JPH0397141A - 光磁気メモリ素子の記録再生方法並びにその装置 - Google Patents
光磁気メモリ素子の記録再生方法並びにその装置Info
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/10595—Control of operating function
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- G11B11/10523—Initialising
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- G11B11/1055—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers
- G11B11/10556—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers with provision for moving or switching or masking the transducers in or out of their operative position
- G11B11/1056—Switching or mechanically reversing the magnetic field generator
-
- G—PHYSICS
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- G11B19/00—Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
- G11B19/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は少なくとも２層の磁性薄膜、例えば、メモリ層
と補助層とを備え、光変調によりオーバライト方式で記
録再生を行うようにした光磁気メモリ素子への記録再生
方法並びにその装置に関するものである。
と補助層とを備え、光変調によりオーバライト方式で記
録再生を行うようにした光磁気メモリ素子への記録再生
方法並びにその装置に関するものである。
光変調による光磁気メモリ素子へのオーバライト方法を
第３図〜第６図を用いて説明する。
第３図〜第６図を用いて説明する。
特開昭６２−１７５９４８号公報に開示される如く、光
変調方式により記録を行う光磁気メモリ素子１（第６図
参照）は、その温度と保磁力との関係を第５図に模式的
に直線Ｉで示すように、室温での保磁力Ｈ．が大きく、
保磁力がほぼ“０“となる温度であるキュリー点Ｔ，が
比較的低温である材料からなるメモリＮ２（第３図参照
）と、第５図に模式的に直線■で示すように、室温での
保磁力Ｈ２が比較的小さく、キュリー点Ｔ２がメモリ層
２より高い材料からなる補助層３とを備えている。
変調方式により記録を行う光磁気メモリ素子１（第６図
参照）は、その温度と保磁力との関係を第５図に模式的
に直線Ｉで示すように、室温での保磁力Ｈ．が大きく、
保磁力がほぼ“０“となる温度であるキュリー点Ｔ，が
比較的低温である材料からなるメモリＮ２（第３図参照
）と、第５図に模式的に直線■で示すように、室温での
保磁力Ｈ２が比較的小さく、キュリー点Ｔ２がメモリ層
２より高い材料からなる補助層３とを備えている。
第６図にも示すように、上記の光磁気メモリ素子１への
記録再生を行う記録再生装置は、高低２レベルのレーザ
光強度変調を行いながら、光磁気メモリ素子１にレーザ
光を照射するレーザ光ｇ＜図示せず）と対物レンズ４と
を含む光ヘッド５と、記録磁場Ｈｗを印加する記録磁場
印加手段６と、初期化磁場Ｈ ｉｎｉを印加する初期化
磁場印加千段７とを備えている。なお、光磁気メモリ素
子１は、より具体的には、例えば、基板１０上に、エン
ハンス層ｌ１と、メモリ層２及び補助層３からなる磁性
層８と、保護層１２と、保護コート層１３とを順次積層
した構或からなり、スピンドルモータｌ４により所定の
回転速度で回転されるようになっている。
記録再生を行う記録再生装置は、高低２レベルのレーザ
光強度変調を行いながら、光磁気メモリ素子１にレーザ
光を照射するレーザ光ｇ＜図示せず）と対物レンズ４と
を含む光ヘッド５と、記録磁場Ｈｗを印加する記録磁場
印加手段６と、初期化磁場Ｈ ｉｎｉを印加する初期化
磁場印加千段７とを備えている。なお、光磁気メモリ素
子１は、より具体的には、例えば、基板１０上に、エン
ハンス層ｌ１と、メモリ層２及び補助層３からなる磁性
層８と、保護層１２と、保護コート層１３とを順次積層
した構或からなり、スピンドルモータｌ４により所定の
回転速度で回転されるようになっている。
次に、オーバライトの手順につき説明する。初期化にお
いては第３図に示す方向に初期化磁場Ｈｉｎｉを印加す
ることにより補助層３の磁化のみを一方向、つまり、図
中下向きに揃える。なお、初期化は常時行われるか、又
は、記録時のみに行われる。この時、第５図の如く、メ
モリ層２の保磁力Ｈ１は初期化磁場Ｈｉｎｉより大きい
ので、メモリ層２の磁化の反転は生じない。
いては第３図に示す方向に初期化磁場Ｈｉｎｉを印加す
ることにより補助層３の磁化のみを一方向、つまり、図
中下向きに揃える。なお、初期化は常時行われるか、又
は、記録時のみに行われる。この時、第５図の如く、メ
モリ層２の保磁力Ｈ１は初期化磁場Ｈｉｎｉより大きい
ので、メモリ層２の磁化の反転は生じない。
記録は記録磁場Ｈｗを印加しながら、高低２レベルに強
度変調されるレーザ光を照射することにより行う。すな
