JPH0536141A - 光磁気記録装置 - Google Patents
光磁気記録装置Info
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- JPH0536141A JPH0536141A JP3190143A JP19014391A JPH0536141A JP H0536141 A JPH0536141 A JP H0536141A JP 3190143 A JP3190143 A JP 3190143A JP 19014391 A JP19014391 A JP 19014391A JP H0536141 A JPH0536141 A JP H0536141A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録層の初期化の磁界の低減化と簡易化をは
かる。 【構成】 メモリ層と記録層とを有する光磁気記録媒体
２０を用い、情報記録に際し、記録層に初期化の外部磁
界Ｈi を与えるに、垂直方向磁界ＨV と、面方向磁界Ｈ
H とをＨV ≦ＨC2＋ＨW2，ＨH ＞｛（ＨC2＋ＨW2）−Ｈ
V ｝×１．７（Ｈ C2は記録層の保磁力、ＨW2は交換結合
力）とする。
かる。 【構成】 メモリ層と記録層とを有する光磁気記録媒体
２０を用い、情報記録に際し、記録層に初期化の外部磁
界Ｈi を与えるに、垂直方向磁界ＨV と、面方向磁界Ｈ
H とをＨV ≦ＨC2＋ＨW2，ＨH ＞｛（ＨC2＋ＨW2）−Ｈ
V ｝×１．７（Ｈ C2は記録層の保磁力、ＨW2は交換結合
力）とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばレーザー光の光
強度変調によって繰返しオーバライトを可能にした光磁
気記録装置に係わる。
強度変調によって繰返しオーバライトを可能にした光磁
気記録装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】光磁気相互作用によって情報ビット（磁
区）の読み出しを行う光磁気記録再生方法において、情
報の書き換えすなわちオーバライト（ｏｖｅｒ ｗｒｉ
ｔｅ）を可能にした記録方法としては、光磁気記録媒体
に与える外部磁界を変調する磁界変調型と、記録用のヘ
ッドのほかに消去用のヘッドを設ける２ヘッド型とが一
般に知られている。
区）の読み出しを行う光磁気記録再生方法において、情
報の書き換えすなわちオーバライト（ｏｖｅｒ ｗｒｉ
ｔｅ）を可能にした記録方法としては、光磁気記録媒体
に与える外部磁界を変調する磁界変調型と、記録用のヘ
ッドのほかに消去用のヘッドを設ける２ヘッド型とが一
般に知られている。
【０００３】磁界変調型の記録は、例えば、特開昭６０
−４８８０６号公報に開示されているように、膜面に垂
直な磁化容易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体
に対し、その記録を行う場合、例えばオーバライト部に
レーザー光を照射して此処を局部的に加熱し、記録情
報、例えば“０”，“１”に応じて極性が反転変調され
た磁界を磁性薄膜に垂直方向に与えて、その磁化による
記録を行うというものである。
−４８８０６号公報に開示されているように、膜面に垂
直な磁化容易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体
に対し、その記録を行う場合、例えばオーバライト部に
レーザー光を照射して此処を局部的に加熱し、記録情
報、例えば“０”，“１”に応じて極性が反転変調され
た磁界を磁性薄膜に垂直方向に与えて、その磁化による
記録を行うというものである。
【０００４】ところが、この磁界変調型の記録による場
合、情報転送レートの高い高速記録を行おうとすると、
高い周波数で動作する電磁石が必要となり、作製上の問
題が生じてくると共に、消費電力、発熱の問題が生じて
くる。
合、情報転送レートの高い高速記録を行おうとすると、
高い周波数で動作する電磁石が必要となり、作製上の問
題が生じてくると共に、消費電力、発熱の問題が生じて
くる。
【０００５】一方、２ヘッド型記録は、オーバライトに
先立って消去ヘッドによっていわば記録媒体を初期化す
るものであり、この場合、２つのヘッドを離して設置す
ることからドライブシステムの組立製造の煩雑さ、大型
化、経済性に問題が生じて来る。
先立って消去ヘッドによっていわば記録媒体を初期化す
るものであり、この場合、２つのヘッドを離して設置す
ることからドライブシステムの組立製造の煩雑さ、大型
化、経済性に問題が生じて来る。
【０００６】このような問題を解決するものとして、特
開昭６３−５２３５４号公報、特開昭６３−２６８１０
３号公報、及び特開平２−２４８０１号公報に開示され
た熱（光）磁気記録方法の提案がある。
開昭６３−５２３５４号公報、特開昭６３−２６８１０
３号公報、及び特開平２−２４８０１号公報に開示され
た熱（光）磁気記録方法の提案がある。
【０００７】特開昭６３−５２３５４号公報に開示され
た記録方法は、図１０にその基本的構造の断面図を示す
ように、基体１１上に、それぞれ非晶質希土類−遷移金
属磁性薄膜の垂直磁化膜より成るメモリ層１と、記録層
２とが磁気的に結合して積層して成る磁気記録媒体２０
を用いる。この場合、メモリ層１及び記録層２の各保磁
力ＨC1及びＨC2は、ＨC1≫ＨC2とされ、各キュリー温度
ＴC1及びＴC2はＴC1＜ＴC2とされる。
た記録方法は、図１０にその基本的構造の断面図を示す
ように、基体１１上に、それぞれ非晶質希土類−遷移金
属磁性薄膜の垂直磁化膜より成るメモリ層１と、記録層
