JP2653523B2 - 光磁気メモリ素子の記録再生方法並びにその装置 - Google Patents
光磁気メモリ素子の記録再生方法並びにその装置Info
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- G11B19/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は少なくとも２層の磁性薄膜、例えば、メモリ
層と補助層とを備え、光変調によりオーバライト方式で
記録再生を行うようにした光磁気メモリ素子への記録再
生方法並びにその装置に関するものである。
層と補助層とを備え、光変調によりオーバライト方式で
記録再生を行うようにした光磁気メモリ素子への記録再
生方法並びにその装置に関するものである。
光変調による光磁気メモリ素子へのオーバライト方法
を第３図〜第６図を用いて説明する。
を第３図〜第６図を用いて説明する。
特開昭62−175948号公報に開示される如く、光変調方
式により記録を行う光磁気メモリ素子１（第６図参照）
は、その温度と保磁力との関係を第５図に模式的に直線
Ｉで示すように、室温での保磁力H1が大きく、保磁力が
ほぼ“0"となる温度であるキュリー点T1が比較的低温で
ある材料からなるメモリ層２（第３図参照）と、第５図
に模式的に直線IIで示すように、室温での保磁力H2が比
較的小さく、キュリー点T2がメモリ層２より高い材料か
らなる補助層３とを備えている。
式により記録を行う光磁気メモリ素子１（第６図参照）
は、その温度と保磁力との関係を第５図に模式的に直線
Ｉで示すように、室温での保磁力H1が大きく、保磁力が
ほぼ“0"となる温度であるキュリー点T1が比較的低温で
ある材料からなるメモリ層２（第３図参照）と、第５図
に模式的に直線IIで示すように、室温での保磁力H2が比
較的小さく、キュリー点T2がメモリ層２より高い材料か
らなる補助層３とを備えている。
第６図にも示すように、上記の光磁気メモリ素子１へ
の記録再生を行う記録再生装置は、高低２レベルのレー
ザ光強度変調を行いながら、光磁気メモリ素子１にレー
ザ光を照射するレーザ光源（図示せず）と対物レンズ４
とを含む光ヘッド５と、記録磁場Hwを印加する記録磁場
印加手段６と、初期化磁場Hiniを印加する初期化磁場印
加手段７とを備えている。なお、光磁気メモリ素子１
は、より具体的には、例えば、基板10上に、エンハンス
層11と、メモリ層２及び補助層３からなる磁性層８と、
保護層12と、保護コート層13とを順次積層した構成から
なり、スピンドルモータ14により所定の回転速度で回転
されるようになっている。
の記録再生を行う記録再生装置は、高低２レベルのレー
ザ光強度変調を行いながら、光磁気メモリ素子１にレー
ザ光を照射するレーザ光源（図示せず）と対物レンズ４
とを含む光ヘッド５と、記録磁場Hwを印加する記録磁場
印加手段６と、初期化磁場Hiniを印加する初期化磁場印
加手段７とを備えている。なお、光磁気メモリ素子１
は、より具体的には、例えば、基板10上に、エンハンス
層11と、メモリ層２及び補助層３からなる磁性層８と、
保護層12と、保護コート層13とを順次積層した構成から
なり、スピンドルモータ14により所定の回転速度で回転
されるようになっている。
次に、オーバライトの手順につき説明する。初期化に
おいては第３図に示す方向に初期化磁場Hiniを印加する
ことにより補助層３の磁化のみを一方向、つまり、図中
下向きに揃える。なお、初期化は常時行われるか、又
は、記録時のみに行われる。この時、第５図の如く、メ
モリ層２の保磁力H1は初期化磁場Hiniより大きいので、
メモリ層２の磁化の反転は生じない。
おいては第３図に示す方向に初期化磁場Hiniを印加する
ことにより補助層３の磁化のみを一方向、つまり、図中
下向きに揃える。なお、初期化は常時行われるか、又
は、記録時のみに行われる。この時、第５図の如く、メ
モリ層２の保磁力H1は初期化磁場Hiniより大きいので、
メモリ層２の磁化の反転は生じない。
記録は記録磁場Hwを印加しながら、高低２レベルに強
度変調されるレーザ光を照射することにより行う。すな
わち、第４図にＩで示す高レベルのレーザ光が照射され
ると、メモリ層２及び補助層３がともにキュリー点T1・
T2付近又はそれ以上となる温度THまで昇温し、同図にII
で示す低レベルのレーザ光が照射されると、メモリ層２
のみがキュリー点T1又はそれ以上となる温度TLまで昇温
するように設定されている。
度変調されるレーザ光を照射することにより行う。すな
わち、第４図にＩで示す高レベルのレーザ光が照射され
ると、メモリ層２及び補助層３がともにキュリー点T1・
T2付近又はそれ以上となる温度THまで昇温し、同図にII
で示す低レベルのレーザ光が照射されると、メモリ層２
のみがキュリー点T1又はそれ以上となる温度TLまで昇温
するように設定されている。
従って、高レベルのレーザ光が照射されると、補助層
３の磁化は、記録磁場Hwにより第３図の上向きに反転
し、メモリ層２の磁化の向きは冷却の過程で界面に作用
する交換力により補助層３の磁化の向きと一致する。従
って、メモリ層２の磁化の向きは上向きとなる。
３の磁化は、記録磁場Hwにより第３図の上向きに反転
し、メモリ層２の磁化の向きは冷却の過程で界面に作用
する交換力により補助層３の磁化の向きと一致する。従
って、メモリ層２の磁化の向きは上向きとなる。
一方低レベルのレーザ光が照射されると、補助層３の
磁化は記録磁場Hwの影響で反転することはなく、この場
合も、メモリ層２の磁化の向きは、やはり冷却の過程で
補助層３の磁場の向きと一致することになる。従って、
