JP2829970B2 - 熱磁気記録媒体 - Google Patents

熱磁気記録媒体

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    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。
Ａ 産業上の利用分野 Ｂ 発明の概要 Ｃ 従来の技術 Ｄ 発明が解決しようとする課題 Ｅ 課題を解決するための手段 Ｆ 作用 Ｇ 実施例 Ｇ−１ 熱磁気記録媒体 Ｇ−２ 実施例１ Ｇ−３ 実施例２ Ｇ−４ 実施例３ Ｇ−５ 記録特性 Ｇ−６ 実施例４ Ｈ 発明の効果 Ａ 産業上の利用分野 本発明は、熱磁気記録媒体、例えばレーザー光照射に
よって熱磁気記録がなされる熱磁気記録媒体に関わる。
Ｂ 発明の概要 本発明による熱磁気記録媒体は、垂直磁気異方性を有
する第１及び第２の磁性薄膜が、その中間に、垂直磁気
異方性定数が１×106erg/cm3以下という、面内磁気異方
性もしくは第１及び第２の磁性薄膜の垂直磁気異方性よ
りも小さい磁気異方性を有する第３の磁性薄膜を介して
順次磁気的に結合されて積層された積層膜を有し、この
媒体に対して膜面に垂直方向の所定の外部磁場Hexが付
与された状態で、その第１の磁性薄膜のほぼキュリー温
度TC1以上であって第２の磁性薄膜の磁気モーメントを
反転させることのない第１の温度T1による第１の加熱状
態と、上記キュリー温度TC1以上で第２の磁性薄膜の磁
気モーメントを反転させるに充分な第２の温度T2による
第２の加熱状態とを、記録しようとする情報に応じて切
り換え変調して第１の磁性薄膜に情報ビット（磁区）を
形成し、第１及び第２の加熱状態からの冷却過程で第１
及び第２の磁性薄膜の磁化の向きの関係が相違する最終
的に２つの状態を得て情報の記録を行い、かつこの記録
を他の情報に書き換えるいわゆるオーバーライト（over
write）が可能な状態にするものであり、特に第３の磁
性薄膜の存在によって磁界印加の装置の簡略化を図る。
Ｃ 従来の技術 光磁気相互作用によって情報ビット（磁区）の読み出
しを行う記録媒体に対してのその情報の熱磁気記録方法
においては、垂直磁化膜による磁性薄膜を有する記録媒
体に対し、その磁化の方向を膜面に垂直な一方向に予め
揃えるいわゆる初期化を施しておき、この磁化方向と反
対向きの垂直磁化を有する磁区をレーザー光照射等の局
部加熱により形成することによって、２値化された情報
ビットとして情報を記録している。
熱磁気記録方法においては、情報の書き換えに先立っ
て記録された情報の消去（上記初期化に相当）の過程す
なわち消去のための時間を要し、高転送レートでの記録
を実現できない。これに対し、このような独立の消去過
程の時間が不要とされたオーバーライト方式による記録
方法が種々提案されている。このオーバーライト方式の
熱磁気記録方法の中で有望視されている方法としては、
例えば媒体に対する外部磁場変調方と、記録用のヘッド
の他に消去用のヘッドを設ける２ヘッド法とが知られて
いる。外部磁場変調法とは、例えば特公昭60−48806号
公報に開示されているように、膜面に垂直な磁化容易軸
を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体に対する昇温用
ビームの照射領域に入力デジタル信号電流の状態に対応
する極性の磁場を印加することにより記録を行うもので
ある。
Ｄ 発明が解決しようとする課題 ところで、上述のような外部磁場変調法によって情報
転送レートの高い高速記録を行おうとすると、例えばMH
zオーダで動作する電磁石が必要となり、このような電
磁石の作製は困難であり、作製できたとしても消費電力
及び発熱が大きく実用的でないという問題点がある。ま
た、２ヘッド法では、余分なヘッドを必要とし、２つの
ヘッドを離して配置しなければならず、ドライブシステ
ムへの負担が大きく、経済性が悪く、量産にも向かない
等の問題点を有している。
本発明は、レーザー光等による媒体の加熱温度を切換
制御するのみで容易に書き換えすなわちオーバーライト