２とが磁気的に結合して積層して成る磁気記録媒体２０
を用いる。この場合、メモリ層１及び記録層２の各保磁
力ＨC1及びＨC2は、ＨC1≫ＨC2とされ、各キュリー温度
ＴC1及びＴC2はＴC1＜ＴC2とされる。
【０００８】そして、所要の外部磁界Ｈexの印加の下に
メモリ層１のほぼキュリー温度ＴC1以上でかつ記録層２
の副格子磁化の反転が生じない第１の温度Ｔ1 に加熱す
る第１の加熱状態と、温度ＴC1以上でかつ記録層２の副
格子磁化を反転させるに充分な第２の温度Ｔ2 に加熱す
る第２の加熱状態とを、記録しようとする情報例えば
“０”，“１”に応じて切換変調し、冷却過程で、メモ
リ層１及び記録層２間の交換結合力によりメモリ層１の
副格子磁化の向きを記録層２の副格子磁化の向きに揃え
て、例えば“０”，“１”の記録ビット（磁区）をメモ
リ層１に形成すると共に、記録層２に対する初期化外部
磁界Ｈi によって、記録層２の副格子磁化が初期化状態
での向き（以下この方向を正方向という）に反転するよ
うにして、オーバライトが可能な状態を得るようにする
ものである。
メモリ層１のほぼキュリー温度ＴC1以上でかつ記録層２
の副格子磁化の反転が生じない第１の温度Ｔ1 に加熱す
る第１の加熱状態と、温度ＴC1以上でかつ記録層２の副
格子磁化を反転させるに充分な第２の温度Ｔ2 に加熱す
る第２の加熱状態とを、記録しようとする情報例えば
“０”，“１”に応じて切換変調し、冷却過程で、メモ
リ層１及び記録層２間の交換結合力によりメモリ層１の
副格子磁化の向きを記録層２の副格子磁化の向きに揃え
て、例えば“０”，“１”の記録ビット（磁区）をメモ
リ層１に形成すると共に、記録層２に対する初期化外部
磁界Ｈi によって、記録層２の副格子磁化が初期化状態
での向き（以下この方向を正方向という）に反転するよ
うにして、オーバライトが可能な状態を得るようにする
ものである。
【０００９】この場合消去のための特別の過程（時間）
を要することがなく高転送レート化をはかることができ
るとか、上述した２ヘッド方式、或いは外部磁界変調方
法による場合の諸問題を解決できるものである。
を要することがなく高転送レート化をはかることができ
るとか、上述した２ヘッド方式、或いは外部磁界変調方
法による場合の諸問題を解決できるものである。
【００１０】更に、特開平２−２４８０１号公報に開示
の記録方法では、図１１に基本的構造の断面図を示すよ
うに、図１０で説明した特開昭６３−５２３５４号公報
に開示の記録方法において用いた記録媒体のメモリ層１
及び記録層２間に、両者間の磁壁エネルギーを制御する
中間層３を設けて、上述した記録層２の正方向への反転
を確実に行うことができるようにするものである。
の記録方法では、図１１に基本的構造の断面図を示すよ
うに、図１０で説明した特開昭６３−５２３５４号公報
に開示の記録方法において用いた記録媒体のメモリ層１
及び記録層２間に、両者間の磁壁エネルギーを制御する
中間層３を設けて、上述した記録層２の正方向への反転
を確実に行うことができるようにするものである。
【００１１】上述したように、メモリ層１及び記録層２
を有する光磁気記録媒体に対する情報の記録は、図１に
示すように、上述したように少くともメモリ層１と記録
層２とを有する光磁気記録媒体２０例えばディスクが駆
動モータ２５によって回転するようになされ、その回転
途上に上述した第１及び第２の加熱温度Ｔ1 及びＴ2 を
与えるレーザー光Ｒの照射を行うヘッドと、例えば永久
磁石より成る外部磁界Ｈexを与える記録磁界発生手段２
１とを有する記録部が設けられると共に、その後段に例
えば永久磁石より成る記録層の初期化磁界Ｈi を与える
初期化磁界発生手段２２が設けられる。
を有する光磁気記録媒体に対する情報の記録は、図１に
示すように、上述したように少くともメモリ層１と記録
層２とを有する光磁気記録媒体２０例えばディスクが駆
動モータ２５によって回転するようになされ、その回転
途上に上述した第１及び第２の加熱温度Ｔ1 及びＴ2 を
与えるレーザー光Ｒの照射を行うヘッドと、例えば永久
磁石より成る外部磁界Ｈexを与える記録磁界発生手段２
１とを有する記録部が設けられると共に、その後段に例
えば永久磁石より成る記録層の初期化磁界Ｈi を与える
初期化磁界発生手段２２が設けられる。
【００１２】この場合、記録層に対する初期化磁界Ｈi
は、メモリ層１の保磁力ＨC1よりは小さく選ばれるもの
の、確実に記録層２を初期の状態（正方向）とすること
ができるように、つまり、その膜面に対し垂直方向でか
つ初期の正方向に向かしめるように、少くとも記録層２
の保磁力ＨC2と交換結合力ＨW2の和より大きくなる垂直
方向の磁界成分を与えるように、そのＮＳ磁極方向が媒
体面と垂直方向になるように配置するのみならず、垂直
成分磁界を充分得られるだけの比較的大きい磁界強度を
発生する磁石を配置するとか、図示しないがこの磁石に
対して光磁気記録媒体２０を挟んで高透磁率の補助磁極
または磁石を配置して、媒体２０に対し効率良く強い垂
直磁界成分が与えられるようにするなどの方法が採られ
る。
は、メモリ層１の保磁力ＨC1よりは小さく選ばれるもの
の、確実に記録層２を初期の状態（正方向）とすること
ができるように、つまり、その膜面に対し垂直方向でか
つ初期の正方向に向かしめるように、少くとも記録層２
の保磁力ＨC2と交換結合力ＨW2の和より大きくなる垂直
方向の磁界成分を与えるように、そのＮＳ磁極方向が媒
体面と垂直方向になるように配置するのみならず、垂直
成分磁界を充分得られるだけの比較的大きい磁界強度を
発生する磁石を配置するとか、図示しないがこの磁石に
対して光磁気記録媒体２０を挟んで高透磁率の補助磁極
