に揃えられる。しかし、室温では、Ｗ層の磁化の影響
がＭ層に及ぶことはなく、そのため記録された情報は保
持される。
合に揃えられる。しかし、室温では、Ｗ層の磁化の影響
がＭ層に及ぶことはなく、そのため記録された情報は保
持される。
そこで、Ｍ層に直線偏光を照射すれば、その反射光には
情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と同様
に情報が再生される。
情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と同様
に情報が再生される。
このようなＭ層及びＷ層を構成する垂直磁化膜は、■補
償温度を有せずキュリー点を有するフェロ磁性体及びフ
ェリ磁性体、並びに■補償温度、キュリー点の双方を有
するフェリ磁性体の非晶質或いは結晶質からなる群から
選択される。
償温度を有せずキュリー点を有するフェロ磁性体及びフ
ェリ磁性体、並びに■補償温度、キュリー点の双方を有
するフェリ磁性体の非晶質或いは結晶質からなる群から
選択される。
以上の説明は、磁化反転温度としてキュリー点を利用し
た第１実施態様の説明である。それに対して第２実施態
様はキュリー点より低い温度に於いて低下したＨｅを利
用するものである。第２実施態様は、第１実施態様に於
けるＴ ｅ ｌの代わりにＭ層がＷ層に磁気結合される
温度Ｔ ａ ｌを使用し、Ｔｃｔの代わりにＷ層がＨｂ
で反転する温度Ｔ、！を使用すれば、第１実施態様と同
様に説明される。
た第１実施態様の説明である。それに対して第２実施態
様はキュリー点より低い温度に於いて低下したＨｅを利
用するものである。第２実施態様は、第１実施態様に於
けるＴ ｅ ｌの代わりにＭ層がＷ層に磁気結合される
温度Ｔ ａ ｌを使用し、Ｔｃｔの代わりにＷ層がＨｂ
で反転する温度Ｔ、！を使用すれば、第１実施態様と同
様に説明される。
第２実施態様では、Ｍ層の保磁力をＨｃ ＋、Ｗ層のそ
れをＨｅ２、Ｍ層かＷ層に磁気的に結合される温度をＴ
１とし、Ｗ層の磁化がＨｂで反転する温度をＴｉｔ、室
温をＴ８、低レベルＰＬのレーザービームを照射した時
の媒体の温度をＴＬ、高レベルＰ、のレーザービームを
照射した時のそれをＴ、、Ｍ層が受ける結合磁界をＨｏ
ｔ、Ｗ層が受ける結合磁界をＨ８２とした場合、記録媒
体は、下記式６を満足し、かつ室温で式７〜ｌＯを満足
するものである。
れをＨｅ２、Ｍ層かＷ層に磁気的に結合される温度をＴ
１とし、Ｗ層の磁化がＨｂで反転する温度をＴｉｔ、室
温をＴ８、低レベルＰＬのレーザービームを照射した時
の媒体の温度をＴＬ、高レベルＰ、のレーザービームを
照射した時のそれをＴ、、Ｍ層が受ける結合磁界をＨｏ
ｔ、Ｗ層が受ける結合磁界をＨ８２とした場合、記録媒
体は、下記式６を満足し、かつ室温で式７〜ｌＯを満足
するものである。
Ｔ 真＜ Ｔ ｓ ｌ ”：’ Ｔ Ｌ ＜ Ｔ ｍ
２ ｚＴ Ｈ”−””””’−”””−式６Ｈｃ＋＞Ｈ
ｃｔ＋ Ｈｏ＋＋Ｈｏ２１ −−−−−・−・・−−
−ｍ−式７Ｈｃ＋＞Ｈｏ＋ −−・−・−・−−一・
・−−−一−−−−−−−−−−−−−−−−・・−・
−・−・・・−ｍ−式８ＨＣ２＞ ＨＤ ２−−−・・
・−−−−−−−−−−−−−−式９ＨＣ２＋ＨＬ２＜
Ｈｉｎｉ、 ｌ ＜Ｈｃ＋±ＨＤ ヒーーーー
ーー式ＩＯ上記式中、複合上、；については、上段がＡ
（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合であ
り、下段はＰ （ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場
合である。
２ ｚＴ Ｈ”−””””’−”””−式６Ｈｃ＋＞Ｈ
ｃｔ＋ Ｈｏ＋＋Ｈｏ２１ −−−−−・−・・−−
−ｍ−式７Ｈｃ＋＞Ｈｏ＋ −−・−・−・−−一・
・−−−一−−−−−−−−−−−−−−−−・・−・
−・−・・・−ｍ−式８ＨＣ２＞ ＨＤ ２−−−・・
・−−−−−−−−−−−−−−式９ＨＣ２＋ＨＬ２＜
Ｈｉｎｉ、 ｌ ＜Ｈｃ＋±ＨＤ ヒーーーー
ーー式ＩＯ上記式中、複合上、；については、上段がＡ
（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合であ
り、下段はＰ （ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場
合である。
第２実施態様では、高温Ｔ、のとき、Ｗ層の磁化は消失
していないが、十分に弱く、Ｍ層の磁化は消失している
が、又は十分に弱い。Ｍ層、Ｗ層ともに十分に弱い磁化
を残留していても、記録磁界Ｈｂ ↓が十分に大きいの
で、Ｈｂ ↓がＷ層及び場合によりＭ層の磁化の向きを
Ｈｂ ↓に従わせることができる。この状態が第１０図
状態２である。
していないが、十分に弱く、Ｍ層の磁化は消失している
が、又は十分に弱い。Ｍ層、Ｗ層ともに十分に弱い磁化
を残留していても、記録磁界Ｈｂ ↓が十分に大きいの
で、Ｈｂ ↓がＷ層及び場合によりＭ層の磁化の向きを
Ｈｂ ↓に従わせることができる。この状態が第１０図
状態２である。
この後、■直ちに又は■レーザービームの照射が無くな
って放冷か進み、媒体温度がＴＨより下かった時又は■
Ｈｂから遠ざかった時、Ｗ層かσ１を介してＭ層に影響
を及ぼしてＭ層の磁化の向きを安定な向きに従わせる。
って放冷か進み、媒体温度がＴＨより下かった時又は■
Ｈｂから遠ざかった時、Ｗ層かσ１を介してＭ層に影響
を及ぼしてＭ層の磁化の向きを安定な向きに従わせる。
その結果、第１０図状態３ （Ｐタイプ）又は状態４
（Ａタイプ）となる。
（Ａタイプ）となる。
他方、低温ＴＬのとき、Ｗ層はもちろんＭ層も磁化を消
失していない。しかし、Ｍ層のそれは比較的小さい。こ
の場合、ビットの状態には、Ｐタイプの場合、第１Ｏ図
状態５と状態６の２種類あり、Ａタイプの場合、第１Ｏ
図状態７と状態８の２種類ある。状態６及び状態８では
、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁（−で示す）か生じてお
り、やや不安定（準安定）な状態である。この状態の媒
体部分が、レーザービームの照射位置に来る直前に、Ｈ
ｂ↓の印加を受ける。それでも、この状態６又は状態８
は保持される。何故ならば、Ｗ層は、室温で、十分な磁
化を有するので、磁化がＨｂ ↓によって反転すること
はない。また、Ｈｂ ↓と向きが反対の状態８のメモリ
ー層は、Ｈｂ ↓の影響より大きなＷ層からの交換結合
力σ１の影響を受け、Ｐタイプ故にＷ層と同じ向きに、
磁化の向きが保持される。
失していない。しかし、Ｍ層のそれは比較的小さい。こ
の場合、ビットの状態には、Ｐタイプの場合、第１Ｏ図
状態５と状態６の２種類あり、Ａタイプの場合、第１Ｏ
図状態７と状態８の２種類ある。状態６及び状態８では
、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁（−で示す）か生じてお
り、やや不安定（準安定）な状態である。この状態の媒
体部分が、レーザービームの照射位置に来る直前に、Ｈ
ｂ↓の印加を受ける。それでも、この状態６又は状態８
は保持される。何故ならば、Ｗ層は、室温で、十分な磁
化を有するので、磁化がＨｂ ↓によって反転すること
はない。また、Ｈｂ ↓と向きが反対の状態８のメモリ
ー層は、Ｈｂ ↓の影響より大きなＷ層からの交換結合
力σ１の影響を受け、Ｐタイプ故にＷ層と同じ向きに、
磁化の向きが保持される。
その後、まもなく状態６又は状態８は低レベルのレーザ
ービームの照射を受ける。そのため、媒体温度は上昇す
る。それに伴い両層の保磁力は低下する。しかし、Ｗ層
は高いキュリー点を有するので、保磁力ＨＨの低下は僅
かであり、Ｈｂ ↓に負けることがなく、初期化された
ときの磁化の向きｒＡ向き」９が維持される。他方、Ｍ
層は低いキュリー点を有するものの、媒体温度は未だＭ
層の、キュリー点Ｔｅｌより低いので、保磁力ＨＣｌは
残存する。しかし、それは小さいので、Ｗ層は、■Ｈｂ
↓の影響ご■Ｗ層からの交換結合力σ、を介した影響
（Ｐタイプの場合、同じ向きを向かせようとする力）を
受ける。この場合、後者の方が強く、Ｐタイプの場合、 式： ％式％ か同時に満足される。Ａタイプの場合には、式 ％式％ が同時に満足される。これらの式が同時に満足される最
も低い温度をＴ Ｌｌと呼ぶ。換言すれば、状態６又は
状態８の磁壁が消滅する最低温度がＴＬ。
ービームの照射を受ける。そのため、媒体温度は上昇す
る。それに伴い両層の保磁力は低下する。しかし、Ｗ層
は高いキュリー点を有するので、保磁力ＨＨの低下は僅
かであり、Ｈｂ ↓に負けることがなく、初期化された
ときの磁化の向きｒＡ向き」９が維持される。他方、Ｍ
層は低いキュリー点を有するものの、媒体温度は未だＭ
層の、キュリー点Ｔｅｌより低いので、保磁力ＨＣｌは
残存する。しかし、それは小さいので、Ｗ層は、■Ｈｂ
↓の影響ご■Ｗ層からの交換結合力σ、を介した影響