メモリ層２の磁化の向きは第３図中下向きとなる。な
お、第５図に示す如く、記録磁場Hwは初期化磁場Hiniよ
りかなり小さくなるように設定されている。更に、第４
図にIIIで示すように、再生時のレーザ光の強度は、記
録時よりもかなり低い値に設定されている。
磁化は記録磁場Hwの影響で反転することはなく、この場
合も、メモリ層２の磁化の向きは、やはり冷却の過程で
補助層３の磁場の向きと一致することになる。従って、
メモリ層２の磁化の向きは第３図中下向きとなる。な
お、第５図に示す如く、記録磁場Hwは初期化磁場Hiniよ
りかなり小さくなるように設定されている。更に、第４
図にIIIで示すように、再生時のレーザ光の強度は、記
録時よりもかなり低い値に設定されている。
ところが、上記のようなオーバライト方法では、記録
再生装置に記録磁場印加手段６と初期化磁場印加手段７
とを別個に設ける必要がある（SPIE Vol.1078 Optical
Data Storage Topical Meeting（1989）p258−264、Fi
g.4参照）。
再生装置に記録磁場印加手段６と初期化磁場印加手段７
とを別個に設ける必要がある（SPIE Vol.1078 Optical
Data Storage Topical Meeting（1989）p258−264、Fi
g.4参照）。
このように、記録磁場発生手段６と初期化磁場発生手
段７とを個別に設けることは、光磁気メモリ素子１がカ
ートリッジケース等で被覆されていない場合（例えば、
いわゆる、コンパクトディスクのような形態の場合）に
はオーバライトが可能であるが、光磁気メモリ素子１が
カートリッジケース等に覆われている場合（例えば、い
わゆる、フロッピーディスクのような形態の場合）、記
録磁場印加手段６と初期化磁場印加手段７の双方を光磁
気メモリ素子１に対する磁場の印加が行えるように設置
するスペースを確保することが困難であるため、上記の
オーバライト方法を実施することが不可能であった。
段７とを個別に設けることは、光磁気メモリ素子１がカ
ートリッジケース等で被覆されていない場合（例えば、
いわゆる、コンパクトディスクのような形態の場合）に
はオーバライトが可能であるが、光磁気メモリ素子１が
カートリッジケース等に覆われている場合（例えば、い
わゆる、フロッピーディスクのような形態の場合）、記
録磁場印加手段６と初期化磁場印加手段７の双方を光磁
気メモリ素子１に対する磁場の印加が行えるように設置
するスペースを確保することが困難であるため、上記の
オーバライト方法を実施することが不可能であった。
本発明は、上記課題を解決するものであり、少なくと
も、２層の磁性薄膜が磁気的に結合されて積層された第
１、第２磁性層を有する光磁気メモリ素子に、記録磁場
と初期化磁場とを用いて光変調によりオーバーライト方
式で記録再生する記録再生方法において、第１磁性層は
室温の保持力H1でキュリー点T1、第２の磁性層は第１磁
性層より小さい室温の保持力H2で第１磁性層より高いキ
ュリー点T2を有してなり、記録磁場Hwの印加と光変調さ
れたレーザ光の照射により第２磁性層の磁化方向を変化
させ、該第２磁性層の磁化方向に、第１、第２磁性層の
界面に作用する交換力により第１磁性層の磁化方向を一
致させて記録するとともに、保持力H1とH2の間に設定さ
れた初期化磁場Hiniを、記録再生装置への光磁気メモリ
素子のセット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消
去等の確認時のみに印加して、第２磁性層の磁化方向
を、初期化磁場の磁場印加方向に初期化するようにした
ことを特徴とするものである。
も、２層の磁性薄膜が磁気的に結合されて積層された第
１、第２磁性層を有する光磁気メモリ素子に、記録磁場
と初期化磁場とを用いて光変調によりオーバーライト方
式で記録再生する記録再生方法において、第１磁性層は
室温の保持力H1でキュリー点T1、第２の磁性層は第１磁
性層より小さい室温の保持力H2で第１磁性層より高いキ
ュリー点T2を有してなり、記録磁場Hwの印加と光変調さ
れたレーザ光の照射により第２磁性層の磁化方向を変化
させ、該第２磁性層の磁化方向に、第１、第２磁性層の
界面に作用する交換力により第１磁性層の磁化方向を一
致させて記録するとともに、保持力H1とH2の間に設定さ
れた初期化磁場Hiniを、記録再生装置への光磁気メモリ
素子のセット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消
去等の確認時のみに印加して、第２磁性層の磁化方向
を、初期化磁場の磁場印加方向に初期化するようにした
ことを特徴とするものである。
また、光磁気メモリ素子の記録再生装置は、少なくと
も、２層の磁性薄膜が磁気的に結合されて積層された第
１、第２磁性層を有する光磁気メモリ素子に、記録磁場
と初期化磁場とを用いて光変調によりオーバーライト方
式で記録再生する記録再生装置において、第１磁性層は
室温の保持力H1でキュリー点T1、第２磁性層は第１磁性
層より小さい室温の保持力H2で第１磁性層より高いキュ
リー点T2を有してなり、同一位置において、記録磁場Hw
の印加と光変調されたレーザ光の照射により第２磁性層
の磁化方向を変化させ、該第２磁性層の磁化方向に、第
１、第２磁性層の界面に作用する交換力により第１磁性
層の磁化方向を一致させて記録する記録手段と、保持力
H1とH2の間に設定された初期化磁場Hiniを、記録再生装
置への光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記録