または磁石を配置して、媒体２０に対し効率良く強い垂
直磁界成分が与えられるようにするなどの方法が採られ
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに補助磁極を、光磁気記録媒体に対向して設けること
は、装置の大型、複雑化、組立の煩雑化を招き、また補
助磁極を設けずに垂直磁界成分を大とすることは、他部
への漏洩磁束の問題、磁界発生手段の強力化を必要とす
るなどの諸問題が生じる。
うに補助磁極を、光磁気記録媒体に対向して設けること
は、装置の大型、複雑化、組立の煩雑化を招き、また補
助磁極を設けずに垂直磁界成分を大とすることは、他部
への漏洩磁束の問題、磁界発生手段の強力化を必要とす
るなどの諸問題が生じる。
【００１４】本発明は、上述したように少くともメモリ
層と記録層とを有して成る光磁気記録媒体を用い、記録
層に対し、初期化磁界を必要とする光磁気記録装置にお
ける上述の諸問題の解決をはかる。
層と記録層とを有して成る光磁気記録媒体を用い、記録
層に対し、初期化磁界を必要とする光磁気記録装置にお
ける上述の諸問題の解決をはかる。
【００１５】即ち、本発明においては、上述したような
メモリ層の記録層による磁化の助成の下に情報の記録を
行い、記録層に対する初期化の外部磁界を必要とするも
のにおいて、新しい事実の発見に基いて、上述した諸問
題の解決をはかるものである。
メモリ層の記録層による磁化の助成の下に情報の記録を
行い、記録層に対する初期化の外部磁界を必要とするも
のにおいて、新しい事実の発見に基いて、上述した諸問
題の解決をはかるものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば図１０
または図１１でその一例の略線的断面図を示すように、
それぞれ希土類−遷移金属磁性薄膜より成る少くともメ
モリ層１と記録層２とが直接的に磁気的に交換結合する
か中間層３を介して順次磁気的に交換結合する光磁気記
録媒体２０に対し、記録層１に対する初期化磁界発生手
段２２を具備する光磁気記録装置において、初期化磁界
発生手段２２の磁極が光磁気記録媒体２０の一方の面に
のみ対向して設けられ、光磁気記録媒体面に対する垂直
方向の磁界成分をＨV とし、面（水平）方向の磁界成分
をＨH とするとき、これらを下記数１及び数２に選定し
た垂直方向磁界ＨV 及び水平方向磁界ＨH を初期化磁界
発生手段２２によって光磁気記録媒体２０に与える。
または図１１でその一例の略線的断面図を示すように、
それぞれ希土類−遷移金属磁性薄膜より成る少くともメ
モリ層１と記録層２とが直接的に磁気的に交換結合する
か中間層３を介して順次磁気的に交換結合する光磁気記
録媒体２０に対し、記録層１に対する初期化磁界発生手
段２２を具備する光磁気記録装置において、初期化磁界
発生手段２２の磁極が光磁気記録媒体２０の一方の面に
のみ対向して設けられ、光磁気記録媒体面に対する垂直
方向の磁界成分をＨV とし、面（水平）方向の磁界成分
をＨH とするとき、これらを下記数１及び数２に選定し
た垂直方向磁界ＨV 及び水平方向磁界ＨH を初期化磁界
発生手段２２によって光磁気記録媒体２０に与える。
【数１】ＨV ≦ＨC2＋ＨW2
【数２】ＨH ＞｛（ＨC2＋ＨW2）−ＨV ｝×１．７ ここに、ＨC2は上記記録層の保磁力、ＨW2は交換結合力
である。尚、この交換結合力ＨW2とは、下記数３で与え
られるものを指称する。
である。尚、この交換結合力ＨW2とは、下記数３で与え
られるものを指称する。
【００１７】
【数３】ＨW2＝σｗ／２ＭS2ｈ2 σｗは、メモリ層１と記録層２とが直接的に積層されて
いる場合は、両者間の磁壁エネルギーであり、両者間に
中間層３が介在されている場合は、中間層３と記録層２
との間の磁壁エネルギーであり、ＭS2及びｈ2 はそれぞ
れ記録層２の飽和磁化及び厚さである。
いる場合は、両者間の磁壁エネルギーであり、両者間に
中間層３が介在されている場合は、中間層３と記録層２
との間の磁壁エネルギーであり、ＭS2及びｈ2 はそれぞ
れ記録層２の飽和磁化及び厚さである。
【００１８】
【作用】上述したように本発明では、積極的に上記数２
で示す水平（面内）磁界ＨH を与えることによって数１
で明らかなように、その垂直成分ＨV を従来に比し小さ
く、つまり、本来必要とされると思われていた記録層２
の保磁力ＨC2と交換結合力ＨW2との和よりむしろ小さく
できるものである。
で示す水平（面内）磁界ＨH を与えることによって数１
で明らかなように、その垂直成分ＨV を従来に比し小さ
く、つまり、本来必要とされると思われていた記録層２
の保磁力ＨC2と交換結合力ＨW2との和よりむしろ小さく
できるものである。
【００１９】このように垂直成分磁界の低減化がはから
れることから本発明においては、記録層２に対する初期
化磁界発生手段２２を光磁気記録媒体２０の一方の面側
にのみ配置し、構成の簡略化、小型化をはかることがで
きるのである。
れることから本発明においては、記録層２に対する初期
化磁界発生手段２２を光磁気記録媒体２０の一方の面側
にのみ配置し、構成の簡略化、小型化をはかることがで
きるのである。
【００２０】
【実施例】本発明は、前述したように、例えば図２にそ
の一例の断面図を示すように、例えばガラス、アクリ
ル、ポリカーボネート等の光透過性基板より成る基体１
１上にそれぞれ非晶質希土類−遷移金属磁性薄膜より成
るメモリ層１と記録層２とが例えば中間層３を介して順
次磁気的に交換結合する光磁気記録媒体２０例えば光磁
気ディスクを用いる。
の一例の断面図を示すように、例えばガラス、アクリ
ル、ポリカーボネート等の光透過性基板より成る基体１