が可能とされ上述した諸問題の解決をはかることのでき
る熱磁気記録媒体を提供するものである。
尚、本出願人は、先にこのような問題点の解決をはか
る熱磁気記録方法を、特願昭61−194961号出願、及び特
願昭61−194962号出願で提供した。これら出願で提案さ
れた熱磁気記録方法は、第１及び第２の希土類−遷移金
属磁性薄膜の積層構造による熱磁気記録媒体を用い、所
要の第１の外部磁場の印加の下に第１の磁性薄膜のほぼ
キュリー温度TC1以上でかつ第２の磁性薄膜の副格子磁
化の反転が生じない第１の温度T1に加熱する第１の加熱
状態と、温度TC1以上でかつ第２の磁性薄膜の副格子磁
化を反転させるに充分な第２の温度T2に加熱する第２の
加熱状態とを、記録しようとする情報例えば“0",“1"
に応じて切換変調し、冷却過程で、第１及び第２の磁性
薄膜の交換結合力により第１の磁性薄膜の副格子磁化の
向きを第２の磁性薄膜の副格子磁化の向きに揃えて、例
えば“0",“1"の記録ビット（磁区）を第１の磁性薄膜
に形成すると共に、第２の外部磁場によって、或いは第
２の磁性薄膜組成を、その補償温度が室温から第２の温
度T2間に存在するように選定することによって、室温で
第１の外部磁場のみによって第２の磁性薄膜の副格子磁
化が反転するようにして、オーバーライトが可能な状態
を得るようにするものである。
この場合、消去のための特別の過程（時間）を要する
ことがなく高転送レート化を図ることができるとか、上
述した２ヘッド方式あるいは外部磁場変調方式による場
合の諸課題を解決できる。
本発明においては、上述の特願昭61−194961号出願に
よる熱磁気記録方法を基本とし、これに加えて上述した
第２の磁場の省略ないしは低減化を図ることを課題と
し、これによってこの記録方法を実施する装置の、より
簡略化を図ることができるようにする。
上記特願昭61−194961号出願による熱磁気記録方法に
ついて説明すると、この記録方法では、第12図に温度Ｔ
に対応して上述した第１及び第２の各磁気薄膜（１）及
び（２）における各磁化状態を短い矢印をもって模式的
に示すように、室温TR下において、両磁性薄膜（１）及
び（２）の磁化の向きが同一である状態Ａと、互いに逆
向きの状態Ｂとの２態様によって例えば“0",“1"の情
報の記録がなされる。そして、これら記録は、外部磁場
Hexの印加と、レーザー光照射による第１及び第２の加
熱温度T1とT2による加熱によって行われる。まず例えば
状態Ａにある部位に対してレーザー光を照射して、この
レーザー光の強度あるいは照射時間を記録信号に応じて
変調制御してその加熱温度Ｔを、第１の磁性薄膜（１）
のほぼキュリー温度TC1以上でかつ所要の外部磁場Hexに
よって第２の磁性薄膜（２）に磁化反転の生じない第１
の加熱温度T1に加熱する。このような加熱を行うと第１
の磁性薄膜（１）は磁化を失う状態Ｃを示すが、この加
熱が終了して磁性薄膜（１）及び（２）の積層膜が温度
TC1に下がると（温度TC1以下になると）第１の磁性薄膜
（１）に磁化が生じる。このとき、第２の磁性薄膜
（２）との交換結合力が支配的となるようになされてい
て、これによって第１の磁性薄膜（１）の磁化の向き
は、第２の磁性薄膜（２）と同一の向きとされる。つま
り状態Ａを生じさせて、例えば“0"の情報の記録を行
う。
一方、加熱温度Ｔを、上述の温度T1以上でかつ第２の
磁性薄膜（２）の磁化を外部磁場Hexにより反転させる
に充分な第２の加熱温度T2に加熱する。このような加熱
を行うと第１の磁性薄膜（１）は磁化を失い、第２の磁
性薄膜（２）の磁化が反転した状態Ｄが生じるが、この
加熱が終了して磁性薄膜（１）及び（２）の積層膜が温
度TC1に下がる（温度TC1以下になると）と第１の磁性薄
膜（１）に第２の磁性薄膜（２）による交換結合力によ
って状態Ｅすなわちもとの初期状態とその磁化の向きが
逆の状態が形成されるが、このとき外部補助磁場HSUBの
印加によって室温TR近傍で第２の磁性薄膜（２）の磁化
の向きを反転させ両磁性薄膜（１）及び（２）間には磁