終了時及び記録・消去等の確認時のみに印加して、第２
磁性層の磁化方向を、初期化磁場の磁場印加方向に初期
化する初期手段とを備えてなることを特徴とする。
も、２層の磁性薄膜が磁気的に結合されて積層された第
１、第２磁性層を有する光磁気メモリ素子に、記録磁場
と初期化磁場とを用いて光変調によりオーバーライト方
式で記録再生する記録再生装置において、第１磁性層は
室温の保持力H1でキュリー点T1、第２磁性層は第１磁性
層より小さい室温の保持力H2で第１磁性層より高いキュ
リー点T2を有してなり、同一位置において、記録磁場Hw
の印加と光変調されたレーザ光の照射により第２磁性層
の磁化方向を変化させ、該第２磁性層の磁化方向に、第
１、第２磁性層の界面に作用する交換力により第１磁性
層の磁化方向を一致させて記録する記録手段と、保持力
H1とH2の間に設定された初期化磁場Hiniを、記録再生装
置への光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記録
終了時及び記録・消去等の確認時のみに印加して、第２
磁性層の磁化方向を、初期化磁場の磁場印加方向に初期
化する初期手段とを備えてなることを特徴とする。
なお、記録磁場Hwと、初期化磁場Hiniの印加手段は、
例えば、同一の電磁石とからなり、記録時、初期化時
に、磁場の大きさ及び磁場方向を選択する磁場制御手段
を備えてなるものである。
例えば、同一の電磁石とからなり、記録時、初期化時
に、磁場の大きさ及び磁場方向を選択する磁場制御手段
を備えてなるものである。
また、記録磁場Hwと、初期化磁場Hiniの印加手段は、
互いに異なる磁石からなり、記録時、初期化時に切り替
えて光磁気メモリ素子に対抗させる磁石交互移動手段を
備えてなるものであっても良い。
互いに異なる磁石からなり、記録時、初期化時に切り替
えて光磁気メモリ素子に対抗させる磁石交互移動手段を
備えてなるものであっても良い。
上記した本発明の光磁気メモリ素子の記録再生方法に
よれば、少なくとも２層の磁性薄膜が磁気的に結合され
て積層されてなる磁性層を有する光磁気メモリ素子にオ
ーバライト方式で記録再生を行うに際し、記録再生位置
への光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記録終
了時及び記録・消去の確認時のみに初期化磁場の印加を
行うようにし、換言すれば、初期化磁場と記録磁場を同
時には印加しないようにしたので、記録磁場の印加と初
期化磁場の印加とを同一位置で行うことができるように
なり、その結果、例えば、カートリッジケース等に収納
された光磁気メモリ素子に対してもオーバライトによる
記録が可能となる。又、記録再生位置への光磁気メモリ
素子のセット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消
去の確認時のみに初期化磁場を印加するようにすれば、
上記少なくとも２層の磁性薄膜のうち初期化の必要な磁
性薄膜は常時初期化された状態となるので、初期化のた
めの時間を別に設けることなく、記録を行おうとする位
置に、所望の時点でオーバライトが行える。
よれば、少なくとも２層の磁性薄膜が磁気的に結合され
て積層されてなる磁性層を有する光磁気メモリ素子にオ
ーバライト方式で記録再生を行うに際し、記録再生位置
への光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記録終
了時及び記録・消去の確認時のみに初期化磁場の印加を
行うようにし、換言すれば、初期化磁場と記録磁場を同
時には印加しないようにしたので、記録磁場の印加と初
期化磁場の印加とを同一位置で行うことができるように
なり、その結果、例えば、カートリッジケース等に収納
された光磁気メモリ素子に対してもオーバライトによる
記録が可能となる。又、記録再生位置への光磁気メモリ
素子のセット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消
去の確認時のみに初期化磁場を印加するようにすれば、
上記少なくとも２層の磁性薄膜のうち初期化の必要な磁
性薄膜は常時初期化された状態となるので、初期化のた
めの時間を別に設けることなく、記録を行おうとする位
置に、所望の時点でオーバライトが行える。
又、本発明に係る光磁気メモリ素子の記録再生装置
は、光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記録終
了時及び記録・消去等の確認時のみに初期化磁場の印加
するようにしている。このように、記録磁場の印加と初
期化磁場の印加とを同時には行わないようにするととも
に、記録磁場印加手段による記録磁場の印加と初期化磁
場印加手段による初期化磁場の印加とを同一位置で行う
ようにしたので、例えば、カートリッジケース等に収納
された光磁気メモリ素子に対してもオーバライトによる
記録が可能となる。又、上記したように、光磁気メモリ
素子のセット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消
去の確認時のみに初期化磁場を印加するようにすれば、
上記少なくとも２層の磁性薄膜のうち初期化の必要な磁
性薄膜は常時初期化された状態となるので、初期化のた
めの時間を別に設けることなく、記録を行おうとする位
置に、所望の時点でオーバライトが行える。
は、光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記録終
了時及び記録・消去等の確認時のみに初期化磁場の印加
するようにしている。このように、記録磁場の印加と初