１上にそれぞれ非晶質希土類−遷移金属磁性薄膜より成
るメモリ層１と記録層２とが例えば中間層３を介して順
次磁気的に交換結合する光磁気記録媒体２０例えば光磁
気ディスクを用いる。
【００２１】実施例１ 光磁気記録媒体２０として、ポリカーボネート基板より
成る基体１１上に保護膜または干渉膜となる透明のＳｉ
Ｎ膜より成る誘電体層４を形成し、これの上にメモリ層
１、中間層３、記録層２を順次連続スパッタリングによ
って積層する。更にこれの上に非磁性金属膜或いは誘電
体膜より成る保護膜５を被着形成した光磁気ディスクを
構成した。
成る基体１１上に保護膜または干渉膜となる透明のＳｉ
Ｎ膜より成る誘電体層４を形成し、これの上にメモリ層
１、中間層３、記録層２を順次連続スパッタリングによ
って積層する。更にこれの上に非磁性金属膜或いは誘電
体膜より成る保護膜５を被着形成した光磁気ディスクを
構成した。
【００２２】メモリ層１は、例えば厚さｈ1 を３０ｎｍ
で、キュリー温度ＴC1＝１７５℃、室温での保磁力ＨC1
＝２０ｋＯｅ、飽和磁化ＭS1＝１００ＧのＴb20 （Ｆｅ
91Ｃｏ5 Ｃｒ4 ）80の垂直磁気異方性が大なる遷移金属
優勢膜によって構成する。
で、キュリー温度ＴC1＝１７５℃、室温での保磁力ＨC1
＝２０ｋＯｅ、飽和磁化ＭS1＝１００ＧのＴb20 （Ｆｅ
91Ｃｏ5 Ｃｒ4 ）80の垂直磁気異方性が大なる遷移金属
優勢膜によって構成する。
【００２３】中間層３は、例えば厚さｈ3 ＝３０ｎｍ、
キュリー温度ＴC3＝２５０℃の垂直磁気異方性が小さ
く、飽和磁化ＭS3＝３００ＧのＧｄ45（Ｆｅ91Ｃｏ5 Ｃ
ｒ4） 55によって構成する。
キュリー温度ＴC3＝２５０℃の垂直磁気異方性が小さ
く、飽和磁化ＭS3＝３００ＧのＧｄ45（Ｆｅ91Ｃｏ5 Ｃ
ｒ4） 55によって構成する。
【００２４】記録層２は、例えば、厚さｈ2 ＝７０ｎｍ
で、キュリー温度ＴC2＞３７０℃、補償温度Ｔcomp＝１
９５℃、室温での保磁力ＨC2＝４ｋＯｅ、飽和磁化ＭS
＝１３０Ｇの（Ｇｄ75Ｔｂ25）26（Ｆｅ66Ｃｏ30Ｃ
ｒ4 ）74の垂直磁気異方性が大なる希土類優勢膜によっ
て構成する。
で、キュリー温度ＴC2＞３７０℃、補償温度Ｔcomp＝１
９５℃、室温での保磁力ＨC2＝４ｋＯｅ、飽和磁化ＭS
＝１３０Ｇの（Ｇｄ75Ｔｂ25）26（Ｆｅ66Ｃｏ30Ｃ
ｒ4 ）74の垂直磁気異方性が大なる希土類優勢膜によっ
て構成する。
【００２５】一方、図１で示すように光磁気記録媒体２
０、この例では光磁気ディスクを駆動モータ２５によっ
て回転させ、その回転途上に記録情報の例えば“０”，
“１”に応じて第１及び第２の加熱温度Ｔ1 及びＴ2 を
与えるレーザー光Ｒの照射を基体１０側から行う光ヘッ
ドと、この照射部に記録磁界Ｈexを印加する永久磁石或
いは電磁石より成り、そのＮＳ磁極が媒体２０に対しほ
ぼ垂直方向とされた記録磁界発生手段２１を設ける。
０、この例では光磁気ディスクを駆動モータ２５によっ
て回転させ、その回転途上に記録情報の例えば“０”，
“１”に応じて第１及び第２の加熱温度Ｔ1 及びＴ2 を
与えるレーザー光Ｒの照射を基体１０側から行う光ヘッ
ドと、この照射部に記録磁界Ｈexを印加する永久磁石或
いは電磁石より成り、そのＮＳ磁極が媒体２０に対しほ
ぼ垂直方向とされた記録磁界発生手段２１を設ける。
【００２６】そして、媒体２０の移行においてこの光ヘ
ッド及び記録磁界発生手段２１より後段に、例えば永久
磁石或いは電磁石より成り一定の磁界を記録層２に与え
これに対する初期化を行う初期化磁界発生手段２２を設
ける。
ッド及び記録磁界発生手段２１より後段に、例えば永久
磁石或いは電磁石より成り一定の磁界を記録層２に与え
これに対する初期化を行う初期化磁界発生手段２２を設
ける。
【００２７】この初期化磁界発生手段２２は、図３に模
式的にその光磁気記録媒体２０に対する磁化状態を矢印
をもって示すように、積極的に前記数２の関係を満足す
る光磁気記録媒体２０の面方向に沿う磁界ＨH が発生す
るように、媒体２０の一方の面側にのみ配置し、反対側
に補助磁極或いは磁石等の配置はなされないようにす
る。
式的にその光磁気記録媒体２０に対する磁化状態を矢印
をもって示すように、積極的に前記数２の関係を満足す
る光磁気記録媒体２０の面方向に沿う磁界ＨH が発生す
るように、媒体２０の一方の面側にのみ配置し、反対側
に補助磁極或いは磁石等の配置はなされないようにす
る。
【００２８】そして、手段２１によって光磁気記録媒体
２０の面に対し垂直方向に前記数１で示す関係、実際的
には１ｋＯｅ〜０ｋＯｅの磁界ＨV を印加する。
２０の面に対し垂直方向に前記数１で示す関係、実際的
には１ｋＯｅ〜０ｋＯｅの磁界ＨV を印加する。
【００２９】つまり、実際的には、面方向磁界ＨH は、
前記数２において、ＨV の値とし、ＨV ＝１ｋＯｅとＨ
V ＝１０ｋＯｅを代入した範囲内に選定することが望ま
しい。
前記数２において、ＨV の値とし、ＨV ＝１ｋＯｅとＨ
V ＝１０ｋＯｅを代入した範囲内に選定することが望ま
しい。
【００３０】上述した構造による光磁気記録媒体２０に
対する記録は、特開平２−２４８０１号公報に開示され
た方法と同様にして行われる。即ち、この場合、図４に
温度Ｔに対応して上述したメモリ層１及び記録層２にお
ける各磁化状態を各層中に、矢印を付して模式的に示す
ように、室温ＴR 下において、両磁性層１及び２の磁化
の向きが同一である状態Ａと、互いに逆向きの状態Ｂと
の２態様によって例えば“０”，“１”の情報の記録が
なされる。そして、これら記録は、外部磁界（記録磁界
と略称する）Ｈexの印加と、レーザー光の低パワーＰL