わち、第４図にＩで示す高レベルのレーザ光が照射され
ると、メモリ層２及び補助層３がともにキュリー点Ｔ．
−Ｔ．付近又はそれ以上となる温度Ｔ．まで昇温し、同
図に■で示す低レベルのレーザ光が照射されると、メモ
リ層２のみがキュリー点Ｔ，又はそれ以上となる温度Ｔ
Ｌまで昇温するように設定されている。
度変調されるレーザ光を照射することにより行う。すな
わち、第４図にＩで示す高レベルのレーザ光が照射され
ると、メモリ層２及び補助層３がともにキュリー点Ｔ．
−Ｔ．付近又はそれ以上となる温度Ｔ．まで昇温し、同
図に■で示す低レベルのレーザ光が照射されると、メモ
リ層２のみがキュリー点Ｔ，又はそれ以上となる温度Ｔ
Ｌまで昇温するように設定されている。
従って、高レベルのレーザ光が照射されると、補助層３
の磁化は、記録磁場Ｈｗにより第３図の上向きに反転し
、メモリ層２の磁化の向きは冷却の過程で界面に作用す
る交換力により補助層３の磁化の向きと一致する。従っ
て、メモリ層２の磁化の向きは上向きとなる。
の磁化は、記録磁場Ｈｗにより第３図の上向きに反転し
、メモリ層２の磁化の向きは冷却の過程で界面に作用す
る交換力により補助層３の磁化の向きと一致する。従っ
て、メモリ層２の磁化の向きは上向きとなる。
一方、低レベルのレーザ光が照射されると、補助層３の
磁化は記録磁場Ｈｗの影響で反転することはなく、この
場合も、メモリ層２の磁化の向きは、やはり冷却の過程
で補助層３の磁場の向きと一致することになる。従って
、メモリ層２の磁化の向きは第３図中下向きとなる。な
お、第５図に示す如く、記録磁場Ｈｗは初期化磁場Ｈ
ｉｎｉよりかなり小さくなるように設定されている。更
に、第４図に■で示すように、再生時のレーザ光の強度
は、記録時よりもかなり低い値に設定されている。
磁化は記録磁場Ｈｗの影響で反転することはなく、この
場合も、メモリ層２の磁化の向きは、やはり冷却の過程
で補助層３の磁場の向きと一致することになる。従って
、メモリ層２の磁化の向きは第３図中下向きとなる。な
お、第５図に示す如く、記録磁場Ｈｗは初期化磁場Ｈ
ｉｎｉよりかなり小さくなるように設定されている。更
に、第４図に■で示すように、再生時のレーザ光の強度
は、記録時よりもかなり低い値に設定されている。
ところが、上記のようなオーバライト方法では、記録再
生装置に記録磁場印加手段６と初期化磁場印加手段７と
を別個に設ける必要がある（ＳＰＩ Ｅ Ｖｏｌ．１
０７８ ０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｔａ Ｓｔｏｒａｇｅ
ＴｏｐｉｃａｌＭｅｅｔｉｎｇ（１９８９） ｐ２５
８ −２６４ 、Ｆｉｇ． ４参照）。
生装置に記録磁場印加手段６と初期化磁場印加手段７と
を別個に設ける必要がある（ＳＰＩ Ｅ Ｖｏｌ．１
０７８ ０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｔａ Ｓｔｏｒａｇｅ
ＴｏｐｉｃａｌＭｅｅｔｉｎｇ（１９８９） ｐ２５
８ −２６４ 、Ｆｉｇ． ４参照）。
このように、記録磁場発生手段６と初期化磁場発生手段
７とを個別に設けることは、光磁気メモリ素子１がカー
トリッジケース等で被覆されて（，ｓない場合（例えば
、いわゆる、コンパクトディスクのような形態の場合）
にはオニバライトが可能であるが、光磁気メモリ素子１
がカートリ・ンジケース等に覆われている場合（例えば
、いわゆる、フロッピーディスクのような形態の場合）
、記録磁場印加千段６と初期化磁場印加千段７の双方を
光磁気メモリ素子１に対する磁場の印加が行えるように
設置するスペースを確保することが困難であるため、上
記のオーバライト方法を実施することが不可能であった
。
７とを個別に設けることは、光磁気メモリ素子１がカー
トリッジケース等で被覆されて（，ｓない場合（例えば
、いわゆる、コンパクトディスクのような形態の場合）
にはオニバライトが可能であるが、光磁気メモリ素子１
がカートリ・ンジケース等に覆われている場合（例えば
、いわゆる、フロッピーディスクのような形態の場合）
、記録磁場印加千段６と初期化磁場印加千段７の双方を
光磁気メモリ素子１に対する磁場の印加が行えるように
設置するスペースを確保することが困難であるため、上
記のオーバライト方法を実施することが不可能であった
。
本発明に係る光磁気メモリ素子の記録再生方法は、上記
の課題を解決するために、少なくとも２層の磁性薄膜が
磁気的に結合されて積層された磁性層を有する光磁気メ
モリ素子に、記録磁場と初期化磁場とを用いて光変調に
よりオーバライト方式で記録再生する記録再生方法にお
いて、記録再生位置への光磁気メモリ素子のセ・冫ト時
、再生終了時、記録終了時及び記録・消去等の確認時の
みに初期化磁場を光磁気メモリ素子に印加するようにし
たことを特徴とするものである。
の課題を解決するために、少なくとも２層の磁性薄膜が
磁気的に結合されて積層された磁性層を有する光磁気メ
モリ素子に、記録磁場と初期化磁場とを用いて光変調に
よりオーバライト方式で記録再生する記録再生方法にお
いて、記録再生位置への光磁気メモリ素子のセ・冫ト時
、再生終了時、記録終了時及び記録・消去等の確認時の
みに初期化磁場を光磁気メモリ素子に印加するようにし
たことを特徴とするものである。
又、本発明に係る光磁気メモリ素子の記録再生装置は、
少なくとも２層の磁性薄膜が磁気的に結合されて積層さ
れた磁性層を有する光磁気メモリ素子に、記録磁場と初
期化磁場とを用いて光変調によりオーバライト方式で記
録再生する記録再生装置において、光磁気メモリ素子に
