JPH0196844A - 光磁気記録再生方式 - Google Patents
光磁気記録再生方式Info
- Publication number
- JPH0196844A JPH0196844A JP25425287A JP25425287A JPH0196844A JP H0196844 A JPH0196844 A JP H0196844A JP 25425287 A JP25425287 A JP 25425287A JP 25425287 A JP25425287 A JP 25425287A JP H0196844 A JPH0196844 A JP H0196844A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- recording
- auxiliary layer
- layer
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 2
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Landscapes
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は重ね妻き機能を有する光磁気記録媒体における
光磁気記録再生方式に関し、特に再生出力を増大させ、
ＣＮ比を向上させることを可能とした光磁気記録再生方
式に関する。
光磁気記録再生方式に関し、特に再生出力を増大させ、
ＣＮ比を向上させることを可能とした光磁気記録再生方
式に関する。
従来、光磁気ディスク等の光磁気記録媒体への情報の記
録（書込み）は、−様に磁化した光記録媒体（Ｔｂ−Ｆ
ｅ薄膜等の垂直磁化薄膜）に対し異方性磁界以下のバイ
アス磁場を磁化と逆向きに加えつつ、レーザビームを照
射して照射領域の温度をキュリー温度以上に上げた後、
媒体が冷却する過程でバイアス磁場の方向に磁化が反転
することを利用しており、レーザビームをオン・オフす
ることで磁化反転の列として情報を記録していた。
録（書込み）は、−様に磁化した光記録媒体（Ｔｂ−Ｆ
ｅ薄膜等の垂直磁化薄膜）に対し異方性磁界以下のバイ
アス磁場を磁化と逆向きに加えつつ、レーザビームを照
射して照射領域の温度をキュリー温度以上に上げた後、
媒体が冷却する過程でバイアス磁場の方向に磁化が反転
することを利用しており、レーザビームをオン・オフす
ることで磁化反転の列として情報を記録していた。
しかしながら、この方式では、−旦記録された領域に新
たな情報を記録する場合には、逆向きのバイアス磁場中
で連続レーザビームを照射して媒体を加熱し、磁化をす
べて−様な方向にそろえる「消去過程」が必要であった
。すなわち、消去した後に再度記録を行う必要があり、
通常の磁気記録における情報の書込みの如く、予め記録
されていた領域の上に別の情報を記録することで、以前
の情報が自動的に消去される（いわゆる、「同時重ね書
き」に当る）わけではないので、アクセス速度の高速化
が阻害されるという問題があった。また、従来の磁気記
録装置との互換性上の障害ともなっていた。
たな情報を記録する場合には、逆向きのバイアス磁場中
で連続レーザビームを照射して媒体を加熱し、磁化をす
べて−様な方向にそろえる「消去過程」が必要であった
。すなわち、消去した後に再度記録を行う必要があり、
通常の磁気記録における情報の書込みの如く、予め記録
されていた領域の上に別の情報を記録することで、以前
の情報が自動的に消去される（いわゆる、「同時重ね書
き」に当る）わけではないので、アクセス速度の高速化
が阻害されるという問題があった。また、従来の磁気記
録装置との互換性上の障害ともなっていた。
上述の問題を解消する方式として、佐藤等により応用物
理学会全国大会の講演「多層光磁気記録媒体を用いた単
一ビームオーバーライト方式」（昭和６２年３月２８日
、講演番号２８ｐ−ｚｌ−３）に発表された方式が知ら
れている。以下、この方式の概要を説明する。
理学会全国大会の講演「多層光磁気記録媒体を用いた単
一ビームオーバーライト方式」（昭和６２年３月２８日
、講演番号２８ｐ−ｚｌ−３）に発表された方式が知ら
れている。以下、この方式の概要を説明する。
第２図（ａ）に二層薄膜を用いる重ね書き可能な光磁気
ディスクの構成およびイニシャライズの動作を、また、
同（ｂ）および（ｃ）にそのローレベル記録およびハイ
レベル記録の各動作を示す。図において、１は光磁気デ