壁（３）が生じた磁化状態Ｂ、つまり磁化状態Ａとは第
１の磁性薄膜（１）の磁化の向きのみが反転した状態Ｂ
を生じさせて例えば“1"の情報の記録を行う。
このように状態Ａ及び状態Ｂにより情報“0",“1"の
記録がなされるものである。そして、この場合これら状
態Ａ及び状態Ｂのいずれにおいてもこれの上に光強度変
調オーバーライトが可能である。すなわちいずれの状態
Ａ、状態Ｂからも温度T1及びT2の加熱を行う場合、状態
Ｃの過程を経ることによって前述したと同様に温度T1及
びT2の選定によって初期の状態が状態Ａであるか状態Ｂ
であるかを問わず情報“0"及び“1"によって状態Ａ及び
状態Ｂのオーバーライトが可能となる。
上述の構成による磁気記録媒体において、その第１及
び第２の磁性薄膜（１）及び（２）の積層膜の界面に
は、交換エネルギーが働いており、このために第１の状
態Ｂでは磁壁（３）が発生するものであり、磁壁エネル
ギーσＷは、 （A1及びA2,K1及びK2は第１及び第２の磁性薄膜（１）
及び（２）の交換定数、垂直磁気異方性定数） そして、そのオーバーライトのために必要な条件は、
室温（−20℃〜60℃）において状態Ｂから状態Ａへの移
行が生じることがないようにするための条件は、 HC1＞HW1＝σW/2MS1h1 ‥‥（２） である。
また状態Ｂから状態Ｅへの移行が生じないようにする
ためには HC2＞HW2＝σW/2MS2h2 ‥‥（３） の条件を満足することが必要である。
さらにまた状態Ｅにおいて、その第２の磁性薄膜
（１）が、外部補助磁場HSUBによって反転してしまうこ
とがないようにするためには、 HC1±HW1＞HSUB ‥‥（41） を満足する必要がある。ここに左辺の＋−は、第１の磁
性薄膜（１）が希土類金属優勢膜であり、第２の磁性薄
膜（２）が遷移金属優勢膜である場合は「＋」となり、
第１及び第２の磁性薄膜（１）及び（２）が共に遷移金
属優勢膜である場合は「−」となる。
一方状態Ｅから状態Ｂへの移行を生ぜしめるために
は、 HC2＋HW2＜HSUB ‥‥（42） を満足することが必要である。
また、さらに加熱温度が第１の磁性薄膜（１）のキュ
リー温度TC1近傍において、状態Ｃから状態Ａへの移
行、すなわち第１の磁性薄膜（１）の磁化の向きが第２
の磁性薄膜（２）の磁化の向きに揃えられるためには、 HW1＞HC1＋Hex ‥‥（５） 式の条件が満足されることが必要であり、さらに状態Ｂ
から状態Ｅへの移行が生じないために、 HC2−HW2＞Hex ‥‥（６） 式の条件が満足されることが必要である。
尚、上記各式においてHW1及びHW2は（２）（３）式で
定義された量、HC1及びHC2,MS1及びMS2,h1及びh2はそれ
ぞれ第１及び第２の磁性薄膜の保磁力、飽和磁化、厚さ
である。
これらより明らかなように、室温においては上記
（２）式及び（３）式を満足し得る上で磁壁エネルギー
σＷは小さい方が望ましいが、例えばＫ〜４×106erg/c
m3,A＝0.2×10-6erg/cmと推定すると、 σＷ3.6erg/cm2 となる。
一方、２層膜ヒステリシスループからの実測値ではσ
Ｗ＝３〜6erg/cm2にある。今、仮にσＷ＝5erg/cm2と
し、HcMs0.45×106erg/cm2を用いてHex＝2kOeとして
上記（６）式を室温TRで確保するには、すなわちHC2−H
W2＞2kOeを確保するには、h2＝1100Å,HC2＝4kOe,HW2
2kOe程度となり、第２の磁性薄膜（２）の膜厚h2が大き
くなるとともに（42）式より外部補助磁場HSUBが大きく
なるという課題が生じる。
Ｅ 課題を解決するための手段 本発明においては、上述した室温での磁壁エルネギー
密度σＷを小さくし、（２），（３），（42）式を満足
させるようなσＷの温度特性を改善することによって第
２の磁性薄膜（２）の膜厚及び外部補助磁場HSUBの減少
を図る。
すなわち、本発明においては、第１図に示すように熱
磁気記録媒体（10）を用意する。この熱磁気記録媒体
（10）は、垂直磁気異方性を有する第１及び第２の磁性
薄膜（11）及び（12）が面内磁気異方性もしくは小さい
垂直磁気異方性を有する第３の磁性薄膜（13）を介して
順次磁気的に結合されて積層された積層膜（14）を有し
てなる。この第３の磁性薄膜（13）は、垂直磁気異方性
を有する場合でも第１及び第２の磁性薄膜（11）及び
（12）の垂直磁気異方性よりも充分に小なる１×106erg
/cm3以下とする。
本発明においては、この記録媒体（10）に対してレー
ザー光照射による温度Ｔを第12図で説明したと同様に第
２図に示すように第１及び第２の温度T1及びT2に加熱す
ることによる情報記録を行う。すなわち、第１の磁性薄
膜（11）のほぼキュリー温度TC1以上でかつ第２の磁性
薄膜（12）の磁気モーメントの反転の生じない第１の温
度T1に加熱する第１の加熱状態と、第１の磁性薄膜（1
1）のキュリー温度TC1以上でかつ第２の磁性薄膜（12）
の磁気モーメントを反転させるに充分な第２の温度T2に
加熱する第２の加熱状態とを、記録しようとする情報信
号に応じて変調し、それぞれの加熱状態から冷却するこ
とにより上述した状態Ａ及び状態Ｂを得る。
Ｆ 作用 上述した本発明によれば、第１及び第２の磁性薄膜
（11）及び（12）においての磁化状態によって情報記録
を行うものであるが、両者間に垂直磁気異方性が、１×
106erg/cm3以下すなわち面内磁気異方性もしくは第１及
び第２の磁性薄膜の垂直磁気異方性よりも小さい磁気異
方性を有する第３の磁性薄膜（13）が介在されたことに
よって第１及び第２の磁性薄膜（11）及び（12）間の磁
壁エネルギーσＷが制御され、これによって前記
（２），（３），（42）式の条件を満足し易くなる。
すなわち、本発明によれば、第２図に示すように第12
図で説明したと同様の状態Ａ〜Ｅを採って、状態Ａ及び
Ｂ、すなわち第１及び第２の磁性薄膜（11）及び（12）
が同一の向きに磁化された状態Ａと逆向きの状態Ｂによ
る情報の記録がなされ、この場合第３の磁性薄膜（13）
の存在によって、界面磁壁の存在する状態を安定化する
ことにより磁性膜の特性設計上のマージンを広げるとと
もに、磁壁エネルギーを下げ、状態Ｅから状態Ｂへの転
位に必要な外部補助磁場を小さくすることが出来る。
Ｇ 実施例 Ｇ−１ 熱磁気記録媒体 本発明で用いられる熱磁気記録媒体（10）は、第１図
に示すように、ガラス板やアクリル板等の光透過性基板
（15）の一方の面に、保護膜または干渉膜となる透明の
誘電体膜（16）を介して第１の磁性薄膜（11）、第３の
磁性薄膜（13）、第２の磁性薄膜（12）を順次例えば連
続スパッタリングによって積層した積層膜（14）を形成
し、さらにこれの上に非磁性金属膜あるいは誘電体膜よ
りなる保護膜（17）が被着形成されてなる。しかしなが
ら、この熱磁気記憶媒体（10）において誘電体膜（16）
及び保護膜（17）はこれを省略することができる。
Ｇ−２ 実施例１ 第１の磁性薄膜（11）としての希土類優勢膜の例えば
Tb（Fe0.95Co0.05）よりなる厚さh1＝600Å,MS1＝60emu
/cc上にFe0.95Co0.05よりなりMS3＝1600emu/ccの第３の
磁性薄膜（13）と、遷移金属優勢膜のTb（Fe0.95C
o0.05）よりなる厚さh2＝600Å,MS2＝200emu/ccの第２
の磁性薄膜（12）とを順次連続スパッタリングによって
形成した積層膜（14）を構成する。ここに第３の磁性薄
膜（13）は強力な面内異方性を持ち、その厚さh3はその
面内異方性（K3＜０）が強い場合は薄く、弱い場合は厚
く選定され、概ね|K3h3|がK1h1,K2h2と同程度になるよ
うに選定することが望ましい。このような構成による積
層膜（14）のファラデーヒステリシスループから得られ
たHW2＝σW2/2MS2h2の第３の磁性薄膜（13）の厚さh3に
対する依存性を第３図に示す。
同図において、曲線（31）（◇印）、曲線（32）（◆
印）、曲線（33）（▼印）はそれぞれ（HC1＋HW1），
（HC2＋HW2），（HC2−HW2）の実測結果であり、曲線
（34）（△印）及び距線（35）（●印）は、各測定結果