記録磁場を印加する記録磁場印加手段と、光磁気メモリ
素子に上記記録磁場印加手段と同一位置で初期化磁場を
印加する初期化磁場印加手段と、記録時に記録磁場を印
加させる一方、本記録再生装置への光磁気メモリ素子の
セット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消去等の
確認時のみに初期化磁場を印加させるように記録磁場印
加手段と初期化磁場印加手段とを制御する磁場制御手段
と、記録時に記録信号に応じて光ビームの強度変調を行
うビーム制御手段とを備えていることを特徴とするもの
である。
少なくとも２層の磁性薄膜が磁気的に結合されて積層さ
れた磁性層を有する光磁気メモリ素子に、記録磁場と初
期化磁場とを用いて光変調によりオーバライト方式で記
録再生する記録再生装置において、光磁気メモリ素子に
記録磁場を印加する記録磁場印加手段と、光磁気メモリ
素子に上記記録磁場印加手段と同一位置で初期化磁場を
印加する初期化磁場印加手段と、記録時に記録磁場を印
加させる一方、本記録再生装置への光磁気メモリ素子の
セット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消去等の
確認時のみに初期化磁場を印加させるように記録磁場印
加手段と初期化磁場印加手段とを制御する磁場制御手段
と、記録時に記録信号に応じて光ビームの強度変調を行
うビーム制御手段とを備えていることを特徴とするもの
である。
なお、上記記録磁場印加手段と初期化磁場印加手段とは
同一の電磁石から構或することができる。
同一の電磁石から構或することができる。
又、上記記録磁場印加手段と初期化磁場印加手段とは互
いに異なる磁石から構威し、かつ、上記ずれかを磁場発
生位置に移動させて記録磁場又は初期化磁場のいずれか
を発生させる磁石交互移動手段を設けても良い。
いに異なる磁石から構威し、かつ、上記ずれかを磁場発
生位置に移動させて記録磁場又は初期化磁場のいずれか
を発生させる磁石交互移動手段を設けても良い。
上記した本発明の光磁気メモリ素子の記録再生方法によ
れば、少なくとも２層の磁性薄膜が磁気的に結合されて
積層されてなる磁性層を有する光磁気メモリ素子にオー
バライト方式で記録再生を行うに際し、記録再生位置へ
の光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記録終了
時及び記録・消去の確認時のみに初期化磁場の印加を行
うようにし、換言すれば、初期化磁場と記録磁場を同時
には印加しないようにしたので、記録磁場の印加と初期
化磁場の印加とを同一位置で行うことができるようにな
り、その結果、例えば、カートリッジケース等に収納さ
れた光磁気メモリ素子に対してもオーバライトによる記
録が可能となる。又、記録再生位置への光磁気メモリ素
子のセット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消去
の確認時のみに初期化磁場を印加するようにすれば、上
記少なくとも２層の磁性薄膜のうち初期化の必要な磁性
薄膜は常時初期化された状態となり、所望の時点でオー
バライトが行える。
れば、少なくとも２層の磁性薄膜が磁気的に結合されて
積層されてなる磁性層を有する光磁気メモリ素子にオー
バライト方式で記録再生を行うに際し、記録再生位置へ
の光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記録終了
時及び記録・消去の確認時のみに初期化磁場の印加を行
うようにし、換言すれば、初期化磁場と記録磁場を同時
には印加しないようにしたので、記録磁場の印加と初期
化磁場の印加とを同一位置で行うことができるようにな
り、その結果、例えば、カートリッジケース等に収納さ
れた光磁気メモリ素子に対してもオーバライトによる記
録が可能となる。又、記録再生位置への光磁気メモリ素
子のセット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消去
の確認時のみに初期化磁場を印加するようにすれば、上
記少なくとも２層の磁性薄膜のうち初期化の必要な磁性
薄膜は常時初期化された状態となり、所望の時点でオー
バライトが行える。
又、本発明に係る光磁気メモリ素子の記録再生装置は、
上記した方法で記録再生を行うために、記録磁場を印加
する記録磁場印加手段と初期化磁場を印加する初期化磁
場印加手段とを設け、記録時には記録磁場を印加する一
方、光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記録終
了時及び記録・消去等の確認時のみに初期化磁場を印加
するようにしている。このように、記録磁場の印加と初
期化磁場の印加とを同時には行わないようにするととも
に、記録磁場印加手段による記録磁場の印加と初期化磁
場印加手段による初期化磁場の印加とを同一位置で行う
ようにしたので、例えば、カートリッジケース等に収納
された光磁気メモリ素子に対してもオーバライトによる
記録が可能となる。又、上記したように、光磁気メモリ
素子のセット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消
去の確認時のみに初期化磁場を印加するようにすれば、
上記少なくとも２層の磁性薄膜のうち初期化の必要な磁
性薄膜は常時初期化された状態となり、所望の時点でオ
ーバライトが行える。
上記した方法で記録再生を行うために、記録磁場を印加
する記録磁場印加手段と初期化磁場を印加する初期化磁
場印加手段とを設け、記録時には記録磁場を印加する一