期化磁場の印加とを同時には行わないようにするととも
に、記録磁場印加手段による記録磁場の印加と初期化磁
場印加手段による初期化磁場の印加とを同一位置で行う
ようにしたので、例えば、カートリッジケース等に収納
された光磁気メモリ素子に対してもオーバライトによる
記録が可能となる。又、上記したように、光磁気メモリ
素子のセット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消
去の確認時のみに初期化磁場を印加するようにすれば、
上記少なくとも２層の磁性薄膜のうち初期化の必要な磁
性薄膜は常時初期化された状態となるので、初期化のた
めの時間を別に設けることなく、記録を行おうとする位
置に、所望の時点でオーバライトが行える。
更に、記録磁場印加手段と初期化磁場印加手段とを同
一の電磁石で構成すれば、部品点数の削減を図ることが
できる。その場合、記録磁場と初期化磁場の切換えは、
例えば、上記電磁石に流す電流量又は電流の向きを調整
することにより行える。
一の電磁石で構成すれば、部品点数の削減を図ることが
できる。その場合、記録磁場と初期化磁場の切換えは、
例えば、上記電磁石に流す電流量又は電流の向きを調整
することにより行える。
〔実施例１〕 本明細書の特許請求の範囲の欄の請求項１〜３項に関
連する本発明の一実施例を第１図及び第３図〜第５図に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
連する本発明の一実施例を第１図及び第３図〜第５図に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
第１図に示すように、光磁気メモリ素子20はガラス又
は透光性の樹脂等からなる基板21上に、再生時に再生信
号をエンハンスするための透光性のエンハンス層22、磁
性層23、保護層24及び保護コート層25を順次積層して構
成されている。なお、光磁気メモリ素子20は図示しない
カートリッジケースに収納されている。
は透光性の樹脂等からなる基板21上に、再生時に再生信
号をエンハンスするための透光性のエンハンス層22、磁
性層23、保護層24及び保護コート層25を順次積層して構
成されている。なお、光磁気メモリ素子20は図示しない
カートリッジケースに収納されている。
第３図にも示すように、磁性層23は、従来と同様、室
温での保磁力H1が大きく、保磁力がほぼ“0"となる温度
であるキュリー点T1の比較的低い材料からなるメモリ層
26（第５図の模式的な直線Ｉ参照）と、室温での保磁力
H2が比較的小さく、キュリー点T2の高い材料からなる補
助層27（第５図の模式的な直線II参照）とを備えてい
る。
温での保磁力H1が大きく、保磁力がほぼ“0"となる温度
であるキュリー点T1の比較的低い材料からなるメモリ層
26（第５図の模式的な直線Ｉ参照）と、室温での保磁力
H2が比較的小さく、キュリー点T2の高い材料からなる補
助層27（第５図の模式的な直線II参照）とを備えてい
る。
光磁気メモリ素子20に、オーバライト方式で記録再生
を行うための記録再生装置28は、光磁気メモリ素子20を
所定回転速度で回転させるスピンドルモータ29と、図示
しないレーザ光源及び対物レンズ30を含む光ヘッド31
と、記録時に記録信号に応じて上記レーザ光源から照射
するレーザビームの強度を第４図にＩ及びIIで示すよう
に、高低２レベルに変調する図示しないビーム制御手段
とを備えている。
を行うための記録再生装置28は、光磁気メモリ素子20を
所定回転速度で回転させるスピンドルモータ29と、図示
しないレーザ光源及び対物レンズ30を含む光ヘッド31
と、記録時に記録信号に応じて上記レーザ光源から照射
するレーザビームの強度を第４図にＩ及びIIで示すよう
に、高低２レベルに変調する図示しないビーム制御手段
とを備えている。
更に、記録再生装置28は、記録磁場Hwを印加する記録
磁場印加手段としての役割と、初期化磁場Hiniを印加す
る初期化磁場印加手段としての役割とを有する電磁石32
と、この電磁石32に電圧を印加する電源33と、電源33か
ら電磁石32に印加する電圧の大きさ及び向きを制御する
ことにより、電磁石32に流れる電流量及び向きを制御
し、記録磁場Hwと初期化磁場Hiniのいずれかを選択的に
発生させる磁場制御手段としての役割を有するコントロ
ーラ34とを備えている。
磁場印加手段としての役割と、初期化磁場Hiniを印加す
る初期化磁場印加手段としての役割とを有する電磁石32
と、この電磁石32に電圧を印加する電源33と、電源33か
ら電磁石32に印加する電圧の大きさ及び向きを制御する
ことにより、電磁石32に流れる電流量及び向きを制御
し、記録磁場Hwと初期化磁場Hiniのいずれかを選択的に
発生させる磁場制御手段としての役割を有するコントロ
ーラ34とを備えている。
コントローラ34は記録時には電磁石32から光磁気メモ
リ素子20に記録磁場Hwを印加させる一方、記録再生装置
28への光磁気メモリ素子20の挿入による光磁気メモリ素
子20の記録再生位置28へのセット時、再生終了時、記録
終了時及び記録・消去の確認時のみに電磁石32から光磁
気メモリ素子20に初期化磁場Hiniを印加させるように構
成されている。
リ素子20に記録磁場Hwを印加させる一方、記録再生装置
28への光磁気メモリ素子20の挿入による光磁気メモリ素
子20の記録再生位置28へのセット時、再生終了時、記録
終了時及び記録・消去の確認時のみに電磁石32から光磁
気メモリ素子20に初期化磁場Hiniを印加させるように構
成されている。
上記の構成において、光磁気メモリ素子20に記録を行
