JPH09134553A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH09134553A JPH09134553A JP31153095A JP31153095A JPH09134553A JP H09134553 A JPH09134553 A JP H09134553A JP 31153095 A JP31153095 A JP 31153095A JP 31153095 A JP31153095 A JP 31153095A JP H09134553 A JPH09134553 A JP H09134553A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- magnetic thin
- film
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 媒体の作成が容易でしかも、光変調ダイレク
トオーバーライトの記録特性が向上した光磁気記録媒体
を提供する。 【解決手段】 少なくとも、磁性薄膜４〜６が順次積層
された光磁気記録媒体であって、磁性薄膜４，６は希土
類−遷移金属から成るアモルファス薄膜でかつ垂直磁気
異方性を有し、磁性薄膜５は遷移金属優勢（TM-rich)膜
であり、磁性薄膜４，６が磁性薄膜５を介して順次磁気
的に結合している。
トオーバーライトの記録特性が向上した光磁気記録媒体
を提供する。 【解決手段】 少なくとも、磁性薄膜４〜６が順次積層
された光磁気記録媒体であって、磁性薄膜４，６は希土
類−遷移金属から成るアモルファス薄膜でかつ垂直磁気
異方性を有し、磁性薄膜５は遷移金属優勢（TM-rich)膜
であり、磁性薄膜４，６が磁性薄膜５を介して順次磁気
的に結合している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光等の光
を照射することにより情報の記録再生を行う光磁気記録
媒体に関するものである。
を照射することにより情報の記録再生を行う光磁気記録
媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気相互作用によって情報マーク（磁
区）の読み出しを行う記録媒体に対する情報の記録方法
においては、垂直磁化膜の磁性薄膜を有する記録媒体に
対し、その磁化の方向を膜面に垂直な一方向に予め揃え
るいわゆる初期化を施しておき、この磁化方向と反対向
きの垂直磁化を有する磁区を、レーザー光照射等の局部
加熱により形成することによって、２値化された情報マ
ークとして情報を記録保存している。かかる記録方法に
おいては、情報の書き換えに先立って、記録された情報
の消去（あるいは初期化）の過程、即ちイニシャライズ
のための時間を要し、情報の高転送レートでの記録を実
現できない。
区）の読み出しを行う記録媒体に対する情報の記録方法
においては、垂直磁化膜の磁性薄膜を有する記録媒体に
対し、その磁化の方向を膜面に垂直な一方向に予め揃え
るいわゆる初期化を施しておき、この磁化方向と反対向
きの垂直磁化を有する磁区を、レーザー光照射等の局部
加熱により形成することによって、２値化された情報マ
ークとして情報を記録保存している。かかる記録方法に
おいては、情報の書き換えに先立って、記録された情報
の消去（あるいは初期化）の過程、即ちイニシャライズ
のための時間を要し、情報の高転送レートでの記録を実
現できない。
【０００３】そこでこの問題に対処すべく、このような
独立のイニシャライズ過程の時間が不要となる重ね書
き、いわゆるオーバーライト方式による記録方法が種々
提案されている。これら種々のオーバーライト方式によ
る記録方法の中で将来技術として有望視されている技術
に光変調ダイレクトオーバーライト技術がある。これ
は、レーザー光照射等による媒体への加熱温度を切替制
御するのみで容易に書き換え、即ちオーバーライトが可
能となる。この光変調ダイレクトオーバーライトを実現
するための記録媒体としては、特開昭６２−１７５９４
８号公報に開示されているものがある。
独立のイニシャライズ過程の時間が不要となる重ね書
き、いわゆるオーバーライト方式による記録方法が種々
提案されている。これら種々のオーバーライト方式によ
る記録方法の中で将来技術として有望視されている技術
に光変調ダイレクトオーバーライト技術がある。これ
は、レーザー光照射等による媒体への加熱温度を切替制