方、光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記録終
了時及び記録・消去等の確認時のみに初期化磁場を印加
するようにしている。このように、記録磁場の印加と初
期化磁場の印加とを同時には行わないようにするととも
に、記録磁場印加手段による記録磁場の印加と初期化磁
場印加手段による初期化磁場の印加とを同一位置で行う
ようにしたので、例えば、カートリッジケース等に収納
された光磁気メモリ素子に対してもオーバライトによる
記録が可能となる。又、上記したように、光磁気メモリ
素子のセット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消
去の確認時のみに初期化磁場を印加するようにすれば、
上記少なくとも２層の磁性薄膜のうち初期化の必要な磁
性薄膜は常時初期化された状態となり、所望の時点でオ
ーバライトが行える。
更に、記録磁場印加手段と初期化磁場印加手段とを同一
の電磁石で構或すれば、部品点数の削減を図ることがで
きる。その場合、記録磁場と初期化磁場の切換えは、例
えば、上記電磁石に流す電流量又は電流の向きを調整す
ることにより行える。
の電磁石で構或すれば、部品点数の削減を図ることがで
きる。その場合、記録磁場と初期化磁場の切換えは、例
えば、上記電磁石に流す電流量又は電流の向きを調整す
ることにより行える。
本明細書の特許請求の範囲の欄の請求項第１〜３項に関
連する本発明の一実施例を第１図及び第３図〜第５図に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
連する本発明の一実施例を第１図及び第３図〜第５図に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
第１図に示すように、光磁気メモリ素子２ｏはガラス又
は透光性の樹脂等からなる基板２１上に、再生時に再生
信号をエンハンスするための透光性のエンハンス層２２
、磁性層２３、保護層２４及び保護コート層２５を順次
積層して構威されている。なお、光磁気メモリ素子２０
は図示しないカートリッジケースに収納されている。
は透光性の樹脂等からなる基板２１上に、再生時に再生
信号をエンハンスするための透光性のエンハンス層２２
、磁性層２３、保護層２４及び保護コート層２５を順次
積層して構威されている。なお、光磁気メモリ素子２０
は図示しないカートリッジケースに収納されている。
第３図にも示すように、磁性Ｎ２３は、従来と同様、室
温での保磁力Ｈ＋が大きく、保磁力がほぼ゛０゛となる
温度であるキュリー点ＴＩの比較的低い材料からなるメ
モリ層２６（第５図の模式的な直線Ｉ参照）と、室温で
の保磁力Ｈ２が比較的小さく、キュリー点Ｔ２の高い材
料からなる補助Ｎ２７（第５図の模式的な直線■参照）
とを備えている。
温での保磁力Ｈ＋が大きく、保磁力がほぼ゛０゛となる
温度であるキュリー点ＴＩの比較的低い材料からなるメ
モリ層２６（第５図の模式的な直線Ｉ参照）と、室温で
の保磁力Ｈ２が比較的小さく、キュリー点Ｔ２の高い材
料からなる補助Ｎ２７（第５図の模式的な直線■参照）
とを備えている。
光磁気メモリ素子２０に、オーバライト方式で記録再生
を行うための記録再生装置２８は、光磁気メモリ素子２
０を所定回転速度で回転させるスピンドルモータ２９と
、図示しないレーザ光源及び対物レンズ３０を含む光ヘ
ッド３ｌと、記録時に記録信号に応じて上記レーザ光源
から照射するレーザビームの強度を第４図にＩ及び■で
示すように、高低２レベルに変調する図示しないビーム
制御手段とを備えている。
を行うための記録再生装置２８は、光磁気メモリ素子２
０を所定回転速度で回転させるスピンドルモータ２９と
、図示しないレーザ光源及び対物レンズ３０を含む光ヘ
ッド３ｌと、記録時に記録信号に応じて上記レーザ光源
から照射するレーザビームの強度を第４図にＩ及び■で
示すように、高低２レベルに変調する図示しないビーム
制御手段とを備えている。
更に、記録再生装置２８は、記録磁場Ｈｗを印加する記
録磁場印加手段としての役割と、初期化磁場Ｈｉｎｉを
印加する初期化磁場・印加手段としての役割とを有する
電磁石３２と、この電磁石３２に電圧を印加する電源３
３と、電源３３から電磁石３２に印加する電圧の大きさ
及び向きを制御することにより、電磁石３２に流れる電
流量及び向きを制御し、記録磁場Ｈｗと初期化磁場Ｈ
ｉｎｉのいずれかを選択的に発生させる磁場制御手段と
しての役割を有するコントローラ３４とを備えている。
録磁場印加手段としての役割と、初期化磁場Ｈｉｎｉを
印加する初期化磁場・印加手段としての役割とを有する
電磁石３２と、この電磁石３２に電圧を印加する電源３
３と、電源３３から電磁石３２に印加する電圧の大きさ
及び向きを制御することにより、電磁石３２に流れる電
流量及び向きを制御し、記録磁場Ｈｗと初期化磁場Ｈ
ｉｎｉのいずれかを選択的に発生させる磁場制御手段と
しての役割を有するコントローラ３４とを備えている。
コントローラ３４は記録時には電磁石３２から光磁気メ
モリ素子２０に記録磁場Ｈｗを印加さセる一方、記録再
生装置３０への光磁気メモリ素子２０の挿入による光磁
気メモリ素子２０の記録再生位置へのセット時、再生終
了時、記録終了時及び記録・消去等の確認時のみに電磁
石３２から光？気メモリ素子２０に初期化磁場Ｈ ｉｎ
ｉを印加させるように構威されている。
モリ素子２０に記録磁場Ｈｗを印加さセる一方、記録再
生装置３０への光磁気メモリ素子２０の挿入による光磁
気メモリ素子２０の記録再生位置へのセット時、再生終
