JP2708950B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本発明はオーバーライト（Overwrite）可能な光磁気
記録媒体に関する。
記録媒体に関する。
（ロ） 従来の技術 従来、光変調法によりオーバーライト（重ね書き）可
能な光磁気記録媒体については第５図ないし第７図に示
すものが提案されている（特開昭62−175948号公報また
はJapanese Journal of Applied Physics,Vol.26（198
7）Supplement26−4,P155〜159）。
能な光磁気記録媒体については第５図ないし第７図に示
すものが提案されている（特開昭62−175948号公報また
はJapanese Journal of Applied Physics,Vol.26（198
7）Supplement26−4,P155〜159）。
即ち、第５図に示すように光磁気記録媒体１は、レー
ザ光２と磁石３、４の磁界を利用して情報を高密度に記
録又は重ね書き記録し、レーザ光２を用いてカー効果に
より記録情報が読み出されるものである。この光磁気記
録媒体１は、第６図に示すように基板上に記録層５と補
助層６とからなり、両層はその保磁力をH1、H2、キュリ
ー温度をT1、T2とするとき、H1＞H2、T1＜T2の関係を有
するものに材料が選定される。この媒体１の温度と磁界
の強さとの関係を第７図に示す。尚、第７図中、Trは室
温であり、Hbはバイアス磁石の磁界の強さである。
ザ光２と磁石３、４の磁界を利用して情報を高密度に記
録又は重ね書き記録し、レーザ光２を用いてカー効果に
より記録情報が読み出されるものである。この光磁気記
録媒体１は、第６図に示すように基板上に記録層５と補
助層６とからなり、両層はその保磁力をH1、H2、キュリ
ー温度をT1、T2とするとき、H1＞H2、T1＜T2の関係を有
するものに材料が選定される。この媒体１の温度と磁界
の強さとの関係を第７図に示す。尚、第７図中、Trは室
温であり、Hbはバイアス磁石の磁界の強さである。
記録層５への記録に際して、例えば、記録データ７を
書き換える場合には、バイアス磁石３とこのバイアス磁
界と逆向きの磁界を発生する初期化磁石４を設ける。こ
の初期化磁石４からの磁界の大きさHiniは、記録層５の
保磁力H1より小さく、補助層６の保磁力H2より大きい。
この記録層５への記録に際して、この初期化磁界が回転
している媒体１に常に印加されているので、媒体１が図
示矢印８方向に回転するとき、初期化磁石４により補助
層６を初期化磁石４の磁化方向、即ち図面上で下向きに
磁化している。
書き換える場合には、バイアス磁石３とこのバイアス磁
界と逆向きの磁界を発生する初期化磁石４を設ける。こ
の初期化磁石４からの磁界の大きさHiniは、記録層５の
保磁力H1より小さく、補助層６の保磁力H2より大きい。
この記録層５への記録に際して、この初期化磁界が回転
している媒体１に常に印加されているので、媒体１が図
示矢印８方向に回転するとき、初期化磁石４により補助
層６を初期化磁石４の磁化方向、即ち図面上で下向きに
磁化している。
オーバーライトは記録情報データ９に合わせて高パワ
ーと低パワーのレーザ光を照射することによって行われ
る。即ち低パワーのレーザ光の照射時には、媒体１の温
度が記録層５のキュリー温度T1より高く、補助層６のキ
ュリー温度T2より低くなるように、また、高パワーのレ
ーザ光の照射時には補助層６のキュリー温度T2より高く
なるようにレーザ光のパワーが調整される。
ーと低パワーのレーザ光を照射することによって行われ
る。即ち低パワーのレーザ光の照射時には、媒体１の温
度が記録層５のキュリー温度T1より高く、補助層６のキ
ュリー温度T2より低くなるように、また、高パワーのレ
ーザ光の照射時には補助層６のキュリー温度T2より高く
なるようにレーザ光のパワーが調整される。
したがって、低パワーの照射時には、記録層５の磁化
がゼロになるが、補助層６の磁化が残っているので、レ
ーザ光の照射を中止した後の冷却時に補助層６からの交
換結合力によって記録層５は補助層６と同じ向き（初期
化磁界と同じ向き）に磁化される。一方、高パワーの照
射時には、記録層５及び補助層６の磁化がいずれもゼロ