う際には、電磁石32から記録磁場Hwを印加しながら、上
記レーザ光源から高レベル又は低レベルのレーザビーム
を照射することにより、磁性層23のメモリ層26に所望の
信号が記録される。その際、従来例における説明と同様
に、レーザビームの強度が高レベルの場合と低レベルの
場合とで、メモリ層26の磁化の向きは逆向きになる。
う際には、電磁石32から記録磁場Hwを印加しながら、上
記レーザ光源から高レベル又は低レベルのレーザビーム
を照射することにより、磁性層23のメモリ層26に所望の
信号が記録される。その際、従来例における説明と同様
に、レーザビームの強度が高レベルの場合と低レベルの
場合とで、メモリ層26の磁化の向きは逆向きになる。
又、記録再生装置28への光磁気メモリ素子20の挿入に
よる光磁気メモリ素子20のセット時、再生終了時、記録
終了時及び記録・消去等の確認時のみに光磁気メモリ素
子20に初期化磁場Hiniを印加することにより、補助層27
を常時初期化された状態に保つことができる。しかも、
本実施例では、記録磁場Hwと初期化磁場Hiniとを同一の
電磁石32、つまり、同一位置で印加するようにしたの
で、光磁気メモリ素子20がカートリッジケース等に収納
されていても、記録磁場Hw及び初期化磁場Hiniを問題な
く光磁気メモリ素子20に印加することができる。更に、
記録磁場印加手段と初期化磁場印加手段とを同一の電磁
石32で構成したので、部品点数の削減を図ることができ
る。
よる光磁気メモリ素子20のセット時、再生終了時、記録
終了時及び記録・消去等の確認時のみに光磁気メモリ素
子20に初期化磁場Hiniを印加することにより、補助層27
を常時初期化された状態に保つことができる。しかも、
本実施例では、記録磁場Hwと初期化磁場Hiniとを同一の
電磁石32、つまり、同一位置で印加するようにしたの
で、光磁気メモリ素子20がカートリッジケース等に収納
されていても、記録磁場Hw及び初期化磁場Hiniを問題な
く光磁気メモリ素子20に印加することができる。更に、
記録磁場印加手段と初期化磁場印加手段とを同一の電磁
石32で構成したので、部品点数の削減を図ることができ
る。
なお、再生時には、第４図にIIIで示すように、記録
時よりも低いレベルのレーザビームを照射することによ
り、メモリ層26に記録された信号が再生される。
時よりも低いレベルのレーザビームを照射することによ
り、メモリ層26に記録された信号が再生される。
〔実施例２〕 次に特許請求の範囲の欄の請求項第１・２・４項に関
連する第２実施例を説明する。
連する第２実施例を説明する。
第２図及び第３図に示すように、第２実施例における
光磁気メモリ素子20は第１実施例と同様に構成されてお
り、ここでは、対応する部位に同一の参照番号を付して
重複した説明を省略する。
光磁気メモリ素子20は第１実施例と同様に構成されてお
り、ここでは、対応する部位に同一の参照番号を付して
重複した説明を省略する。
又、光磁気メモリ素子20に、オーバライト方式で記録
再生を行う記録再生装置37は、第１実施例と同様、光磁
気メモリ素子20を回転させるスピンドルモータ29と、図
示しないレーザ光源と対物レンズ30とを含む光ヘッド31
と、記録時に記録信号に応じて上記レーザ光源から照射
するレーザビームの強度を高低２レベルに変調する図示
しないビーム制御手段とを備えている。
再生を行う記録再生装置37は、第１実施例と同様、光磁
気メモリ素子20を回転させるスピンドルモータ29と、図
示しないレーザ光源と対物レンズ30とを含む光ヘッド31
と、記録時に記録信号に応じて上記レーザ光源から照射
するレーザビームの強度を高低２レベルに変調する図示
しないビーム制御手段とを備えている。
又、記録再生装置37は記録磁場印加手段としての第１
の永久磁石38と、初期化磁場印加手段としての第２の永
久磁石39と、第１・第２の永久磁石38・39を互いに対向
する端面にて支持する支持部材40とを備えている。
の永久磁石38と、初期化磁場印加手段としての第２の永
久磁石39と、第１・第２の永久磁石38・39を互いに対向
する端面にて支持する支持部材40とを備えている。
支持部材40は磁石交互移動手段としてのステッピング
モータ41により回動自在に支持され、ステッピングモー
タ41により支持部材40を180゜ずつ回動させることによ
り、第１又は第２の永久磁石38又は39のいずれかが選択
的に光磁気メモリ素子20に対向させられるようになって
いる。ステッピングモータ41には電源42から給電が行わ
れ、電源42はコントローラ43により制御されるように構
成されている。
モータ41により回動自在に支持され、ステッピングモー
タ41により支持部材40を180゜ずつ回動させることによ
り、第１又は第２の永久磁石38又は39のいずれかが選択
的に光磁気メモリ素子20に対向させられるようになって
いる。ステッピングモータ41には電源42から給電が行わ
れ、電源42はコントローラ43により制御されるように構
成されている。
すなわち、コントローラ43は磁場制御手段としての役
割を有し、記録時には第１の永久磁石38を光磁気メモリ
素子20に対向させ、記録磁場Hwを印加させる一方、記録
再生装置35への光磁気メモリ素子20の挿入による光磁気
メモリ素子20の記録再生装置へのセット時、再生終了
時、記録終了時及び記録・消去等の確認時のみに第２の
永久磁石39を光磁気メモリ素子20に対向させ、初期化磁
場Hiniを印加させるようになっている。なお、記録再生
動作は第１実施例と同様であるので、説明を省略する。
割を有し、記録時には第１の永久磁石38を光磁気メモリ
素子20に対向させ、記録磁場Hwを印加させる一方、記録