了時、記録終了時及び記録・消去等の確認時のみに電磁
石３２から光？気メモリ素子２０に初期化磁場Ｈ ｉｎ
ｉを印加させるように構威されている。
上記の構或において、光磁気メモリ素子２０に記録を行
う際には、電磁石３２から記録磁場Ｈｗを印加しながら
、上記レーザ光源から高レベル又は低レベルのレーザビ
ームを照射することにより、磁性ｌｉ２３のメモリＮ２
６に所望の信号が記録される。その際、従来例における
説明と同様に、レーザビームの強度が高レベルの場合と
低レベルの場合とで、メモリ層２６の磁化の向きは逆向
きになる。
う際には、電磁石３２から記録磁場Ｈｗを印加しながら
、上記レーザ光源から高レベル又は低レベルのレーザビ
ームを照射することにより、磁性ｌｉ２３のメモリＮ２
６に所望の信号が記録される。その際、従来例における
説明と同様に、レーザビームの強度が高レベルの場合と
低レベルの場合とで、メモリ層２６の磁化の向きは逆向
きになる。
又、記録再生装置２８への光磁気メモリ素子２０の挿入
による光磁気メモリ素子２０のセット時、再生終了時、
記録終了時及び記録・消去等の確認時のみに光磁気メモ
リ素子２０に初期化磁場Ｈｉｎｉを印加することにより
、補助層２７を常時初期化された状態に保■つことがで
きる。しかも、本実施例では、記録磁場Ｈｗと初朋化磁
場Ｈｉｎｉとを同一の電磁石３２、つまり、同一位置で
印加するようにしたので、光磁気メモリ素子２ｏがカー
トリッジケース等に収納されていても、記録磁場Ｈｗ及
び初期化磁場Ｈ ｉｎｉを問題なく光磁気メモリ素子２
０に印加することができる。更に、記録磁場印加手段と
初期化磁場印加手段とを同一の電磁石３２で構威したの
で、部品点数の削減を図ることができる。
による光磁気メモリ素子２０のセット時、再生終了時、
記録終了時及び記録・消去等の確認時のみに光磁気メモ
リ素子２０に初期化磁場Ｈｉｎｉを印加することにより
、補助層２７を常時初期化された状態に保■つことがで
きる。しかも、本実施例では、記録磁場Ｈｗと初朋化磁
場Ｈｉｎｉとを同一の電磁石３２、つまり、同一位置で
印加するようにしたので、光磁気メモリ素子２ｏがカー
トリッジケース等に収納されていても、記録磁場Ｈｗ及
び初期化磁場Ｈ ｉｎｉを問題なく光磁気メモリ素子２
０に印加することができる。更に、記録磁場印加手段と
初期化磁場印加手段とを同一の電磁石３２で構威したの
で、部品点数の削減を図ることができる。
なお、再生時には、第４図に■で示すように、記録時よ
りも低いレベルのレーザビームを照射することにより、
メモリ層２６に記録された信号が再生される。
りも低いレベルのレーザビームを照射することにより、
メモリ層２６に記録された信号が再生される。
〔実施例２〕
次に、特許請求の範囲の欄の請求項第１・２・４項に関
連する第２実施例を説明する。
連する第２実施例を説明する。
第２図及び第３図に示すように、第２実施例における光
磁気メモリ素子２０は第１実施例と同様に構威されてお
り、ここでは、対応する部位に同一の参照番号を付して
重複した説明を省略する。
磁気メモリ素子２０は第１実施例と同様に構威されてお
り、ここでは、対応する部位に同一の参照番号を付して
重複した説明を省略する。
又、光磁気メモリ素子２０に、オーバライト方式で記録
再生を行う記録再生装置３７は、第１実施例と同様、光
磁気メモリ素子２０を回転させるスピンドルモータ２９
と、図示しないレーザ光源と対物レンズ３０とを含む光
ヘッド３１と、記録時に記録信号に応じて上記レーザ光
源から照射するレーザビームの強度を高低２レベルに変
調する図示しないビーム制御手段とを備えている。
再生を行う記録再生装置３７は、第１実施例と同様、光
磁気メモリ素子２０を回転させるスピンドルモータ２９
と、図示しないレーザ光源と対物レンズ３０とを含む光
ヘッド３１と、記録時に記録信号に応じて上記レーザ光
源から照射するレーザビームの強度を高低２レベルに変
調する図示しないビーム制御手段とを備えている。
又、記録再生装置３７は記録磁場印加手段としての第ｌ
の永久磁石３８と、初期化磁場印加手段としての第２の
永久磁石３９と、第１・第２の永久磁石３８・３９を互
いに対向する端面にて支持する支持部材４０とを備えて
いる。
の永久磁石３８と、初期化磁場印加手段としての第２の
永久磁石３９と、第１・第２の永久磁石３８・３９を互
いに対向する端面にて支持する支持部材４０とを備えて
いる。
支持部材４０は磁石交互移動手段としてのステッピング
モータ４１により回動自在に支持され、ステッピングモ
ータ４ｌにより支持部材４０を１８０゜ずつ回動させる
ことにより、第ｌ又は第２の永久磁石３８又は３９のい
ずれかが選択的に光磁気メモリ素子２０に対向させられ
るようになっている。ステッピングモータ４１には電源
４２から給電が行われ、電源４２はコントローラ４３に
より制御されるように構成されている。
モータ４１により回動自在に支持され、ステッピングモ
ータ４ｌにより支持部材４０を１８０゜ずつ回動させる
ことにより、第ｌ又は第２の永久磁石３８又は３９のい
ずれかが選択的に光磁気メモリ素子２０に対向させられ
るようになっている。ステッピングモータ４１には電源
４２から給電が行われ、電源４２はコントローラ４３に
より制御されるように構成されている。
すなわち、コントローラ４３は磁場制御手段としての役
割を有し、記録時には第１の永久磁石３日を光磁気メモ
リ素子２０に対向させ、記録磁場Ｈｗを印加させる一方
、記録再生装置３５への光磁気メモリ素子２０の挿入に
よる光磁気メモリ素子２０の記録再生位置へのセット時
、再生終了時、記録終了時及び記録・消去等の確認時の