から求めた計算結果である。また、第４図及び第５図は
それぞれ計算機シミュレーションによる第３の磁性薄膜
の厚さh3に対する依存性を示したもので、第４図曲線
（42）は（HC2＋HW2）、曲線（43）は（HC2−HW2）、曲
線（44）はHC2、曲線（45）はHW2のh3に対する依存性を
それぞれ示し、第５図中曲線（50）はσＷのh3に対する
依存性を示す。この場合、第１及び第２の各磁性薄膜
（１）及び（２）の厚さh1及びh2は600Åとし、また各
第１〜第３の磁性薄膜（１）〜（３）の各特性値は、表
１に示す値とした。
尚、ここでMSのマイナス符号は第１の磁性薄膜（11）
が希土類優性膜であることを示す。
第４図及び第５図の計算機シミュレーションの結果
は、第３図の実測と良く合致しており、これらによれ
ば、第３の磁性薄膜h3によってσＷ、したがってHW2が
制御できることがわかる。そしてHW2が極小となるh3＝1
5Å付近に第３の磁性薄膜の厚さを選定すれば室温でHW2
が小さいため（42）式を満足しやすくなりHSUBを小さく
できた上で昇温すれば動作点が極小からずれて相対的に
σＷが大きくなって前記（５）式を満足し易くなる。
また第３図による特性においてそのHW2したがってσ
Ｗが室温で谷を示す部分（点ａ）の組成に選定すると、
温度の上昇によって垂直異方性、磁化等の温度特性が第
１〜第３の磁性薄膜（11）〜（13）で異なるためにσＷ
の膜厚h3に対する極小点からずれて第３図において点ｂ
または点ｃに向かって移動し、温度上昇によるσＷの上
昇または少なくともσＷの減少が緩やかになることが期
待できTC1近傍の温度ＴTC1−δにおいてHW1−HC1＞He
xが実現し易くなる。
Ｇ−３ 実施例２ この例においては、室温でのσＷを下げることによっ
て（５）式が満たされなくなることを避けるために第１
の磁性薄膜（11）を第６図に示すように、それぞれ磁性
薄膜より成る２層の第１及び第２の構成膜（111）及び
（112）によって構成した場合である。この場合第１の
構成膜（111）は例えばTbFe磁性膜よりなりそのキュリ
ー温度TC11は130℃、また下層の第２の構成膜（112）は
Tb（Fe0.95Co0.05）よりなりキュリー温度TC12が約160
℃のものを用い得る。また、第３の磁性薄膜（13）は例
えばFeCoより構成し、第２の磁性薄膜（12）はGdTbFeCo
でキュリー温度TC2が約220℃の磁性薄膜によって構成し
得る。この構造による場合、前記（５）式に代わって σW/2MS1・h12＝HW1′＞HC1＋Hext ‥‥（5a） となる、すなわちこの場合では、１層目の膜厚がh1から
見かけ上h12に薄くなったことになるので前記（５）式
より（5a）式の方がその条件を満足し易くなる。
Ｇ−４ 実施例３ 周知のいわゆる2P法（Photo Polymerization法）によ
り案内溝の形成されたガラス基板よりなる透明基板（1
5）上に、第７図に示すようにSi3N4よりなる透明誘電体
膜（16）を被着形成し、これの上に第１の磁性薄膜（1
1）を構成する第１及び第２の構成膜（111）及び（1
12）と、さらにこれの上に第３の磁性薄膜（13）と、ま
たさらにこれの上に第２の磁性薄膜（12）を構成する第
１及び第２の構成膜（121）及び（122）を被着形成す
る。これら各磁性薄膜の構成材料及び諸特性を表２に示
す。
この構造による熱磁気記録媒体（10）では室温で第３
の磁性薄膜（13）の付近に界面磁壁が形成されると考え
られ、第３の磁性薄膜（13）を設けることにより、第１
の磁性薄膜（11）の第２の構成膜（112）と第２の磁性
薄膜（12）の第１の構成膜（121）の層間の界面磁壁エ
ネルギーσＷは、1.5erg/cm2となり、第３の磁性薄膜
（13）及び第２の磁性薄膜（12）の第１の構成膜（1
21）を室温で磁化反転させるために必要な外部補助磁場
HSUBは2.5kOeとなった。この第３の磁性薄膜（13）の磁
気異方性定数K3＝−1.0×106erg/cm3と面内異方性を示
している。第３の磁性薄膜（13）がない場合はσＷは2.