になるため、レーザ光照射の中止後の両層の冷却時に最
初は補助層６がバイアス磁石３からの磁界の向きに磁化
され、続いて記録層５も同じ向きに磁化される。
がゼロになるが、補助層６の磁化が残っているので、レ
ーザ光の照射を中止した後の冷却時に補助層６からの交
換結合力によって記録層５は補助層６と同じ向き（初期
化磁界と同じ向き）に磁化される。一方、高パワーの照
射時には、記録層５及び補助層６の磁化がいずれもゼロ
になるため、レーザ光照射の中止後の両層の冷却時に最
初は補助層６がバイアス磁石３からの磁界の向きに磁化
され、続いて記録層５も同じ向きに磁化される。
このように、記録層５は、低パワー照射により初期化
磁界の方向に、又高パワー照射によりバイアス磁界の方
向に磁化される。
磁界の方向に、又高パワー照射によりバイアス磁界の方
向に磁化される。
（ハ） 発明が解決しようとする課題 しかし、従来の光変調法によりオーバーライト可能な
光磁気記録媒体は、記録層と補助層とよりなるものであ
るから、オーバーライトのときに初期化磁石及びバイア
ス磁石を必要とするものであり、記録装置が複雑になる
欠点がある。
光磁気記録媒体は、記録層と補助層とよりなるものであ
るから、オーバーライトのときに初期化磁石及びバイア
ス磁石を必要とするものであり、記録装置が複雑になる
欠点がある。
本発明はかかる点に鑑み発明されたものにしてオーバ
ーライトのときに初期化磁石及びバイアス磁石を必要と
しない光磁気記録媒体を提供しようとするものである。
ーライトのときに初期化磁石及びバイアス磁石を必要と
しない光磁気記録媒体を提供しようとするものである。
（ニ） 課題を解決するための手段 かかる課題を解決するために、本発明による光磁気記
録媒体は、基板上に、磁気光学効果を有する第１磁性層
と、誘電体層と、垂直磁気異方性を有しアンチパラレル
型の第２磁性層及び第３磁性層とを順次積層形成し、第
１ないし第３磁性層はそのキュリー温度をTc1、Tc2、Tc
3とするとき、Tc1＜Tc2＜Tc3であり、且つ第１磁性層に
対する第２磁性層及び第３磁性層の浮遊磁界の大きさを
Hd2、Hd3とするとき、室温ではHd2≒Hd3、Tc1近傍ではH
d2＞Hd3、Tc2ないしTc3の温度範囲ではHd2＜Hd3の関係
にあることを特徴とするものである。
録媒体は、基板上に、磁気光学効果を有する第１磁性層
と、誘電体層と、垂直磁気異方性を有しアンチパラレル
型の第２磁性層及び第３磁性層とを順次積層形成し、第
１ないし第３磁性層はそのキュリー温度をTc1、Tc2、Tc
3とするとき、Tc1＜Tc2＜Tc3であり、且つ第１磁性層に
対する第２磁性層及び第３磁性層の浮遊磁界の大きさを
Hd2、Hd3とするとき、室温ではHd2≒Hd3、Tc1近傍ではH
d2＞Hd3、Tc2ないしTc3の温度範囲ではHd2＜Hd3の関係
にあることを特徴とするものである。
（ホ） 作用 オーバーライトのときには、レーザ光照射時における
第２及び第３磁性層からの浮遊磁界が利用される。ま
た、レーザ光は記録情報データに合わせて高パワーと低
パワーにパワーが調整されて使用される この低パワーの照射は第１磁性層のキュリー温度Tc1
近傍の温度に光磁気記録媒体を加熱し、また、高パワー
の照射は第２磁性層のキュリー温度Tc2と第３磁性層の
キュリー温度Tc3の範囲の温度に光磁気記録媒体を加熱
するように、それぞれのパワーが調整される。
第２及び第３磁性層からの浮遊磁界が利用される。ま
た、レーザ光は記録情報データに合わせて高パワーと低
パワーにパワーが調整されて使用される この低パワーの照射は第１磁性層のキュリー温度Tc1
近傍の温度に光磁気記録媒体を加熱し、また、高パワー
の照射は第２磁性層のキュリー温度Tc2と第３磁性層の
キュリー温度Tc3の範囲の温度に光磁気記録媒体を加熱
するように、それぞれのパワーが調整される。
一方、第２磁性層及び第３層はアンチパラレル型であ
るため、これらの磁性層が第１磁性層に及ぼす浮遊磁界
の方向が異なり、しかもレーザ光の低パワー照射時にお
けるTc1近傍ではHd2＞Hd3であるから、第１磁性層はそ
の冷却時に第２磁性層の浮遊磁界Hd2の交換結合力によ
りその浮遊磁界Hd2の方向に磁化される。これに対し、
レーザ光の高パワー照射時においてはキュリー温度Tc2