（Ｐタイプの場合、同じ向きを向かせようとする力）を
受ける。この場合、後者の方が強く、Ｐタイプの場合、 式： ％式％ か同時に満足される。Ａタイプの場合には、式 ％式％ が同時に満足される。これらの式が同時に満足される最
も低い温度をＴ Ｌｌと呼ぶ。換言すれば、状態６又は
状態８の磁壁が消滅する最低温度がＴＬ。
である。
その結果、状態６は状態９に移行し、状態８は状態１０
に移行する。他方、磁壁がもともとない状態５は状態９
と同じであり、状態７は状態１０と同じであるから、結
局、前の状態（Ｐタイプの場合、状態５か６が、Ａタイ
プの場合、状態７か８か）に関係なく、低レベルのビー
ムの照射により状態９ （Ｐタイプ）又は状態１０（Ａ
タイプ）のビットが形成される。
に移行する。他方、磁壁がもともとない状態５は状態９
と同じであり、状態７は状態１０と同じであるから、結
局、前の状態（Ｐタイプの場合、状態５か６が、Ａタイ
プの場合、状態７か８か）に関係なく、低レベルのビー
ムの照射により状態９ （Ｐタイプ）又は状態１０（Ａ
タイプ）のビットが形成される。
この状態は、その後ビットがレーザービームの照射が止
んだり又は照射位置から外れたりすることにより、媒体
温度が低下し、室温に戻った時にも、変わらない。この
第１Ｏ図状態９（Ｐタイプ）又は状態１０（Ａタイプ）
は、第８図状態６ （Ｐタイプ）又は状態７ （Ａタイ
プ）と同一である。
んだり又は照射位置から外れたりすることにより、媒体
温度が低下し、室温に戻った時にも、変わらない。この
第１Ｏ図状態９（Ｐタイプ）又は状態１０（Ａタイプ）
は、第８図状態６ （Ｐタイプ）又は状態７ （Ａタイ
プ）と同一である。
これにより、Ｍ層のキュリー点Ｔｃ＋まで媒体温度を高
めることなく、低温サイクルが実施されることか理解さ
れよう。
めることなく、低温サイクルが実施されることか理解さ
れよう。
実は低温サイクルをＴｃ１以上で実施する場合にも、媒
体温度が室温からＴ ＣＩに上昇する途中でＴｃｓを通
るので、そのとき、Ｐタイプの場合、状態６から状ｔ’
！９への移行が、Ａタイプの場合、状態８から状態１０
への移行がそれぞれ起こるのである。その後、Ｔ Ｃｌ
に至り、第８図状態５となるのである。
体温度が室温からＴ ＣＩに上昇する途中でＴｃｓを通
るので、そのとき、Ｐタイプの場合、状態６から状ｔ’
！９への移行が、Ａタイプの場合、状態８から状態１０
への移行がそれぞれ起こるのである。その後、Ｔ Ｃｌ
に至り、第８図状態５となるのである。
以上の説明は、Ｍ層、Ｗ層ともに室温とキュリー点との
間に補償温度Ｔ、。１．かない磁性体組成について説明
した。しかし、補償温度Ｔ ｃ ｏ□ が存在する場合
には、それを越えると■磁化の向きが反転することと■
Ａ、Ｐタイプが逆になるので、説明はそれだけ複雑にな
る。また、記録磁界Ｈｂの向きも、室温で考えた場合の
向きと逆になる。
間に補償温度Ｔ、。１．かない磁性体組成について説明
した。しかし、補償温度Ｔ ｃ ｏ□ が存在する場合
には、それを越えると■磁化の向きが反転することと■
Ａ、Ｐタイプが逆になるので、説明はそれだけ複雑にな
る。また、記録磁界Ｈｂの向きも、室温で考えた場合の
向きと逆になる。
第１、第２実施態様ともに、Ｍ層及びＷ層か遷移金属（
例えばＦｅ、 Ｃｏ）−重希土類金属（例えばＧｄ、
Ｔｂ、 ＤＹその他）合金組成から選択された非晶質フ
ェリ磁性体である記録媒体か好ましい。
例えばＦｅ、 Ｃｏ）−重希土類金属（例えばＧｄ、
Ｔｂ、 ＤＹその他）合金組成から選択された非晶質フ
ェリ磁性体である記録媒体か好ましい。
Ｍ層、Ｗ層の双方とも、遷移金１ｊ（ｔｒａｎｓｉｔｉ
ｏｎｍｅｔａｌ）−重希土類金属（ｈｅａｖｙ ｒａｒ
ｅ ｅａｒｔｈ ｍｅｔａｌ）合金組成から選択され
た場合には、各合金としての外部に現れる磁化の向き及
び大きさは、合金内部の遷移金属原子（ＴＭ）の副格子
磁化の向き及び大きさと重希土類金属原子（ＲＥ）の副
格子磁化の向き及び大きさとの関係で決まる。例えばＴ
Ｍの副格子磁化の向き及び大きさを点線の矢印゛：゛で
示すベクトルで表わし、ＲＥの副格子磁化のそれを実線
の矢↑で示すベクトルて表し、合金全体の磁化の向き及
び大きさを白抜きの矢９で示すベクトルで表す。このと
き、白抜きの矢倉（ベクトル）は点線の矢（ベクトル）
と実線の矢（ベクトル）との和として表わされる。ただ
し、合金の中ではＴＭの副格子磁化とＲＥ副格子磁化と
の相互作用のために点線の矢（ベクトル）と実線の矢（
ベクトル）とは、向きか必ず逆になっている。従って、
点線の矢（ベクトル）と実線の矢（ベクトル）との和は
、両者の強度が等しいとき、合金のベクトルはゼロ（つ
まり、外部に現れる磁化の大きさはゼロ）になる。この
ゼロになるときの合金組成は補償組成（ｃｏｍｐｅｎｓ
ａｔｉｏｎ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ ）と呼ばれる。
ｏｎｍｅｔａｌ）−重希土類金属（ｈｅａｖｙ ｒａｒ
ｅ ｅａｒｔｈ ｍｅｔａｌ）合金組成から選択され
た場合には、各合金としての外部に現れる磁化の向き及
び大きさは、合金内部の遷移金属原子（ＴＭ）の副格子
磁化の向き及び大きさと重希土類金属原子（ＲＥ）の副
格子磁化の向き及び大きさとの関係で決まる。例えばＴ
Ｍの副格子磁化の向き及び大きさを点線の矢印゛：゛で
示すベクトルで表わし、ＲＥの副格子磁化のそれを実線
の矢↑で示すベクトルて表し、合金全体の磁化の向き及
び大きさを白抜きの矢９で示すベクトルで表す。このと
き、白抜きの矢倉（ベクトル）は点線の矢（ベクトル）
と実線の矢（ベクトル）との和として表わされる。ただ
し、合金の中ではＴＭの副格子磁化とＲＥ副格子磁化と
の相互作用のために点線の矢（ベクトル）と実線の矢（
ベクトル）とは、向きか必ず逆になっている。従って、
点線の矢（ベクトル）と実線の矢（ベクトル）との和は
、両者の強度が等しいとき、合金のベクトルはゼロ（つ
まり、外部に現れる磁化の大きさはゼロ）になる。この
ゼロになるときの合金組成は補償組成（ｃｏｍｐｅｎｓ
ａｔｉｏｎ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ ）と呼ばれる。
それ以外の組成のときには、合金は両方の副格子磁化の
強度差に等しい強度を育し、いずれが大きい方のベクト
ルの向きに等しい向きを有する白抜きの矢（ベクトル合
又は８）を持つ。そこで、合金の磁化ベクトルを点線の
ベクトルと実線のベクトルを隣接して書き、例えば第１
１図に示すように書き表す。ＲＥ、ＴＭの副格子磁化の
状態は大別すると４通りあり、これらを第１２図（ＩＡ
）〜（４Ａ）に示す。そして、各状態における合金の磁
化ベクトル（白抜きの矢倉又は８）を第１２図（ＩＢ）
〜（４Ｂ）に対応して示す。例えば、副格子磁化の状態
が（ＩＡ）で示される合金の磁化ベクトルは、（ＩＢ）
に示される。
強度差に等しい強度を育し、いずれが大きい方のベクト
ルの向きに等しい向きを有する白抜きの矢（ベクトル合
又は８）を持つ。そこで、合金の磁化ベクトルを点線の
ベクトルと実線のベクトルを隣接して書き、例えば第１
１図に示すように書き表す。ＲＥ、ＴＭの副格子磁化の
状態は大別すると４通りあり、これらを第１２図（ＩＡ
）〜（４Ａ）に示す。そして、各状態における合金の磁
化ベクトル（白抜きの矢倉又は８）を第１２図（ＩＢ）
〜（４Ｂ）に対応して示す。例えば、副格子磁化の状態
が（ＩＡ）で示される合金の磁化ベクトルは、（ＩＢ）
に示される。
ある合金組成のＴＭベクトルとＲＥベクトルの強度が、
どちらか一方か大きいとき、その合金組成は、強度の大
きい方の名をとってＯ○リッチ例えばＲＥリッチである
と呼ばれる。
どちらか一方か大きいとき、その合金組成は、強度の大
きい方の名をとってＯ○リッチ例えばＲＥリッチである
と呼ばれる。
Ｍ層とＷ層の両方について、７Ｍリッチな組成とＲＥリ
ッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標にＭ層の
組成を横軸座標にＷ層の組成をとると、基本発明の媒体
全体としては、種類を下記に示す４象限に分類すること
ができる。
ッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標にＭ層の
組成を横軸座標にＷ層の組成をとると、基本発明の媒体
全体としては、種類を下記に示す４象限に分類すること
ができる。
ＲＥリッチ（Ｍ層）
７Ｍリッチ（Ｍ層）
〔座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕先に述べた
Ｐタイプは■象限と■象限に属するものであり、Ａタイ
プは■象限と■象限に属するものである。
Ｐタイプは■象限と■象限に属するものであり、Ａタイ
プは■象限と■象限に属するものである。
一方、温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュリ
ー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦無
限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成
がある。この無限大のときに相当する温度は補償温度（
Ｔｅ、、、、 ）と呼ばれる。
ー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦無
限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成
がある。この無限大のときに相当する温度は補償温度（
Ｔｅ、、、、 ）と呼ばれる。
補償温度より低い温度ではＲＥベクトル（実線矢）の方
が７Ｍベクトル（点線矢）より大きく、そのため７Ｍリ
ッチと言うことができ、補償温度より高い温度ではその
逆になる。従って、補償組成の合金の補償温度は、室温
にあると言うことかできる。
が７Ｍベクトル（点線矢）より大きく、そのため７Ｍリ
ッチと言うことができ、補償温度より高い温度ではその
逆になる。従って、補償組成の合金の補償温度は、室温
にあると言うことかできる。
逆に補償温度は７Ｍリッチの合金組成においては、室温
からキュリー点の間には存在しない。室温より下にある
補償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、
この明細書で補償温度とは室温からキュリー点の間に存
在するものを言うことにする。
からキュリー点の間には存在しない。室温より下にある
補償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、
この明細書で補償温度とは室温からキュリー点の間に存
在するものを言うことにする。
Ｍ層とＷ層の補償温度の有無について分類すると、媒体
は４つのタイプに分類される。第Ｉ象限の媒体は、４つ
全部のタイプか含まれる。そこで、ＭＨとＷ層の両方に
ついてＲＥリッチか７Ｍリッチかで分け、かつ補償温度
を持つか持たないかで分けると、記録媒体は次の９クラ
スに分類される。
は４つのタイプに分類される。第Ｉ象限の媒体は、４つ
全部のタイプか含まれる。そこで、ＭＨとＷ層の両方に
ついてＲＥリッチか７Ｍリッチかで分け、かつ補償温度
を持つか持たないかで分けると、記録媒体は次の９クラ
スに分類される。
第 １ 表
第 １ 表 （続き）
以上の説明は、Ｍ層、Ｗ層の２層膜で説明したが、この
ような２層膜を持っておれば、３層膜以上の多層膜を含
む媒体てもオーバーライトは可能となる。特に以上の説
明ては、外部手段として初期補助磁界Ｈｉｎｉ、を用い
て説明したが、基本発明は、このような外部手段の具体
例は何でもよい。
ような２層膜を持っておれば、３層膜以上の多層膜を含
む媒体てもオーバーライトは可能となる。特に以上の説
明ては、外部手段として初期補助磁界Ｈｉｎｉ、を用い
て説明したが、基本発明は、このような外部手段の具体
例は何でもよい。
つまり、記録の前までにＷ層の磁化か所定の向きを向い
ていればよいのである。
ていればよいのである。
そのため、外部手段としてＨｉｎｉ、に代えて初期化層
からの交換結合力を用いたものが発明された（和文雑誌
”０ＰＴＲＯＮＩＣ３” １９９０年Ｎａ４第２２７頁
〜２３１頁参照）。以下、この発明を選択発明という。
からの交換結合力を用いたものが発明された（和文雑誌
”０ＰＴＲＯＮＩＣ３” １９９０年Ｎａ４第２２７頁
〜２３１頁参照）。以下、この発明を選択発明という。
次にこの選択発明について説明する。
第１３図にこの選択発明の媒体の構成を示す。この媒体
は基板とその上に成膜された磁性膜からなり、この磁性
膜は、垂直磁化可能な磁性薄膜からなるＭ層１と、垂直
磁化可能な磁性薄膜からなるＷ層２層と、垂直磁化可能
な磁性薄膜からなるスイッチ層（以下、８層と言う）３
−先に示した雑誌“０ＰＴＲＯＮｒＣ５”では＃制御層
と呼ばれている一□と、垂直磁化可能な磁性薄膜からな
る初期化層（以下、１層と言う）４層とを順に積層して
なる４層膜（場合により、８層３はなくともよい）構造
を有し、Ｍ層とＷ層とは交換結合しており、室温でＭ層
の磁化の向きは変えないでＷ層の磁化のみを所定の向き
に向けておくことかでき、しかもＷ層と１層とは８層の
キュリー点以下の温度で８層を介して交換結合している
。
は基板とその上に成膜された磁性膜からなり、この磁性
膜は、垂直磁化可能な磁性薄膜からなるＭ層１と、垂直
磁化可能な磁性薄膜からなるＷ層２層と、垂直磁化可能
な磁性薄膜からなるスイッチ層（以下、８層と言う）３
−先に示した雑誌“０ＰＴＲＯＮｒＣ５”では＃制御層
と呼ばれている一□と、垂直磁化可能な磁性薄膜からな
る初期化層（以下、１層と言う）４層とを順に積層して
なる４層膜（場合により、８層３はなくともよい）構造
を有し、Ｍ層とＷ層とは交換結合しており、室温でＭ層
の磁化の向きは変えないでＷ層の磁化のみを所定の向き
に向けておくことかでき、しかもＷ層と１層とは８層の
キュリー点以下の温度で８層を介して交換結合している
。
１層は最も高いキュリー点を有し、高レベルのレーザー
ビームの照射を受けても磁化を失わない。
ビームの照射を受けても磁化を失わない。
１層は常に所定の向きの磁化を保持しており、これが記
録の都度、次の記録に備えてＷ層の初期化を繰り返し行
なう手段となる。そのため、１層は初期化層と呼ばれる
。
録の都度、次の記録に備えてＷ層の初期化を繰り返し行
なう手段となる。そのため、１層は初期化層と呼ばれる
。
しかしなから、高温サイクルの過程（例えば、ＴＮ付近
）では、Ｗ層の磁化反転か必ず起こらねばならず、その
場合には、１層からの影響が無視てきるように小さくな
ければならない。温度が高くなると、Ｗ層と１層との間
の交換結合力σ、、４は小さくなるので、好都合である
。
）では、Ｗ層の磁化反転か必ず起こらねばならず、その
場合には、１層からの影響が無視てきるように小さくな
ければならない。温度が高くなると、Ｗ層と１層との間
の交換結合力σ、、４は小さくなるので、好都合である
。
しかし、Ｔ、においても、十分なσ１，４が残っている
場合には、Ｗ層と１層との間に８層が必要になる。８層
が非磁性体であれば、６ｗ２４はゼロ又は非常に小さく
なる。しかし、Ｔ、より低く室温までのどこかの温度で
は、Ｗ層の初期化のために６ｗ２４は大きくなければな
らない。そのとき、８層はＷ層と１層との間に見掛は上
十分に大きな交換結合力を与えなければならない。それ
には８層は磁性体である必要がある。従って、８層は、
相対的に低い温度では、磁性体となってＷ層と１層との
間に見掛は上十分に大きな交換結合力σｗＮ４を与え、
相対的に高い温度では、非磁性体となりてＷ層と１層と
の間に見掛は上ゼロ又は非常に小さな交換結合力σｗｔ
４を与えるものである。それ故、８層はスイッチ層と呼
ばれる。
場合には、Ｗ層と１層との間に８層が必要になる。８層
が非磁性体であれば、６ｗ２４はゼロ又は非常に小さく
なる。しかし、Ｔ、より低く室温までのどこかの温度で
は、Ｗ層の初期化のために６ｗ２４は大きくなければな
らない。そのとき、８層はＷ層と１層との間に見掛は上
十分に大きな交換結合力を与えなければならない。それ
には８層は磁性体である必要がある。従って、８層は、
相対的に低い温度では、磁性体となってＷ層と１層との
間に見掛は上十分に大きな交換結合力σｗＮ４を与え、
相対的に高い温度では、非磁性体となりてＷ層と１層と
の間に見掛は上ゼロ又は非常に小さな交換結合力σｗｔ
４を与えるものである。それ故、８層はスイッチ層と呼
ばれる。
次に第１３図を用いて、４層膜オーバーライトの原理を
説明する。この説明は典型的な例であり、これ以外にも
例はある。白抜きの矢印は、各層の磁化の向きを示す。
説明する。この説明は典型的な例であり、これ以外にも
例はある。白抜きの矢印は、各層の磁化の向きを示す。
記録前の状態は、状態１又は状態２のいずれかである。
Ｍ層に着目すると、状ｔ’！１はｒＡ向きｊのビット（
Ｂ１）であり、状態２は「逆Ａ向き」のビット（Ｂｏ）
であり、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁（太線で示す）が
あり、やや不安定な状態（準安定）にある。
Ｂ１）であり、状態２は「逆Ａ向き」のビット（Ｂｏ）
であり、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁（太線で示す）が
あり、やや不安定な状態（準安定）にある。
低温サイクル
状態！及び状態２のビットにレーザービームを照射して
温度を上昇させると、最初に８層の磁化が消失する。そ
のため、状態１は状態３に移行し、状態２は状態４に移
行する。
温度を上昇させると、最初に８層の磁化が消失する。そ
のため、状態１は状態３に移行し、状態２は状態４に移
行する。
更に温度が上昇してＴＬａに達すると、Ｍ層の磁化は弱
くなり、Ｗ層からの交換結合力を介した作用が強くなる
。その結果、状態４のＭ層の磁化は反転すると同時に層