照射による第１の加熱温度Ｔ1 と高パワーＰH による第
２の加熱温度Ｔ2 とによる加熱によって行われる。
対する記録は、特開平２−２４８０１号公報に開示され
た方法と同様にして行われる。即ち、この場合、図４に
温度Ｔに対応して上述したメモリ層１及び記録層２にお
ける各磁化状態を各層中に、矢印を付して模式的に示す
ように、室温ＴR 下において、両磁性層１及び２の磁化
の向きが同一である状態Ａと、互いに逆向きの状態Ｂと
の２態様によって例えば“０”，“１”の情報の記録が
なされる。そして、これら記録は、外部磁界（記録磁界
と略称する）Ｈexの印加と、レーザー光の低パワーＰL
照射による第１の加熱温度Ｔ1 と高パワーＰH による第
２の加熱温度Ｔ2 とによる加熱によって行われる。
【００３１】まず例えば状態Ａにある部位に対してレー
ザー光を照射して、このレーザー光のパワーＰH 及びＰ
L を記録信号に応じて変調制御してその加熱温度Ｔを、
メモリ層１のほぼキュリー温度ＴC1以上でかつ所要の外
部磁場Ｈexによって記録層２に磁化反転の生じない第１
の加熱温度Ｔ1 に加熱する。このような加熱を行うとメ
モリ層１は磁化を失う状態Ｃを示すが、この加熱が終了
してメモリ層１及び記録層２の積層膜が温度ＴC1以下に
下がるとメモリ層１に磁化が生じる。このとき、メモリ
層２との交換結合力が支配的となるようになされてい
て、これによってメモリ層１の磁化の向きは、記録層２
と同一の向きとされる。つまり状態Ａを生じさせて、例
えば“０”の情報の記録を行う。
ザー光を照射して、このレーザー光のパワーＰH 及びＰ
L を記録信号に応じて変調制御してその加熱温度Ｔを、
メモリ層１のほぼキュリー温度ＴC1以上でかつ所要の外
部磁場Ｈexによって記録層２に磁化反転の生じない第１
の加熱温度Ｔ1 に加熱する。このような加熱を行うとメ
モリ層１は磁化を失う状態Ｃを示すが、この加熱が終了
してメモリ層１及び記録層２の積層膜が温度ＴC1以下に
下がるとメモリ層１に磁化が生じる。このとき、メモリ
層２との交換結合力が支配的となるようになされてい
て、これによってメモリ層１の磁化の向きは、記録層２
と同一の向きとされる。つまり状態Ａを生じさせて、例
えば“０”の情報の記録を行う。
【００３２】一方、加熱温度Ｔを、上述の温度Ｔ1 以上
でかつ記録層２の磁化を外部磁場Ｈ exにより反転させる
に充分な第２の加熱温度Ｔ2 に加熱する。このような加
熱を行うとメモリ層１は磁化を失い、記録層２の磁化が
反転した状態Ｄが生じるが、この加熱が終了して両層１
及び２の積層膜が温度ＴC1に下がるとメモリ層１に記録
層２による交換結合力によって状態Ｅ、即ち元の初期状
態とその磁化の向きが逆の状態が形成されるが、このと
き外部磁場Ｈi の印加によって室温ＴR 近傍で記録層２
の磁化の向きを反転させ両層１及び２の間には中間層３
によって磁壁エネルギーの制御によって所要の磁壁が生
じた磁化状態Ｂ、つまり磁化状態Ａとはメモリ層１の磁
化の向きのみが反転した状態Ｂを生じさせて例えば
“１”の情報の記録を行う。
でかつ記録層２の磁化を外部磁場Ｈ exにより反転させる
に充分な第２の加熱温度Ｔ2 に加熱する。このような加
熱を行うとメモリ層１は磁化を失い、記録層２の磁化が
反転した状態Ｄが生じるが、この加熱が終了して両層１
及び２の積層膜が温度ＴC1に下がるとメモリ層１に記録
層２による交換結合力によって状態Ｅ、即ち元の初期状
態とその磁化の向きが逆の状態が形成されるが、このと
き外部磁場Ｈi の印加によって室温ＴR 近傍で記録層２
の磁化の向きを反転させ両層１及び２の間には中間層３
によって磁壁エネルギーの制御によって所要の磁壁が生
じた磁化状態Ｂ、つまり磁化状態Ａとはメモリ層１の磁
化の向きのみが反転した状態Ｂを生じさせて例えば
“１”の情報の記録を行う。
【００３３】このような状態Ａ及び状態Ｂにより情報
“０”，“１”の記録がなされるものである。そして、
この場合これら状態Ａ及び状態Ｂのいずれにおいてもこ
れの上に光強度変調オーバライトが可能である。即ちい
ずれの状態Ａ、状態Ｂからも温度Ｔ1 及びＴ2 の加熱を
行う場合、状態Ｃの過程を経ることによって前述したと
同様に温度Ｔ1 及びＴ2 の選定によって初期の状態が状
態Ａであるか状態Ｂであるかを問わず情報“０”及び
“１”によって次の状態Ａ及び状態Ｂのオーバライトが
可能となる。
“０”，“１”の記録がなされるものである。そして、
この場合これら状態Ａ及び状態Ｂのいずれにおいてもこ
れの上に光強度変調オーバライトが可能である。即ちい
ずれの状態Ａ、状態Ｂからも温度Ｔ1 及びＴ2 の加熱を
行う場合、状態Ｃの過程を経ることによって前述したと
同様に温度Ｔ1 及びＴ2 の選定によって初期の状態が状
態Ａであるか状態Ｂであるかを問わず情報“０”及び
“１”によって次の状態Ａ及び状態Ｂのオーバライトが
可能となる。
【００３４】そして、この光磁気記録媒体２０からの情
報の読み出しは、情報書き込みのレーザー光より充分パ
ワーの小さいレーザー光照射によって、光磁気相互作
用、即ちカー効果、ないしはファラデー効果による直線
偏光の偏光面の回転を光強度の変化として、これを電気
的出力に変換して検出する。
報の読み出しは、情報書き込みのレーザー光より充分パ
ワーの小さいレーザー光照射によって、光磁気相互作
用、即ちカー効果、ないしはファラデー効果による直線
偏光の偏光面の回転を光強度の変化として、これを電気
的出力に変換して検出する。
【００３５】そして上述した実施例１の光磁気記録媒体
２０について記録層２の初期化が可能なＨV とＨH との
関係を測定したところ、図５に示す直線ａより右側領域