再生装置35への光磁気メモリ素子20の挿入による光磁気
メモリ素子20の記録再生装置へのセット時、再生終了
時、記録終了時及び記録・消去等の確認時のみに第２の
永久磁石39を光磁気メモリ素子20に対向させ、初期化磁
場Hiniを印加させるようになっている。なお、記録再生
動作は第１実施例と同様であるので、説明を省略する。
上記の各実施例では、磁性層23をメモリ層26と補助層
27の２層構成としたが、必要に応じて、メモリ層26と補
助層27との間に初期化磁場Hiniを低減させるための中間
層（前記SPIE Vol.1078 Optical Data Storage Topical
Meeting（1989）p258−264参照）を設ける等、磁性層2
3を３層以上で構成することもできる。
27の２層構成としたが、必要に応じて、メモリ層26と補
助層27との間に初期化磁場Hiniを低減させるための中間
層（前記SPIE Vol.1078 Optical Data Storage Topical
Meeting（1989）p258−264参照）を設ける等、磁性層2
3を３層以上で構成することもできる。
本発明に係る光磁気メモリ素子の記録再生方法は、以
上のように、光磁気メモリ素子のセット時、再生終了
時、記録終了時及び記録・消去の確認時のみに初期化磁
場の印加を行うようにし、換言すれば、初期化磁場と記
録磁場を同時には印加しないようにしたので、記録磁場
の印加と初期化磁場の印加とを同一位置で行うことがで
きるようになり、その結果、例えば、カートリッジケー
ス等に収納された光磁気メモリ素子に対してもオーバラ
イトによる記録が可能となる。又、光磁気メモリ素子の
挿入時、再生終了時、記録終了時及び記録・消去の確認
時のみに初期化磁場を印加するようにすれば、上記少な
くとも２層の磁性薄膜のうち初期化の必要な磁性薄膜は
常時初期化された状態となるので、初期化のための時間
を別に設けることなく、記録を行おうとする位置に、所
望の時点でオーバライトが行える。
上のように、光磁気メモリ素子のセット時、再生終了
時、記録終了時及び記録・消去の確認時のみに初期化磁
場の印加を行うようにし、換言すれば、初期化磁場と記
録磁場を同時には印加しないようにしたので、記録磁場
の印加と初期化磁場の印加とを同一位置で行うことがで
きるようになり、その結果、例えば、カートリッジケー
ス等に収納された光磁気メモリ素子に対してもオーバラ
イトによる記録が可能となる。又、光磁気メモリ素子の
挿入時、再生終了時、記録終了時及び記録・消去の確認
時のみに初期化磁場を印加するようにすれば、上記少な
くとも２層の磁性薄膜のうち初期化の必要な磁性薄膜は
常時初期化された状態となるので、初期化のための時間
を別に設けることなく、記録を行おうとする位置に、所
望の時点でオーバライトが行える。
又、本発明に係る光磁気メモリ素子の記録再生装置
は、記録磁場の印加と初期化磁場の印加とを同時には行
わないようにするとともに、記録磁場印加手段による記
録磁場の印加と初期化磁場印加手段による初期化磁場の
印加とを同一位置で行うようにしたので、例えば、カー
トリッジケース等に収納された光磁気メモリ素子に対し
てもオーバライトによる記録が可能となる。又、上記し
たように、光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、
記録終了時及び記録・消去の確認時のみに初期化磁場を
印加するようにすれば、上記少なくとも２層の磁性薄膜
のうち初期化の必要な磁性薄膜は常時初期化された状態
となる。
は、記録磁場の印加と初期化磁場の印加とを同時には行
わないようにするとともに、記録磁場印加手段による記
録磁場の印加と初期化磁場印加手段による初期化磁場の
印加とを同一位置で行うようにしたので、例えば、カー
トリッジケース等に収納された光磁気メモリ素子に対し
てもオーバライトによる記録が可能となる。又、上記し
たように、光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、
記録終了時及び記録・消去の確認時のみに初期化磁場を
印加するようにすれば、上記少なくとも２層の磁性薄膜
のうち初期化の必要な磁性薄膜は常時初期化された状態
となる。
又、上記記録磁場印加手段の初期化磁場印加手段とを
同一の電磁石で構成すれば、部品点数の削減を図ること
ができる。
同一の電磁石で構成すれば、部品点数の削減を図ること
ができる。
第１図は本発明の第１実施例における光磁気メモリ素子
及び記録再生装置を示す説明図である。 第２図は本発明の第２実施例における光磁気メモリ素子
及び記録再生装置を示す説明図である。 第３図は光磁気メモリ素子の要部拡大説明図である。 第４図はレーザビームの強度の変化を示す説明図であ
る。 第５図は磁性層における温度と保磁力との関係を示すグ
ラフである。 第６図は従来例を示す説明図である。 20は光磁気メモリ素子、23は磁性層、26はメモリ層（磁
性薄膜）、27は補助層（磁性薄膜）、28・37は記録再生
装置、32は電磁石（記録磁場印加手段兼初期化磁場印加
手段）、34・43はコントローラ（磁場制御手段）、38は
第１の永久磁石（記録磁場印加手段）、39は第２の永久
磁石（初期化磁場印加手段）、41はステッピングモータ
（磁石交互移動手段）である。
及び記録再生装置を示す説明図である。 第２図は本発明の第２実施例における光磁気メモリ素子
及び記録再生装置を示す説明図である。 第３図は光磁気メモリ素子の要部拡大説明図である。 第４図はレーザビームの強度の変化を示す説明図であ
る。 第５図は磁性層における温度と保磁力との関係を示すグ