御するのみで容易に書き換え、即ちオーバーライトが可
能となる。この光変調ダイレクトオーバーライトを実現
するための記録媒体としては、特開昭６２−１７５９４
８号公報に開示されているものがある。
【０００４】即ち、ここで開示されているオーバーライ
ト可能な光磁気記録方法は、第１及び第２の希土類−遷
移金属磁性薄膜の積層構造による記録媒体を用い、所要
の第１の外部磁界印加の下に第２の磁性薄膜の副格子磁
化の反転が生じない温度で、かつ第１の磁性薄膜のキュ
リー温度Ｔc 以上の温度Ｔ1 に加熱する第１の昇温状態
と、温度Ｔ1 以上でかつ第２の磁性薄膜の副格子磁化を
反転させるに充分な第２の温度Ｔ2 に加熱する第２の昇
温状態とを、記録する情報”０”，”１”に対応させて
変調し、冷却過程で、第１及び第２の磁性薄膜の交換相
互作用による交換結合力により、第１の磁性薄膜の副格
子磁化の向きを第２の磁性薄膜の副格子磁化の向きに揃
えて、情報”０”，”１”の記録マーク（磁区）を第１
の磁性薄膜に形成すると共に、第２の外部磁界によっ
て、室温で第２の磁性薄膜の副格子磁化のみ一方向に反
転するようにして、ダイレクトオーバーライトが可能と
なるようにするものである。
ト可能な光磁気記録方法は、第１及び第２の希土類−遷
移金属磁性薄膜の積層構造による記録媒体を用い、所要
の第１の外部磁界印加の下に第２の磁性薄膜の副格子磁
化の反転が生じない温度で、かつ第１の磁性薄膜のキュ
リー温度Ｔc 以上の温度Ｔ1 に加熱する第１の昇温状態
と、温度Ｔ1 以上でかつ第２の磁性薄膜の副格子磁化を
反転させるに充分な第２の温度Ｔ2 に加熱する第２の昇
温状態とを、記録する情報”０”，”１”に対応させて
変調し、冷却過程で、第１及び第２の磁性薄膜の交換相
互作用による交換結合力により、第１の磁性薄膜の副格
子磁化の向きを第２の磁性薄膜の副格子磁化の向きに揃
えて、情報”０”，”１”の記録マーク（磁区）を第１
の磁性薄膜に形成すると共に、第２の外部磁界によっ
て、室温で第２の磁性薄膜の副格子磁化のみ一方向に反
転するようにして、ダイレクトオーバーライトが可能と
なるようにするものである。
【０００５】この光磁気記録方法に使用される光磁気記
録媒体は、上記の状態を実現し得るように作成された垂
直磁気二層膜によって提供されるものである。図５は室
温における光磁気記録媒体の遷移状態を説明するための
図である。この記録媒体において、その積層された第１
の磁性薄膜と第２の磁性薄膜の界面には、交換エネルギ
ーが働いており、このため室温の状態Ｂ（図５に図示）
では、磁壁が生成する。このときの磁壁エネルギーσw
は、 σw ＝約２｛（Ａ1 Ｋ1 ）1/2 ＋（Ａ2 Ｋ2 ）1/2 ｝ ・・・（１） 但し、Ａ1 ：第１の磁性薄膜の交換定数 Ａ2 ：第２の磁性薄膜の交換定数 Ｋ1 ：第１の磁性薄膜の有効異方性定数 Ｋ2 ：第２の磁性薄膜の有効異方性定数 とあらわされる。
録媒体は、上記の状態を実現し得るように作成された垂
直磁気二層膜によって提供されるものである。図５は室
温における光磁気記録媒体の遷移状態を説明するための
図である。この記録媒体において、その積層された第１
の磁性薄膜と第２の磁性薄膜の界面には、交換エネルギ
ーが働いており、このため室温の状態Ｂ（図５に図示）
では、磁壁が生成する。このときの磁壁エネルギーσw
は、 σw ＝約２｛（Ａ1 Ｋ1 ）1/2 ＋（Ａ2 Ｋ2 ）1/2 ｝ ・・・（１） 但し、Ａ1 ：第１の磁性薄膜の交換定数 Ａ2 ：第２の磁性薄膜の交換定数 Ｋ1 ：第１の磁性薄膜の有効異方性定数 Ｋ2 ：第２の磁性薄膜の有効異方性定数 とあらわされる。
【０００６】そして、オーバーライトのための条件は、
室温において状態Ｂから状態Ａへの移行が生じないよう
にするために、次の条件を満たすことが必要である。 Ｈc1＞Ｈw1＝σw ／２Ｍs1ｈ1 ・・・・・・・・・・・・・（２） 但し、Ｈc1：第１の磁性薄膜の保磁力 Ｍs1：第１の磁性薄膜の飽和磁化 ｈ1 ：第１の磁性薄膜の膜厚
室温において状態Ｂから状態Ａへの移行が生じないよう
にするために、次の条件を満たすことが必要である。 Ｈc1＞Ｈw1＝σw ／２Ｍs1ｈ1 ・・・・・・・・・・・・・（２） 但し、Ｈc1：第１の磁性薄膜の保磁力 Ｍs1：第１の磁性薄膜の飽和磁化 ｈ1 ：第１の磁性薄膜の膜厚
【０００７】また、室温において状態Ｂから状態Ｅへの
移行が生じないようにするためには、次の条件を満たす