とTc3の範囲の温度に光磁気記録媒体を加熱し、この温
度範囲ではHd2＜Hd3であるから、第１磁性層はその冷却
時に第３磁性層の浮遊磁界Hd3の交換結合力によりその
浮遊磁界Hd3の光に磁化される。
るため、これらの磁性層が第１磁性層に及ぼす浮遊磁界
の方向が異なり、しかもレーザ光の低パワー照射時にお
けるTc1近傍ではHd2＞Hd3であるから、第１磁性層はそ
の冷却時に第２磁性層の浮遊磁界Hd2の交換結合力によ
りその浮遊磁界Hd2の方向に磁化される。これに対し、
レーザ光の高パワー照射時においてはキュリー温度Tc2
とTc3の範囲の温度に光磁気記録媒体を加熱し、この温
度範囲ではHd2＜Hd3であるから、第１磁性層はその冷却
時に第３磁性層の浮遊磁界Hd3の交換結合力によりその
浮遊磁界Hd3の光に磁化される。
従って、オーバーライトのときに、従来では必要であ
ったバイアス磁石を必要としない。
ったバイアス磁石を必要としない。
（ヘ） 実施例 本発明の一実施例を図面に基ずいて説明する。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の模式断面図で
あり、オーバーライト時を概念的に示している。
あり、オーバーライト時を概念的に示している。
この図面において、光磁気記録媒体10は、透明基板11
上に磁気光学効果を有する第１磁性層12と、誘電体層13
と、垂直磁気異方性を有しアンチパラレル型の第２磁性
層14及び第３磁性層15とを順次積層して構成される。こ
れらの磁性層はそのキュリー温度をTc1、Tc2、Tc3とす
るとき、Tc1＜Tc2＜Tc3であり、また第１磁性層12に対
する第２磁性層14及び第３磁性層15の浮遊磁界の大きさ
をHd2、Hd3とするとき、室温ではHd2≒Hd3、Tc1近傍で
はHd2＞Hd3、Tc2ないしTc3の温度範囲ではHd2＜Hd3の関
係にあるものが使用される。
上に磁気光学効果を有する第１磁性層12と、誘電体層13
と、垂直磁気異方性を有しアンチパラレル型の第２磁性
層14及び第３磁性層15とを順次積層して構成される。こ
れらの磁性層はそのキュリー温度をTc1、Tc2、Tc3とす
るとき、Tc1＜Tc2＜Tc3であり、また第１磁性層12に対
する第２磁性層14及び第３磁性層15の浮遊磁界の大きさ
をHd2、Hd3とするとき、室温ではHd2≒Hd3、Tc1近傍で
はHd2＞Hd3、Tc2ないしTc3の温度範囲ではHd2＜Hd3の関
係にあるものが使用される。
具体的には、透明基板11として厚さ1.2mmのガラス板
又はポリカーボネート樹脂が使用され、各磁性層として
は、希土類金属元素（Gd、Tb等）と遷移金属元素（Fe、
Co等）よりなるアモルファス材料を使用し、各磁性層は
その材料をスパッターすることにより形成される。この
実施例では第１磁性層12としてTbFeを使用し、第２磁性
層13及び第３磁性層14としてTbFeCoを使用した。
又はポリカーボネート樹脂が使用され、各磁性層として
は、希土類金属元素（Gd、Tb等）と遷移金属元素（Fe、
Co等）よりなるアモルファス材料を使用し、各磁性層は
その材料をスパッターすることにより形成される。この
実施例では第１磁性層12としてTbFeを使用し、第２磁性
層13及び第３磁性層14としてTbFeCoを使用した。
この場合に、アモルファス合金の各部位から外部に現
れる磁化の方向及び大きさは、アモルファス合金内の希
土類金属原子のスピンの方向及び大きさと遷移金属原子
のスピンの方向及び大きさにより定まり、希土類金属元
素であるTbの組成比を26〜27％にすることによりアモル
ファス合金内の希土類金属原子のスピンの方向及び大き
さと遷移金属原子のスピンの方向及び大きさがほぼ等し
い補償組成とすることができる。また２つの磁性層の各
組成において、両層ともに希土類金属元素が上記組成比
（26〜27％）より多い又は少ないときには、両層の磁化
の方向が同じとなり、この状態の両層をパラレル型とい
うのに対し、一方の磁性層の希土類金属元素が上記組成
比（26〜27％）より多く、他方の磁性層の希土類金属元
素が上記組成比（26〜27％）より少ないときには、両層
の磁化の方向が異なり、この状態の両層をアンチパラレ
ル型という。