間の磁壁は消失する。これか状態５である。状態３のビ
ットはもともと層間の磁壁はないので、そのまま状態５
に移行する。
くなり、Ｗ層からの交換結合力を介した作用が強くなる
。その結果、状態４のＭ層の磁化は反転すると同時に層
間の磁壁は消失する。これか状態５である。状態３のビ
ットはもともと層間の磁壁はないので、そのまま状態５
に移行する。
ここで、レーザービームの照射が止むか又は照射位置か
ら遠ざかると、状態５のビットは温度か低下を始め、や
がて状態３を経て状態ｌになる。
ら遠ざかると、状態５のビットは温度か低下を始め、や
がて状態３を経て状態ｌになる。
これが低温サイクルである。
なお、状態５から更に温度が上昇しＭ層のキュリー点を
越えると、磁化が消失し状態６になる。
越えると、磁化が消失し状態６になる。
ここで、レーザービームの照射が止むか又は照射位置か
ら遠ざかると、状態６のビットは温度が低下を始め、や
がてＭ層のキュリー点を少し低い温度に至る。そうする
と、Ｍ層に磁化が現れる。この磁化の向きは、Ｗ層から
の交換結合力を介した作用を受け、Ｗ層の磁化の向きに
対して安定な向き（層間に磁壁が生じない向き）となる
。ここではＰタイプであるので、状態５が再現する。温
度は更に低下し、それに従い、状態３が生じ、次いで状
態ｌのビットが形成される。このプロセスは低温サイク
ルの別の例である。
ら遠ざかると、状態６のビットは温度が低下を始め、や
がてＭ層のキュリー点を少し低い温度に至る。そうする
と、Ｍ層に磁化が現れる。この磁化の向きは、Ｗ層から
の交換結合力を介した作用を受け、Ｗ層の磁化の向きに
対して安定な向き（層間に磁壁が生じない向き）となる
。ここではＰタイプであるので、状態５が再現する。温
度は更に低下し、それに従い、状態３が生じ、次いで状
態ｌのビットが形成される。このプロセスは低温サイク
ルの別の例である。
高温サイクル
状態１及び状！！！２のビットにレーザービームを照射
して温度を上昇させると、既述のように状態５を経て状
態６に至る。
して温度を上昇させると、既述のように状態５を経て状
態６に至る。
更に温度か上昇すると、Ｗ層の保磁力は非常に低下する
。そのため、記録磁界Ｈｂ ↓によって磁化か反転する
。これか状態８である。
。そのため、記録磁界Ｈｂ ↓によって磁化か反転する
。これか状態８である。
ここで、レーザービームの照射が止むか又は照射位置か
ら遠ざかると、媒体温度は低下を始める。
ら遠ざかると、媒体温度は低下を始める。
やかて媒体温度はＭ層のキュリー点より少し下になる。
そうすると、Ｍ層に磁化が現れる。この磁化の向きは、
Ｗ層からの交換結合力を介した作用を受け、Ｗ層の磁化
の向きに対して安定な向き（層間に磁壁が生じない向き
）となる。ここではＰタイプであるので、状態９が出現
する。
Ｗ層からの交換結合力を介した作用を受け、Ｗ層の磁化
の向きに対して安定な向き（層間に磁壁が生じない向き
）となる。ここではＰタイプであるので、状態９が出現
する。
温度が更に低下すると、３層に磁化が現れ、その結果、
Ｗ層と１層とは磁気的に（交換結合力で）結合される。
Ｗ層と１層とは磁気的に（交換結合力で）結合される。
その結果、Ｗ層の磁化の向きは、１層の磁化の向きに対
して安定な向き（層間に磁壁か生じない向き）となる。
して安定な向き（層間に磁壁か生じない向き）となる。
ここではＰタイプであるので、Ｗ層の磁化は「Ａ向き」
に反転し、その結果、Ｍ層とＷ層との間には界面磁壁が
生しる。
に反転し、その結果、Ｍ層とＷ層との間には界面磁壁が
生しる。
この状態が室温でも維持され、状態２のビットか生成す
る。
る。
これが高温サイクルである。
なお、記録磁界Ｈｂ ↓によって状態８か出現した後、
更に温度が上昇すると、やがて温度はＷ層のキュリー点
を越える。そうすると、状ｆｉ７が出現する。
更に温度が上昇すると、やがて温度はＷ層のキュリー点
を越える。そうすると、状ｆｉ７が出現する。
ここで、レーザービームの照射が止むか又は照射位置か
ら遠ざかると、媒体温度は低下を始める。
ら遠ざかると、媒体温度は低下を始める。
やがて媒体温度はＷ層のキュリー点より少し下になる。
そうすると、Ｗ層に磁化が現れる。この磁化の向きは、
記録磁界Ｈｂ ↓の向きに従う。その結果、状態８が出
現する。
記録磁界Ｈｂ ↓の向きに従う。その結果、状態８が出
現する。
更に温度が低下すると、状態９を経て状態２のビットか
形成される。このプロセスは高温サイクルの別の例であ
る。
形成される。このプロセスは高温サイクルの別の例であ
る。
オーバーライト
以上の通り、前の記録状態に無関係に、低温サイクルで
Ｍ層に状態ｌのビット（Ｂ、）が形成され、高温サイク
ルでＭ層に状態２のビット（Ｂｏ）が形成される。従っ
て、オーバーライトが可能となる。
Ｍ層に状態ｌのビット（Ｂ、）が形成され、高温サイク
ルでＭ層に状態２のビット（Ｂｏ）が形成される。従っ
て、オーバーライトが可能となる。
本発明者は、この選択発明にかかる「初期化磁界Ｈｉｎ
ｉ、が不要な４層膜構造のオーツく−ライト可能な光磁
気記録媒体」を試作し、特性特に高レベルＰ、の許容範
囲（マージン）を調査した。
ｉ、が不要な４層膜構造のオーツく−ライト可能な光磁
気記録媒体」を試作し、特性特に高レベルＰ、の許容範
囲（マージン）を調査した。
Ｐ、のマージンを徐々に変えてオーバーライトを行い、
その都度再生してピットエラーレート（ＢＥＲ）を測定
すると、所定のＰ、値を越えたときＢＥＲが増加を始め
る。ＢＥＲはできるだけ低いことが望ましく、従って、
増加しないＢＥＲを示す範囲が、Ｐ、のマージンとなる
。
その都度再生してピットエラーレート（ＢＥＲ）を測定
すると、所定のＰ、値を越えたときＢＥＲが増加を始め
る。ＢＥＲはできるだけ低いことが望ましく、従って、
増加しないＢＥＲを示す範囲が、Ｐ、のマージンとなる
。
ところが、追試した媒体は、ＰＭママ−ンか狭く、実用
上は不満足であることが判明した。本発明が解決しよう
とする課題は、この狭いＰ８７−ジンにある。
上は不満足であることが判明した。本発明が解決しよう
とする課題は、この狭いＰ８７−ジンにある。
狭いＰ、マージンは、次のような２次的問題を引き起こ
す。■現在のところ、光源に使用する半導体レーザーの
設定精度は±１０％程度であり、また、製造時にレーザ
ー個体間に±１０％程度のノくラツキがあり、また、時
間の経過と共に±１０％程度変動する。■経時変化や周
囲の環境の変化で設定精度か±ｌＯ％程度変動する。■
ゴミやほこりの影響で光学系を通って媒体に到達するレ
ーザービームの強度が、時間の経過と共に±ｌＯ％程度
変動する。■光学系の製造時に個体間に±ｌθ％程度の
バラツキがあり、媒体に到達するレーザービームの強度
が、±１０％程度バラついている。■これらのバラツキ
又は変動により、Ｐ８マージンが狭いと、記録装置の良
品率か低下したり、Ｐ、マージンを越えた強度で記録さ
れる結果、ＢＥＲか増加する。
す。■現在のところ、光源に使用する半導体レーザーの
設定精度は±１０％程度であり、また、製造時にレーザ
ー個体間に±１０％程度のノくラツキがあり、また、時
間の経過と共に±１０％程度変動する。■経時変化や周
囲の環境の変化で設定精度か±ｌＯ％程度変動する。■
ゴミやほこりの影響で光学系を通って媒体に到達するレ
ーザービームの強度が、時間の経過と共に±ｌＯ％程度
変動する。■光学系の製造時に個体間に±ｌθ％程度の
バラツキがあり、媒体に到達するレーザービームの強度
が、±１０％程度バラついている。■これらのバラツキ
又は変動により、Ｐ８マージンが狭いと、記録装置の良
品率か低下したり、Ｐ、マージンを越えた強度で記録さ
れる結果、ＢＥＲか増加する。
本発明の目的は、Ｐ、マージンを拡大することにある。
そこで、本発明者は鋭意研究した結果、Ｐ、マージンを
越えてＰ、を設定した場合にＢＥＲが増加する原因を見
出した。この原因は、本来、磁化の向きが常に所定の向
きを向いていなければならない１層の磁化が、ＰＭレベ
ルのビームの照射の後に室温に戻った状態で調べると、
反転していることにある。恐らく、媒体温度がＴ、に上
昇したとき、１層の保磁力が低下し、そのため、記録磁
界Ｈｂと逆向きの磁化を有する１層の磁化は、Ｈｂによ
って反転させられたものと推定される。
越えてＰ、を設定した場合にＢＥＲが増加する原因を見
出した。この原因は、本来、磁化の向きが常に所定の向
きを向いていなければならない１層の磁化が、ＰＭレベ
ルのビームの照射の後に室温に戻った状態で調べると、
反転していることにある。恐らく、媒体温度がＴ、に上
昇したとき、１層の保磁力が低下し、そのため、記録磁
界Ｈｂと逆向きの磁化を有する１層の磁化は、Ｈｂによ
って反転させられたものと推定される。
そこで、記録磁界Ｈｂの向きを１層の磁化と同じ向きに
設計すれば、１層の磁化反転は生じないことを着想し、
そのような媒体として、（１）Ｗ層が、室温で希土類リ
ッチで、かつ室温とキュリー点との闇に補償温度を持ち