ィスク（以下、単に「ディスク」ともいう）用の基板、
２は低異方性磁場、高キュリー温度を有する補助層、３
は高異方性磁場。
ディスクの構成およびイニシャライズの動作を、また、
同（ｂ）および（ｃ）にそのローレベル記録およびハイ
レベル記録の各動作を示す。図において、１は光磁気デ
ィスク（以下、単に「ディスク」ともいう）用の基板、
２は低異方性磁場、高キュリー温度を有する補助層、３
は高異方性磁場。
低キユリー温度を有する記録層、４はレーザ光ヘッド（
以下、単に「光ヘッド」という）、５はレーザ光ビーム
（以下、単に「光ビーム」という）、また、６は永久磁
石を示している。
以下、単に「光ヘッド」という）、５はレーザ光ビーム
（以下、単に「光ビーム」という）、また、６は永久磁
石を示している。
第２図（ａ）において、ディスクが矢印へ方向に移動し
ているとき、まず、ディスク面に対して永久磁石６で、
補助層２の磁化を反転させるには充分であるが、記録層
３の磁化は反転させることができない程度の垂直磁場（
Ｈｌｎｉ）を印加し、補助層２のみを磁場方向に完全に
磁化しておく。この操作を「イニシャライズ」と呼ぶ。
ているとき、まず、ディスク面に対して永久磁石６で、
補助層２の磁化を反転させるには充分であるが、記録層
３の磁化は反転させることができない程度の垂直磁場（
Ｈｌｎｉ）を印加し、補助層２のみを磁場方向に完全に
磁化しておく。この操作を「イニシャライズ」と呼ぶ。
次に、この媒体を第２図（ｂ）、（ｃ）に示す如く、光
ヘッド４の下に移動させ、強弱二水準の光パワーを持つ
光ビーム５により加熱する。ここでは、上述のイニシャ
ライズ用の磁場とは逆向きに、弱いバイアス磁場（Ｈｂ
）が印加されている。
ヘッド４の下に移動させ、強弱二水準の光パワーを持つ
光ビーム５により加熱する。ここでは、上述のイニシャ
ライズ用の磁場とは逆向きに、弱いバイアス磁場（Ｈｂ
）が印加されている。
第２図（ｂ）に示す、光ビーム５のパワーが小さいとき
（ローレベル記録）には、照射部分の最高温度は、記録
層３のキュリー温度以上となるが、補助層２のキュリー
温度以下であるように設定される。この場合には記録層
３のみが非磁性になり、補助Ｎ２の磁化は失われずに残
っている。媒体が移動して、光ビーム５で照射された領
域の温度が低下するときに、記録層３の磁化は交換相互
作用によって補助層２の磁化と同一方向に揃う。
（ローレベル記録）には、照射部分の最高温度は、記録
層３のキュリー温度以上となるが、補助層２のキュリー
温度以下であるように設定される。この場合には記録層
３のみが非磁性になり、補助Ｎ２の磁化は失われずに残
っている。媒体が移動して、光ビーム５で照射された領
域の温度が低下するときに、記録層３の磁化は交換相互
作用によって補助層２の磁化と同一方向に揃う。
一方、第２図（ｃ）に示す、上述の光ビーム５のパワー
が大きいとき（ハイレベル記録）には、媒体の温度は補
助層２のキュリー温度よりも高くなるように設定する。
が大きいとき（ハイレベル記録）には、媒体の温度は補
助層２のキュリー温度よりも高くなるように設定する。
この冷却過程では、まず、補助層２の磁化が外部バイア
ス磁場の方向に揃い、この磁化にならって、記録層３の
磁化もバイアス磁場の方向に揃うことで記録が完了する
。
ス磁場の方向に揃い、この磁化にならって、記録層３の
磁化もバイアス磁場の方向に揃うことで記録が完了する
。
以上の記録のプロセスは、記録層３の磁化状態に依存し
ないので、光ビーム５のパワーの強弱に応じた記録がい
つでもできること、すなわち、同時重ね書きができるこ
とを示している。
ないので、光ビーム５のパワーの強弱に応じた記録がい
つでもできること、すなわち、同時重ね書きができるこ
とを示している。
記録層３に書込まれた情報は、光ビーム５の反射光の偏
光面の傾きの差として読出すことができる。なお、通常
、再生時には、信号記録時に加えられるバイアス磁場が
加えられた状態のままとなっている。ここで、再生時の
レーザパワーは、記録状態に影響を与えないためには、
記録層３の温度がそのキュリー温度よりも充分低い温度
であるように設定する必要がある。
光面の傾きの差として読出すことができる。なお、通常
、再生時には、信号記録時に加えられるバイアス磁場が
加えられた状態のままとなっている。ここで、再生時の
レーザパワーは、記録状態に影響を与えないためには、
記録層３の温度がそのキュリー温度よりも充分低い温度