れる磁化の方向及び大きさは、アモルファス合金内の希
土類金属原子のスピンの方向及び大きさと遷移金属原子
のスピンの方向及び大きさにより定まり、希土類金属元
素であるTbの組成比を26〜27％にすることによりアモル
ファス合金内の希土類金属原子のスピンの方向及び大き
さと遷移金属原子のスピンの方向及び大きさがほぼ等し
い補償組成とすることができる。また２つの磁性層の各
組成において、両層ともに希土類金属元素が上記組成比
（26〜27％）より多い又は少ないときには、両層の磁化
の方向が同じとなり、この状態の両層をパラレル型とい
うのに対し、一方の磁性層の希土類金属元素が上記組成
比（26〜27％）より多く、他方の磁性層の希土類金属元
素が上記組成比（26〜27％）より少ないときには、両層
の磁化の方向が異なり、この状態の両層をアンチパラレ
ル型という。
第１磁性層12は補償組成にされ、第２磁性層14及び第
３層磁性層15はアンチパラレル型にされる。さらに、Co
の組成比を高めることによりキュリー温度を高めること
ができる。
３層磁性層15はアンチパラレル型にされる。さらに、Co
の組成比を高めることによりキュリー温度を高めること
ができる。
また、第１磁性層12の厚みとして500〜1000Å、第２
磁性層14及び第３磁性層15の厚みは熱容量を考慮してそ
れぞれ1000〜2000Åとすることができる。
磁性層14及び第３磁性層15の厚みは熱容量を考慮してそ
れぞれ1000〜2000Åとすることができる。
実施例においては、第１磁性層12としては、Tb26Fe74
を厚み700Åに形成し、キュリー温度Tc1が130℃であっ
た。第２磁性層14としては、Tb29Fe61Co10を厚み2000Å
に形成して、キュリー温度Tc2が200℃であった。第３磁
性層15としては、Tc23Fe57Co20を厚み2000Åに形成し
て、キュリー温度Tc3が300℃であった。
を厚み700Åに形成し、キュリー温度Tc1が130℃であっ
た。第２磁性層14としては、Tb29Fe61Co10を厚み2000Å
に形成して、キュリー温度Tc2が200℃であった。第３磁
性層15としては、Tc23Fe57Co20を厚み2000Åに形成し
て、キュリー温度Tc3が300℃であった。
また誘電体層13としてはSi3N4,ZnS,SiO2等を使用する
ことができ、この実施例ではSi3N4を用いた。
ことができ、この実施例ではSi3N4を用いた。
第１図において、第２及び第３磁性層14及び15の合金
内部の遷移金属原子のスピンの方向及び大きさを実線の
ベクトル↑で示し、希土類金属原子のスピンの方向及び
大きさを破線のベクトルで示し、合金全体の磁化の方
向及び大きさを二重実線をベクトルで示す。この場合
に二重実線のベクトルは実線のベクトル↑と破線のベ
クトルの和で示される。但し、合金内部ては遷移金属
原子のスピンと希土類金属原子のスピンとの相互作用の
ため、実線のベクトル↑と破線のベクトルは方向が必
ず逆になっている。従ってそのベクトル和がゼロのとき
は、二重実線のベクトルはゼロ、即ち外部に現れる磁
化の大きさがゼロになる（このときの合金組成が前述の
補償組成である）。
内部の遷移金属原子のスピンの方向及び大きさを実線の
ベクトル↑で示し、希土類金属原子のスピンの方向及び
大きさを破線のベクトルで示し、合金全体の磁化の方
向及び大きさを二重実線をベクトルで示す。この場合
に二重実線のベクトルは実線のベクトル↑と破線のベ
クトルの和で示される。但し、合金内部ては遷移金属
原子のスピンと希土類金属原子のスピンとの相互作用の
ため、実線のベクトル↑と破線のベクトルは方向が必
ず逆になっている。従ってそのベクトル和がゼロのとき
は、二重実線のベクトルはゼロ、即ち外部に現れる磁
化の大きさがゼロになる（このときの合金組成が前述の
補償組成である）。
また、第２磁性層14は希土類金属元素の割合が補償組
成における割合より少ないため、実線のベクトル↑の大
きさが逆方向の破線のベクトルの大きさより大きい。
これに対して、第３磁性層15は希土類金属元素の割合が
補償組成における割合より多いため、実線のベクトル↑
の大きさが逆方向の破線ベクトルの大きさより小さ
い。
成における割合より少ないため、実線のベクトル↑の大
きさが逆方向の破線のベクトルの大きさより大きい。
