JPS63191338A

JPS63191338A - 光磁気記録媒体及び記録方式

Info

Publication number: JPS63191338A
Application number: JP62023993A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Osato; 陽一大里
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-02-04
Filing date: 1987-02-04
Publication date: 1988-08-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、磁気カー効果を利用して読出しすることので
きるキュリー点書込みタイプの光磁気記録媒体を使用し
た、重ね書き可能な光磁気記録方法に関する。

〔従来の技術〕

消去可能な光デイスクメモリとして光磁気ディスクが知
られている。光磁気ディスクは、従来の磁気ヘッドを使
った磁気記録媒体と比べて高密度記録、非接触での記録
再生などが可能であるという長所がある反面、記録前に
一度記録部分を消去しなければならない（一方向に着磁
しなければならない）という欠点があった。この欠点を
補う為に、記録再生用ヘッドと消去用ヘッドを別々に設
ける方式、あるいは、レーザーの連続ビームを照射しな
がら、同時に印加する磁場を変調しながら記録する方式
などが提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、これらの方法は、装置が大がかりとなり、コス
ト高になる欠点あるいは高速の変調ができないなどの欠
点を有する。

公知技術の上述の欠点を除去し、従来の装置構成に簡易
な構造の磁界発生手段を付設するだけで、磁気記録媒体
と同様な重ね書き（オーバーライド）を可能とした、光
磁気記録方法を本出願人は昭和６１年７月８日に特願昭
６１−１５８７８７号（該出願は６２年２月２日の国内
優先の基礎出願となる）で提案した。

しかし、この方法は全く新しい記録方法であるが故に、
いまだ多くの改良すべき点が内在されていた。すなわち
記録の信頼性の向上に関して等である。

そこで本発明者は更に研究を進めた結果、いくつかの成
果が得られた。

本発明はこうして完成されたものであり、その目的は重
ね書き可能な記録方法を提供するだけでなく、その重ね
書き可能な記録方法による記録の信頼性を向上すること
にある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的達成可能な本発明は、低いキュリー点（”ｒｔ、）と高い保磁力（ＨＨ）を有
する第１磁性層およびこの磁性層に比べて相対的に高い
キュリー点（ＴＨ）と低い保磁力（）ＩＬ）を有する第
２磁性層からなる二層構造の垂直磁化膜と、該垂直磁化
膜の両性側に配された互いに同一材料から成る保護膜と
、が基板上に設けられた構成であって、第２磁性層の飽和磁化をＭｓ、膜厚をｈ、二つの磁性層
間の磁壁エネルギーをσ胃とすると、ＨＨ＞ＨＬ〉−Ｑ
− Ｍｓｈを満たすことを特徴とする光磁気記録媒体と、これを使
用して、次の二値の記録を行なう記録方式（ａ）該媒体
に対して、記録用ヘッドと異なる場所で、保磁力ＨＬの
第２磁性層を一方向に磁化させるのに充分で保磁力ＨＨ
の第１磁性層の磁化の向きを反転させることのない大き
さの磁界Ｂを加え、（ｂ）次に、記録ヘッドにより、バ
イアス磁界を印加すると同時に低いキュリー点（”ｒｔ
、　）付近（ＴＬ、に近い温度で第１磁性層の磁化の向
きを均一に第２磁性層の磁化の向きに対して安定な方向
に配列可能な温度）まで該媒体が昇温するだけのレーザ
ーパワーを照射することにより、第２磁性層の磁化の向
きを変えないまま第１磁性層の磁化の向きを第２磁性層
に対して安定な向きにそろえる第１種の予備記録か、バ
イアス磁界を印加すると同時に高いキュリー点（Ｔ□）
付近（ＴＨに近い温度で第２磁性層の磁化の向きを均一
に反転可能な温度）まで該媒体が昇温するだけのレーザ
ーパワーを照射することにより、第２磁性層の磁化の向
きを反転させて同時に第１磁性層も第２磁性層に対して
安定な向きに磁化する第２種の予備記録かを、信号に応
じて実施し、（ｃ）次に、該媒体を運動させて、予備記
録されたビットを前記磁界Ｂを通過させることにより、
第１種の予備記録により形成されたビットについては磁
化の向きをそのまま変化させず（第１種の記録）、第２
種の予備記録により形成されたビットについては第２磁
性層の磁化の向きだけを前記磁界Ｂと同方向に反転させ
る（第２種の記録）、二値の記録。