みに第２の永久磁石３９を光磁気メモリ素子２０に対向
させ、初期化磁場Ｈ ｉｎｉを印加させるようになって
いる。なお、記録再生動作は第１実施例と同様であるの
で、説明を省略する。
割を有し、記録時には第１の永久磁石３日を光磁気メモ
リ素子２０に対向させ、記録磁場Ｈｗを印加させる一方
、記録再生装置３５への光磁気メモリ素子２０の挿入に
よる光磁気メモリ素子２０の記録再生位置へのセット時
、再生終了時、記録終了時及び記録・消去等の確認時の
みに第２の永久磁石３９を光磁気メモリ素子２０に対向
させ、初期化磁場Ｈ ｉｎｉを印加させるようになって
いる。なお、記録再生動作は第１実施例と同様であるの
で、説明を省略する。
上記の各実施例では、磁性層２３をメモリ層２６と補助
層２７の２層構戒としたが、必要に応じて、メモリＮ２
６と補助層２７との間に初期化磁場Ｈ ｉｎｉを低減さ
せるための中間Ｎ（前記ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．１０７８
０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｔａ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｔｏ
ｐｉｃａｌＭｅｅｔｉｎｇ（１９８９） ｐ２５Ｂ−２
６４参照）を設ける等、磁性層２３を３層以上で構威す
ることもできる。
層２７の２層構戒としたが、必要に応じて、メモリＮ２
６と補助層２７との間に初期化磁場Ｈ ｉｎｉを低減さ
せるための中間Ｎ（前記ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．１０７８
０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｔａ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｔｏ
ｐｉｃａｌＭｅｅｔｉｎｇ（１９８９） ｐ２５Ｂ−２
６４参照）を設ける等、磁性層２３を３層以上で構威す
ることもできる。
本発明に係る光磁気メモリ素子の記録再生方法は、以上
のように、少なくとも２層の磁性薄膜が磁気的に結合さ
れて積層された磁性層を有する光磁気メモリ素子に、記
録磁場と初期化磁場とを用いて光変調によりオーバライ
ト方式で記録再生する記録再生方法において、記録再生
位置への光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記
録終了時及び記録・消去等の確認時のみに初期化磁場を
光磁気メモリ素子に印加するようにした構成である。
のように、少なくとも２層の磁性薄膜が磁気的に結合さ
れて積層された磁性層を有する光磁気メモリ素子に、記
録磁場と初期化磁場とを用いて光変調によりオーバライ
ト方式で記録再生する記録再生方法において、記録再生
位置への光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記
録終了時及び記録・消去等の確認時のみに初期化磁場を
光磁気メモリ素子に印加するようにした構成である。
これにより、光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時
、記録終了時及び記録・消去の確認時のみに初期化磁場
の印加を行うようにし、換言すれば、初期化磁場と記録
磁場を同時には印加しないようにしたので、記録磁場の
印加と初期化磁場の印加とを同一位置で行うことができ
るようになり、その結果、例えば、カートリッジヶース
等に収納された光磁気メモリ素子に対してもオーバライ
トによる記録が可能となる。又、光磁気メモリ素子の挿
入時、再生終了時、記録終了時及び記録・消去の確認時
のみに初期化磁場を印加するようにすれば、上記少なく
とも２層の磁性ＷＪ膜のうち初朋化の必要な磁性薄膜は
常時初期化された状態となり、所望の時点でオーバライ
トが行える。
、記録終了時及び記録・消去の確認時のみに初期化磁場
の印加を行うようにし、換言すれば、初期化磁場と記録
磁場を同時には印加しないようにしたので、記録磁場の
印加と初期化磁場の印加とを同一位置で行うことができ
るようになり、その結果、例えば、カートリッジヶース
等に収納された光磁気メモリ素子に対してもオーバライ
トによる記録が可能となる。又、光磁気メモリ素子の挿
入時、再生終了時、記録終了時及び記録・消去の確認時
のみに初期化磁場を印加するようにすれば、上記少なく
とも２層の磁性ＷＪ膜のうち初朋化の必要な磁性薄膜は
常時初期化された状態となり、所望の時点でオーバライ
トが行える。
又、本発明に係る光磁気メモリ素子の記録再生装置は、
少なくとも２Ｎの磁性薄膜が磁気的に結合されて積層さ
れた磁性層を有する光磁気メモリ素子に、記録磁場と初
期化磁場とを用いて光変調によりオーバライト方式で記
録再生する記録再生装置において、光磁気メモリ素子に
記録磁場を印加する記録磁場印加手段と、光磁気メモリ
素子に上記記録磁場印加手段と同一位置で初期化磁場を
印加する初期化磁場印加手段と、記録時に記録磁場を印
加させる一方、本記録再生装置への光磁気メモリ素子の
セット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消去等の
確認時のみに初期化磁場を印加させるように記録磁場印
加手段と初期化磁場印加手段とを制御する磁場制御手段
と、記録時に記録信号に応じて光ビームの強度変調を行
うビーム制御手段とを備えている構或である。
少なくとも２Ｎの磁性薄膜が磁気的に結合されて積層さ