これに対して、第３磁性層15は希土類金属元素の割合が
補償組成における割合より多いため、実線のベクトル↑
の大きさが逆方向の破線ベクトルの大きさより小さ
い。
第１磁性層に及ぼす第２及び第３磁性層からの浮遊磁
界の温度特性を第２図に示す。この図面から、室温でTR
ではHd2≒Hd3、Tc1近傍ではHd2＞Hd3、Tc2ないしTc3の
温度範囲ではHd2＜Hd3の関係にあるにあることが分か
る。
界の温度特性を第２図に示す。この図面から、室温でTR
ではHd2≒Hd3、Tc1近傍ではHd2＞Hd3、Tc2ないしTc3の
温度範囲ではHd2＜Hd3の関係にあるにあることが分か
る。
オーバーライトのときには、レーザ光16のみを使用す
る。このレーザ光16は記録情報データに合わせて高パワ
ーと低パワーに調整されて使用される。この低パワーの
照射は、第１磁性層12をそのキュリー温度Tc1より高め
て第１磁性層12に記録されていた磁気記録情報を消去
し、第１磁性層12の冷却時に第２磁性層14からの浮遊磁
界Hd2によりその浮遊磁界Hd2の方向に磁化記録する。こ
れに対し、高パワーの照射は第２磁性層14のキュリー温
度Tc2より高いが、第３磁性層15のキュリー温度Tc3より
低い温度に光磁気記録媒体10を加熱して、第１磁性層12
に記録されていた磁気記録情報を消去し、第１磁性層12
の冷却時に第３磁性層15からの浮遊磁界Hd3によりその
浮遊磁界Hd3の方向に磁化記録する。
る。このレーザ光16は記録情報データに合わせて高パワ
ーと低パワーに調整されて使用される。この低パワーの
照射は、第１磁性層12をそのキュリー温度Tc1より高め
て第１磁性層12に記録されていた磁気記録情報を消去
し、第１磁性層12の冷却時に第２磁性層14からの浮遊磁
界Hd2によりその浮遊磁界Hd2の方向に磁化記録する。こ
れに対し、高パワーの照射は第２磁性層14のキュリー温
度Tc2より高いが、第３磁性層15のキュリー温度Tc3より
低い温度に光磁気記録媒体10を加熱して、第１磁性層12
に記録されていた磁気記録情報を消去し、第１磁性層12
の冷却時に第３磁性層15からの浮遊磁界Hd3によりその
浮遊磁界Hd3の方向に磁化記録する。
このオーバーライトを、レーザ光のパワーが高いとき
と低いときに分けて第３図及び第４図に基ずいて詳述す
る。
と低いときに分けて第３図及び第４図に基ずいて詳述す
る。
第３図Ａは低いパワーのレーザ光照射時の媒体の模式
断面図、同図Ｂはその冷却時の同断面図である。
断面図、同図Ｂはその冷却時の同断面図である。
第３図Ａにおいて、オーバーライトに際して記録情報
データに応じて低パワーのレーザ光を媒体10に照射する
と、媒体10の温度は、第１磁性層12のキュリー温度Tc1
より少し高い温度になるので、第１磁性層12の磁化がゼ
ロとなる。ここでレーザ光15の照射を中止して第１磁性
層12を冷却し始めると、キュリー温度Tc1近傍の温度領
域では、第２図から明かのように第１磁性層12に及ぼす
第２磁性層14からの浮遊磁界Hd2が第３磁性層15からの
浮遊磁界Hd3より大きいので、第１磁性層12は第３図Ａ
中の矢印17で示すように第２磁性層14からの交換結合力
によって第２磁性層14の磁化の向きと同じ向きに第３図
Ｂ中の矢印18で示されるように磁化される。
データに応じて低パワーのレーザ光を媒体10に照射する
と、媒体10の温度は、第１磁性層12のキュリー温度Tc1
より少し高い温度になるので、第１磁性層12の磁化がゼ
ロとなる。ここでレーザ光15の照射を中止して第１磁性
層12を冷却し始めると、キュリー温度Tc1近傍の温度領
域では、第２図から明かのように第１磁性層12に及ぼす
第２磁性層14からの浮遊磁界Hd2が第３磁性層15からの
浮遊磁界Hd3より大きいので、第１磁性層12は第３図Ａ
中の矢印17で示すように第２磁性層14からの交換結合力
によって第２磁性層14の磁化の向きと同じ向きに第３図
Ｂ中の矢印18で示されるように磁化される。
次に、第４図Ａは高パワーのレーザ光照射時の媒体の
模式断面図、同図Ｂはその冷却時の同断面図である。
模式断面図、同図Ｂはその冷却時の同断面図である。
第４図Ａに示すように高パワーのレーザ光を媒体10に
照射すると、媒体10の温度は、第２磁性層13のキュリー