（斜線で示す側）で記録層２の初期化が良好になされ
た。そして、この図５の直線ａは、ＨC2＋ＨW2の値に応
じて平行移動するものであり、数２の関係が見出され
た。
２０について記録層２の初期化が可能なＨV とＨH との
関係を測定したところ、図５に示す直線ａより右側領域
（斜線で示す側）で記録層２の初期化が良好になされ
た。そして、この図５の直線ａは、ＨC2＋ＨW2の値に応
じて平行移動するものであり、数２の関係が見出され
た。
【００３６】尚、実用的には、ＨV は１ｋＯｅ〜１０ｋ
Ｏｅが好ましい。これは１ｋＯｅ未満では確実に記録層
２の初期化を行うに問題が生じる場合があり、１０ｋＯ
ｅを超えるとメモリ層１の磁化状態に不安定性が生じる
場合があることに因る。
Ｏｅが好ましい。これは１ｋＯｅ未満では確実に記録層
２の初期化を行うに問題が生じる場合があり、１０ｋＯ
ｅを超えるとメモリ層１の磁化状態に不安定性が生じる
場合があることに因る。
【００３７】次に、図３の本発明装置による初期化磁界
の印加態様と、図５に示すように、光磁気記録媒体２０
を挟んで、対の磁界発生用の磁石２２を配置して、殆ん
ど垂直磁界成分ＨV のみを与える構成を採る場合（以下
従来例という）のエラーレートを測定した結果を図６に
示す。横軸は記録／読み出し繰返し回数、縦軸にバイト
エラーレートの測定結果を示す。□印は図５で示した従
来例による場合、○印は上述の実施例１による場合で、
この場合、記録パワーＰH を１．８ｍＷ，ＰL を５．５
ｍＷとし、磁界Ｈex＝３００（Ｏｅ）とした場合で、図
５の構成の従来例では初期化磁界を４．０ｋＯｅ、本発
明においては２．５ｋＯｅとした。この図６をみると、
エラーレートの増加は実質的に問題が生じない程度であ
る。また、本発明実施例と従来例の上述の第１の温度Ｔ
1 及びＴ2 による、即ちレーザーパワーＰH とＰL とオ
ーバライト可能な領域を測定した結果をそれぞれ図７及
び図８に斜線を付して示す。これらを比較して明らかな
ようにオーバライトに関するＰH 及びＰL の各マージン
も殆んど遜色がない。
の印加態様と、図５に示すように、光磁気記録媒体２０
を挟んで、対の磁界発生用の磁石２２を配置して、殆ん
ど垂直磁界成分ＨV のみを与える構成を採る場合（以下
従来例という）のエラーレートを測定した結果を図６に
示す。横軸は記録／読み出し繰返し回数、縦軸にバイト
エラーレートの測定結果を示す。□印は図５で示した従
来例による場合、○印は上述の実施例１による場合で、
この場合、記録パワーＰH を１．８ｍＷ，ＰL を５．５
ｍＷとし、磁界Ｈex＝３００（Ｏｅ）とした場合で、図
５の構成の従来例では初期化磁界を４．０ｋＯｅ、本発
明においては２．５ｋＯｅとした。この図６をみると、
エラーレートの増加は実質的に問題が生じない程度であ
る。また、本発明実施例と従来例の上述の第１の温度Ｔ
1 及びＴ2 による、即ちレーザーパワーＰH とＰL とオ
ーバライト可能な領域を測定した結果をそれぞれ図７及
び図８に斜線を付して示す。これらを比較して明らかな
ようにオーバライトに関するＰH 及びＰL の各マージン
も殆んど遜色がない。
【００３８】尚、上述した例では、光磁気記録媒体２０
の磁性層が、メモリ層１と中間層３と記録層２との３層
の積層構造による場合について示したが、メモリ層１及
び記録層２の一方、若しくは双方の特性の選定から、こ
れらを更に２層以上の多層構造とする場合や、中間層３
を省略した構造などメモリ層と記録層とを有する種々の
構成を採るものに適用できる。
の磁性層が、メモリ層１と中間層３と記録層２との３層
の積層構造による場合について示したが、メモリ層１及
び記録層２の一方、若しくは双方の特性の選定から、こ
れらを更に２層以上の多層構造とする場合や、中間層３
を省略した構造などメモリ層と記録層とを有する種々の
構成を採るものに適用できる。
【００３９】
【発明の効果】上述したように本発明においては、少く
ともメモリ層１と、記録層２とを有する光磁気記録媒体
を用い、記録層２に対する初期化を必要とする記録装置
において、その初期化磁界として積極的に水平（面方
向）磁界成分ＨH を、垂直磁界成分ＨV との関係におい
て数２で示した所定の関係に選定することによって、磁
界ＨV の格段的低減化がはかられ、これにより、発生手
段２２を、光磁気記録媒体２０の一方の面側のみに配置
でき、かつこのような配置を持って構成の簡略化、占有
面積の縮小化、更に、磁界Ｈi の低減化によって強い磁
石等を用いることが回避でき、磁束漏洩の低減化もはか
ることができるなど多くの利益を有する。
ともメモリ層１と、記録層２とを有する光磁気記録媒体
を用い、記録層２に対する初期化を必要とする記録装置
において、その初期化磁界として積極的に水平（面方
向）磁界成分ＨH を、垂直磁界成分ＨV との関係におい
て数２で示した所定の関係に選定することによって、磁
界ＨV の格段的低減化がはかられ、これにより、発生手
段２２を、光磁気記録媒体２０の一方の面側のみに配置
でき、かつこのような配置を持って構成の簡略化、占有
面積の縮小化、更に、磁界Ｈi の低減化によって強い磁
石等を用いることが回避でき、磁束漏洩の低減化もはか
ることができるなど多くの利益を有する。
【図１】本発明の説明に供する光磁気記録装置の一例の
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明装置で用いる光磁気記録媒体の一例の断
面図である。
面図である。
【図３】本発明における記録層の初期化磁束分布図であ
る。
る。
【図４】本発明装置の一例の説明に供する磁化状態図で
ある。
ある。
【図５】記録層の初期化可能領域を示す図である。