ラフである。 第６図は従来例を示す説明図である。 20は光磁気メモリ素子、23は磁性層、26はメモリ層（磁
性薄膜）、27は補助層（磁性薄膜）、28・37は記録再生
装置、32は電磁石（記録磁場印加手段兼初期化磁場印加
手段）、34・43はコントローラ（磁場制御手段）、38は
第１の永久磁石（記録磁場印加手段）、39は第２の永久
磁石（初期化磁場印加手段）、41はステッピングモータ
（磁石交互移動手段）である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−175948（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−53368（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】少なくとも、２層の磁性薄膜が磁気的に結
合されて積層された第１、第２磁性層を有する光磁気メ
モリ素子に、記録磁場と初期化磁場とを用いて光変調に
よりオーバーライト方式で記録再生する記録再生方法に
おいて、 第１磁性層は室温の保持力H1でキュリー点T1、第２磁性
層は第１磁性層より小さい室温の保持力H2で第１磁性層
より高いキュリー点T2を有してなり、記録磁場Hwの印加
と光変調されたレーザ光の照射により第２磁性層の磁化
方向を変化させ、該第２磁性層の磁化方向に、第１、第
２磁性層の界面に作用する交換力により第１磁性層の磁
化方向を一致させて記録するとともに、保持力H1とH2の
間に設定された初期化磁場Hiniを、記録再生装置への光
磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記録終了時及
び記録・消去等の確認時のみに印加して、第２磁性層の
磁化方向を、初期化磁場の磁場印加方向に初期化するよ
うにしたことを特徴とする光磁気メモリ素子の記録再生
方法。 - 【請求項２】少なくとも、２層の磁性薄膜が磁気的に結
合されて積層された第１、第２磁性層を有する光磁気メ
モリ素子に、記録磁場と初期化磁場とを用いて光変調に
よりオーバーライト方式で記録再生する記録再生装置に
おいて、 第１磁性層は室温の保持力H1でキュリー点T1、第２磁性
層は第１磁性層より小さい室温の保持力H2で第１磁性層
より高いキュリー点T2を有してなり、 同一位置において、 記録磁場Hwの印加と光変調されたレーザ光の照射により
第２磁性層の磁化方向を変化させ、該第２磁性層の磁化
方向に、第１、第２磁性層の界面に作用する交換力によ
り第１磁性層の磁化方向を一致させて記録する記録手段
と、保持力H1とH2の間に設定された初期化磁場Hiniを、
光磁気記録再生位置への光磁気メモリ素子のセット時、
再生終了時、記録終了時及び記録・消去等の確認時のみ
に印加して、第２磁性層の磁化方向を、初期化磁場の磁
場印加方向に初期する初期化手段と を備えてなることを特徴とする光磁気メモリ素子の記録
再生装置。 - 【請求項３】記録磁場Hwと、初期化磁場Hiniの印加手段
は同一の電磁石とからなり、記録時、初期化時に、磁場
の大きさ及び磁場方向を選択する磁場制御手段を備えて
なることを特徴とする請求項２に記載の光磁気メモリ素
子の記録再生装置。 - 【請求項４】記録磁場Hwと、初期化磁場Hiniの印加手段
は互いに異なる磁石からなり、記録時、初期化時に切り
替えて光磁気メモリ素子に対抗させる磁石交互移動手段
を備えてなることを特徴とする請求項２に記載の光磁気
メモリ素子の記録再生装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1234205A JP2653523B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光磁気メモリ素子の記録再生方法並びにその装置 |
| US07/575,013 US5175721A (en) | 1989-09-08 | 1990-08-30 | Magneto-optical recording and reading device with initilization |
| DE69021189T DE69021189T2 (de) | 1989-09-08 | 1990-09-07 | Methode zur Aufzeichnung und Wiedergabe und Gerät für magneto-optische Speicherelemente. |
| EP90309857A EP0435425B1 (en) | 1989-09-08 | 1990-09-07 | Recording and reading method and device of magneto-optical memory elements |
| US07/931,990 US5270994A (en) | 1989-09-08 | 1992-08-19 | Magneto-optical recording and reading method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1234205A JP2653523B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光磁気メモリ素子の記録再生方法並びにその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397141A JPH0397141A (ja) | 1991-04-23 |