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図（ａ）　、（ｂ）は各々本発明に用いる光磁気記
録媒体の一実施例を示す模式断面図である。第１図（ａ
）の光磁気記録媒体は、プリグループが設けられた透光
性の基板Ｂ、上に、第１の保護膜１、第２の磁性層２、
第２の磁性層３および第２の保護膜４が積層されたもの
である。第１磁性層２は低いキュリー点（ＴＬ、）と高
い保磁力（ＨＨ）を有し、第２磁性層３は、高いキュリ
ー点（ＴＨ）と低い保磁力（ＨＬ　）を有する。ここで
「高い」、「低い」とは両磁性層を比較した場合の相対
的な関係を表わす（保磁力は室温における比較）。ただ
し、通常は第１磁性層２のＴＬは７０〜１８０℃、ＨＨ
は、３〜１ＯＫＯｅ、第２！！性層３のＴＨ′は１５０
〜４００℃、ＨＬは０．５〜２　ＫＯｅ程度の範囲内に
するとよい。

各磁性層の材料には、垂直磁気異方性を示し且つ磁気光
学効果を呈するものが利用できるが、ＧｄＧｏ、ＧｄＦ
ｅ、ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ
、ＧｄＦｅＧｏ、　ＴｂＦｅ（：ｏ、　ＧｄＴｂＣｏ等
の希土類元素と遷移金属元素との非晶質磁性合金が好ま
しい。

本発明の光磁気記録方法においては、第１磁性層２が主
に再生に関与する。即ち、第１磁性層２が呈する磁気光
学効果が主に再生に利用され、第２磁性層３は記録に重
要な役割りを果たす。

一方、従来の光磁気記録方法における交換結合二層膜で
は、逆に、低いキュリー点と高い保磁力とを有する磁性
層は主に記録に関与し、高いキュリー点と低い保磁力と
を有する磁性層が主に再生に関与した。

かかる従来の交換結合二層膜では、主に再生に関与する
磁性層の飽和磁化Ｍｓと、膜厚りと、二層間の磁壁エネ
ルギーσ胃の間に、次の様な関係があるのが望ましかっ
た。

Ｈｏ＞　　　□　　＞Ｈｔ。

Ｍｓｈしかし、本発明に使用する記録媒体の交換結合二層膜で
は、第２磁性層３の飽和磁化Ｍｓと膜厚りと、二磁性層
間の磁壁エネルギーｃｙｗの間に、次の関係が必要であ
る。

σＷＨｏ　　＞ＨＬ　＞□ Ｍｓｈこれは、記録によって最終的に完成されるビットの磁化
状態（第２図（ｆ）に示す）が安定に存在出来るように
するためである（詳しい理由は後述する）。したがって
、両磁性層２．３は上記の関係式を満たすように各層の
実効的バイアス磁界、膜厚、保磁力、飽和磁化の大きさ
、磁壁エネルギーなどを設定すればよい。

しかし、磁性層の特性のみを調整することによって上式
を満たすようにすることは必ずしも容易ではなく、たと
えそうできたとしても１、例えば、記録ビットの大きさ
μのオーダーでは充分には記録ビットを全面均一に安定
にできなかったり（つまり、従来の記録方式の光記録媒
体よりもビット誤り率が太き・くなる）、両磁性層のも
つ特性が長期間経つと上記関係式の示す条件から逸脱し
てしまうこともあった。

そこで、その対策として完成されたのが本発明である。

すなわち、図示したように二層構造の垂直磁化膜の内外
側に互いに同一材料からなる保護膜を設けて磁性層の磁
性に影響を与え、これによって、０ｗ７２Ｍ５ｈの値を
より適当な値に設定して充分安定な記録を可能とし、加
えて長期間記録ビットを安定に保つことを可能にした。

これらの長所を引き出すためには保護膜は連続膜として
の性質を示す膜厚２００Å以上のものが好ましい。

以上の裏付けは後の実施例で述べる。

保護層の材料は、緻密な非磁性材料で普通には無機の誘
電体材料、半金属材料が用いられ、例えば、Ｓｌ、Ｎ、
　、　Ｓｉ（：、ＺｎＳ、ＡＩＮ、ＳｉＯ，Ａｌ□０３
．Ｃｒ２Ｏ３゜Ｓｉ、Ｇｅ等が使用できる。

なお、両磁性層２，３は、記録時の実効的バイアス磁界
の大きさ、あるいは二値の記録ビットの安定性などを考
えると、交換結合をしていることが望ましい。

第１図（ｂ）において％５は、貼り合わせ用基板６を貼
り合わすための接着層である。貼り合わせ用基板６にも
、２から４までの層を積層し、これを接着すれば表裏で
記録・再生が可能となる。

以下、第２図〜第４図を用いて記録の過程を示すが、記
録前、両磁性層２と３の磁化の安定な向きは平行（同じ
向き）でも反平行（逆方向）でも良い。第２図では磁化
の安定な向きが平行な場合について説明する。

第３図の３５は、上述したような構成を有する光磁気デ
ィスクである。例えば、この磁性層のある一部の磁化状
態が初め第２図（ａ）のようになっているとする。光磁
気ディスク３５はスピンドルモータにより回転して、磁
界発生部３４を通過する。このとき、磁界発生部３４の
磁界の大きさを両磁性層２と３の保磁力の間の値に設定
するとく磁界の向きは本実施例では上向き）、第２図（
ｂ）に示す様に第２磁性層３は一様な方向に磁化され、
一方、第１１ｉ性層２の磁化は初めのままである。

次に光磁気ディスク３５が回転して記録・再生ヘッド３
１を通過するときに、記録信号発生器３２からの信号に
従って、２種類（第１種と第２種）のレーザーパワー値
を持つレーザービームをディスク面に照射する。第１種
のレーザーパワーは該ディスクを第１磁性層２のキュリ
ー点付近まで昇温するだけのパワーであり、第２種のレ
ーザーパワーは該ディスクを第２磁性層３のキュリー点
付近まで昇温可能なパワーである。即ち、両磁性層２゜
３の保磁力と温度との関係の概略を示した第４図におい
て、第１種のレーザーパワーはＴＬ付近、第２種のレー
ザーパワーはＴＨ付近までディスクの温度を上昇できる
。

第１種のレーザーパワーにより第１磁性層２は、キュリ
ー点付近まで昇温するが第２磁性層３はこの温度でビッ
トが安定に存在する保磁力を有しているので記録時のバ
イアス磁界を適正に設定しておくことにより、第２図（
ｂ）のいづれからも第２図（ｃ）の様な記録ビットが形
成される（第１種の予備記録）。

ここで、バイアス磁界を適正に設定するとは、次のよう
な意味である。即ち、第１種の予備記録では、第２磁性
層３の磁化の向きに対して安定な向きに（ここでは同じ
方向に）第１磁性層２の磁化が配列する力（交換力）を
受けるので１本来はバイアス磁界は必要でない。しかし
、バイアス磁界は後述する第２種のレーザーパワーを用
いた予備記録では第２磁性層３の磁化反転を補助する向
き（すなわち、第１種の予備記録を妨げる向き）に設定
される。そして、このバイアス磁界は、第１種、第２種
どちらのレーザーパワーの予備記録でも、大きさ、方向
を同じ状態に設定しておくことが便宜上好ましい。

かかる観点からバイアス磁界の設定は欠配に示す原理に
よる第２種のレーザーパワーの予備記録に必要最小限の
大きさに設定しておくことが好ましく、これを考慮した
設定が前でいう適正な設定である。

次に第２種の予備記録について説明する。第２種のレー
ザーパワーにより、第２磁性層３のキュリー点近くまで
昇温させる（第２種の予備記録）と、″上述のように設
定されたバイアス磁界により第２磁性層３の磁化の向き
が反転する。続いて第１磁性層２の磁化も第２磁性層３
に対して安定な向きに（ここでは同じ方向に）配列する
。即ち、第２図（ｂ）のいづれからも第２図（ｄ）のよ
うなビットが形成される。

このように、バイアス磁界と、信号に応じて変わる第１
種及び第２種のレーザーパワーとによって、光磁気ディ
スクの各箇所は第２図（ｃ）か（ｄ）の状態に予備記録
されることになる。

次に光磁気ディスク３５を回転させ、予備記録のビット
（ｃ）　、　（ｄ）が磁界発生部３４を再び通過すると
、磁界発生部３４の磁界の大きさは前述したように磁性
層２と３の磁化反転磁界間に設定されているので、記録
ビット（Ｃ）は、変化が起こらずに（ｅ）の状態である
（最終的な記録状態）。一方、記録ビット（ｄ）は第２
磁性層３が磁化反転を起こして（ｆ）の状態になる（も
う一つの最終的な記録状態）。

（ｆ）の記録ビットの状態が安定に存在する為には、第
２磁性層３の飽和磁化の大きさをＭｓ、膜厚をり、磁性
層２，３間の磁壁エネルギーをσ胃とすると、前述した
ように次の様な関係があれば良い。

０ｗ７２Ｍ５ｈは第２磁性層に働く交換力の強さを示す
。つまり、σｗ／２Ｍ５ｈの大きさの磁界で第２磁性層
３の磁化の向きを、第１磁性層２の磁化の向きに対して
安定な方向へ（この場合は同じ方向）向けようとする。

そこで第２磁性層３がこの磁界に抗して磁化が反転しな
いためには第２磁性層３の保磁力をＨＬとしてＨＬ〉０
ｗ７２Ｍ５ｈであればよい。

記録ビットの状態（ｅ）と（ｆ）は、記録時のレーザー
のパワーで制御され、記録前の状態には依存しないので
、重ね書き（オーバーライド）が可能である。記録ビッ
ト（ｅ）と（ｆ）は、再生用のレーザービームを照射し
、再生光を記録信号再生器３３で処理することにより、
再生できる。

第２図の説明では第１磁性層２と第２磁性層３の磁化の
向きが同じときに安定な例を示したが、磁化の向きが反
平行のときに安定な磁性層についても同様に考えられる
。第５図に、この場合の記録過程の磁化状態を第２図に
対応させて示しておく。・（実施例）実施例１３元のターゲット源を備えたスパッタ装置内に、プリグ
ループ、プリフォーマット信号の刻まれたポリカーボネ
ート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距離１
０ｃｍの間隔にセットし、回転させた。

アルゴン中で、第１のターゲットより、スパッタ速度１
００人／Ｉｎ１ｎ、スパッタ圧５ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒ
でＳｉを保護層として５００人の厚さに設けた。次にア
ルゴン中で、第２のターゲットよりスパッタ速度１００
人／ｗｉｎ、スパッタ圧５Ｘ　１０”３ＴｏｒｒでＧｄ
ＴｂＦｅＧ。

合金をスパッタし、膜厚１９０人、ＴＬ＝約１６０℃、
ＨＨ＝約１２Ｍ０ｅのＧｄ１６ＴＪ□Ｆｅｔ６ＣＯｔの
第１磁性層を形成した。

次にアルゴン中でスパッタ圧５ｘ　１ｏ−ａ　Ｔｏｒｒ
でかＴｂＤｙＦｅ１ｌ：ｏ合金をスパッタし、膜厚５０
０Ａ、　Ｔ。

＝約１８５℃、ＨＬ＝約Ｉ　ＫＯｅのＴｂ＋２Ｄｙ＋ｚ
Ｆｅａ４（：ｏ１２の第２磁性層を形成した。

次にアルゴン中で第１のターゲットよりスパッタ速度１
００人／ｌｌｌ１ｎ、スパッタ圧５Ｘ　１ｏ−３Ｔｏｒ
ｒで、Ｓｉを保護層として１０００人の厚さに設けた。

次に膜形成を終えた上記の基板を、ホットメルト接着剤
を用いて、ポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り
合わせ光磁気ディスクを作成した。この光磁気ディスク
を記録再生装置にセットし、２．５にＯｅの磁界発生部
を、線速度的８　ｍ／ｓｅｃで通過させつつ、約１μに
集光した８３０ｍｍの波長のレーザービームを５０％の
デユーティで２　ＭＨｚで変調させながら、４ｍＷと８
ｍＷの２値のレーザーパワーで記録を行なった。バイア
ス磁界は第２磁性層の磁化反転を助ける向きにＩＱＱ　
Ｑｅであった。その後１．５ｍ１ｆのレーザービームを
照射して再生を行なったところ、ｚ値の信号の再生がで
きた。

次に、上記と同様の実験を、全面記録された後の光磁気
ディスクについて行なった。この結果前に記録された信
号成分は検出されず、オーバーライトが可能であること
が確認された。

実施例２と比較例実施例１と同様な方法で表１に示す構成のサンプル２−
２〜２−１６（２−１，２−２，２−１１〜２−１６は
比較例）を作製した。表１の構成の欄でＭａｇ（１）、
Ｍａｇ　（２）は順に第１磁性層、第２磁性層を示し、
実施例１と同じように形成したものであり、　Ｇｄ、ｏ
Ｔｂ＋ｏＦｅ、ａ（：ｏ２．　Ｔｂ＋２０’／＋２Ｆｅ
ａ４ＣＯ１２の膜で膜厚、保磁力等も同じであった。ま
た構成の欄でＰＣはポリカーボネートの基板を示す。

それぞれのサンプルのＨ，，０ｗ７２Ｍ５ｈの値を測定
した。結果を表１に示す。

なおＨＬ、０ｗ７２Ｍ５ｈの値は次のように測定した。

すなわち、実施例１と同様にして基板上に第１磁性層と
第２磁性層とを積層したサンプルを作製し、各サンプル
に外部磁界を印加しながら光磁気効果により第２磁性層
の磁化の向きが反転する磁界を調べることによりＨし、
０ｗ７２Ｍ５ｈの値を得た。

保存後の０ｗ７２Ｍ５ｈの欄の値はサンプル２−１〜２
−１６を温度６０℃、相対湿度８０％の環境で５００時
間放置した後の値を示す。サンプル２−１〜２−３で値
を示してないのは第２磁性層の磁気特性の劣化により測
定が不能になったためである。

０表１の結果より今までに示した（ｆ）の記録ビットが
安定に存在するための条件Ｈ，＞０ｗ７２Ｍ５ｈと第１
、第２磁性層の両側に設けた保護層との関係を調べた。

以下、それについて説明する。

サンプル２−１．２−２はＭａｇ（２）に接して保護膜
が設けられていない状態である（比較例）。このときＨ
Ｌ−ａｗ／　２Ｍ５ｈ　＝２０００ｅであった。これは
第１、第２磁性層の磁化を互いに非安定な方向に配向さ
せて外部磁界を取り去ったとき２０００ｅのマージンで
安定に存在することを示す。しかし実際にはＨＬ−０ｗ
７２Ｍ５ｈの大きさの反転磁化よりも小さな磁界で反転
磁区の発生があるため、外部磁化を取り去った状態で第
２磁性層の磁化の１〜５％程・度の反転が起こってしま
う。

サンプル２−３〜２−６はＭａｇ（１）のみならずＭａ
ｇ（２）に接してＺｎＳの保護膜を設けたものであり、
保護層の厚さが大きくなるにしたがってσＷ／２Ｍ５ｈ
の値が減少する。その値はＺｎＳの膜厚が約２００Å以
上でほぼ一定の値になり約７０００ｅマージンである。