【図６】従来例における記録層の初期化磁束分布図であ
る。
る。
【図７】エラーレートの測定結果を示す図である。
【図８】本発明装置のオーバライト可能領域の測定結果
を示す図である。
を示す図である。
【図９】従来例のオーバライト可能領域の測定結果を示
す図である。
す図である。
【図１０】光磁気記録媒体の断面図である。
【図１１】光磁気記録媒体の断面図である。
１ メモリ層 ２ 記録層 ３ 中間層 ２０ 光磁気記録媒体 ２１ 記録磁界発生手段 ２２ 記録層の初期化磁界発生手段
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 それぞれ希土類−遷移金属磁性薄膜より
成る少くともメモリ層と記録層とが直接的に磁気的に交
換結合するか中間層を介して順次磁気的に交換結合する
光磁気記録媒体に対し、上記記録層に対する初期化磁界
発生手段を具備する光磁気記録装置において、 上記初期化磁界発生手段の磁極が上記光磁気記録媒体の
面にのみ対向して設けられ、 上記磁気記録媒体面に対する垂直方向の磁界成分をＨV
とし、面方向の磁界成分をＨH とするとき、 ＨV ≦ＨC2＋ＨW2 ＨH ＞｛（ＨC2＋ＨW2）−ＨV ｝×１．７ （ここに、ＨC2は上記記録層の保磁力、ＨW2は交換結合
力）の各垂直方向磁界成分及び面方向磁界成分を上記初
期化磁界発生手段によって上記光磁気記録媒体に与える
ようにしたことを特徴とする光磁気記録装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3190143A JPH0536141A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 光磁気記録装置 |
| EP92112810A EP0525705B1 (en) | 1991-07-30 | 1992-07-27 | Magneto-optical recording apparatus |
| DE69231603T DE69231603T2 (de) | 1991-07-30 | 1992-07-27 | Magneto-optisches Aufzeichnungsgerät |
| US07/920,844 US5353171A (en) | 1991-07-30 | 1992-07-28 | Magneto-optical recording apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3190143A JPH0536141A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 光磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536141A true JPH0536141A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16253122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3190143A Pending JPH0536141A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 光磁気記録装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5353171A (ja) |
| EP (1) | EP0525705B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0536141A (ja) |
| DE (1) | DE69231603T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011126125A1 (ja) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | 曙ブレーキ工業株式会社 | フローティング型ディスクブレーキとその組立方法並びにパッドクリップとリターンスプリングとの組立体 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644566A (en) * | 1994-05-24 | 1997-07-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
| JPH10312594A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体 |
| DE19756458A1 (de) * | 1997-12-18 | 1999-06-24 | Thomson Brandt Gmbh | Magneto-optisches Aufzeichnungs- oder Wiedergabegerät |
| US20100002326A1 (en) * | 2006-05-11 | 2010-01-07 | Ade Technologies, Inc. | Method and system for perpendicular magnetic media metrology |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0695404B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1994-11-24 | ソニー株式会社 | 光磁気記録方法 |