、しかも、（２）１層が、室温で希土類リッチで、かつ
室温とキュリー点との間に補償温度を持たない４層膜構
造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体を試作し、実
験してみたところ、Ｐ、マージンが拡大できることを見
出し、本発明を成すに至った。
設計すれば、１層の磁化反転は生じないことを着想し、
そのような媒体として、（１）Ｗ層が、室温で希土類リ
ッチで、かつ室温とキュリー点との闇に補償温度を持ち
、しかも、（２）１層が、室温で希土類リッチで、かつ
室温とキュリー点との間に補償温度を持たない４層膜構
造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体を試作し、実
験してみたところ、Ｐ、マージンが拡大できることを見
出し、本発明を成すに至った。
よって、本発明は、
「垂直磁化可能な磁性薄膜からなるＭ層と、垂直磁化可
能な磁性薄膜からなるＷ層と、垂直磁化可能な磁性薄膜
からなる８層と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなる１層
とを順に積層してなり、Ｍ層とＷ層とは交換結合してお
り、室温でＭ層の磁化の向きは変えないでＷ層の磁化の
みを所定の向きに向けておくことかてき、しかもＷ層と
１層とは８層のキュリー点以下の温度で８層を介して交
換結合力している４層膜構造のオーバーライト可能な光
磁気記録媒体において、 ＋１１Ｗ層が、室温で希土類リッチで、かつ室温とキュ
リー点との間に補償温度を持つものであり、しかも、（
２）１層が、室温で希土類リッチで、かつ室温とキュリ
ー点との間に補償温度を持たないものである、ことを特
徴とする光磁気記録媒体ｊを提供する。
能な磁性薄膜からなるＷ層と、垂直磁化可能な磁性薄膜
からなる８層と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなる１層
とを順に積層してなり、Ｍ層とＷ層とは交換結合してお
り、室温でＭ層の磁化の向きは変えないでＷ層の磁化の
みを所定の向きに向けておくことかてき、しかもＷ層と
１層とは８層のキュリー点以下の温度で８層を介して交
換結合力している４層膜構造のオーバーライト可能な光
磁気記録媒体において、 ＋１１Ｗ層が、室温で希土類リッチで、かつ室温とキュ
リー点との間に補償温度を持つものであり、しかも、（
２）１層が、室温で希土類リッチで、かつ室温とキュリ
ー点との間に補償温度を持たないものである、ことを特
徴とする光磁気記録媒体ｊを提供する。
また、本発明者の知見によれば、１層は、一般式：
％式％
（但し、２５原子％＜ｘ＜４０原子％て、ｌＯ原子％＜
ｙ＜ １００原子％である）で表される合金からなる
ことが好ましい。
ｙ＜ １００原子％である）で表される合金からなる
ことが好ましい。
〔選択発明の説明〕
第１図を引用して、本発明の４層膜オーバーライトの原
理を説明する。この４層膜は上からＭ層、Ｗ層、３層及
び１層からなる。各層の中に示した大きな白抜きの矢印
は、各層の磁化の向きを示し、その中に示した小さな点
線の矢印は、遷移金属の副格子磁化の向きを示す。交換
結合力は両層の遷移金属の副格子磁化の向きを一致させ
るように働く。
理を説明する。この４層膜は上からＭ層、Ｗ層、３層及
び１層からなる。各層の中に示した大きな白抜きの矢印
は、各層の磁化の向きを示し、その中に示した小さな点
線の矢印は、遷移金属の副格子磁化の向きを示す。交換
結合力は両層の遷移金属の副格子磁化の向きを一致させ
るように働く。
ここでは、Ｍ層は７Ｍリッチで室温とキュリー点との間
にＴ ｅａｗａＤ を持たず、Ｗ層は本発明に従いＲ
Ｅグリッチ室温とキュリー点との間にＴ ｃｅ＋＋ｕを
持ち、３層は７Ｍリッチで室温とキュリー点との間にＴ
ｅａｓｔ を持たず、１層は本発明に従いＲＥグリ
ッチ室温とキュリー点との間にＴ ｅａｓｔ を持た
ないものとする。しかし、Ｍ層及び３層は、この例に限
られない。
にＴ ｅａｗａＤ を持たず、Ｗ層は本発明に従いＲ
Ｅグリッチ室温とキュリー点との間にＴ ｃｅ＋＋ｕを
持ち、３層は７Ｍリッチで室温とキュリー点との間にＴ
ｅａｓｔ を持たず、１層は本発明に従いＲＥグリ
ッチ室温とキュリー点との間にＴ ｅａｓｔ を持た
ないものとする。しかし、Ｍ層及び３層は、この例に限
られない。
記録前の室温での状態は、状態ｌ又は状態２のいずれか
である。Ｍ層に着目すると、状ｌ１Ｉ１１は「逆Ａ向き
」のビット（Ｂｏ）である。状態２は「Ａ向き」のビッ
ト（Ｂ、）であり、Ｍ層とＷ層との副格子磁化の向きが
逆である。そのため、やや不安定な状態（準安定）にあ
り、両層の間に界面磁壁（太線で示す）が形成されてい
る。
である。Ｍ層に着目すると、状ｌ１Ｉ１１は「逆Ａ向き
」のビット（Ｂｏ）である。状態２は「Ａ向き」のビッ
ト（Ｂ、）であり、Ｍ層とＷ層との副格子磁化の向きが
逆である。そのため、やや不安定な状態（準安定）にあ
り、両層の間に界面磁壁（太線で示す）が形成されてい
る。
低温サイ、クル
状態１及び状態２のビットにレーザービームを照射して
温度を上昇させると、最初に温度Ｔ ＩＪに達する。す
ると、Ｍ層の磁化は弱くなり、Ｗ層からの交換結合力を
介した作用か強くなる。その結果、状態２０Ｍ層の副格
子磁化は反転すると同時に層間の磁壁は消失する。この
とき、７Ｍリッチであるため、ＴＭの副格子磁化がＲＥ
に比べて大きいので、Ｍ層の磁化もＴＭの副格子磁化に
倣って反転する。これが状態３であり、これにより「逆
Ａ向き」のビットか形成される。
温度を上昇させると、最初に温度Ｔ ＩＪに達する。す
ると、Ｍ層の磁化は弱くなり、Ｗ層からの交換結合力を
介した作用か強くなる。その結果、状態２０Ｍ層の副格
子磁化は反転すると同時に層間の磁壁は消失する。この
とき、７Ｍリッチであるため、ＴＭの副格子磁化がＲＥ
に比べて大きいので、Ｍ層の磁化もＴＭの副格子磁化に
倣って反転する。これが状態３であり、これにより「逆
Ａ向き」のビットか形成される。
状態１のビットは、もともと層間の磁壁はないのでＴＬ
、で変化が々く、そのまま状態３に移行する。
、で変化が々く、そのまま状態３に移行する。
こうして、低温サイクルが完了する。つまり、Ｍ層に「
逆Ａ向き」のビット（Ｂｏ）が形成される。
逆Ａ向き」のビット（Ｂｏ）が形成される。
低温サイクルが生じる最低温度（Ｍ層とＷ層との間の界
面磁壁が消滅する最低温度に等しい）をＴＬ、と呼ぶ。
面磁壁が消滅する最低温度に等しい）をＴＬ、と呼ぶ。
Ｔ Ｌｍが仮に３層のキュリー点より高い場合には、低
温サイクルは３層の磁化か消失してから起こるので、第
１図のプロセスとは異なるが、そのようなプロセスでも
よい。
温サイクルは３層の磁化か消失してから起こるので、第
１図のプロセスとは異なるが、そのようなプロセスでも
よい。
仮に、レーザービームの照射が続き、媒体温度かＴ Ｌ
８より上昇し、３層のキュリー点を越えたとする。そう
すると、３層の磁化が消失する。
８より上昇し、３層のキュリー点を越えたとする。そう
すると、３層の磁化が消失する。
更に温度が上昇し、媒体温度が更にＷ層のＴ ｃｏｓｔ
を越えたとする。そうすると、Ｗ層はＲＥグリッチ
ら７Ｍリッチに移行する。そのため、Ｗ層の磁化の向き
はＴＭの副格子磁化の向きに従う。つまり、Ｗ層の磁化
の向きは反転する。これが状態４である。
を越えたとする。そうすると、Ｗ層はＲＥグリッチ
ら７Ｍリッチに移行する。そのため、Ｗ層の磁化の向き
はＴＭの副格子磁化の向きに従う。つまり、Ｗ層の磁化
の向きは反転する。これが状態４である。
更にビームの照射が続くと、媒体温度はやがてＭ層のキ
ュリー点を越え、Ｍ層の磁化が消失する。
ュリー点を越え、Ｍ層の磁化が消失する。
しかし、Ｗ層の磁化は十分残存しており、記録磁界Ｈｂ
によって反転されないとする。これが状態５である。
によって反転されないとする。これが状態５である。
ここで、レーザービームの照射が止むか又は照射位置か
ら遠ざかると、状態５のビットは温度が低下を始める。
ら遠ざかると、状態５のビットは温度が低下を始める。
媒体温度がＭ層のキュリー点を少し下回ると、Ｍ層に磁
化が現れる。この磁化の向きは、σ、を通じてＷ層の影
響を受け、Ｍ層の副格子磁化の向きは、Ｗ層の副格子磁
化の向きに倣う。この方かエネルギー的に安定である。
化が現れる。この磁化の向きは、σ、を通じてＷ層の影
響を受け、Ｍ層の副格子磁化の向きは、Ｗ層の副格子磁
化の向きに倣う。この方かエネルギー的に安定である。
この温度では７Ｍリッチであるので、Ｗ層の磁化の向き
は７Ｍ副格子磁化の向きに支配される。そのため、状態
４が再現する。
は７Ｍ副格子磁化の向きに支配される。そのため、状態
４が再現する。
更に温度が低下すると、媒体温度はやがてＷ層のＴ２゜
１． を越える。そうすると、Ｗ層は７ＭリッチからＲ
Ｅグリッチ移行する。そのため、Ｗ層の磁化の向きはＲ
Ｅの副格子磁化の向き（ＴＭのそれと逆向き）に従う。