これらのサンプルでは外部磁界なしの状態で上述のよう
な第２磁性層の反転は起こらなかった。即ち、記録ビッ
トは安定であった。

各サンプルの電子顕微鏡の観察結果によれば保護膜が１
００〜２００Å以上の膜厚で島状構造から連続膜へと変
化しており、第２磁性層へ保護膜が原因となる圧縮応力
が発生し、この影響によりσＷ／２Ｍ５ｈの値が変化す
ると考えられる。

サンプル２−７〜２−１６では、その保護膜を、０ｗ７
２Ｍ５ｈの値に与える保護膜の影響が飽和していて且つ
磁性層への水分等の侵入を防ぐ保護効果が充分にある８
００人の厚さに固定した。

サンプル２−７では第１、第２磁性層形成時ともにＳｉ
Ｏのスパッタ圧力を３　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒとし、サ
ンプル２−８は第２磁性層形成時に関してはＳｉＯのス
パッタ圧力を８　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒとした。２−７
は両保護膜の応力が同一で、２−８は両保護膜の応力が
互いに異なるものの例である。

参考に、１．５Ｉｌ１ｍの厚さのガラス基板に約５００
０人のＳｉＯ膜をスパッタした膜応力測定用サンプルの
応力を示す。スパッタ圧を３　ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒと
したものは圧縮方向に約７０にｇ／ｍｍ２の応力を、ス
パッタ圧を８　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒとしたものは圧縮
方向に約１５Ｋｇ／ｍｍ２の応力が発生していた。

サンプル２−７．２−８とも作製直後はσＷ／２Ｍ５ｈ
の値は約３０００ｅであった。しかし、６０℃、８０％
の環境で５００時間放置すると、圧縮応力が互いに異な
る２つのＳｉＯ膜を設けたサンプル２−８は０ｗ７２Ｍ
５ｈの値が大きくなるような変化、すなわち、記録ビッ
トが不安定になるような変化が起こった。

サンプル２−９〜２−１６（２−１１〜２−１６は比較
例）は保護膜のスパッタ圧は５　Ｘ　１０”３Ｔｏｒｒ
と一定にしスパッタ材料の組み合わせを代えて作製した
ものである。

どのサンプルについても作製直後の０ｗ　／　２　Ｍｓ
ｈの値は約３０００ｅと同じであった。すなわち、保護
膜が全くないのに比べ安定な記録が可能になっていた。

。しかし、６０℃、相対湿度８０％で５００時間放置する
と両像護膜の材料が異なるサンプルについては０ｗ７２
Ｍ５ｈの値が変化していることがわかる。

ＳｉＣ膜についてと同じように、約５０００人の厚さの
スパッタ膜でＺｎＳ　、　ＳｉＣ、５ｉＪ４の膜応力を
測定するとすべて圧縮方向でＺｎＳは約５０Ｋｇ／　ｍ
ｍ２、ＳｉＣは約８０にｇ／　ｍｍ２、Ｓｉ３Ｎ４は約
９０Ｋｇ／　ｍｍ２であった。膜応力測定用のサンプル
を６０℃、相対湿度８０％で５００時間放置するどいづ
れも応力が増加する傾向にありＳｉＣとＳｉ３Ｎ４は約
２０〜３０％とその増加率が大きかった。　　　　。

これらの結果から記録ビットの安定性には保護膜の応力
が関係しており特に長時間の保存状態を考えると保護膜
の応力のバランスも変わらない必要があり、このために
は両像護膜を同一材料にする（しかもスッパタ圧等の製
造に際しての条件も同一にする）ことが有効であること
がわかった。