であるように設定する必要がある。
一方、再生時のレーザパワーが小さいと、ＣＮ比が低下
するので、できる限り再生用のレーザパワーは大きいこ
とが望まれる。しかしながら、レーザパワーとしては、
信号再生時、ローレベル記録時、ハイレベル記録時の三
段階に、それぞれの温度範囲を割当てる必要があるため
、再生パワーを大きく設定し難いという問題があった。
するので、できる限り再生用のレーザパワーは大きいこ
とが望まれる。しかしながら、レーザパワーとしては、
信号再生時、ローレベル記録時、ハイレベル記録時の三
段階に、それぞれの温度範囲を割当てる必要があるため
、再生パワーを大きく設定し難いという問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、従来の光磁気記録再生方式における上述
の如き問題を解消し、重ね書き機能を有する光磁気記録
媒体において再生出力を増大させ、ＣＮ比を向上させる
ことを可能とした光磁気記録再生方式を提供することに
ある。
するところは、従来の光磁気記録再生方式における上述
の如き問題を解消し、重ね書き機能を有する光磁気記録
媒体において再生出力を増大させ、ＣＮ比を向上させる
ことを可能とした光磁気記録再生方式を提供することに
ある。
本発明の上述の目的は、交換相互作用で磁気的に結合し
た補助層と記録層の二ｍ構造を有する同時重ね書き可能
な光磁気記録媒体を用い、記録動作に先立って補助層の
磁化をイニシャライズ磁場で膜面に垂直方向に揃えると
ともに、信号の記録時に前記イニシャライズ磁場とは逆
向きにバイアス磁場を加える光磁気記録再生方式におい
て、前記信号の再生時に、信号記録時に加える前記光磁
気記録媒体上の補助層のみの磁化を反転させるために必
要な磁場よりも大きく、補助層が単独である場合の保磁
力より小さくバイアス磁場を加えることを特徴とする光
磁気記録再生方式によって達成される。
た補助層と記録層の二ｍ構造を有する同時重ね書き可能
な光磁気記録媒体を用い、記録動作に先立って補助層の
磁化をイニシャライズ磁場で膜面に垂直方向に揃えると
ともに、信号の記録時に前記イニシャライズ磁場とは逆
向きにバイアス磁場を加える光磁気記録再生方式におい
て、前記信号の再生時に、信号記録時に加える前記光磁
気記録媒体上の補助層のみの磁化を反転させるために必
要な磁場よりも大きく、補助層が単独である場合の保磁
力より小さくバイアス磁場を加えることを特徴とする光
磁気記録再生方式によって達成される。
本発明に係わる光磁気記録媒体の記録再生方式において
は、信号再生時のレーザパワーを増大させても記録層の
磁化状態が変化しないようなバイアス磁場の印加が行わ
れる。すなわち、上記バイアス磁場を信号再生時と信号
記録時とで強弱変化させる点に特徴を有する。
は、信号再生時のレーザパワーを増大させても記録層の
磁化状態が変化しないようなバイアス磁場の印加が行わ
れる。すなわち、上記バイアス磁場を信号再生時と信号
記録時とで強弱変化させる点に特徴を有する。
以下、まず、本発明の原理を図面に基づいて説明した後
、具体的実施例を説明する。
、具体的実施例を説明する。
本発明に使用される二層媒体光磁気ディスクにおいては
、記録層と補助層の磁化が平行である方が安定な場合（
ｐ−ｔｙｐｅ）と、両層の磁化が反平行な方が安定な場
合（ａ−ｔｙｐｅ）の二種類がある。まず、ｐ−ｔｙｐ
ｅについて考察する。なお、図中の記号の意味は次の通
りである。
、記録層と補助層の磁化が平行である方が安定な場合（
ｐ−ｔｙｐｅ）と、両層の磁化が反平行な方が安定な場
合（ａ−ｔｙｐｅ）の二種類がある。まず、ｐ−ｔｙｐ
ｅについて考察する。なお、図中の記号の意味は次の通
りである。
Ｈｃ、：二層膜のメジャーヒステリシスループ（実線）
で、補助層の磁化のみ を反転する垂直磁場 Ｈｅ２：二層膜のメジャーヒステリシスループで、記録
層の磁化を反転する 垂直磁場 Ｈｃａ：補助層が単独で存在したとするときの保磁力 Ｈｅ、’：二層膜のマイナーヒステリシスループ（破、
１）で、補助層の磁化のみ が反転する垂直磁場 ｐ−ｔｙｐｅの二層薄膜ディスクのヒステリシスループ
は、第１図（ａ）に示すようになる。図の横軸は薄膜面
に垂直に加わる磁場の強さ、縦軸は磁化（単位体積当り
の磁気モーメント）の大きさを示している。また１図中
の周囲に示す四角形内の下の矢印は補助層の磁化方向を
、上の矢印は記録層の磁化方向を、それぞれ示している
。なお、磁化状態は、イニシャライズ後はＯ、ハイレベ
ル記録後は・、ローレベル記録後は◎で示されている。
で、補助層の磁化のみ を反転する垂直磁場 Ｈｅ２：二層膜のメジャーヒステリシスループで、記録
層の磁化を反転する 垂直磁場 Ｈｃａ：補助層が単独で存在したとするときの保磁力 Ｈｅ、’：二層膜のマイナーヒステリシスループ（破、
１）で、補助層の磁化のみ が反転する垂直磁場 ｐ−ｔｙｐｅの二層薄膜ディスクのヒステリシスループ
は、第１図（ａ）に示すようになる。図の横軸は薄膜面
に垂直に加わる磁場の強さ、縦軸は磁化（単位体積当り
の磁気モーメント）の大きさを示している。また１図中
の周囲に示す四角形内の下の矢印は補助層の磁化方向を
、上の矢印は記録層の磁化方向を、それぞれ示している
。なお、磁化状態は、イニシャライズ後はＯ、ハイレベ
ル記録後は・、ローレベル記録後は◎で示されている。
前述のイニシャライズ時の垂直磁場Ｈｉｎｉは、Ｈｅ工
以上、Ｈｅ、未満に設定する必要があることは明らかで
ある。なお、上記Ｈｅ□は、補助層単独の保磁力（Ｈｃ
ａ）よりも、交換相互作用エネルギー分ａ ｗ／２Ｍａ
Ｔａ ’；数百〜数千（Ｏｅ）ここで、Ｍａ：補助層の
飽和磁化 （１００ｅｍｕ／ｃｃ以下） Ｔａ：補助層の厚み（数百人） σｗ：補助層と記録層の間の交 換相互作用エネルギー （０，５５−２ｅｒ／ｃｍ”） だけ高くなる。
以上、Ｈｅ、未満に設定する必要があることは明らかで
ある。なお、上記Ｈｅ□は、補助層単独の保磁力（Ｈｃ
ａ）よりも、交換相互作用エネルギー分ａ ｗ／２Ｍａ
Ｔａ ’；数百〜数千（Ｏｅ）ここで、Ｍａ：補助層の
飽和磁化 （１００ｅｍｕ／ｃｃ以下） Ｔａ：補助層の厚み（数百人） σｗ：補助層と記録層の間の交 換相互作用エネルギー （０，５５−２ｅｒ／ｃｍ”） だけ高くなる。
ここで、前記バイアス磁場Ｈｂ （第２図参照）につい
て若干補足説明しておく。前記従来技術においては、Ｈ
ｂｌ：ｉ、Ｈｅ１’よりも小さく設定する必要があると
されていた。その理由は、ＨｂがＨｅ１’よりも大きい
と、バイアス磁場が加わった時点で、補助層の磁化はバ
イアス磁場方向へ揃ってしまい、ローレベル記録を行っ
ても、第１図（ａ）中の、Ｏ印のハイレベル記録後の状
態となり、同時重ね書きができなくなるためである。
て若干補足説明しておく。前記従来技術においては、Ｈ
ｂｌ：ｉ、Ｈｅ１’よりも小さく設定する必要があると
されていた。その理由は、ＨｂがＨｅ１’よりも大きい
と、バイアス磁場が加わった時点で、補助層の磁化はバ
イアス磁場方向へ揃ってしまい、ローレベル記録を行っ
ても、第１図（ａ）中の、Ｏ印のハイレベル記録後の状
態となり、同時重ね書きができなくなるためである。
ところで、光ビームを照射して、媒体温度が上昇した場
合には、まず、ローレベル記録が、次にパイレベル記録
が行われる。従って、再生光ビームの強度を律する因子
は、ローレベル記録が行われるか否かである。そこで、
Ｈｂを、 Ｈｅ１’≦Ｈｂ≦ＨＣ拳 Ｈａｓ ： Ｈｅｉ’より大で、Ｈｃ、未満の磁場と設
定することで、媒体の磁化状態は両層ともに上向き（＠
）か下向き（・）となる。この状態では、ローレベル記
録が行われる温度まで加熱しても、記録層の磁化の向き
は変化しない。すなわち、ローレベル記録時のレーザパ
ワーまでは、光ビーム強度を増加できる。
合には、まず、ローレベル記録が、次にパイレベル記録
が行われる。従って、再生光ビームの強度を律する因子
は、ローレベル記録が行われるか否かである。そこで、
Ｈｂを、 Ｈｅ１’≦Ｈｂ≦ＨＣ拳 Ｈａｓ ： Ｈｅｉ’より大で、Ｈｃ、未満の磁場と設
定することで、媒体の磁化状態は両層ともに上向き（＠
）か下向き（・）となる。この状態では、ローレベル記
録が行われる温度まで加熱しても、記録層の磁化の向き
は変化しない。すなわち、ローレベル記録時のレーザパ
ワーまでは、光ビーム強度を増加できる。
もちろん、ローレベル記録時には、記録層がキュリー温
度以上に加熱されるため、カー回転角はなくなり、信号
は検出できないので、実際のパワーの上限はより低くな
る。
度以上に加熱されるため、カー回転角はなくなり、信号
は検出できないので、実際のパワーの上限はより低くな
る。
また、上記Ｈｅｍは、ローレベル記録時に相当する加熱
条件では、記０層が非磁性となるので、補助層単独の保
磁力（Ｈｃａ）に等しくなる。つまり、上ｇＱＨｃ＊の
上限は、Ｈｃａとするのが妥当である。
条件では、記０層が非磁性となるので、補助層単独の保
磁力（Ｈｃａ）に等しくなる。つまり、上ｇＱＨｃ＊の
上限は、Ｈｃａとするのが妥当である。
以上のモデルから明らかなように、再生動作の前に高い
Ｈｂを印加して記録層と補助層の磁化を平行に揃えるこ
とで、ローレベル記録の弊害を回避して、再生レーザパ
ワーを増大させることができ、この結果、再生出力やＣ
Ｎ比の増加が達成できることになる。
Ｈｂを印加して記録層と補助層の磁化を平行に揃えるこ
とで、ローレベル記録の弊害を回避して、再生レーザパ
ワーを増大させることができ、この結果、再生出力やＣ
Ｎ比の増加が達成できることになる。
同様の関係は ａ−ｔｙｐｅの場合にも成立する。第１
図（ｂ）は ａ−ｔｙｐｅの、二層薄膜ディスクのヒス
テリシスループである。ローレベル記録時、ハイレベル
記録時の安定点では両層の磁化が反平行になり、イニシ
ャライズ後は平行になる点がｐ −ｔｙｐｅとは逆であ
るが、前記ＨｉｎｉおよびＨｂの設定位置は、ｐ−ｔｙ
ｐｅと同じ条件範囲で成立する。
図（ｂ）は ａ−ｔｙｐｅの、二層薄膜ディスクのヒス
テリシスループである。ローレベル記録時、ハイレベル
記録時の安定点では両層の磁化が反平行になり、イニシ
ャライズ後は平行になる点がｐ −ｔｙｐｅとは逆であ
るが、前記ＨｉｎｉおよびＨｂの設定位置は、ｐ−ｔｙ
ｐｅと同じ条件範囲で成立する。
このため、再生動作の前に高いＨｂを印加して、記録層
と補助層の磁化を平行に揃えることで、ローレベル記録
の弊害を回避して、再生レーザパワーを増大させること
ができ、この結果、再生出力やＣＮ比の増加が達成でき
る。
と補助層の磁化を平行に揃えることで、ローレベル記録
の弊害を回避して、再生レーザパワーを増大させること
ができ、この結果、再生出力やＣＮ比の増加が達成でき
る。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１：
第２図（ａ）に示した構成を有する光磁気ディスクを作
成して、本発明を検証した。基板１としてはガラス円板
を用い、この基板１上にスパッタリング法を用いて、記
録Ｍ３としての２２％Ｔ ｂ−７８％Ｆｅ′Ｊｔ膜を６
５０人厚形成した後、補助層２としての１９％Ｔｂ−９
％Ｇｏ−１２％Ｆｅ薄膜を５３０人厚形成した。
成して、本発明を検証した。基板１としてはガラス円板
を用い、この基板１上にスパッタリング法を用いて、記
録Ｍ３としての２２％Ｔ ｂ−７８％Ｆｅ′Ｊｔ膜を６
５０人厚形成した後、補助層２としての１９％Ｔｂ−９
％Ｇｏ−１２％Ｆｅ薄膜を５３０人厚形成した。
本実施例に示すディスクにおいては、二層膜中に記録過
程では前記ｐ−ｔｙｐｅ、再生過程では ａ−ｔｙｐｅ
の状態が成立している。
程では前記ｐ−ｔｙｐｅ、再生過程では ａ−ｔｙｐｅ
の状態が成立している。
このディスクのＨｅ工′は１２０００ｅであり、Ｈｃａ
は３５０００ ｅである。Ｈｂを２０００ ｅとした場
合には、レーザパワー１ 、５ｍＷでＣＮ比５２ｄＢが
得られた。このときのビットエラー率は、Ｉ Ｘ １０
−’回／ビットであり、パワーを２ｍＷに増加させると
、ビットエラー率は、Ｉ Ｘ １０−５回／ビットまで
劣化した。
は３５０００ ｅである。Ｈｂを２０００ ｅとした場
合には、レーザパワー１ 、５ｍＷでＣＮ比５２ｄＢが
得られた。このときのビットエラー率は、Ｉ Ｘ １０
−’回／ビットであり、パワーを２ｍＷに増加させると
、ビットエラー率は、Ｉ Ｘ １０−５回／ビットまで
劣化した。
Ｈｂを３００００ ｅとした場合には、レーザパワーを
２ｍＷに増加させても、ビットエラー率が増加せず、再
生出力は３０％、ＣＮ比は１．５ｄＢ増加した。
２ｍＷに増加させても、ビットエラー率が増加せず、再
生出力は３０％、ＣＮ比は１．５ｄＢ増加した。
実施例２：
実施例１と同様のディスクを用いて、再生時に印加する
バイアス磁場をイニシャライズ磁場印加領域とレーザ照
射領域との間で印加した。すなわち、レード照射領域で
は、信号記録時の強度のバイアス磁場が信号再生時に加
わっている。
バイアス磁場をイニシャライズ磁場印加領域とレーザ照
射領域との間で印加した。すなわち、レード照射領域で
は、信号記録時の強度のバイアス磁場が信号再生時に加
わっている。
この場合にも、レーザパワーを２ｍＷに増加させても、
ビットエラー率は増加せず、再生出力は３０％、ＣＮ比
は１．５ｄＢ増加し、高いＨｂを印加して、記録層と補
助層の磁化を単行に揃えることで再生レーザパワーを増
加させた効果が得られた。
ビットエラー率は増加せず、再生出力は３０％、ＣＮ比
は１．５ｄＢ増加し、高いＨｂを印加して、記録層と補
助層の磁化を単行に揃えることで再生レーザパワーを増
加させた効果が得られた。
以上詳細に述べた如く、本発明によれば、交換相互作用
で磁気的に結合した補助層と記録層の二層構造を有する
同時重ね書き可能な光磁気記録媒体を用い、記録動作に
先立って補助層の磁化をイニシャライズ磁場で膜面に垂
直方向に揃えるとともに、信号の記録時に前記イニシャ
ライズ磁場とは逆向きにバイアス磁場を加える光磁気記
録再生方式において、前記信号の再生時に、信号記録時
に加える前記光磁気記録媒体上の補助層のみの磁化を反
転させるために必要な磁場よりも大きく、補助層が単独
である場合の保磁力より小さくバイアス磁場を加えるよ
うにしたので、重ね書き機能を有する光磁気記録媒体に
おいて再生出力を増大させ、ＣＮ比を向上させることを
可能とした光磁気記録再生方式を実現できるという顕著
な効果を奏するものである。
で磁気的に結合した補助層と記録層の二層構造を有する
同時重ね書き可能な光磁気記録媒体を用い、記録動作に
先立って補助層の磁化をイニシャライズ磁場で膜面に垂
直方向に揃えるとともに、信号の記録時に前記イニシャ
ライズ磁場とは逆向きにバイアス磁場を加える光磁気記
録再生方式において、前記信号の再生時に、信号記録時
に加える前記光磁気記録媒体上の補助層のみの磁化を反
転させるために必要な磁場よりも大きく、補助層が単独
である場合の保磁力より小さくバイアス磁場を加えるよ
うにしたので、重ね書き機能を有する光磁気記録媒体に
おいて再生出力を増大させ、ＣＮ比を向上させることを
可能とした光磁気記録再生方式を実現できるという顕著
な効果を奏するものである。
第１図は二層薄膜ディスクの特性を示すヒステリシスル
ープ図、第２図（ａ）〜（ｃ）は重ね書き可能な光磁気
ディスクのイニシャライズ、ローレベル記録およびハイ
レベル記録の各動作を示す説明図である。 １：光磁気ディスク（ディスク）用の基板、２：補助層
、３：記録層、４：光ヘッド、５：光ビーム、６：永久
磁石。 Ｂ、−
ープ図、第２図（ａ）〜（ｃ）は重ね書き可能な光磁気
ディスクのイニシャライズ、ローレベル記録およびハイ
レベル記録の各動作を示す説明図である。 １：光磁気ディスク（ディスク）用の基板、２：補助層
、３：記録層、４：光ヘッド、５：光ビーム、６：永久
磁石。 Ｂ、−
Claims (2)
- （１）交換相互作用で磁気的に結合した補助層と記録層
の二層構造を有する同時重ね書き可能な光磁気記録媒体
を用い、記録動作に先立って補助層の磁化を外部磁場（
イニシャライズ磁場）で膜面に垂直方向に揃えるととも
に、信号の記録時に前記イニシャライズ磁場とは逆向き
にバイアス磁場を加える光磁気記録再生方式において、
前記信号の再生時に、信号記録時に加える前記光磁気記
録媒体上の補助層のみの磁化を反転させるために必要な
磁場よりも大きく、補助層が単独である場合の保磁力よ
り小さくバイアス磁場を加えることを特徴とする光磁気
記録再生方式。 - （２）前記信号再生時に加えるバイアス磁場を、前記イ
ニシャライズ磁場印加領域とレーザ照射領域の間で印加
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁
気記録再生方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25425287A JPH0196844A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 光磁気記録再生方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25425287A JPH0196844A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 光磁気記録再生方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196844A true JPH0196844A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17262399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25425287A Pending JPH0196844A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 光磁気記録再生方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0757328A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の記録再生方法および記録再生装置 |