１． を越える。そうすると、Ｗ層は７ＭリッチからＲ
Ｅグリッチ移行する。そのため、Ｗ層の磁化の向きはＲ
Ｅの副格子磁化の向き（ＴＭのそれと逆向き）に従う。
つまり、Ｗ層の磁化の向きは反転する。
そして、温度が更に低下し、３層のキュリー点より少し
下回ると、３層に磁化が現れる。これが状態３である。
下回ると、３層に磁化が現れる。これが状態３である。
このプロセスは低温サイクルの別の例である。
□高温サイクル
状態１及び状態２のビットにレーザービームを照射して
温度を上昇させると、既述のように、状１！１３．４を
経て、状Ｌ！１５になる。
温度を上昇させると、既述のように、状１！１３．４を
経て、状Ｌ！１５になる。
更にビームの照射が続き、温度か上昇したとする。する
と、Ｗ層の保磁力は非常に低下する。そのため、記録磁
界Ｈｂによって磁化が反転する。
と、Ｗ層の保磁力は非常に低下する。そのため、記録磁
界Ｈｂによって磁化が反転する。
これが状態７である。
仮に、レーザービームの照射が続き、媒体温度が更に上
昇し、Ｗ層のキュリー点を越えたとする。
昇し、Ｗ層のキュリー点を越えたとする。
そうすると、Ｗ層の磁化も消失する。これが状態６であ
る。
る。
ここで、レーザービームの照射が止むか又は照射位置か
ら遠ざかると、状態６のビットは温度が低下を始める。
ら遠ざかると、状態６のビットは温度が低下を始める。
媒体温度がＷ層のキュリー点を少し下回ると、Ｗ層に磁
化が現れる。この磁化の向きは、記録磁界Ｈｂの向きに
従う。これが状態７テアル。状態７へのプロセスは以上
の説明通り２通りある。
化が現れる。この磁化の向きは、記録磁界Ｈｂの向きに
従う。これが状態７テアル。状態７へのプロセスは以上
の説明通り２通りある。
状ｔｌｉ７の温度から、媒体温度が更に低下し、Ｍ層の
キュリー点より少し下回ったとする。そうすると、Ｍ層
に磁化が現れる。このとき、磁化の向きは、σ、を通じ
てＷ層の影響を受け、Ｍ層の副格子磁化の向きは、Ｗ層
の副格子磁化の向きに倣う。この方かエネルギー的に安
定である。この温度では７Ｍリッチであるので、Ｗ層の
磁化の向きは７Ｍ副格子磁化の向きに支配される。その
ため、状態８が出現する。
キュリー点より少し下回ったとする。そうすると、Ｍ層
に磁化が現れる。このとき、磁化の向きは、σ、を通じ
てＷ層の影響を受け、Ｍ層の副格子磁化の向きは、Ｗ層
の副格子磁化の向きに倣う。この方かエネルギー的に安
定である。この温度では７Ｍリッチであるので、Ｗ層の
磁化の向きは７Ｍ副格子磁化の向きに支配される。その
ため、状態８が出現する。
更に温度が低下すると、媒体温度はやかてＷ層のＴｃ、
、、 を越える。そうすると、Ｗ層は７Ｍリッチから
ＲＥリッチに移行する。そのため、Ｗ層の磁化の向きは
ＲＥの副格子磁化の向き（ＴＭのそれと逆向き）に従う
。つまり、Ｗ層の磁化の向きは反転する。これが状態９
である。つまり、Ｍ層に「Ａ向き」のビット（Ｂ１）が
形成される。
、、 を越える。そうすると、Ｗ層は７Ｍリッチから
ＲＥリッチに移行する。そのため、Ｗ層の磁化の向きは
ＲＥの副格子磁化の向き（ＴＭのそれと逆向き）に従う
。つまり、Ｗ層の磁化の向きは反転する。これが状態９
である。つまり、Ｍ層に「Ａ向き」のビット（Ｂ１）が
形成される。
以上のプロセスが高温サイクルの本質部分である。
更に温度が低下し８層のキュリー点より少し下回ると、
８層に磁化が現れる。その結果、Ｗ層と１層とは磁気的
に（交換結合力で）結合される。
８層に磁化が現れる。その結果、Ｗ層と１層とは磁気的
に（交換結合力で）結合される。
つまり、Ｗ層のＴＭの副格子磁化の向きは１層のそれに
倣う。この温度ではＲＥリッチなので、Ｗ層の磁化の向
きはＲＥの副格子磁化の向き（ＴＭのそれと逆向き）に
従う。つまり、Ｗ層の磁化の向きは反転する。他方、Ｗ
層のＴＭの副格子磁化の向きはＭ層のそれと逆なので、
両層の間には界面磁壁（状態２に太線で示す）が生じる
。これが状態２である。しかし、この状態２が、８層の
キュリー点から室温までの間で、順安定に保たれること
が、この４層膜媒体の特徴の一つである。
倣う。この温度ではＲＥリッチなので、Ｗ層の磁化の向
きはＲＥの副格子磁化の向き（ＴＭのそれと逆向き）に
従う。つまり、Ｗ層の磁化の向きは反転する。他方、Ｗ
層のＴＭの副格子磁化の向きはＭ層のそれと逆なので、
両層の間には界面磁壁（状態２に太線で示す）が生じる
。これが状態２である。しかし、この状態２が、８層の
キュリー点から室温までの間で、順安定に保たれること
が、この４層膜媒体の特徴の一つである。
オーバーライト
以上の通り、前の記録状態に無関係に、低温サイクルで
状！！！１のビット（Ｂｏか形成され、高温サイクルで
状態２のビット（Ｂｏ）が形成される。
状！！！１のビット（Ｂｏか形成され、高温サイクルで
状態２のビット（Ｂｏ）が形成される。
従って、オーバーライトが可能となる。
□記録磁界Ｈｂと１層との関係
第１図の状態５から状態６又は状態７への移行には、記
録磁界Ｈｂが関与しているが、Ｈｂの向きと１層の磁化
の向きとは同じである。これが本発明の特徴の１つであ
る。そのため、１層が高温サイクルで高温にさらされて
１層の保磁力が低下しても、１層の磁化の向きは、Ｈｂ
に守られ反転することがない。
録磁界Ｈｂが関与しているが、Ｈｂの向きと１層の磁化
の向きとは同じである。これが本発明の特徴の１つであ
る。そのため、１層が高温サイクルで高温にさらされて
１層の保磁力が低下しても、１層の磁化の向きは、Ｈｂ
に守られ反転することがない。
従って、Ｐ、を高く設定しても、１層の磁化の向きは不
変であるのでＢＥＲか低いものと推定される。逆に言え
ば、それだけＰ、を高く設定でき、つまりはＰ、のマー
ジンか広くなる。
変であるのでＢＥＲか低いものと推定される。逆に言え
ば、それだけＰ、を高く設定でき、つまりはＰ、のマー
ジンか広くなる。
それに対して、先行技術である選択発明の媒体は、１層
の磁化の向きがＨｂの向きと逆になるので、高温にさら
されて１層の保磁力が低下すると、１層の磁化の向きか
反転してしまう。そのため、ＰＨを高くすると、ＢＥＲ
か増大するものと推定される。逆に言えば、それだけＰ
、を高く設定できず、つまりはＰ、のマージンが狭くな
る。
の磁化の向きがＨｂの向きと逆になるので、高温にさら
されて１層の保磁力が低下すると、１層の磁化の向きか
反転してしまう。そのため、ＰＨを高くすると、ＢＥＲ
か増大するものと推定される。逆に言えば、それだけＰ
、を高く設定できず、つまりはＰ、のマージンが狭くな
る。
また、本発明の媒体は、１層が室温とキュリー点との間
にＴ ｅａｓｅ を持たないので、１層が途中で磁化
反転することがなく、常に１層の磁化の向きはＨｂの向
きと同じであり、不用意にＨｂによって１層の磁化が反
転させられる恐れもない。
にＴ ｅａｓｅ を持たないので、１層が途中で磁化
反転することがなく、常に１層の磁化の向きはＨｂの向
きと同じであり、不用意にＨｂによって１層の磁化が反
転させられる恐れもない。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
ＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用いて、直径
２００ｍｍのガラス基板上に、順にＭ層： ＴｂｔＪ’
ｅ７＊ＣＯｓ ：膜厚５００人Ｗ層： Ｔｂ５Ｄ
’１ｚｓＦｅ４ｏＣＯｓ＊ ：膜厚１０００人Ｓ層：
Ｔｂｚ＋ Ｆｅｔ＋ ’膜厚２００人■層：
Ｔｂ２＋Ｆｅ＊ｏＣＯａａ ：膜厚５００人を積
層することにより、本実施例のオーバーライト可能な光
磁気記録媒体を製造した。
２００ｍｍのガラス基板上に、順にＭ層： ＴｂｔＪ’
ｅ７＊ＣＯｓ ：膜厚５００人Ｗ層： Ｔｂ５Ｄ
’１ｚｓＦｅ４ｏＣＯｓ＊ ：膜厚１０００人Ｓ層：
Ｔｂｚ＋ Ｆｅｔ＋ ’膜厚２００人■層：
Ｔｂ２＋Ｆｅ＊ｏＣＯａａ ：膜厚５００人を積
層することにより、本実施例のオーバーライト可能な光
磁気記録媒体を製造した。
実施例の媒体について、まず１０ｋＯｅの外部磁界を印
加することにより、１層の磁化の向きをｒＡ向き」に揃
えた。
加することにより、１層の磁化の向きをｒＡ向き」に揃
えた。
次いで、媒体を１０ｍ ／秒の線速度で回転させ、これ
に「Ａ向き」の記録磁界Ｈｂ ＝ ３０００ｅを印加し
ながら、その個所に波長８３０ｎｍのレーザービームを
照射して基準情報をオーバーライト記録した。このとき
、レーザービームの強度を、高レベル時： Ｐ）Ｉ＝１
５．０ｍＷ（ｏｎ ｄｉｓｋ）とし、低レベル時： Ｐ
Ｌ ＝５．０ ｍＷ（ｏｎ ｄｉｓｋ）とし、両者の間
で４ ＭＨｚの周波数（基準情報）でパルス変調（パル
スのデユティ−比＝５０％）した。
に「Ａ向き」の記録磁界Ｈｂ ＝ ３０００ｅを印加し
ながら、その個所に波長８３０ｎｍのレーザービームを
照射して基準情報をオーバーライト記録した。このとき
、レーザービームの強度を、高レベル時： Ｐ）Ｉ＝１
５．０ｍＷ（ｏｎ ｄｉｓｋ）とし、低レベル時： Ｐ