れた磁性層を有する光磁気メモリ素子に、記録磁場と初
期化磁場とを用いて光変調によりオーバライト方式で記
録再生する記録再生装置において、光磁気メモリ素子に
記録磁場を印加する記録磁場印加手段と、光磁気メモリ
素子に上記記録磁場印加手段と同一位置で初期化磁場を
印加する初期化磁場印加手段と、記録時に記録磁場を印
加させる一方、本記録再生装置への光磁気メモリ素子の
セット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消去等の
確認時のみに初期化磁場を印加させるように記録磁場印
加手段と初期化磁場印加手段とを制御する磁場制御手段
と、記録時に記録信号に応じて光ビームの強度変調を行
うビーム制御手段とを備えている構或である。
これにより、記録磁場の印加と初期化磁場の印加とを同
時には行わないようにするとともに、記録磁場印加手段
による記録磁場の印加と初期化磁場印加手段による初期
化磁場の印加とを同一位置で行うようにしたので、例え
ば、カートリッジケース等に収納された光磁気メモリ素
子に対してもオーバライトによる記録が可能となる。又
、上記したように、光磁気メモリ素子のセット時、再生
終了時、記録終了時及び記録・消去の確認時の、みに初
期化磁場を印加するようにすれば、上記少なくとも２層
の磁性薄膜のうち初期化の必要な磁性薄膜は常時初期化
された状態となる。
時には行わないようにするとともに、記録磁場印加手段
による記録磁場の印加と初期化磁場印加手段による初期
化磁場の印加とを同一位置で行うようにしたので、例え
ば、カートリッジケース等に収納された光磁気メモリ素
子に対してもオーバライトによる記録が可能となる。又
、上記したように、光磁気メモリ素子のセット時、再生
終了時、記録終了時及び記録・消去の確認時の、みに初
期化磁場を印加するようにすれば、上記少なくとも２層
の磁性薄膜のうち初期化の必要な磁性薄膜は常時初期化
された状態となる。
又、上記記録磁場印加手段と初期化磁場印加手段とを同
一の電磁石で構或すれば、部品点数の削減を図ることが
できる。
一の電磁石で構或すれば、部品点数の削減を図ることが
できる。
第１図は本発明の第１実施例における光磁気メモリ素子
及び記録再生装置を示す説明図である。 第２図は本発明の第２実施例における光磁気メモリ素子
及び記録再生装置を示す説明図である。 第３図は光磁気メモリ素子の要部拡大説明図である。 第４図はレーザビームの強度の変化を示す説明図である
。 第５図は磁性層における温度と保磁力との関係を示すグ
ラフである。 第６図は従来例を示す説明図である。 ２０は光磁気メモリ素子、２３は磁性層、２６はメモリ
Ｎ（磁性薄膜）、２７は補助Ｎ（磁性薄膜）、２８・３
７は記録再生装置、３２は電磁石（記録磁場印加手段兼
初期化磁場印加手段）、３４・４３はコントローラ（磁
場制御手段）、３８は第１の永久磁石（記録磁場印加手
段）、３９は第２の永久磁石（初期化磁場印加手段）、
４１はステッピングモータ（磁石交互移動手段）である
。 第３図 第４図
及び記録再生装置を示す説明図である。 第２図は本発明の第２実施例における光磁気メモリ素子
及び記録再生装置を示す説明図である。 第３図は光磁気メモリ素子の要部拡大説明図である。 第４図はレーザビームの強度の変化を示す説明図である
。 第５図は磁性層における温度と保磁力との関係を示すグ
ラフである。 第６図は従来例を示す説明図である。 ２０は光磁気メモリ素子、２３は磁性層、２６はメモリ
Ｎ（磁性薄膜）、２７は補助Ｎ（磁性薄膜）、２８・３
７は記録再生装置、３２は電磁石（記録磁場印加手段兼
初期化磁場印加手段）、３４・４３はコントローラ（磁
場制御手段）、３８は第１の永久磁石（記録磁場印加手
段）、３９は第２の永久磁石（初期化磁場印加手段）、
４１はステッピングモータ（磁石交互移動手段）である
。 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも２層の磁性薄膜が磁気的に結合されて積
層された磁性層を有する光磁気メモリ素子に、記録磁場
と初期化磁場とを用いて光変調によりオーバライト方式
で記録再生する記録再生方法において、記録再生位置へ
の光磁気メモリ素子のセット時、再生終了時、記録終了
時及び記録・消去等の確認時のみに初期化磁場を光磁気
メモリ素子に印加するようにしたことを特徴とする光磁
気メモリ素子の記録再生方法。 ２、少なくとも２層の磁性薄膜が磁気的に結合されて積
層された磁性層を有する光磁気メモリ素子に、記録磁場
と初期化磁場とを用いて光変調によりオーバライト方式
で記録再生する記録再生装置において、光磁気メモリ素
子に記録磁場を印加する記録磁場印加手段と、光磁気メ
モリ素子に上記記録磁場印加手段と同一位置で初期化磁
場を印加する初期化磁場印加手段と、記録時に記録磁場
を印加させる一方、本記録再生装置への光磁気メモリ素
子のセット時、再生終了時、記録終了時及び記録・消去
等の確認時のみに初期化磁場を印加させるように記録磁
場印加手段と初期化磁場印加手段とを制御する磁場制御
手段と、記録時に記録信号に応じて光ビームの強度変調
を行うビーム制御手段とを備えていることを特徴とする
光磁気メモリ素子の記録再生装置。 ３、上記記録磁場印加手段と初期化磁場印加手段とは同
一の電磁石からなることを特徴とする請求項第２項に記
載の光磁気メモリ素子の記録再生装置。 ４、上記記録磁場印加手段と初期化磁場印加手段とは互
いに異なる磁石からなり、かつ、上記磁場制御手段の制
御に基づき上記複数の磁石のいずれかを磁場発生位置に
移動させて記録磁場又は初期化磁場のいずれかを発生さ