ことが必要である。 Ｈc2＞Ｈw2＝σw ／２Ｍs2ｈ2 ・・・・・・・・・・・・・（３） 但し、Ｈc2：第２の磁性薄膜の保磁力 Ｍs2：第２の磁性薄膜の飽和磁化 ｈ2 ：第２の磁性薄膜の膜厚
移行が生じないようにするためには、次の条件を満たす
ことが必要である。 Ｈc2＞Ｈw2＝σw ／２Ｍs2ｈ2 ・・・・・・・・・・・・・（３） 但し、Ｈc2：第２の磁性薄膜の保磁力 Ｍs2：第２の磁性薄膜の飽和磁化 ｈ2 ：第２の磁性薄膜の膜厚
【０００８】さらにまた、状態Ｅにおいて、第１の磁性
薄膜が外部初期化補助磁界Ｈini によって反転してしま
うことがないようにするためには、次の条件を満たすこ
とが必要である。 Ｈc1±Ｈw1＞Ｈini ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（４） ここで左辺の±は、第１の磁性薄膜が希土類優勢膜であ
り、第２の磁性薄膜が遷移金属優勢薄膜である場合
は、”＋”となり、第１及び第２の磁性薄膜が共に遷移
金属優勢膜である場合は”−”となる。
薄膜が外部初期化補助磁界Ｈini によって反転してしま
うことがないようにするためには、次の条件を満たすこ
とが必要である。 Ｈc1±Ｈw1＞Ｈini ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（４） ここで左辺の±は、第１の磁性薄膜が希土類優勢膜であ
り、第２の磁性薄膜が遷移金属優勢薄膜である場合
は、”＋”となり、第１及び第２の磁性薄膜が共に遷移
金属優勢膜である場合は”−”となる。
【０００９】他方、状態Ｅから状態Ｂへの移行を可能と
するためには、次の条件を満たすことが必要である。 Ｈc2＋Ｈw2＜Ｈini ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（５）
するためには、次の条件を満たすことが必要である。 Ｈc2＋Ｈw2＜Ｈini ・・・・・・・・・・・・・・・・・・（５）
【００１０】さらに、昇温状態が第１の磁性薄膜のキュ
リー温度Ｔc1近傍において、状態Ｃから状態Ａへの移
行、即ち第１の磁性薄膜の磁化の向きが第２の磁性薄膜
の磁化の向きに揃えられるためには、次の条件を満たす
ことが必要である。 Ｈw1＞Ｈc1＋Ｈex ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（６） 但し、Ｈex：記録磁界
リー温度Ｔc1近傍において、状態Ｃから状態Ａへの移
行、即ち第１の磁性薄膜の磁化の向きが第２の磁性薄膜
の磁化の向きに揃えられるためには、次の条件を満たす
ことが必要である。 Ｈw1＞Ｈc1＋Ｈex ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（６） 但し、Ｈex：記録磁界
【００１１】さらにまた、状態Ｃから状態Ｅへの移行が
生じないようにするために、次の条件を満たすことが必
要である。 Ｈc2−Ｈw2＞Ｈex ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（７）
生じないようにするために、次の条件を満たすことが必
要である。 Ｈc2−Ｈw2＞Ｈex ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（７）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】以上より明らかなよう
に、室温においては、上記（２）及び（３）式を満足す
るために磁壁（界面磁壁）エネルギーσw は、小さいほ
うが望ましく、第１の磁性薄膜の磁化の向きが第２の磁
性薄膜の磁化の向きに揃う温度近傍では、交換相互作用
を強く働かせるために、（６）及び（７）式を満たす状
態で、ある程度の大きさを保持している必要がある。し
かしながら、これらを全てを満足する状態を、第１及び
第２の磁性薄膜の保磁力、飽和磁化、膜厚の制御のみで
実現することは極めて困難であった。
に、室温においては、上記（２）及び（３）式を満足す
るために磁壁（界面磁壁）エネルギーσw は、小さいほ
うが望ましく、第１の磁性薄膜の磁化の向きが第２の磁
性薄膜の磁化の向きに揃う温度近傍では、交換相互作用
を強く働かせるために、（６）及び（７）式を満たす状
態で、ある程度の大きさを保持している必要がある。し
かしながら、これらを全てを満足する状態を、第１及び
第２の磁性薄膜の保磁力、飽和磁化、膜厚の制御のみで
実現することは極めて困難であった。
【００１３】本発明は、前記した第１及び第２の磁性薄
膜間の交換相互作用による交換結合力によって発生する
磁気特性を制御する、遷移金属優勢膜である第３の磁性
薄膜を、第１及び第２の磁性薄膜の中間に設けることに
より、第１及び第２の磁性薄膜の保磁力、飽和磁化、膜
厚の制御のみで磁壁エネルギーσw を制御して所要の媒
体作成を容易ならしめるのみならず、記録特性の向上が
可能な光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
膜間の交換相互作用による交換結合力によって発生する
磁気特性を制御する、遷移金属優勢膜である第３の磁性
薄膜を、第１及び第２の磁性薄膜の中間に設けることに
より、第１及び第２の磁性薄膜の保磁力、飽和磁化、膜
厚の制御のみで磁壁エネルギーσw を制御して所要の媒
体作成を容易ならしめるのみならず、記録特性の向上が
可能な光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は下記する（１）〜（３）の構成の光磁
気記録媒体を提供する。
ために、本発明は下記する（１）〜（３）の構成の光磁
気記録媒体を提供する。
【００１５】（１） 図１に示すように、少なくとも、
第１，第２，第３の磁性薄膜４〜６が順次積層された光
磁気記録媒体であって、前記第１及び第３の磁性薄膜
４，６は、希土類−遷移金属から成るアモルファス薄膜
でかつ垂直磁気異方性を有し、前記第１及び第３の磁性
薄膜４，６が前記第２の磁性薄膜５を介して磁気的に結
合しており、前記第１及び第３の磁性薄膜４，６の磁気
的な結合状態を制御する前記第２の磁性薄膜５は、遷移
金属優勢（TM-rich)膜であることを特徴とする光磁気記
録媒体１。
第１，第２，第３の磁性薄膜４〜６が順次積層された光
磁気記録媒体であって、前記第１及び第３の磁性薄膜
４，６は、希土類−遷移金属から成るアモルファス薄膜
でかつ垂直磁気異方性を有し、前記第１及び第３の磁性
薄膜４，６が前記第２の磁性薄膜５を介して磁気的に結
合しており、前記第１及び第３の磁性薄膜４，６の磁気
的な結合状態を制御する前記第２の磁性薄膜５は、遷移
金属優勢（TM-rich)膜であることを特徴とする光磁気記
録媒体１。
【００１６】（２） 第２の磁性薄膜５は、面内ないし
は垂直方向に磁気異方性をもつアモルファス薄膜で、希
土類にＧｄ（ガドリニウム）を、遷移金属にＦｅＣｏ
（鉄・コバルト合金）を用いた膜であることを特徴とす
る上記した（１）記載の光磁気記録媒体。
は垂直方向に磁気異方性をもつアモルファス薄膜で、希
土類にＧｄ（ガドリニウム）を、遷移金属にＦｅＣｏ
（鉄・コバルト合金）を用いた膜であることを特徴とす
る上記した（１）記載の光磁気記録媒体。
【００１７】（３） 第２の磁性薄膜５は、面内ないし
は垂直方向に磁気異方性をもつアモルファス薄膜で、Ｇ
ｄＦｅＣｏ（ガドリニウム・鉄・コバルト合金）をベー
スとして用い、このＧｄＦｅＣｏ（ガドリニウム・鉄・
コバルト合金）に、Ｄｙ（ディスプロシウム），Ｔｂ
（テルビウム），Ｎｄ（ネオジウム），Ｅｒ（エルビウ
ム），Ｈｏ（ホルミウム），Ｌｕ（ルテチウム）といっ
た希土類元素のうちの少なくとも一つを添加した膜であ
ることを特徴とする上記した（１）記載の光磁気記録媒
体。
は垂直方向に磁気異方性をもつアモルファス薄膜で、Ｇ
ｄＦｅＣｏ（ガドリニウム・鉄・コバルト合金）をベー
スとして用い、このＧｄＦｅＣｏ（ガドリニウム・鉄・
コバルト合金）に、Ｄｙ（ディスプロシウム），Ｔｂ
（テルビウム），Ｎｄ（ネオジウム），Ｅｒ（エルビウ
ム），Ｈｏ（ホルミウム），Ｌｕ（ルテチウム）といっ
た希土類元素のうちの少なくとも一つを添加した膜であ
ることを特徴とする上記した（１）記載の光磁気記録媒
体。
【００１８】
【発明の実施の態様】以下、本発明の光磁気記録媒体を
図１〜図４に沿って説明する。図１は本発明の光磁気記
録媒体の構造を示す図、図２はＧｄＦｅＣｏ膜を第２の
磁性薄膜として用いた媒体の室温におけるその膜厚と界
面磁壁エネルギーとの変化を示す図、図３はＧｄＦｅＣ
ｏ膜の４種類の組成における飽和磁化の温度依存性を示
す図、図４は遷移金属優勢膜を第２の磁性薄膜として用
いた三層結合磁性薄膜における界面磁壁エネルギーの温
度特性を示す図である。
図１〜図４に沿って説明する。図１は本発明の光磁気記
録媒体の構造を示す図、図２はＧｄＦｅＣｏ膜を第２の
磁性薄膜として用いた媒体の室温におけるその膜厚と界
面磁壁エネルギーとの変化を示す図、図３はＧｄＦｅＣ
ｏ膜の４種類の組成における飽和磁化の温度依存性を示
す図、図４は遷移金属優勢膜を第２の磁性薄膜として用
いた三層結合磁性薄膜における界面磁壁エネルギーの温
度特性を示す図である。
【００１９】本発明の光磁気記録媒体１は、図１に示す
ように、ガラス板またはポリカーボネイト等の光透過性
の透明基板２上（同図中ではその下面）に、保護膜また
は多重干渉膜となる透明な誘電体膜３を介して第１から
第３の磁性薄膜を、真空中で例えば連続スパッタリング
等により順次積層した三層磁性膜４，５，６を形成し、
さらにこの第３の磁性薄膜６上（同図中ではその下面）
に非磁性金属膜あるいは誘電体膜より成る保護膜７を形
成してなるものである。レーザー光等の照射は透明基板
２側から行われる。第１及び第３の磁性薄膜４，６は希
土類−遷移金属から成るアモルファス薄膜でかつ垂直磁
気異方性を有している。
ように、ガラス板またはポリカーボネイト等の光透過性
の透明基板２上（同図中ではその下面）に、保護膜また
は多重干渉膜となる透明な誘電体膜３を介して第１から
第３の磁性薄膜を、真空中で例えば連続スパッタリング
等により順次積層した三層磁性膜４，５，６を形成し、
さらにこの第３の磁性薄膜６上（同図中ではその下面）
に非磁性金属膜あるいは誘電体膜より成る保護膜７を形
成してなるものである。レーザー光等の照射は透明基板
２側から行われる。第１及び第３の磁性薄膜４，６は希
土類−遷移金属から成るアモルファス薄膜でかつ垂直磁
気異方性を有している。
【００２０】上記した第１の磁性薄膜４は、例えばＴｂ
ＦｅＣｏ（テルビウム・鉄・コバルト合金）の薄膜によ
って構成される。第２の磁性薄膜５は後述するように遷
移金属優勢の例えばＧｄＦｅＣｏ（ガドリニウム・鉄・
コバルト合金）の薄膜によって構成される。第３の磁性
薄膜６は例えばＴｂＤｙＦｅＣｏ（テルビウム・ディス
プロシウム・鉄・コバルト合金）の薄膜によって構成さ
れる。
ＦｅＣｏ（テルビウム・鉄・コバルト合金）の薄膜によ
って構成される。第２の磁性薄膜５は後述するように遷
移金属優勢の例えばＧｄＦｅＣｏ（ガドリニウム・鉄・
コバルト合金）の薄膜によって構成される。第３の磁性
薄膜６は例えばＴｂＤｙＦｅＣｏ（テルビウム・ディス
プロシウム・鉄・コバルト合金）の薄膜によって構成さ
れる。
【００２１】上記した第２の磁性薄膜５は、遷移金属優
勢（TM-rich)の例えばＧｄＦｅＣｏ（室温での飽和磁化
Ｍｓが、０≦Ｍｓ≦４５０ｅｍｕ／ｃｃ）の薄膜、具体
的には、Ｇｄx （Ｆｅ1-y Ｃｏy ）1-x において、０．
１５≦x ≦０．２５，０≦y ≦０．１ （x ，y はａ
ｔ．％）の組成に限定して構成される。また、第２の磁
性薄膜５は、ＧｄＦｅＣｏをベースに他の希土類Ｄｙ
（ディスプロシウム），Ｔｂ（テルビウム），Ｎｄ（ネ
オジウム），Ｅｒ（エルビウム），Ｈｏ（ホルミウ
ム），Ｌｕ（ルテチウム）といった元素を添加しても構
成できる。例えば、第２の磁性薄膜５は、遷移金属優勢
膜が面内ないしは垂直方向に磁気異方性をもつアモルフ
ァス薄膜で、希土類にＧｄを、遷移金属にＦｅＣｏを用
いた膜である。
勢（TM-rich)の例えばＧｄＦｅＣｏ（室温での飽和磁化
Ｍｓが、０≦Ｍｓ≦４５０ｅｍｕ／ｃｃ）の薄膜、具体
的には、Ｇｄx （Ｆｅ1-y Ｃｏy ）1-x において、０．
１５≦x ≦０．２５，０≦y ≦０．１ （x ，y はａ
ｔ．％）の組成に限定して構成される。また、第２の磁
性薄膜５は、ＧｄＦｅＣｏをベースに他の希土類Ｄｙ
（ディスプロシウム），Ｔｂ（テルビウム），Ｎｄ（ネ
オジウム），Ｅｒ（エルビウム），Ｈｏ（ホルミウ
ム），Ｌｕ（ルテチウム）といった元素を添加しても構
成できる。例えば、第２の磁性薄膜５は、遷移金属優勢
膜が面内ないしは垂直方向に磁気異方性をもつアモルフ
ァス薄膜で、希土類にＧｄを、遷移金属にＦｅＣｏを用
いた膜である。
【００２２】図２はＧｄＦｅＣｏ膜を第２の磁性薄膜５
として用いた光磁気記録媒体における室温でのその膜厚
と界面磁壁エネルギーの変化を示したものであるが、第
２の磁性薄膜５の膜厚を厚くするにつれて界面磁壁エネ
ルギーが減少している。これは、第２の磁性薄膜５の膜
厚の変化、即ち磁化の変化に伴って、三層の磁性薄膜４
〜６の結合状態（交換相互作用）が変化したことによる
ものである。従って、上述した（１）〜（７）式の条件
を満たすためには、室温から磁化が徐々に減少し、キュ
リー温度Ｔc1から温度Ｔ1 ではある程度の磁化を保持
し、かつ温度Ｔ2 までに磁化が消失する特性を第２の磁
性薄膜５が持つことが有効である。
として用いた光磁気記録媒体における室温でのその膜厚
と界面磁壁エネルギーの変化を示したものであるが、第
２の磁性薄膜５の膜厚を厚くするにつれて界面磁壁エネ
ルギーが減少している。これは、第２の磁性薄膜５の膜
厚の変化、即ち磁化の変化に伴って、三層の磁性薄膜４
〜６の結合状態（交換相互作用）が変化したことによる
ものである。従って、上述した（１）〜（７）式の条件
を満たすためには、室温から磁化が徐々に減少し、キュ
リー温度Ｔc1から温度Ｔ1 ではある程度の磁化を保持
し、かつ温度Ｔ2 までに磁化が消失する特性を第２の磁
性薄膜５が持つことが有効である。
【００２３】図３はＧｄＦｅＣｏ膜の４種類の組成（Ｔ
Ｍ−ｒｉｃｈ１，ＴＭ−ｒｉｃｈ２，ＲＥ−ｒｉｃｈ
１，ＲＥ−ｒｉｃｈ２）における飽和磁化の温度依存性
を示すものである。ＴＭ−ｒｉｃｈ１，ＴＭ−ｒｉｃｈ
２の組成の特性はＲＥ−ｒｉｃｈ１，ＲＥ−ｒｉｃｈ２
の組成の特性と比較して、飽和磁化の上述の条件を満足
するものである。このことから、第２の磁性薄膜５は遷
移金属優勢膜としてＧｄＦｅＣｏ膜とすることが良好な
オーバーライト特性を実現させるものであるといえる。
Ｍ−ｒｉｃｈ１，ＴＭ−ｒｉｃｈ２，ＲＥ−ｒｉｃｈ
１，ＲＥ−ｒｉｃｈ２）における飽和磁化の温度依存性
を示すものである。ＴＭ−ｒｉｃｈ１，ＴＭ−ｒｉｃｈ
２の組成の特性はＲＥ−ｒｉｃｈ１，ＲＥ−ｒｉｃｈ２
の組成の特性と比較して、飽和磁化の上述の条件を満足
するものである。このことから、第２の磁性薄膜５は遷
移金属優勢膜としてＧｄＦｅＣｏ膜とすることが良好な
オーバーライト特性を実現させるものであるといえる。
【００２４】図４は遷移金属優勢膜を第２の磁性薄膜５
として用いた三層結合磁性薄膜における界面磁壁エネル
ギーの温度特性を示したものであるが、室温近傍で界面
磁壁エネルギーを適度に抑え、キュリー温度Ｔc1近傍に
おいても比較的高い界面磁壁エネルギーを得ることがで
き、理想的な変化を呈している。この構造の光磁気記録
媒体を用いたディスクでの記録再生特性評価においても
良好な特性が確認された。
として用いた三層結合磁性薄膜における界面磁壁エネル
ギーの温度特性を示したものであるが、室温近傍で界面
磁壁エネルギーを適度に抑え、キュリー温度Ｔc1近傍に
おいても比較的高い界面磁壁エネルギーを得ることがで
き、理想的な変化を呈している。この構造の光磁気記録
媒体を用いたディスクでの記録再生特性評価においても
良好な特性が確認された。
【００２５】上述の如く、光磁気記録媒体１は、界面磁
壁エネルギーを制御する第２の磁性薄膜５を第１と第３
の磁性薄膜４，６の中間に設け、その薄膜組成を遷移金
属優勢とすることで、室温近傍での磁壁エネルギーを低
め、温度Ｔ1 近傍で磁壁エネルギーを高めることができ
る。これによって、室温での界面磁壁エネルギーの安定
化を図ることができ、温度Ｔ1 近傍で記録磁区の転写の
安定性を高めることが可能となる。他方、記録磁界Ｈex
は、第１の磁性薄膜４の反転を妨げる向きに働くため、
希土類−遷移金属優勢膜を第２の磁性薄膜５に用いた場
合、希土類が多い組成では、第１の磁性薄膜４のキュリ
ー温度Ｔc1近傍で、上述した（６）式が満たされない場
合があるのに対し、この遷移金属優勢膜を第２の磁性薄
膜５に用いることで、記録磁界Ｈexの変動に対する安定
性も向上することができる。このように、光磁気記録媒
体１は光変調ダイレクトオーバーライトを確実に実現す
ることができる。
壁エネルギーを制御する第２の磁性薄膜５を第１と第３
の磁性薄膜４，６の中間に設け、その薄膜組成を遷移金
属優勢とすることで、室温近傍での磁壁エネルギーを低
め、温度Ｔ1 近傍で磁壁エネルギーを高めることができ
る。これによって、室温での界面磁壁エネルギーの安定
化を図ることができ、温度Ｔ1 近傍で記録磁区の転写の
安定性を高めることが可能となる。他方、記録磁界Ｈex
は、第１の磁性薄膜４の反転を妨げる向きに働くため、
希土類−遷移金属優勢膜を第２の磁性薄膜５に用いた場
合、希土類が多い組成では、第１の磁性薄膜４のキュリ
ー温度Ｔc1近傍で、上述した（６）式が満たされない場
合があるのに対し、この遷移金属優勢膜を第２の磁性薄
膜５に用いることで、記録磁界Ｈexの変動に対する安定
性も向上することができる。このように、光磁気記録媒
体１は光変調ダイレクトオーバーライトを確実に実現す
ることができる。
【００２６】
【発明の効果】上述の如く、本発明は、第１及び第３の
磁性薄膜間の交換相互作用による交換結合力によって発
生する磁気特性を制御する、遷移金属優勢膜である第２
の磁性薄膜を、第１及び第３の磁性薄膜の中間に設ける
ことにより、第１及び第３の磁性薄膜の保磁力、飽和磁
化力、膜厚の制御のみで磁壁エネルギーを制御して所要
の媒体作成を容易にすることができ、また、記録特性が
向上した光変調ダイレクトオーバーライトを確実に実現
することができる。
磁性薄膜間の交換相互作用による交換結合力によって発
生する磁気特性を制御する、遷移金属優勢膜である第２
の磁性薄膜を、第１及び第３の磁性薄膜の中間に設ける
ことにより、第１及び第３の磁性薄膜の保磁力、飽和磁
化力、膜厚の制御のみで磁壁エネルギーを制御して所要
の媒体作成を容易にすることができ、また、記録特性が
向上した光変調ダイレクトオーバーライトを確実に実現
することができる。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の構造を示す図であ
る。
る。
【図２】ＧｄＦｅＣｏ膜を第２の磁性薄膜として用いた
媒体の室温におけるその膜厚と界面磁壁エネルギーとの
変化を示す図である。
媒体の室温におけるその膜厚と界面磁壁エネルギーとの
変化を示す図である。
【図３】ＧｄＦｅＣｏ膜の４種類の組成における飽和磁
化の温度依存性を示す図である。
化の温度依存性を示す図である。
【図４】遷移金属優勢膜を第２の磁性薄膜として用いた
三層結合磁性薄膜における界面磁壁エネルギーの温度特
性を示す図である。
三層結合磁性薄膜における界面磁壁エネルギーの温度特
性を示す図である。
【図５】室温における光磁気記録媒体の遷移状態を説明
するための図である。
するための図である。
１ 光磁気記録媒体 ２ 透明基板 ３ 誘電体膜 ４〜６ 第１の磁性薄膜〜第３の磁性薄膜 ７ 保護膜
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも、第１，第２，第３の磁性薄膜
が順次積層された光磁気記録媒体であって、 前記第１及び第３の磁性薄膜は、希土類−遷移金属から
成るアモルファス薄膜でかつ垂直磁気異方性を有し、 前記第１及び第３の磁性薄膜が前記第２の磁性薄膜を介
して磁気的に結合しており、 前記第１及び第３の磁性薄膜の磁気的な結合状態を制御
する前記第２の磁性薄膜は、遷移金属優勢（TM-rich)膜
であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記第２の磁性薄膜は、面内ないしは垂直
方向に磁気異方性をもつアモルファス薄膜で、希土類に
Ｇｄ（ガドリニウム）を、遷移金属にＦｅＣｏ（鉄・コ
バルト合金）を用いた膜であることを特徴とする請求項
１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】前記第２の磁性薄膜は、面内ないしは垂直
方向に磁気異方性をもつアモルファス薄膜で、ＧｄＦｅ
Ｃｏ（ガドリニウム・鉄・コバルト合金）をベースとし
て用い、このＧｄＦｅＣｏ（ガドリニウム・鉄・コバル
ト合金）に、Ｄｙ（ディスプロシウム），Ｔｂ（テルビ
ウム），Ｎｄ（ネオジウム），Ｅｒ（エルビウム），Ｈ
ｏ（ホルミウム），Ｌｕ（ルテチウム）といった希土類
元素のうちの少なくとも一つを添加した膜であることを
特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31153095A JPH09134553A (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31153095A JPH09134553A (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09134553A true JPH09134553A (ja) | 1997-05-20 |
Family
ID=18018352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31153095A Pending JPH09134553A (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09134553A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000006434A (ko) * | 1998-06-27 | 2000-01-25 | 요트.게.아. 롤페즈 | 이중마스크를갖는광자기저장매체 |
-
1995
- 1995-11-06 JP JP31153095A patent/JPH09134553A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000006434A (ko) * | 1998-06-27 | 2000-01-25 | 요트.게.아. 롤페즈 | 이중마스크를갖는광자기저장매체 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5420833A (en) | Magneto-optical recording medium having first and second magnetic layers | |
| EP0361970A2 (en) | Method of magneto-optically recording/erasing information and magneto-optical information storage medium | |
| JP2503708B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び装置 | |
| JPH10124943A (ja) | 光磁気記録媒体並びにその製造方法，再生方法及び再生装置 | |
| EP0376680B1 (en) | Overwritable magneto-optical recording medium and recording method utilizing the same | |
| JP2829970B2 (ja) | 熱磁気記録媒体 | |
| JPH09134553A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3092363B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2805070B2 (ja) | 熱磁気記録方法 | |
| JP2770835B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2910287B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0877626A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2809224B2 (ja) | 熱磁気記録装置 | |
| JP2770836B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2815034B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| KR930010474B1 (ko) | 광자기 기록매체 및 광자기 기록매체의 제조방법 | |
| JP3089659B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその記録方法 | |
| JP3613267B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3075048B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JP2828092B2 (ja) | 熱磁気記録媒体と熱磁気記録方法 | |
| JP2000339788A (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JPH10106058A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH10106057A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH08147776A (ja) | 光磁気記録媒体および光磁気記録再生方法 | |
| JP2001176140A (ja) | 光磁気記録媒体及びその記録再生方法 |