Ｌ ＝５．０ ｍＷ（ｏｎ ｄｉｓｋ）とし、両者の間
で４ ＭＨｚの周波数（基準情報）でパルス変調（パル
スのデユティ−比＝５０％）した。
次に基準情報を３ＭＨｚの周波数に変更し、同様にオー
バーライトを行なった。
バーライトを行なった。
その後、再生強度Ｐ＊ ＝１．０ｍＷ （ｏｎ ｄ
ｉｓｋ）のレーザービームで再生を行なった。得られた
再生信号をスペクトルアナライザーで解析したところ、
再生信号は４ＭＨ２の情報を全く含んでおらず、３ＭＨ
ｚの情報だけを含んでいた。これにより完全なオーバー
ライトが行なわれたことが判った。
ｉｓｋ）のレーザービームで再生を行なった。得られた
再生信号をスペクトルアナライザーで解析したところ、
再生信号は４ＭＨ２の情報を全く含んでおらず、３ＭＨ
ｚの情報だけを含んでいた。これにより完全なオーバー
ライトが行なわれたことが判った。
〔評価試験２〕
実施例及び先行技術（選択発明）の媒体について、Ｐ、
を８〜２０ｃｎＷの間で１ｍＷ間隔で変えてオーバーラ
イト及び再生を繰り返すことにより、ＢＥＲの変化を求
めた。
を８〜２０ｃｎＷの間で１ｍＷ間隔で変えてオーバーラ
イト及び再生を繰り返すことにより、ＢＥＲの変化を求
めた。
この結果からＰ、のマージンを求めたところ、実施例の
媒体は、先行技術（選択発明）の媒体に比べて、約５０
％もマージンが広かった。
媒体は、先行技術（選択発明）の媒体に比べて、約５０
％もマージンが広かった。
以上の通り、本発明の媒体は、１層の磁化の向きが記録
磁界Ｈｂと同じであるので、Ｐ、を高く設定しても、１
層の初期化された磁化が乱される（反転させられる）こ
とがない。そのため、Ｐ。
磁界Ｈｂと同じであるので、Ｐ、を高く設定しても、１
層の初期化された磁化が乱される（反転させられる）こ
とがない。そのため、Ｐ。
のマージンの広い４層膜オーバーライト可能な光磁気記
録媒体が得られる 更に、ＰＭのマージンが広いことで、〔発明が解決しよ
うとする課題〕に説明した２次的問題が発生しなくなる
。
録媒体が得られる 更に、ＰＭのマージンが広いことで、〔発明が解決しよ
うとする課題〕に説明した２次的問題が発生しなくなる
。
第１図は、本発明の代表的な媒体について、そのオーバ
ーライト原理を説明する説明図である。 第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第４図は、基本発明に従いオーバーライトする場合のレ
ーザービームの波形図である。 第５図は、基本発明に従い２本のビームでオーバーライ
トする場合のレーザービームの波形図である。 第６図は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体の第１
層、第２層について保磁力と温度との関係を示すグラフ
である。 第７図は、第１層と第２層の磁化の向きを示す概念図で
ある。 第８図は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す説
明図である。 第９図は、Ｐタイプ媒体、Ａタイプ媒体について、低温
サイクル、高温サイクルの結果、第１層と第２層の磁化
の向きがどう変化するかを示す説明図である。いずれも
室温での状態を示す。 第１０図は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す
説明図である。 第１１図は、希土類（ＲＥ）原子の副格子磁化を示すベ
クトル（実線の矢）と遷移金属（ＴＭ）原子の副格子磁
化を示すベクトル（点線の矢）とを比較するための説明
図である。 第１２図は、副格子磁化のベクトルと合金の磁化の向き
を示す矢金との関係を示す説明図である。 第１３図は、選択発明にかかる４層膜構造のオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体について、そのオーバーライ
ト原理を説明する説明図である。 ビーム強度 第４ 〔主要部分の符号の説明〕 Ｌ−・−・・−・・・−・−レーザービームＬｐ−・・
・・−直線偏光 Ｂ、・・−・−ｒＡ向き」磁化を有するビットＢ６・・
−・・−・−「逆Ａ向きＪ磁化を有するピッＳ−・・−
・・−・基板 １・・−・・−・・・メモリー層（Ｍ層）２・・−・・
・・・−・・を記録層Ｊ （Ｗ層）３・−・・・・−
・・−スイッチ層（８層）４・・−・・−・初期化層（
１層） ト 値化情報の例 同上 「−シ］−一１−一 第５図 先行ビーム 後行ビーム ビーム強度 値化情報の例 同上 一一■」−一コー Ｔ。 ｃｒ Ｌ Ｃ２ Ｔお 第 図 Ｐタイプ Δタイプ Ｐタイプ Ａタイプ 第 図 Ｐタイプ Ａタイプ 簗 ワ 図 Ｐタイプ媒体の場合 （室温での状態） （室温での状態） Ａタイプ媒体の場合 （室温での状態） （室温での状態） 第 図 第 図 （ＩＡ） （ＩＢ） （２人） （２Ｂ） （３Ａ） （３Ｂ） （４Ａ） （４Ｂ）
ーライト原理を説明する説明図である。 第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第４図は、基本発明に従いオーバーライトする場合のレ
ーザービームの波形図である。 第５図は、基本発明に従い２本のビームでオーバーライ
トする場合のレーザービームの波形図である。 第６図は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体の第１
層、第２層について保磁力と温度との関係を示すグラフ
である。 第７図は、第１層と第２層の磁化の向きを示す概念図で
ある。 第８図は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す説
明図である。 第９図は、Ｐタイプ媒体、Ａタイプ媒体について、低温
サイクル、高温サイクルの結果、第１層と第２層の磁化
の向きがどう変化するかを示す説明図である。いずれも
室温での状態を示す。 第１０図は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す
説明図である。 第１１図は、希土類（ＲＥ）原子の副格子磁化を示すベ
クトル（実線の矢）と遷移金属（ＴＭ）原子の副格子磁
化を示すベクトル（点線の矢）とを比較するための説明
図である。 第１２図は、副格子磁化のベクトルと合金の磁化の向き
を示す矢金との関係を示す説明図である。 第１３図は、選択発明にかかる４層膜構造のオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体について、そのオーバーライ
ト原理を説明する説明図である。 ビーム強度 第４ 〔主要部分の符号の説明〕 Ｌ−・−・・−・・・−・−レーザービームＬｐ−・・
・・−直線偏光 Ｂ、・・−・−ｒＡ向き」磁化を有するビットＢ６・・
−・・−・−「逆Ａ向きＪ磁化を有するピッＳ−・・−
・・−・基板 １・・−・・−・・・メモリー層（Ｍ層）２・・−・・
・・・−・・を記録層Ｊ （Ｗ層）３・−・・・・−
・・−スイッチ層（８層）４・・−・・−・初期化層（
１層） ト 値化情報の例 同上 「−シ］−一１−一 第５図 先行ビーム 後行ビーム ビーム強度 値化情報の例 同上 一一■」−一コー Ｔ。 ｃｒ Ｌ Ｃ２ Ｔお 第 図 Ｐタイプ Δタイプ Ｐタイプ Ａタイプ 第 図 Ｐタイプ Ａタイプ 簗 ワ 図 Ｐタイプ媒体の場合 （室温での状態） （室温での状態） Ａタイプ媒体の場合 （室温での状態） （室温での状態） 第 図 第 図 （ＩＡ） （ＩＢ） （２人） （２Ｂ） （３Ａ） （３Ｂ） （４Ａ） （４Ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 垂直磁化可能な磁性薄膜からなるメモリー層と、垂
直磁化可能な磁性薄膜からなる「記録層」と、「垂直磁
化可能な磁性薄膜からなるスイッチ層と、垂直磁化可能
な磁性薄膜からなる初期化層とを順に積層してなり、 メモリー層と「記録層」とは交換結合しており、室温で
メモリー層の磁化の向きは変えないで「記録層」の磁化
のみを所定の向きに向けておくことができ、しかも「記
録層」と初期化層とはスイッチ層のキュリー点以下の温
度でスイッチ層を介して交換結合している４層膜構造の
オーバーライト可能な光磁気記録媒体において、 前記「記録層」が、室温で希土類リッチで、かつ室温と
キュリー点との間に補償温度を持つものであり、また、 前記初期化層が、室温で希土類リッチで、かつ室温とキ
ュリー点との間に補償温度を持たないものである、 ことを特徴とする光磁気記録媒体。 ２ 前記初期化層が、一般式： Ｔｂ＿ｘ（Ｆｅ＿１＿０＿０＿−＿ｙＣｏ＿ｙ）＿１＿
０＿０＿−＿ｘ（但し、２５原子％＜ｘ＜４０原子％で
、 １０原子％＜ｙ＜１００原子％である） で表される合金からなることを特徴とする請求項第１項
記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257928A JPH04134741A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | ４層膜構造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| US07/756,331 US5164926A (en) | 1990-09-27 | 1991-09-06 | Over-write capable magnetooptical recording medium with four magnetic layered structure dispensing with external initializing field |
| EP19910115581 EP0477701A3 (en) | 1990-09-27 | 1991-09-13 | Over-write capable magnetooptical recording medium having four-layered structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257928A JPH04134741A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | ４層膜構造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04134741A true JPH04134741A (ja) | 1992-05-08 |
Family
ID=17313145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2257928A Pending JPH04134741A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | ４層膜構造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5164926A (ja) |
| EP (1) | EP0477701A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04134741A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512366A (en) * | 1989-11-14 | 1996-04-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto-optic recording medium and apparatus |
| JPH0536141A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Sony Corp | 光磁気記録装置 |
| JP2925424B2 (ja) * | 1992-09-09 | 1999-07-28 | 三菱電機株式会社 | オーバーライト可能な高密度光磁気記録媒体 |
| JPH06131722A (ja) * | 1992-10-16 | 1994-05-13 | Canon Inc | 光磁気記録媒体およびその記録方法 |
| JPH06267123A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-09-22 | Nikon Corp | 光磁気ディスクに熱遮断方式及びパルストレイン方式で オーバーライトする場合における記録条件決定方法、 同記録条件決定装置、光磁気記録方法及び光磁気記録 装置 |
| JP3092363B2 (ja) | 1992-12-01 | 2000-09-25 | 松下電器産業株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH06236589A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Canon Inc | 光磁気記録方法および光磁気再生方法及び光磁気記録媒体 |
| JPH07110971A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Pioneer Electron Corp | 光磁気記録媒体、光磁気記録媒体記録装置及び光磁気記録媒体再生装置 |
| JPH07311986A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| US5463578A (en) * | 1994-09-22 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Magneto-optic memory allowing direct overwrite of data |
| JPH09167388A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-06-24 | Canon Inc | 光磁気記録媒体、該媒体を用いた情報記録再生装置及び情報記録再生方法 |
| JP3215311B2 (ja) * | 1995-12-19 | 2001-10-02 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
| EP0780841A3 (en) * | 1995-12-21 | 1997-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium using a magnetic phase transformation material and a recording method using the medium |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2521908B2 (ja) * | 1985-06-11 | 1996-08-07 | 株式会社ニコン | オ―バ―ライト可能な光磁気記録方法、それに使用される光磁気記録装置及び光磁気記録媒体、並びに変調方法、変調装置及び光磁気記録媒体 |
| ATE216528T1 (de) * | 1986-07-08 | 2002-05-15 | Canon Kk | Gerät und system zur aufzeichnung auf einem magnetooptischen aufzeichnungsmedium |
| JP2543509B2 (ja) * | 1986-09-12 | 1996-10-16 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| AU600576B2 (en) * | 1987-04-24 | 1990-08-16 | Sony Corporation | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled multi-layer structure of perpendicular anisotropy magnetic film |
| JP2630976B2 (ja) * | 1988-03-19 | 1997-07-16 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| DE3811375A1 (de) * | 1988-04-05 | 1989-10-19 | Siemens Ag | Datenspeichersystem |
| US5216663A (en) * | 1988-08-24 | 1993-06-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto-optic recording medium and manufacturing method |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP2257928A patent/JPH04134741A/ja active Pending
-
1991
- 1991-09-06 US US07/756,331 patent/US5164926A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-13 EP EP19910115581 patent/EP0477701A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5164926A (en) | 1992-11-17 |
| EP0477701A2 (en) | 1992-04-01 |
| EP0477701A3 (en) | 1993-01-13 |
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