8erg/cm2となり、第２の磁性薄膜（12）の第１の構成膜
（121）を1000Åと厚くしなければオーバーライトの条
件が満足されず、しかもこのような膜厚に選定した場合
においてもその外部補助磁場HSUBは3.5kOe必要であるこ
とから、この実施例３によれば外部補助磁場の低減化が
図られることがわかる。
Ｇ−５ 記録特性 実施例３で形成した熱磁気記録媒体を用いて形成した
ディスクＡの記録特性を評価しこの諸特性を表３に示
す。測定は線速度10m/secでの記録によるものでありま
たC/Nはオーバーライト時のそれを示す。尚表３にはデ
ィスクＢとして前出の表２における第３の磁性薄膜（1
3）を有さず、第２の磁性薄膜として、第１の構成膜（1
21）の材料を1000Å単層で形成した場合、またディスク
Ｃとして、ディスクＡの第１及び第２の構成膜（111）
及び（112）にかえて、第１の構成膜（111）の材料でそ
の膜厚を550Åとした単層膜により第１の磁性薄膜を構
成した場合をあわせて掲載してある。
この表３からわかるように、第３の磁性薄膜（13）を
設けることにより外部補助磁場HSUBの低減化を図ること
ができ、また記録保存環境温度が上昇する。一方、第１
の磁性薄膜（11）をキュリー点の異なる２層に分割する
ことにより外部補助磁場HSUB及び記録パワーを一定に保
ちかつC/Nを向上させることが可能であることがわか
る。つまり条件式（5a）が完全に満足されていることに
よってC/Nが良好となり、また前記（２）及び（３）式
を満足し易いことによって記録保存環境温度の安定領域
が拡大される。
Ｇ−６ 実施例４ ガラス基板よりなる透明基板（15）上に、希土類優勢
膜の、厚さh1＝600Å、飽和磁化MS1＝60emu/cm3のTb（F
e0.95Co0.05）膜よりなる第１の磁性薄膜（11）と、こ
れの上に同様に希土類優勢膜のTb（Fe0.95Co0.05）で飽
和磁化MS3＝200emu/cm3のTb（Fe0.95Co0.05）よりなる
第３の磁性薄膜（13）と、これの上に遷移金属優勢膜の
Tb（Fe0.95Co0.05）で膜厚h2＝600Å、飽和磁化MS2＝20
0emu/cm3の第２の磁性薄膜（12）を順次スパッタリング
によって被着形成した熱磁気記録媒体（10）を用いた。
この場合の第３の磁性薄膜（13）の厚さh3に対するHW2
＝σW/2MS2h2の依存性の測定結果を第８図に示す。同図
において、曲線（81）（◇印）、曲線（82）（◆印）、
曲線（83）（▼印）はそれぞれ（HC1＋HW1），（HC2＋H
W2），（HC2−HW2）の実測結果であり、曲線（84）（△
印）及び曲線（85）（●印）は、各測定結果から求めた
計算結果である。また、第９図及び第10図はそれぞれ計
算機シミュレーションによる第３の磁性薄膜（13）の厚
さh3に対する依存性を示したもので、第９図曲線（92）
は（HC2＋HW2）、曲線（93）は（HC2−HW2）、曲線（9
4）はHC2、曲線（95）はHW2の各h3に対する依存性を示
す。この計算機シミュレーションは、第３の磁性薄膜
（13）の測定値K3＝−1.0×106erg/cm3を用いて行っ
た。また、第10図中曲線（100）及び（101）はそれぞれ
第３の磁性薄膜（13）の異方性定数K3を、K3＝0.2×106
（erg/cm3）、K3＝−１×106（erg/cm3）としたときの
σＷのh3の依存性を示す。この場合、第１及び第２の各
磁性薄膜（11）及び（12）の厚さh1及びh2は600Åと
し、また各第１〜第３の磁性薄膜（11）〜（13）の各特
性値は、表４に示す値とした。
これらによれば、第３の磁性薄膜（13）が第１及び第
２の磁性薄膜（11）及び（12）の垂直磁気異方性よりも
に弱い垂直異方性を有するものであってもσＷ、したが
ってHW2が制御できることがわかる。
また第３の磁性薄膜（13）として、室温での飽和磁化
MSが大で、温度ＴがTC1近傍でMSが小さい、すなわちこ
の付近で第11図に示すような補償温度特性を有する磁性
膜を用いる。すなわち （Kuは１軸異方性定数）であるのでMSが大きいときσＷ
は小でありMSが小のときσＷは大となる。
このようにすればσＷの温度特性が室温で小さく、温
度ＴがTC1近傍で相対的に大きい記録媒体の実現が可能
となる。
Ｈ 発明の効果 本発明においては、第１の磁性薄膜（11）と第２の磁
性薄膜（12）との間に面内異方性もしくは垂直磁気異方
性が、第１及び第２の磁性薄膜（11）及び（12）の垂直
磁気異方性よりも小さい、１×106erg/cm3以下とされた
第３の磁性薄膜（13）を介在させたことによって界面磁
壁の安定化を図ることができることにより、安定した確
実な記録すなわちC/Nの高い記録を行うことができる。
また、室温における磁壁エネルギーσＷの低減化によ
り外部補助磁場HSUBの低減化したがって装置の簡略化を
図ることができる。
さらにまたσＷの低減化により前記（３）及び（６）
式の成立する範囲の拡大を図ることができ、さらにまた
前述したように第１の磁性薄膜を２層構造とする場合、
条件（５）式が条件（5a）となることによってその成立
範囲が拡大され、設計上の余裕度が大となる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第６図及び第７図はそれそれ本発明の熱磁気記
録媒体の略線的断面図、第２図は磁性積層膜の磁化状態
の説明図、第３図〜第５図、第８図〜第10図は第３の磁
性薄膜の膜厚h3の依存性を示す特性曲線図、第11図は補
償特性曲線図、第12図は比較例の磁性積層膜の磁化状態
の説明図である。 （11）〜（13）は第１〜第３の磁性薄膜、（14）はその
積層膜、（15）は透明基板、（10）は熱磁気記録媒体で
ある。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−211343（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−117354（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−316343（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 506

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】垂直磁気異方性を有する第１及び第２の磁
    性薄膜が、その中間に第３の磁性薄膜を介して順次磁気
    的に結合されて積層された積層膜を有し、 上記第１の磁性薄膜のほぼキュリー温度Tc1以上でかつ
    上記第２の磁性薄膜の磁気モーメントの反転の生じない
    温度T1に加熱する第１の加熱状態と、上記温度Tc1以上
    でかつ上記第２の磁性薄膜の磁気モーメントを反転させ
    るに充分な温度T2に加熱する第２の加熱状態とを、記録
    しようとする情報信号に応じて変調し、上記それぞれ加
    熱状態から冷却することにより記録磁化が形成される熱
    磁気記録媒体であって、 上記第３の磁性薄膜の垂直磁気異方性が、上記第１及び
    第２の磁性薄膜の垂直磁気異方性よりも小さく、垂直磁
    気異方性定数が１×106erg/cm3以下であることを特徴と
    する熱磁気記録媒体。
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