せる磁石交互移動手段を備えていることを特徴とする請
求項第２項に記載の光磁気メモリ素子の記録再生装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1234205A JP2653523B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光磁気メモリ素子の記録再生方法並びにその装置 |
| US07/575,013 US5175721A (en) | 1989-09-08 | 1990-08-30 | Magneto-optical recording and reading device with initilization |
| DE69021189T DE69021189T2 (de) | 1989-09-08 | 1990-09-07 | Methode zur Aufzeichnung und Wiedergabe und Gerät für magneto-optische Speicherelemente. |
| EP90309857A EP0435425B1 (en) | 1989-09-08 | 1990-09-07 | Recording and reading method and device of magneto-optical memory elements |
| US07/931,990 US5270994A (en) | 1989-09-08 | 1992-08-19 | Magneto-optical recording and reading method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1234205A JP2653523B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光磁気メモリ素子の記録再生方法並びにその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397141A true JPH0397141A (ja) | 1991-04-23 |
| JP2653523B2 JP2653523B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=16967343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1234205A Expired - Lifetime JP2653523B2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光磁気メモリ素子の記録再生方法並びにその装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5175721A (ja) |
| EP (1) | EP0435425B1 (ja) |
| JP (1) | JP2653523B2 (ja) |
| DE (1) | DE69021189T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5270994A (en) * | 1989-09-08 | 1993-12-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording and reading method |
| CA2043995C (en) * | 1990-06-13 | 1997-06-24 | Kenji Ohta | Magneto-optical recording/reproducing device |
| JP3185932B2 (ja) * | 1990-06-21 | 2001-07-11 | セイコーエプソン株式会社 | 光磁気記録再生方法ならびに光磁気記録再生装置 |
| JPH0536141A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Sony Corp | 光磁気記録装置 |
| JP2850966B2 (ja) * | 1991-08-02 | 1999-01-27 | シャープ株式会社 | 光磁気記録装置 |
| JPH05101472A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Sony Corp | 光磁気記録再生方式 |
| JPH05303790A (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-16 | Sony Corp | 光磁気ディスク装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6453368A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Nec Corp | Magneto-optical information recording and reproducing device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0258978B1 (en) * | 1986-07-08 | 1998-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
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