| US5574703A (en) * | 1990-06-21 | 1996-11-12 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical method and apparatus for recording/reproducing data |
-
1987
- 1987-10-08 JP JP25425287A patent/JPH0196844A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5574703A (en) * | 1990-06-21 | 1996-11-12 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical method and apparatus for recording/reproducing data |
| JPH0757328A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の記録再生方法および記録再生装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2579631B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP3359067B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPS63276731A (ja) | 光磁気記録媒体への書き込み方法 | |
| JPH11110839A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3185932B2 (ja) | 光磁気記録再生方法ならびに光磁気記録再生装置 | |
| JPH0196844A (ja) | 光磁気記録再生方式 | |
| JPH0536141A (ja) | 光磁気記録装置 | |
| JP2910082B2 (ja) | 光磁気記録再生方法 | |
| JPH03242845A (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP2746313B2 (ja) | 情報記録方法 | |
| JP2903729B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3228964B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63316344A (ja) | 光磁気記録方式 | |
| JP2817426B2 (ja) | 光磁気記録媒体および記録再生装置 | |
| JPS63179436A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2815122B2 (ja) | 情報記録装置 | |
| JP2861495B2 (ja) | 光磁気記録再生装置 | |
| JPH06103627A (ja) | 光磁気記録の記録消去の方法 | |
| JP2002298325A (ja) | 磁気記録媒体及びそれを備える磁気記録装置 | |
| JPH02289948A (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPS63191338A (ja) | 光磁気記録媒体及び記録方式 | |
| JPH01217744A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH04105236A (ja) | 磁気記録方式及び消去方式及び読出方式 | |
| JPS63191337A (ja) | 光磁気記録媒体及び記録方式 | |
| JPH01100752A (ja) | 磁気記録、光再生用記録媒体 |