| JP2653523B2 true JP2653523B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=16967343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1234205A Expired - Lifetime JP2653523B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光磁気メモリ素子の記録再生方法並びにその装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5175721A (ja) |
| EP (1) | EP0435425B1 (ja) |
| JP (1) | JP2653523B2 (ja) |
| DE (1) | DE69021189T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5270994A (en) * | 1989-09-08 | 1993-12-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording and reading method |
| CA2043995C (en) * | 1990-06-13 | 1997-06-24 | Kenji Ohta | Magneto-optical recording/reproducing device |
| JP3185932B2 (ja) * | 1990-06-21 | 2001-07-11 | セイコーエプソン株式会社 | 光磁気記録再生方法ならびに光磁気記録再生装置 |
| JPH0536141A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Sony Corp | 光磁気記録装置 |
| JP2850966B2 (ja) * | 1991-08-02 | 1999-01-27 | シャープ株式会社 | 光磁気記録装置 |
| JPH05101472A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Sony Corp | 光磁気記録再生方式 |
| JPH05303790A (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-16 | Sony Corp | 光磁気ディスク装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2521908B2 (ja) * | 1985-06-11 | 1996-08-07 | 株式会社ニコン | オ―バ―ライト可能な光磁気記録方法、それに使用される光磁気記録装置及び光磁気記録媒体、並びに変調方法、変調装置及び光磁気記録媒体 |
| EP0258978B1 (en) * | 1986-07-08 | 1998-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| JP2570270B2 (ja) * | 1986-10-08 | 1997-01-08 | 株式会社ニコン | ツービームによる光磁気記録方法及び装置 |
| AU600576B2 (en) * | 1987-04-24 | 1990-08-16 | Sony Corporation | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled multi-layer structure of perpendicular anisotropy magnetic film |
| JPS6453368A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Nec Corp | Magneto-optical information recording and reproducing device |
| JPH01149246A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-09-08 JP JP1234205A patent/JP2653523B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-08-30 US US07/575,013 patent/US5175721A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-07 DE DE69021189T patent/DE69021189T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-07 EP EP90309857A patent/EP0435425B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0435425B1 (en) | 1995-07-26 |
| DE69021189D1 (de) | 1995-08-31 |
| US5175721A (en) | 1992-12-29 |
| JPH0397141A (ja) | 1991-04-23 |
| EP0435425A2 (en) | 1991-07-03 |
| EP0435425A3 (en) | 1992-07-22 |
| DE69021189T2 (de) | 1996-01-25 |
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