（発明の効果）以上詳細に説明したように光磁気媒体として、低いキュ
リー点（ＴＬ）と高い保磁力（ＨＨ）を有する第１の磁
性層と相対的に高いキュリー点（ＴＨ）と低い保磁力（
ＨＬ　）を有する第２の磁性層からなる二層構造の磁性
層を有するものを用い、記録時に、記録ヘッドと別位置
に磁界発生部を設け、２値レーザーパワーで記録するこ
とにより、重ね書き（オーバーライド）が可能になっり
、磁性層の両側を互いに同一材料から成る保護膜で挟む
ことによって、安定な記録ビット、特に長期間たっても
安定な記録ビットが得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）は各々本発明で使用する光磁
気媒体の一例構成を示す図、第２図は、本発明の記録法
を実施中の、磁性層２．３の磁化の向きを示す図、第３
図は、記録・再生装置の概念図、第４図は内磁性層２と
３の保磁力と温度との関係を示す概略図である。第５図
は本発明の他の実施例における磁性層の磁化状態を示す
図である。Ｂ１　ニブリグルーブ付の透光性基板、２．３：磁性層１．４．：保護層、５：接着層、６：貼り合わせ用基板、３１：記録・再生用ヘッド、３２：記録信号発生器、３３：記録信号再生器３４：磁界発生部３５：光磁気ディスク、

Claims

【特許請求の範囲】１）低いキュリー点（Ｔ＿Ｌ）と高い保磁力（Ｈ＿Ｈ）
を有する第１磁性層およびこの磁性層に比べて相対的に
高いキュリー点（Ｔ＿Ｈ）と低い保磁力（Ｈ＿Ｌ）を有
する第２磁性層からなる二層構造の垂直磁化膜と、該垂
直磁化膜の両外側に配された互いに同一材料から成る保
護膜と、が基板上に設けられた構成であって、第２磁性層の飽和磁化をＭｓ、膜厚をｈ、二つの磁性層
間の磁壁エネルギーをσｗとすると、Ｈ＿Ｈ＞Ｈ＿Ｌ＞σｗ／２Ｍｓｈを満たすことを特徴とする光磁気記録媒体。２）低いキュリー点（Ｔ＿Ｌ）と高い保磁力（Ｈ＿Ｈ）
を有する第１磁性層およびこの磁性層に比べて相対的に
高いキュリー点（Ｔ＿Ｈ）と低い保磁力（Ｈ＿Ｌ）を有
する第２磁性層からなる二層構造の垂直磁化膜と、該垂
直磁化膜の両外側に配された互いに同一材料から成る保
護膜と、が基板上に設けられた構成であって、第２磁性層の飽和磁化をＭｓ、膜厚をｈ、二つの磁性層
間の磁壁エネルギーをσｗとすると、Ｈ＿Ｈ＞Ｈ＿Ｌ＞σｗ／２Ｍｓｈを満たす光磁気記録媒体を使用して、次の二値の記録を
行なうことを特徴とする記録方式。（ａ）該媒体に対して、記録用ヘッドと異なる場所で、
保磁力Ｈ＿Ｌの第２磁性層を一方向に磁化させるのに充
分で保磁力Ｈ＿Ｈの第１磁性層の磁化の向きを反転させ
ることのない大きさの磁界Ｂを加え、（ｂ）次に、記録ヘッドにより、バイアス磁界を印加す
ると同時に低いキュリー点（Ｔ＿Ｌ）付近まで該媒体が
昇温するだけのレーザーパワーを照射することにより、
第２磁性層の磁化の向きを変えないまま第１磁性層の磁
化の向きを第２磁性層に対して安定な向きにそろえる第
１種の予備記録か、バイアス磁界を印加すると同時に高
いキュリー点（Ｔ＿Ｈ）付近まで該媒体が昇温するだけ
のレーザーパワーを照射することにより、第２磁性層の
磁化の向きを反転させて同時に第１磁性層も第２磁性層
に対して安定な向きに磁化する第２種の予備記録かを、
信号に応じて実施し、（ｃ）次に、該媒体を運動させて、予備記録されたビッ
トを前記磁界Ｂを通過させることにより、第１種の予備
記録により形成されたビットについては第１磁性層、第
２磁性層とも磁化の向きをそのまま変化させず、第２種の予備記録により形成されたビットについては、
第２磁性層の磁化の向きを前記磁界Ｂと同方向に反転さ
せ、第１磁性層については磁化の向きをそのまま変化さ
せないとする、二値の記録。