温度Tc2より高いが、第３磁性層14のキュリー温度Tc3よ
り低い温度に加熱されるから、第１磁性層12の磁化がゼ
ロになる。ここでレーザ光15の照射を中止して媒体10を
冷却し始めると、キュリー温度Tc2近傍の温度領域では
第２図から明かのように第１磁性層12に及ぼす第３磁性
層15からの浮遊磁界Hd3が第２磁性層14からの浮遊磁界H
d2より大きいので、第１磁性層12は第４図Ａ中の矢印19
で示すように第３磁性層15からの交換結合力によって第
３磁性層15の磁化の向きと同じ向きに第４図Ｂ中の矢印
20で示されるように磁化される。その後、第１磁性層12
は室温TRに至る過程において温度Tc1を経由するが、こ
の時の第２及び第３磁性層14及び15の温度は、その熱容
量が第１磁性層12より大きいので第１磁性層12の温度よ
り高い。このため、温度Tc1近傍における第１磁性層12
に及ぼす第２磁性層14からの浮遊磁界Hd2が第３磁性層1
5からの浮遊磁界Hd3より大きいことの影響を受けること
がない。
照射すると、媒体10の温度は、第２磁性層13のキュリー
温度Tc2より高いが、第３磁性層14のキュリー温度Tc3よ
り低い温度に加熱されるから、第１磁性層12の磁化がゼ
ロになる。ここでレーザ光15の照射を中止して媒体10を
冷却し始めると、キュリー温度Tc2近傍の温度領域では
第２図から明かのように第１磁性層12に及ぼす第３磁性
層15からの浮遊磁界Hd3が第２磁性層14からの浮遊磁界H
d2より大きいので、第１磁性層12は第４図Ａ中の矢印19
で示すように第３磁性層15からの交換結合力によって第
３磁性層15の磁化の向きと同じ向きに第４図Ｂ中の矢印
20で示されるように磁化される。その後、第１磁性層12
は室温TRに至る過程において温度Tc1を経由するが、こ
の時の第２及び第３磁性層14及び15の温度は、その熱容
量が第１磁性層12より大きいので第１磁性層12の温度よ
り高い。このため、温度Tc1近傍における第１磁性層12
に及ぼす第２磁性層14からの浮遊磁界Hd2が第３磁性層1
5からの浮遊磁界Hd3より大きいことの影響を受けること
がない。
以上のようにレーザ光のパワーが記録情報データに応
じて高低に調整され、第１磁性層12の磁化の方向を記録
情報データに応じたものにすることができる。
じて高低に調整され、第１磁性層12の磁化の方向を記録
情報データに応じたものにすることができる。
室温において、第１磁性層12の磁気記録は誘電体層13
の存在により、第２及び第３磁性層14及び15からの浮遊
磁界Hd2及びHd3の影響を受けることがない。
の存在により、第２及び第３磁性層14及び15からの浮遊
磁界Hd2及びHd3の影響を受けることがない。
（ト） 発明の効果 本発明は基板上に、磁気光学効果を有する第１磁性層
と、誘電体層と、垂直磁気異方性を有しアンチパラレル
型の第２磁性層及び第３磁性層とを順次積層形成し、第
１ないし第３磁性層はそのキュリー温度をTc1、Tc2、Tc
3とするとき、Tc1＜Tc2＜Tc3であり、且つ第１磁性層に
対する第２磁性層及び３磁性層の浮遊磁界の大きさをHd
2、Hd3とするとき、室温ではHd2≒Hd3、Tc1近傍ではHd2
＞Hd3、Tc2ないしTc3の温度範囲ではHd2＜Hd3の関係に
あることを特徴とするものであるから、オーバーライト
に際してレーザ光のパワーが記録情報データに応じて高
低に切り替えることによって上記浮遊磁界の大きさの変
化を利用して、上記記録情報データに応じた磁気記録が
可能となり、従来の初期化磁石及びバイアス磁石を必要
としない光磁気記録媒体を提供することができる。
と、誘電体層と、垂直磁気異方性を有しアンチパラレル
型の第２磁性層及び第３磁性層とを順次積層形成し、第
１ないし第３磁性層はそのキュリー温度をTc1、Tc2、Tc
3とするとき、Tc1＜Tc2＜Tc3であり、且つ第１磁性層に
対する第２磁性層及び３磁性層の浮遊磁界の大きさをHd
2、Hd3とするとき、室温ではHd2≒Hd3、Tc1近傍ではHd2
＞Hd3、Tc2ないしTc3の温度範囲ではHd2＜Hd3の関係に
あることを特徴とするものであるから、オーバーライト
に際してレーザ光のパワーが記録情報データに応じて高
低に切り替えることによって上記浮遊磁界の大きさの変