| CA1322408C (en) * | 1986-08-20 | 1993-09-21 | Tomiji Tanaka | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled double layer structure of perpendicular anisotropy film |
| JPS6352354A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-05 | Sony Corp | 熱磁気記録方法 |
| JP2762435B2 (ja) * | 1987-04-24 | 1998-06-04 | ソニー株式会社 | 熱磁気記録方法 |
| JPH0227548A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Nikon Corp | 小型化されたｏｗ型光磁気記録装置 |
| JP2653523B2 (ja) * | 1989-09-08 | 1997-09-17 | シャープ株式会社 | 光磁気メモリ素子の記録再生方法並びにその装置 |
| US5270994A (en) * | 1989-09-08 | 1993-12-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording and reading method |
| JP2574911B2 (ja) * | 1990-01-10 | 1997-01-22 | シャープ株式会社 | 光磁気記録方法 |
| JPH04134741A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Nikon Corp | ４層膜構造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| US5263015A (en) * | 1990-11-21 | 1993-11-16 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording media and overwrite recording method using the same |
| US5241520A (en) * | 1990-12-28 | 1993-08-31 | Sony Corporation | System and method of reproducing signals recorded on a magneto-optic recording medium |
| JP2812817B2 (ja) * | 1991-07-08 | 1998-10-22 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH05101472A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Sony Corp | 光磁気記録再生方式 |
| JP3601909B2 (ja) * | 1996-08-05 | 2004-12-15 | Ｊｆｅ継手株式会社 | 径方向寸法より軸方向寸法が大きい管継手の鋳造方法 |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP3190143A patent/JPH0536141A/ja active Pending
-
1992
- 1992-07-27 DE DE69231603T patent/DE69231603T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-27 EP EP92112810A patent/EP0525705B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-28 US US07/920,844 patent/US5353171A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011126125A1 (ja) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | 曙ブレーキ工業株式会社 | フローティング型ディスクブレーキとその組立方法並びにパッドクリップとリターンスプリングとの組立体 |
| US8869950B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-10-28 | Akebono Brake Industry Co., Ltd. | Floating disc brake, method of assembling same, and assemblies consisting of pad clips and return springs |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5353171A (en) | 1994-10-04 |
| DE69231603D1 (de) | 2001-01-25 |
| EP0525705A2 (en) | 1993-02-03 |
| DE69231603T2 (de) | 2001-05-17 |
| EP0525705A3 (en) | 1993-09-08 |
| EP0525705B1 (en) | 2000-12-20 |
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