化を利用して、上記記録情報データに応じた磁気記録が
可能となり、従来の初期化磁石及びバイアス磁石を必要
としない光磁気記録媒体を提供することができる。
第１図ないし第４図は本発明の一実施例を示し、第１図
は本発明による光磁気記録媒体の模式断面図、第２図は
第２及び第３磁性層からの浮遊磁界の大きさと温度の関
係説明図、第３図Ａは低パワーのレーザ光照射時の媒体
の模式断面図、同図Ｂはその冷却時の同断面図、第４図
Ａは高パワーのレーザ光照射時の媒体の模式断面図、同
図Ｂはその冷却時の同断面図である。第５図ないし第７
図は従来例を示し、第５図は従来の光磁気記録媒体の斜
視図、第６図はその媒体の模式断面図、第７図は媒体の
各磁性層の温度と磁界の強さとの関係説明図である。 10……光磁気記録媒体、11……基板、12……第１磁性
層、13……誘電体層、14……第２磁性層、15……第３磁
性層、16……レーザ光。
は本発明による光磁気記録媒体の模式断面図、第２図は
第２及び第３磁性層からの浮遊磁界の大きさと温度の関
係説明図、第３図Ａは低パワーのレーザ光照射時の媒体
の模式断面図、同図Ｂはその冷却時の同断面図、第４図
Ａは高パワーのレーザ光照射時の媒体の模式断面図、同
図Ｂはその冷却時の同断面図である。第５図ないし第７
図は従来例を示し、第５図は従来の光磁気記録媒体の斜
視図、第６図はその媒体の模式断面図、第７図は媒体の
各磁性層の温度と磁界の強さとの関係説明図である。 10……光磁気記録媒体、11……基板、12……第１磁性
層、13……誘電体層、14……第２磁性層、15……第３磁
性層、16……レーザ光。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、磁気光学効果を有する第１磁性
層と、誘電体層と、垂直磁気異方性を有しアンチパラレ
ル型の第２磁性層及び第３磁性層とを順次積層形成し、
第１ないし第３磁性層はそのキュリー温度をTc1、Tc2、
Tc3とするとき、 Tc1＜Tc2＜Tc3 であり、且つ第１磁性層に対する第２磁性層及び第３磁
性層の浮遊磁界の大きさをHd2、Hd3とするとき、室温で
はHd2≒Hd3、Tc1近傍ではHd2＞Hd3、Tc2ないしTc3の温
度範囲ではHd2＜Hd3の関係にあることを特徴とする光磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23169490A JP2708950B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23169490A JP2708950B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113532A JPH04113532A (ja) | 1992-04-15 |
| JP2708950B2 true JP2708950B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=16927535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23169490A Expired - Fee Related JP2708950B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2708950B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07302445A (ja) * | 1994-05-09 | 1995-11-14 | Canon Inc | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録および信号再生方法 |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP23169490A patent/JP2708950B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04113532A (ja) | 1992-04-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |