JP2770835B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気カー効果を利用し
てレーザー光により情報の記録・再生を行う光磁気記録
媒体の製造方法に関するものであり、とくに交換結合力
を利用した光磁気記録媒体の製造方法に関する。
てレーザー光により情報の記録・再生を行う光磁気記録
媒体の製造方法に関するものであり、とくに交換結合力
を利用した光磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光磁気記録媒体の記録特性および
記録信号対雑音信号比特性の向上を目的として、光磁気
記録膜として交換結合力の働いた２層の光磁気膜を用い
たものが提案されている（特公平２−３５３７１号公
報）。この光磁気記録媒体は低いキュリー温度を有する
高保磁力の光磁気層に小さな記録パワーで書込むことが
でき、この書込まれた記録マークが高いキュリー温度と
大きな磁気カー効果を有する低保磁力の光磁気層に転写
されるので、この転写された記録マークを読出すことに
より、磁気カー効果の大きな読出を行うことができると
いうものである。
記録信号対雑音信号比特性の向上を目的として、光磁気
記録膜として交換結合力の働いた２層の光磁気膜を用い
たものが提案されている（特公平２−３５３７１号公
報）。この光磁気記録媒体は低いキュリー温度を有する
高保磁力の光磁気層に小さな記録パワーで書込むことが
でき、この書込まれた記録マークが高いキュリー温度と
大きな磁気カー効果を有する低保磁力の光磁気層に転写
されるので、この転写された記録マークを読出すことに
より、磁気カー効果の大きな読出を行うことができると
いうものである。
【０００３】一方、光磁気記録媒体への他の付加機能と
して書込済み情報の有無にかかわらず新たな情報をその
場では書込むことができるオーバーライト機能を付加し
たいわゆるオーバーライト可能な光磁気記録媒体も提案
されている（例えば、特開平２−１５８９３９号公
報）。このオーバーライト可能な光磁気記録媒体は垂直
磁化可能な記録層と垂直磁化可能な補助層とを積層し、
先行補助磁界により記録層の磁化はそのままにして補助
層の磁化のみを書き込みの直前までに「Ａ向き」に揃え
るものである（層平面に対して磁化の向きが「上向き」
又は「下向き」の何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を
「逆Ａ向き」と定義する）。そして、情報に従い高レベ
ルと低レベルとの間でパルス変調されたレーザー光が記
録層に照射された場合に、（１）高レベルのレーザー光
によって、室温に戻った状態でいうと、補助層が「逆Ａ
向き」の磁化であり、記録層がＰタイプの場合には「逆
Ａ向き」、Ａタイプの場合には「Ａ向き」の磁化を有す
る記録マークが形成され、（２）低レベルのレーザー光
によって、室温に戻った状態でいうと、補助層が「Ａ向
き」の磁化であり、記録層がＰタイプの場合には「Ａ向
き」、Ａタイプの場合には「逆Ａ向き」の磁化を有する
記録マークが形成される。ここでＰタイプとは、補助層
の鉄族遷移金属（ＴＭ）のスピンと希土類遷移金属（Ｒ
Ｅ）のスピンとが全体の磁化に対して優勢な方の金属と
記録層のそれとが同じである場合であり、Ａタイプとは
異なる場合である。
して書込済み情報の有無にかかわらず新たな情報をその
場では書込むことができるオーバーライト機能を付加し
たいわゆるオーバーライト可能な光磁気記録媒体も提案
されている（例えば、特開平２−１５８９３９号公
報）。このオーバーライト可能な光磁気記録媒体は垂直
磁化可能な記録層と垂直磁化可能な補助層とを積層し、
先行補助磁界により記録層の磁化はそのままにして補助
層の磁化のみを書き込みの直前までに「Ａ向き」に揃え
るものである（層平面に対して磁化の向きが「上向き」
又は「下向き」の何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を
「逆Ａ向き」と定義する）。そして、情報に従い高レベ
ルと低レベルとの間でパルス変調されたレーザー光が記
録層に照射された場合に、（１）高レベルのレーザー光
によって、室温に戻った状態でいうと、補助層が「逆Ａ
向き」の磁化であり、記録層がＰタイプの場合には「逆
Ａ向き」、Ａタイプの場合には「Ａ向き」の磁化を有す
る記録マークが形成され、（２）低レベルのレーザー光
によって、室温に戻った状態でいうと、補助層が「Ａ向
き」の磁化であり、記録層がＰタイプの場合には「Ａ向
き」、Ａタイプの場合には「逆Ａ向き」の磁化を有する
記録マークが形成される。ここでＰタイプとは、補助層
の鉄族遷移金属（ＴＭ）のスピンと希土類遷移金属（Ｒ
Ｅ）のスピンとが全体の磁化に対して優勢な方の金属と
記録層のそれとが同じである場合であり、Ａタイプとは
異なる場合である。
【０００４】又、先行補助磁界を必要としないオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体も提案されている（第１３
回日本応用磁気学会学術講演概要集 講演番号２３ａＣ
−４（１９８９））。このオーバーライト可能な光磁気
記録媒体は上記記録層・補助層の上にさらにスイッチ層
・初期化層と積層し、初期化層の磁化は高レベルのレー
ザー光の照射によっても反転しないようにし、低レベル
のレーザー光照射のときに補助層の磁化が初期化層の磁
化にそろうようにし、高レベルのレーザー光照射のとき
には初期化層の磁化が補助層に影響を与えないようにス
イッチ層がふるまうようにしたものである。
ライト可能な光磁気記録媒体も提案されている（第１３
回日本応用磁気学会学術講演概要集 講演番号２３ａＣ
−４（１９８９））。このオーバーライト可能な光磁気
記録媒体は上記記録層・補助層の上にさらにスイッチ層
・初期化層と積層し、初期化層の磁化は高レベルのレー
ザー光の照射によっても反転しないようにし、低レベル
のレーザー光照射のときに補助層の磁化が初期化層の磁
化にそろうようにし、高レベルのレーザー光照射のとき
には初期化層の磁化が補助層に影響を与えないようにス
イッチ層がふるまうようにしたものである。
【０００５】本発明者らも、光磁気層２層の間にさらに
ネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）
とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含
む光磁気層を挿入することによって交換結合力を制御で
きる光磁気記録媒体を既に提案している。
ネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）
とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含
む光磁気層を挿入することによって交換結合力を制御で
きる光磁気記録媒体を既に提案している。
【０００６】次に、従来の光磁気記録媒体の製造方法に
ついて、図面を用いて説明する。図９は従来の一例を説
明するための製造工程図、図１０は図９に示す従来例を
用いて製造した光磁気記録媒体の概略断面図である。
ついて、図面を用いて説明する。図９は従来の一例を説
明するための製造工程図、図１０は図９に示す従来例を
用いて製造した光磁気記録媒体の概略断面図である。
【０００７】図において、１は基板、２０は透明干渉
層、３０１は第１の光磁気層、３０２は第２の光磁気層
（ＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉ膜）、３０３は第３の光磁気
層、４０は保護層、５は放熱層である。基板１としては
ポリカーボネト樹脂板等が用いられ、透明干渉層２０と
しては窒化シリコン等が用いられる。第１の光磁気層３
０１としてはＴｂＦｅ等が用いられ、第３の光磁気層３
０３としてはＧｄＴｂＦｅＣｏ等が用いられる。保護層
４０としては窒化シリコン、放熱層５の材料としてはＡ
ｌＴｉ等が用いられる。このような光磁気記録媒体の各
層の成膜は通常スパッタ装置が用いられる。
層、３０１は第１の光磁気層、３０２は第２の光磁気層
（ＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉ膜）、３０３は第３の光磁気
層、４０は保護層、５は放熱層である。基板１としては
ポリカーボネト樹脂板等が用いられ、透明干渉層２０と
しては窒化シリコン等が用いられる。第１の光磁気層３
０１としてはＴｂＦｅ等が用いられ、第３の光磁気層３
０３としてはＧｄＴｂＦｅＣｏ等が用いられる。保護層
４０としては窒化シリコン、放熱層５の材料としてはＡ
ｌＴｉ等が用いられる。このような光磁気記録媒体の各
層の成膜は通常スパッタ装置が用いられる。
【０００８】従来の光磁気記録媒体の製造方法は、図９
に示すように、基板装着工程（ａ）で基板１をスパッタ
装置内に装着して、スパッタ装置真空排気工程（ｂ）で
真空排気した後に、透明干渉層成膜工程（ｃ）で透明干
渉層２０を成膜し、次に第１の光磁気層成膜工程（ｅ）
で第１の光磁気層３０１を成膜し、次に第２の光磁気層
成膜工程（ｆ）で第２の光磁気層（ＮｄＧｄＦｅＣｏＴ
ｉ）３０２を成膜し、次に第３の光磁気層成膜工程
（ｇ）で第３の光磁気層３０３を成膜し、次に保護層成
膜工程（ｊ）で保護層４０を成膜し、最後に放熱層成膜
工程（ｋ）で放熱層５を成膜する。このようにして製造
された光磁気記録媒体をスパッタ装置から光磁気記録媒
体取出工程（ｌ）で取り出すものである。
に示すように、基板装着工程（ａ）で基板１をスパッタ
装置内に装着して、スパッタ装置真空排気工程（ｂ）で
真空排気した後に、透明干渉層成膜工程（ｃ）で透明干
渉層２０を成膜し、次に第１の光磁気層成膜工程（ｅ）
で第１の光磁気層３０１を成膜し、次に第２の光磁気層
成膜工程（ｆ）で第２の光磁気層（ＮｄＧｄＦｅＣｏＴ
ｉ）３０２を成膜し、次に第３の光磁気層成膜工程
（ｇ）で第３の光磁気層３０３を成膜し、次に保護層成
膜工程（ｊ）で保護層４０を成膜し、最後に放熱層成膜
工程（ｋ）で放熱層５を成膜する。このようにして製造
された光磁気記録媒体をスパッタ装置から光磁気記録媒
体取出工程（ｌ）で取り出すものである。
【０００９】なお、透明干渉層２０を成膜する前に基板
１と透明干渉層２０との付着力を強めるために基板１の
表面を少しスパッタエッチングする場合もある。また、
放熱層５は省略する場合もある。
１と透明干渉層２０との付着力を強めるために基板１の
表面を少しスパッタエッチングする場合もある。また、
放熱層５は省略する場合もある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな上述した従来の方法で製造した光磁気記録媒体は、
記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加して記録され
た情報を読み出す場合、（１）記録層がＰタイプの場合
には、低レベルのレーザー光によって記録層に記録され
た「Ａ向き」の磁化を有する記録マークが、「逆Ａ向
き」の磁化を有する記録マークに書き換えられたり、
（２）記録層がＡタイプの場合には、低レベルのレーザ
ー光によって記録層に記録された「逆Ａ向き」の磁化を
有する記録マークが、「Ａ向き」の磁化を有する記録マ
ークに書き換えられたり、さらには、記録磁界と同一向
きにバイアス磁界を印加して低レベルのレーザー光を照
射したとき、（１）記録層がＰタイプの場合には、高レ
ベルのレーザー光によって記録層に記録された「逆Ａ向
き」の磁化を有する記録マークが、「Ａ向き」の磁化を
有する記録マークに書き換えらることが困難になり、
（２）記録層がＡタイプの場合には、高レベルのレーザ
ー光によって記録層に記録された「Ａ向き」の磁化を有
する記録マークが、「逆Ａ向き」の磁化を有する記録マ
ークに書き換えることが困難になるという問題があっ
た。
うな上述した従来の方法で製造した光磁気記録媒体は、
記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加して記録され
た情報を読み出す場合、（１）記録層がＰタイプの場合
には、低レベルのレーザー光によって記録層に記録され
た「Ａ向き」の磁化を有する記録マークが、「逆Ａ向
き」の磁化を有する記録マークに書き換えられたり、
（２）記録層がＡタイプの場合には、低レベルのレーザ
ー光によって記録層に記録された「逆Ａ向き」の磁化を
有する記録マークが、「Ａ向き」の磁化を有する記録マ
ークに書き換えられたり、さらには、記録磁界と同一向
きにバイアス磁界を印加して低レベルのレーザー光を照
射したとき、（１）記録層がＰタイプの場合には、高レ
ベルのレーザー光によって記録層に記録された「逆Ａ向
き」の磁化を有する記録マークが、「Ａ向き」の磁化を
有する記録マークに書き換えらることが困難になり、
（２）記録層がＡタイプの場合には、高レベルのレーザ
ー光によって記録層に記録された「Ａ向き」の磁化を有
する記録マークが、「逆Ａ向き」の磁化を有する記録マ
ークに書き換えることが困難になるという問題があっ
た。
【００１１】本発明者らは、これらの問題を解決すべく
鋭意検討した結果、これらの問題の原因は第１の光磁気
層と第３の光磁気層との相互作用が弱すぎるためである
ことを見出し、本発明に至った。
鋭意検討した結果、これらの問題の原因は第１の光磁気
層と第３の光磁気層との相互作用が弱すぎるためである
ことを見出し、本発明に至った。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
の製造方法は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザ光を該基板を通して該第１の光磁気層に
集束して照射することにより情報の書込を行い、レーザ
ー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動
させながら照射することにより情報の読出を行うように
した光磁気記録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄
族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質
合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁
性を示す膜であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属
と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ
少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す膜
であり、前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガド
リニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチ
タン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であ
り、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層とは少な
くとも１０℃以上５０℃以下で磁気的に相互作用してい
る光磁気記録媒体の製造方法であって、前記第１の光磁
気層は前記透明干渉層の表面をスパッタエッチングして
平坦化したのちに成膜することにより、前記第１の光磁
気層と前記第３の光磁気層との相互作用を強くすること
を特徴としている。
の製造方法は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザ光を該基板を通して該第１の光磁気層に
集束して照射することにより情報の書込を行い、レーザ
ー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動
させながら照射することにより情報の読出を行うように
した光磁気記録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄
族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質
合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁
性を示す膜であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属
と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ
少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す膜
であり、前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガド
リニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチ
タン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であ
り、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層とは少な
くとも１０℃以上５０℃以下で磁気的に相互作用してい
る光磁気記録媒体の製造方法であって、前記第１の光磁
気層は前記透明干渉層の表面をスパッタエッチングして
平坦化したのちに成膜することにより、前記第１の光磁
気層と前記第３の光磁気層との相互作用を強くすること
を特徴としている。
【００１３】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レ
ーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束とし
て照射することにより情報の書込を行い、レーザー光を
該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動させな
がら照射することにより情報の読出を行うようにした光
磁気記録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄族遷移
金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金で
かつ少なくとも１０℃以上５０以下でフェリ磁性を示す
垂直磁化可能な膜であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷
移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金
でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を
示す垂直磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネ
オジム（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）と
コバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む
非晶質合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向
きと前記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対し
て上向きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、
他方を「逆Ａ向き」とするとき、前記第１の光磁気層の
磁化はそのままで前記第３の光磁気層の磁化のみが書込
の直前までに先行補助磁界により「Ａ向き」に揃えら
れ、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場
合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにある
とき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その
温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前
記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下
の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作
用することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の
温度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であ
り前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記録
マークが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が
低レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間
温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の
光磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とによるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１
０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調さ
れない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存
磁化が作用することにより、結果として１０℃以上５０
℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁
化であり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化を有す
る記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層
が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作
用を制御するようなレーザー光の変調だけでオーバーラ
イトが可能な光磁気記録媒体の製造方法であって、前記
第１の光磁気層は前記透明干渉層の表面をスパッタエッ
チングして平坦化したのちに成膜することにより、前記
第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用を強
くすることを特徴としている。
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レ
ーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束とし
て照射することにより情報の書込を行い、レーザー光を
該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動させな
がら照射することにより情報の読出を行うようにした光
磁気記録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄族遷移
金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金で
かつ少なくとも１０℃以上５０以下でフェリ磁性を示す
垂直磁化可能な膜であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷
移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金
でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を
示す垂直磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネ
オジム（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）と
コバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む
非晶質合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向
きと前記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対し
て上向きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、
他方を「逆Ａ向き」とするとき、前記第１の光磁気層の
磁化はそのままで前記第３の光磁気層の磁化のみが書込
の直前までに先行補助磁界により「Ａ向き」に揃えら
れ、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場
合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにある
とき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その
温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前
記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下
の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作
用することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の
温度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であ
り前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記録
マークが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が
低レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間
温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の
光磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とによるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１
０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調さ
れない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存
磁化が作用することにより、結果として１０℃以上５０
℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁
化であり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化を有す
る記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層
が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作
用を制御するようなレーザー光の変調だけでオーバーラ
イトが可能な光磁気記録媒体の製造方法であって、前記
第１の光磁気層は前記透明干渉層の表面をスパッタエッ
チングして平坦化したのちに成膜することにより、前記
第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用を強
くすることを特徴としている。
【００１４】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レ
ーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して
照射することにより情報の書込を行い、レーザー光を該
基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動させなが
ら照射することにより情報の読出を行うようにした光磁
気記録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金
属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でか
つ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す
垂直磁化可能な膜であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷
移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金
でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を
示す垂直磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネ
オジム（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）と
コバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む
非晶質合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向
きと前記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対し
て上向きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、
他方を「逆Ａ向き」とするとき、前記第１の光磁気層の
磁化はそのままで前記第３の光磁気層の磁化のみが書込
の直前までに先行補助磁界により「Ａ向き」に揃えら
れ、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場
合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにある
とき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その
温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前
記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下
の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作
用することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の
温度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であ
り前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記録
マークが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が
低レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間
温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の
光磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とによるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１
０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調さ
れない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存
磁化が作用することにより、結果として１０℃以上５０
℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁
化であり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有
する記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気
層が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互
作用を制御するようなレーザー光の変調だけでオーバー
ライトが可能な光磁気記録媒体の製造方法であって、前
記第１の光磁気層は前記透明干渉層の表面をスパッタエ
ッチングして平坦化したのちに成膜することにより、前
記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用を
強くすることを特徴としている。
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レ
ーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して
照射することにより情報の書込を行い、レーザー光を該
基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動させなが
ら照射することにより情報の読出を行うようにした光磁
気記録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金
属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でか
つ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す
垂直磁化可能な膜であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷
移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金
でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を
示す垂直磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネ
オジム（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）と
コバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む
非晶質合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向
きと前記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対し
て上向きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、
他方を「逆Ａ向き」とするとき、前記第１の光磁気層の
磁化はそのままで前記第３の光磁気層の磁化のみが書込
の直前までに先行補助磁界により「Ａ向き」に揃えら
れ、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場
合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにある
とき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その
温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前
記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下
の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作
用することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の
温度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であ
り前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記録
マークが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が
低レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間
温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の
光磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とによるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１
０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調さ
れない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存
磁化が作用することにより、結果として１０℃以上５０
℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁
化であり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有
する記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気
層が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互
作用を制御するようなレーザー光の変調だけでオーバー
ライトが可能な光磁気記録媒体の製造方法であって、前
記第１の光磁気層は前記透明干渉層の表面をスパッタエ
ッチングして平坦化したのちに成膜することにより、前
記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用を
強くすることを特徴としている。
【００１５】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層とをこの順に少
なくとも設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光
磁気層に集束して照射することにより情報の書込を行
い、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集
束して移動させながら照射することにより情報の読出を
行うようにした光磁気記録媒体であって、前記第１の光
磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも
含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下
でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記第３
の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なく
とも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃
以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記
第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少
なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５
０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、
前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、情報に従い高いレベルと低レベルとの間でパルス変
調されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された
場合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあ
るとき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、そ
の温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、また
は前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃
以下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界
が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、
前記第４の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向き」であ
る記録マークが形成され、（２）前記変調されたレーザ
ー光が低レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度
は中間温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記
第３の光磁気層の磁化は残存しており変調されない記録
磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用
することによるか、又は前記レーザー光の照射がなくな
って１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で
変調されない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層
の残存磁化が作用することにより結果として１０℃以上
５０℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向
き」磁化であり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化
であり、前記第４の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向
き」である記録マークが形成されるように、前記第２の
光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層と
の相互作用を制御するような先行補助磁界がなくレーザ
ー光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒
体の製造方法であって、前記第１の光磁気層は前記透明
干渉層の表面をスパッタエッチングして平坦化したのち
に成膜することにより、前記第１の光磁気層と前記第３
の光磁気層との相互作用を強くすることを特徴としてい
る。
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層とをこの順に少
なくとも設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光
磁気層に集束して照射することにより情報の書込を行
い、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集
束して移動させながら照射することにより情報の読出を
行うようにした光磁気記録媒体であって、前記第１の光
磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも
含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下
でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記第３
の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なく
とも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃
以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記
第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少
なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５
０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、
前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、情報に従い高いレベルと低レベルとの間でパルス変
調されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された
場合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあ
るとき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、そ
の温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、また
は前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃
以下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界
が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、
前記第４の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向き」であ
る記録マークが形成され、（２）前記変調されたレーザ
ー光が低レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度
は中間温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記
第３の光磁気層の磁化は残存しており変調されない記録
磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用
することによるか、又は前記レーザー光の照射がなくな
って１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で
変調されない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層
の残存磁化が作用することにより結果として１０℃以上
５０℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向
き」磁化であり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化
であり、前記第４の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向
き」である記録マークが形成されるように、前記第２の
光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層と
の相互作用を制御するような先行補助磁界がなくレーザ
ー光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒
体の製造方法であって、前記第１の光磁気層は前記透明
干渉層の表面をスパッタエッチングして平坦化したのち
に成膜することにより、前記第１の光磁気層と前記第３
の光磁気層との相互作用を強くすることを特徴としてい
る。
【００１６】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層とをこの順に少
なくとも設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光
磁気層に集束して照射することにより情報の書込を行
い、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集
束して移動させながら照射することにより情報の読出を
行うようにした光磁気記録媒体であって、前記第１の光
磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも
含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下
でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記第３
の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なく
とも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃
以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記
第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少
なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５
０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、
前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、情報に従い高いレベルと低レベルとの間でパルス変
調されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された
場合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあ
るとき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、そ
の温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、また
は前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃
以下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界
が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前
記第４の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向き」である
記録マークが形成され、（２）前記変調されたレーザー
光が低レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は
中間温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第
３の光磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁
界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用す
ることによるか、又は前記レーザー光の照射がなくなっ
て１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変
調されない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の
残存磁化が作用することにより結果として１０℃以上５
０℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」
磁化であり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化で
あり、前記第４の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向
き」である記録マークが形成されるように、前記第２の
光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層と
の相互作用を制御するような先行補助磁界がなくレーザ
ー光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒
体の製造方法であって、前記第１の光磁気層は前記透明
干渉層の表面をスパッタエッチングして平坦化したのち
に成膜することにより、前記第１の光磁気層と前記第３
の光磁気層との相互作用を強くすることを特徴としてい
る。
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層とをこの順に少
なくとも設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光
磁気層に集束して照射することにより情報の書込を行
い、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集
束して移動させながら照射することにより情報の読出を
行うようにした光磁気記録媒体であって、前記第１の光
磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも
含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下
でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記第３
の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なく
とも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃
以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記
第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少
なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５
０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、
前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、情報に従い高いレベルと低レベルとの間でパルス変
調されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された
場合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあ
るとき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、そ
の温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、また
は前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃
以下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界
が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前
記第４の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向き」である
記録マークが形成され、（２）前記変調されたレーザー
光が低レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は
中間温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第
３の光磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁
界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用す
ることによるか、又は前記レーザー光の照射がなくなっ
て１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変
調されない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の
残存磁化が作用することにより結果として１０℃以上５
０℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」
磁化であり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化で
あり、前記第４の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向
き」である記録マークが形成されるように、前記第２の
光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層と
の相互作用を制御するような先行補助磁界がなくレーザ
ー光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒
体の製造方法であって、前記第１の光磁気層は前記透明
干渉層の表面をスパッタエッチングして平坦化したのち
に成膜することにより、前記第１の光磁気層と前記第３
の光磁気層との相互作用を強くすることを特徴としてい
る。
【００１７】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層と第５の光磁気
層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を
通して該第１の光磁気層に集束して照射することにより
情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第１
の光磁気層に集束して移動させながら照射することによ
り情報の読出を行うようにした光磁気記録媒体であっ
て、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金
属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０
℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜
であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷
移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも
１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能
な膜であり、前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土
類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なく
とも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化
可能な膜であり、前記第５の光磁気層は鉄族遷移金属と
希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少
なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直
磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネオジム
（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバル
ト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質
合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向きと前
記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して上向
きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を
「逆Ａ向き」とするとき、情報に従い高レベルと低レベ
ルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第１の光
磁気層に照射された場合、（１）前記変調されたレーザ
ー光が高レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度
は高温に上昇し、その温度状態で変調されない記録磁界
が作用するか、または前記レーザー光の照射がなくなっ
て１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変
調されない記録磁界が作用することにより、結果として
１０℃以上５０℃以下の温度範囲で前記第１の光磁気層
が「逆Ａ向き」磁化であり、前記第３の光磁気層の磁化
は前記第４の光磁気層のために前記第５の光磁気層の磁
化の影響を受けないで「Ａ向き」磁化となり前記第５の
光磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マ
ークが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が低
レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間温
度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の光
磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作
用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用すること
によるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１０
℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調され
ない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁
化が作用することにより結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前
記第５の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向き」である
記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層が
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を制御するような先行補助磁界がなくレーザー光の変調
だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の製造方
法であって、前記第１の光磁気層は前記透明干渉層の表
面をスパッタエッチングして平坦化したのちに成膜する
ことにより、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層
との相互作用を強くすることを特徴としている。
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層と第５の光磁気
層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を
通して該第１の光磁気層に集束して照射することにより
情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第１
の光磁気層に集束して移動させながら照射することによ
り情報の読出を行うようにした光磁気記録媒体であっ
て、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金
属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０
℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜
であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷
移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも
１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能
な膜であり、前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土
類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なく
とも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化
可能な膜であり、前記第５の光磁気層は鉄族遷移金属と
希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少
なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直
磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネオジム
（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバル
ト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質
合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向きと前
記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して上向
きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を
「逆Ａ向き」とするとき、情報に従い高レベルと低レベ
ルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第１の光
磁気層に照射された場合、（１）前記変調されたレーザ
ー光が高レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度
は高温に上昇し、その温度状態で変調されない記録磁界
が作用するか、または前記レーザー光の照射がなくなっ
て１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変
調されない記録磁界が作用することにより、結果として
１０℃以上５０℃以下の温度範囲で前記第１の光磁気層
が「逆Ａ向き」磁化であり、前記第３の光磁気層の磁化
は前記第４の光磁気層のために前記第５の光磁気層の磁
化の影響を受けないで「Ａ向き」磁化となり前記第５の
光磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マ
ークが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が低
レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間温
度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の光
磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作
用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用すること
によるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１０
℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調され
ない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁
化が作用することにより結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前
記第５の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向き」である
記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層が
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を制御するような先行補助磁界がなくレーザー光の変調
だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の製造方
法であって、前記第１の光磁気層は前記透明干渉層の表
面をスパッタエッチングして平坦化したのちに成膜する
ことにより、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層
との相互作用を強くすることを特徴としている。
【００１８】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層と第５の光磁気
層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を
通して該第１の光磁気層に集束して照射することにより
情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第１
の光磁気層に集束して移動させながら照射することによ
り情報の読出を行うようにした光磁気記録媒体であっ
て、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金
属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０
℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜
であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷
移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも
１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能
な膜であり、前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土
類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なく
とも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化
可能な膜であり、前記第５の光磁気層は鉄族遷移金属と
希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少
なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直
磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネオジム
（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバル
ト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質
合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向きと前
記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して上向
きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を
「逆Ａ向き」とするとき、情報に従い高レベルと低レベ
ルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第１の光
磁気層に照射された場合、（１）前記変調されたレーザ
ー光が高レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度
は高温に上昇し、その温度状態で変調されない記録磁界
が作用するか、又は前記レーザー光の照射がなくなって
１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調
されない記録磁界が作用することにより、結果として１
０℃以上５０℃以下の温度範囲で前記第１の光磁気層が
「逆Ａ向き」磁化であり、前記第３の光磁気層の磁化は
前記第４の光磁気層のために前記第５の光磁気層の磁化
の影響を受けないで「Ａ向き」磁化となり前記第５の光
磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マー
クが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が低レ
ベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間温度
に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の光磁
気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作用
しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用することに
よるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１０℃
以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調されな
い記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化
が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、
前記第５の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向き」であ
る記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層
が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作
用を制御するような先行補助磁界がなくレーザー光の変
調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の製造
方法であって、前記第１の光磁気層は前記透明干渉層の
表面をスパッタエッチングして平坦化したのちに成膜す
ることにより、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気
層との相互作用を強くすることを特徴としている。
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層と第５の光磁気
層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を
通して該第１の光磁気層に集束して照射することにより
情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第１
の光磁気層に集束して移動させながら照射することによ
り情報の読出を行うようにした光磁気記録媒体であっ
て、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金
属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０
℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜
であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷
移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも
１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能
な膜であり、前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土
類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なく
とも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化
可能な膜であり、前記第５の光磁気層は鉄族遷移金属と
希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少
なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直
磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネオジム
（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバル
ト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質
合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向きと前
記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して上向
きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を
「逆Ａ向き」とするとき、情報に従い高レベルと低レベ
ルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第１の光
磁気層に照射された場合、（１）前記変調されたレーザ
ー光が高レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度
は高温に上昇し、その温度状態で変調されない記録磁界
が作用するか、又は前記レーザー光の照射がなくなって
１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調
されない記録磁界が作用することにより、結果として１
０℃以上５０℃以下の温度範囲で前記第１の光磁気層が
「逆Ａ向き」磁化であり、前記第３の光磁気層の磁化は
前記第４の光磁気層のために前記第５の光磁気層の磁化
の影響を受けないで「Ａ向き」磁化となり前記第５の光
磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マー
クが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が低レ
ベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間温度
に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の光磁
気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作用
しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用することに
よるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１０℃
以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調されな
い記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化
が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、
前記第５の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向き」であ
る記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層
が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作
用を制御するような先行補助磁界がなくレーザー光の変
調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の製造
方法であって、前記第１の光磁気層は前記透明干渉層の
表面をスパッタエッチングして平坦化したのちに成膜す
ることにより、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気
層との相互作用を強くすることを特徴としている。
【００１９】
【実施例】本発明のオーバーライト可能な光磁気記録媒
体の実施例について、図面を参照して説明する。
体の実施例について、図面を参照して説明する。
【００２０】図１は本発明の一実施例を説明するための
製造工程図であり、図２は図１に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
製造工程図であり、図２は図１に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
【００２１】図２において、１は基板、２１は透明干渉
層の膜を成膜した後その表面を少しスパッタエッチング
することによりある程度平坦化した透明干渉層、３１１
はその上に成膜した第１の光磁気層、３１２はその上に
成膜した第２の光磁気層、３１３はその上に成膜した第
３の光磁気層、４１はその上に成膜した保護層、５はそ
の上に成膜した放熱層である。
層の膜を成膜した後その表面を少しスパッタエッチング
することによりある程度平坦化した透明干渉層、３１１
はその上に成膜した第１の光磁気層、３１２はその上に
成膜した第２の光磁気層、３１３はその上に成膜した第
３の光磁気層、４１はその上に成膜した保護層、５はそ
の上に成膜した放熱層である。
【００２２】本発明者らは、本発明の製造方法で製造し
た光磁気記録媒体が第１の光磁気層の成膜を透明干渉層
の表面をスパッタエッチングすることにより平坦化した
後に行うことにより、第１の光磁気層と第３の光磁気層
との相互作用が強くなるという現象を見い出し、本発明
に至った。
た光磁気記録媒体が第１の光磁気層の成膜を透明干渉層
の表面をスパッタエッチングすることにより平坦化した
後に行うことにより、第１の光磁気層と第３の光磁気層
との相互作用が強くなるという現象を見い出し、本発明
に至った。
【００２３】膜表面をスパッタエッチングすると、本発
明者らが行った実験の範囲では一般的に膜表面は平坦に
なるようである。この確認はレプリカ法により約２０万
倍の透過型電子顕微鏡写真により行った。平坦になる理
由は、スパッタエッチングを行っているアルゴンガスの
膜表面への入射角度が垂直以外にも種々の角度をもって
いるためと思われる。
明者らが行った実験の範囲では一般的に膜表面は平坦に
なるようである。この確認はレプリカ法により約２０万
倍の透過型電子顕微鏡写真により行った。平坦になる理
由は、スパッタエッチングを行っているアルゴンガスの
膜表面への入射角度が垂直以外にも種々の角度をもって
いるためと思われる。
【００２４】透明干渉層をスパッタエッチングすること
により平坦化した後に第１以降の光磁気層を成膜する場
合にスパッタエッチングしないときよりも第１の光磁気
層と第３の光磁気層との相互作用が強くなる理由は定か
ではないが、第１の光磁気層の膜成長時に下地の表面形
状によって誘導形成される磁気特性が異なり、さらに第
２および第３の光磁気層も少なからずその影響により磁
気特性が異なるためと思われる。
により平坦化した後に第１以降の光磁気層を成膜する場
合にスパッタエッチングしないときよりも第１の光磁気
層と第３の光磁気層との相互作用が強くなる理由は定か
ではないが、第１の光磁気層の膜成長時に下地の表面形
状によって誘導形成される磁気特性が異なり、さらに第
２および第３の光磁気層も少なからずその影響により磁
気特性が異なるためと思われる。
【００２５】次に、本発明の実施例について、図面を参
照しながら具体的に説明する。
照しながら具体的に説明する。
【００２６】図１に示すように、基板装着工程（ａ）で
案内溝が形成されている直径１３０mm、厚さ１．２０mm
のポリカーボネイト樹脂製の基板１をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装着真空排気工程（ｂ）で５×１０-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程（ｃ）でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚の窒化シリカンの透明干渉層２１を形成した。次
に、透明干渉層スパッタエッチング工程（ｄ）でこの表
面をアルゴンガスで１０オングストローム程度スパッタ
エッチングして窒化シリコンの透明干渉層２１の表面を
比較的平坦にし、次に第１の光磁気層成膜工程（ｅ）で
ＴｂＦｅＴｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタ
することにより２００オングストローム厚のＴｂＦｅＴ
ｉの非晶質の第１の光磁気層３１１を形成した。次に第
２の光磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉタ
ーゲットをアルゴンガスによりスパッタすることにより
５０オングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２
の光磁気層３１２を形成した。次に第３の光磁気層成膜
工程（ｇ）でＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴ
ンガスによりスパッタすることにより６００オングスト
ローム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第３の光磁
気層３１３を形成した。次に保護層成膜工程（ｊ）でシ
リコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスにより
反応性スパッタすることにより８００オングストローム
厚の窒化シリコンの保護層４１を設けた。次に放熱層成
膜工程（ｋ）でＡｌＮｉターゲットをアルゴンガスによ
りスパッタすることにより４００オングストローム厚の
ＡｌＮｉの放熱層５を設け、図２のような構成にした。
このようにして製造された光磁気記録媒体は光磁気記録
媒体取出工程（ｌ）でスパッタ装置の外に取り出され
る。この光磁気記録媒体を３６００rpm で回転させ、波
長８３００オングストロームの半導体レーザー光を基板
１を通して第１の光磁気層３１１上でおよそφ１．４μ
m に絞って照射した。半径３０．０mmのところで記録周
波数２．１２MHz の信号をデューティ比５０％の３値の
光変調で高レベル記録パワー９mW、低レベル記録パワー
４．５mW、先行補助磁界６．５kOe 、記録磁界３５０エ
ルステッドでオーバーライト記録した後、再生時に記録
磁界と同一方向に３５０エルステッドのバイアス磁界を
印加して再生しても、記録されていない状態の領域が記
録された状態に変化することなく良好な再生特性を得ら
れ、また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加しな
がら低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル記録
パワーによって記録された記録マークが低レベル記録パ
ワーによって記録されるべき記録マークに良好に書き換
えられることが確認された。
案内溝が形成されている直径１３０mm、厚さ１．２０mm
のポリカーボネイト樹脂製の基板１をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装着真空排気工程（ｂ）で５×１０-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程（ｃ）でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚の窒化シリカンの透明干渉層２１を形成した。次
に、透明干渉層スパッタエッチング工程（ｄ）でこの表
面をアルゴンガスで１０オングストローム程度スパッタ
エッチングして窒化シリコンの透明干渉層２１の表面を
比較的平坦にし、次に第１の光磁気層成膜工程（ｅ）で
ＴｂＦｅＴｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタ
することにより２００オングストローム厚のＴｂＦｅＴ
ｉの非晶質の第１の光磁気層３１１を形成した。次に第
２の光磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉタ
ーゲットをアルゴンガスによりスパッタすることにより
５０オングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２
の光磁気層３１２を形成した。次に第３の光磁気層成膜
工程（ｇ）でＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴ
ンガスによりスパッタすることにより６００オングスト
ローム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第３の光磁
気層３１３を形成した。次に保護層成膜工程（ｊ）でシ
リコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスにより
反応性スパッタすることにより８００オングストローム
厚の窒化シリコンの保護層４１を設けた。次に放熱層成
膜工程（ｋ）でＡｌＮｉターゲットをアルゴンガスによ
りスパッタすることにより４００オングストローム厚の
ＡｌＮｉの放熱層５を設け、図２のような構成にした。
このようにして製造された光磁気記録媒体は光磁気記録
媒体取出工程（ｌ）でスパッタ装置の外に取り出され
る。この光磁気記録媒体を３６００rpm で回転させ、波
長８３００オングストロームの半導体レーザー光を基板
１を通して第１の光磁気層３１１上でおよそφ１．４μ
m に絞って照射した。半径３０．０mmのところで記録周
波数２．１２MHz の信号をデューティ比５０％の３値の
光変調で高レベル記録パワー９mW、低レベル記録パワー
４．５mW、先行補助磁界６．５kOe 、記録磁界３５０エ
ルステッドでオーバーライト記録した後、再生時に記録
磁界と同一方向に３５０エルステッドのバイアス磁界を
印加して再生しても、記録されていない状態の領域が記
録された状態に変化することなく良好な再生特性を得ら
れ、また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加しな
がら低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル記録
パワーによって記録された記録マークが低レベル記録パ
ワーによって記録されるべき記録マークに良好に書き換
えられることが確認された。
【００２７】比較のため、図９に示すような透明干渉層
２０の表面をスパッタエッチングせずにその上に第１の
光磁気層３０１を形成して製造した光磁気記録媒体につ
いて上記と同一方法で測定したところ、再生時に記録磁
界と同一方向に３５０エルステッドのバイアス磁界を印
加して再生すると、記録されていない状態の領域が記録
された状態に変化してしまい良好な再生特性が得られ
ず、また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加しな
がら低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル記録
パワーによって記録された記録マークが低レベル記録パ
ワーによって記録されるべき記録マークに良好に書き換
えられなかった。
２０の表面をスパッタエッチングせずにその上に第１の
光磁気層３０１を形成して製造した光磁気記録媒体につ
いて上記と同一方法で測定したところ、再生時に記録磁
界と同一方向に３５０エルステッドのバイアス磁界を印
加して再生すると、記録されていない状態の領域が記録
された状態に変化してしまい良好な再生特性が得られ
ず、また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加しな
がら低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル記録
パワーによって記録された記録マークが低レベル記録パ
ワーによって記録されるべき記録マークに良好に書き換
えられなかった。
【００２８】基板１としてはポリカーボネイト樹脂板、
フォトポリマーのついたガラス板、フォトポリマーのつ
いたアクリル樹脂板などを用いる。この基板１には、ト
ラッギング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成して
おくことが望ましい。
フォトポリマーのついたガラス板、フォトポリマーのつ
いたアクリル樹脂板などを用いる。この基板１には、ト
ラッギング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成して
おくことが望ましい。
【００２９】透明干渉層２１の材料としては窒化シリコ
ン、窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化
亜鉛と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物
との混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化
亜鉛と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金
属酸化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。
透明干渉層２１は多層膜で形成してもかまわないが、そ
の場合第１の光磁気層３１１に接する透明干渉層の表面
はスパッタエッチングすることによってある程度平坦に
しなければならない。
ン、窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化
亜鉛と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物
との混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化
亜鉛と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金
属酸化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。
透明干渉層２１は多層膜で形成してもかまわないが、そ
の場合第１の光磁気層３１１に接する透明干渉層の表面
はスパッタエッチングすることによってある程度平坦に
しなければならない。
【００３０】第１の光磁気層３１１の材料としては、Ｇ
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３１２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３１３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３１３のほうが高いようにする。
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３１２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３１３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３１３のほうが高いようにする。
【００３１】保護層４１の材料としては窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４１は多層膜で形成してもかまわない。
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４１は多層膜で形成してもかまわない。
【００３２】放熱層５の材料としてはＡｌ、ＡｉＴｉ、
ＡｌＮｉ、高熱伝導率の金属を含む合金が望ましい。放
熱層５を設けなければならない必然性はないが、設けた
ほうが記録パワーの余裕度が大きくなるので設けたほう
が望ましい。
ＡｌＮｉ、高熱伝導率の金属を含む合金が望ましい。放
熱層５を設けなければならない必然性はないが、設けた
ほうが記録パワーの余裕度が大きくなるので設けたほう
が望ましい。
【００３３】次に、本発明の他の実施例について、図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００３４】図３は本発明の一実施例を説明するための
製造工程図であり、図４は図３に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
製造工程図であり、図４は図３に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
【００３５】図４において、１は基板、２２は透明干渉
層の膜を成膜した後その表面を少しスパッタエッチング
することによりある程度平坦化した透明干渉層、３２１
はその上に成膜した第１の光磁気層、３２２はその上に
成膜した第２の光磁気層、３２３はその上に成膜した第
３の光磁気層、４２はその上に成膜した保護層、５はそ
の上に成膜した放熱層である。
層の膜を成膜した後その表面を少しスパッタエッチング
することによりある程度平坦化した透明干渉層、３２１
はその上に成膜した第１の光磁気層、３２２はその上に
成膜した第２の光磁気層、３２３はその上に成膜した第
３の光磁気層、４２はその上に成膜した保護層、５はそ
の上に成膜した放熱層である。
【００３６】図４に示すように、基板装着工程（ａ）で
フォトポリマーによって案内溝が形成されている直径２
００mm、厚さ１．１８mmのガラス製の基板１をスパッタ
装置内に装着し、スパッタ装着真空排気工程（ｂ）で５
×１０-7Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程
（ｃ）でアルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコ
ンターゲットを反応性スパッタすることにより８００オ
ングストローム厚の窒化シリコンの透明干渉層２２を形
成した。次に、透明干渉層スパッタエッチング工程
（ｄ）でこの表面をアルゴンガスで１０オングストロー
ム程度スパッタエッチングして窒化シリコンの透明干渉
層２２の表面を比較的平坦にし、次に第１の光磁気層成
膜工程（ｅ）でＧｅＦｅＣｏターゲットをアルゴンガス
によりスパッタすることにより２００オングストローム
厚のＧｅＦｅＣｏの非晶質の第１の光磁気層３２１を形
成した。次に第２の光磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄ
ＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタ
することにより５０オングストローム厚のＮｄＧｄＦｅ
ＣｏＴｉの第２の光磁気層３２２を形成した。次に第３
の光磁気層成膜工程（ｇ）でＴｂＦｅＴｉターゲットを
アルゴンガスによりスパッタすることにより６００オン
グストローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第３の光磁気
層３２３を形成した。次に保護層成膜工程（ｊ）でシリ
コンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスにより反
応性スパッタすることにより８００オングストローム厚
の窒化シリコンの保護層４２を設けた。次に放熱層成膜
工程（ｋ）でＡｌＮｉターゲットをアルゴンガスにより
スパッタすることにより４００オングストローム厚のＡ
ｌＮｉの放熱層５を設け、図４のような構成にした。こ
のようにして製造された光磁気記録媒体は光磁気記録媒
体取出工程（ｌ）でスパッタ装置の外に取り出される。
次にこの放熱層５の上にＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼
合わせ保護膜を形成し、このような２枚ディスクを、基
板１が外側で各膜が内側になるようにホットメルトで貼
合わせた。このようにして作製した光磁気記録媒体を３
６００rpm で回転させ、波長８３００オングストローム
の半導体レーザー光を基板１を通して第１の光磁気層３
２１上でおよそφ１．４μm に絞って照射した。半径８
７．５mmのところで記録周波数１０MHz の信号をデュー
ティ比５０％の２値の光変調で記録パワー９mW、記録磁
界４００エルステッドで記録した後、再生時に記録磁界
と同一方向に４００エルステッドのバイアス磁界を印加
して再生しても、記録されていない状態の領域が記録さ
れた状態に変化することなく良好な再生特性を得られる
ことが確認された。
フォトポリマーによって案内溝が形成されている直径２
００mm、厚さ１．１８mmのガラス製の基板１をスパッタ
装置内に装着し、スパッタ装着真空排気工程（ｂ）で５
×１０-7Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程
（ｃ）でアルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコ
ンターゲットを反応性スパッタすることにより８００オ
ングストローム厚の窒化シリコンの透明干渉層２２を形
成した。次に、透明干渉層スパッタエッチング工程
（ｄ）でこの表面をアルゴンガスで１０オングストロー
ム程度スパッタエッチングして窒化シリコンの透明干渉
層２２の表面を比較的平坦にし、次に第１の光磁気層成
膜工程（ｅ）でＧｅＦｅＣｏターゲットをアルゴンガス
によりスパッタすることにより２００オングストローム
厚のＧｅＦｅＣｏの非晶質の第１の光磁気層３２１を形
成した。次に第２の光磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄ
ＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタ
することにより５０オングストローム厚のＮｄＧｄＦｅ
ＣｏＴｉの第２の光磁気層３２２を形成した。次に第３
の光磁気層成膜工程（ｇ）でＴｂＦｅＴｉターゲットを
アルゴンガスによりスパッタすることにより６００オン
グストローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第３の光磁気
層３２３を形成した。次に保護層成膜工程（ｊ）でシリ
コンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスにより反
応性スパッタすることにより８００オングストローム厚
の窒化シリコンの保護層４２を設けた。次に放熱層成膜
工程（ｋ）でＡｌＮｉターゲットをアルゴンガスにより
スパッタすることにより４００オングストローム厚のＡ
ｌＮｉの放熱層５を設け、図４のような構成にした。こ
のようにして製造された光磁気記録媒体は光磁気記録媒
体取出工程（ｌ）でスパッタ装置の外に取り出される。
次にこの放熱層５の上にＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼
合わせ保護膜を形成し、このような２枚ディスクを、基
板１が外側で各膜が内側になるようにホットメルトで貼
合わせた。このようにして作製した光磁気記録媒体を３
６００rpm で回転させ、波長８３００オングストローム
の半導体レーザー光を基板１を通して第１の光磁気層３
２１上でおよそφ１．４μm に絞って照射した。半径８
７．５mmのところで記録周波数１０MHz の信号をデュー
ティ比５０％の２値の光変調で記録パワー９mW、記録磁
界４００エルステッドで記録した後、再生時に記録磁界
と同一方向に４００エルステッドのバイアス磁界を印加
して再生しても、記録されていない状態の領域が記録さ
れた状態に変化することなく良好な再生特性を得られる
ことが確認された。
【００３７】透明干渉層２２の材料としては窒化シリコ
ン、窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化
亜鉛と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物
との混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化
亜鉛と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金
属酸化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。
透明干渉層２２は多層膜で形成してもかまわないが、そ
の場合第１の光磁気層３２１に接する透明干渉層の表面
はスパッタエッチングすることによってある程度平坦に
しなければならない。
ン、窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化
亜鉛と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物
との混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化
亜鉛と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金
属酸化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。
透明干渉層２２は多層膜で形成してもかまわないが、そ
の場合第１の光磁気層３２１に接する透明干渉層の表面
はスパッタエッチングすることによってある程度平坦に
しなければならない。
【００３８】第１の光磁気層３２１の材料としては、Ｇ
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３２２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３２３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３２３のほうが低いようにする。
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３２２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３２３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３２３のほうが低いようにする。
【００３９】保護層４２の材料としては窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４２は多層膜で形成してもかまわない。
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４２は多層膜で形成してもかまわない。
【００４０】次に、本発明のオーバーライト可能な光磁
気記録媒体の他の実施例について、図面を参照して説明
する。
気記録媒体の他の実施例について、図面を参照して説明
する。
【００４１】図５は本発明の一実施例を説明するための
製造工程図であり、図６は図５に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
製造工程図であり、図６は図５に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
【００４２】図６において、１は基板、２３は透明干渉
層の膜を成膜した後その表面を少しスパッタエッチング
することによりある程度平坦化した透明干渉層、３３１
はその上に成膜した第１の光磁気層、３３２はその上に
成膜した第２の光磁気層、３３３はその上に成膜した第
３の光磁気層、３３４はその上に成膜した第４の光磁気
層、４３はその上に成膜した保護層、５はその上に成膜
した放熱層である。
層の膜を成膜した後その表面を少しスパッタエッチング
することによりある程度平坦化した透明干渉層、３３１
はその上に成膜した第１の光磁気層、３３２はその上に
成膜した第２の光磁気層、３３３はその上に成膜した第
３の光磁気層、３３４はその上に成膜した第４の光磁気
層、４３はその上に成膜した保護層、５はその上に成膜
した放熱層である。
【００４３】図５に示すように、基板装着工程（ａ）で
案内溝が形成されている直径１３０mm、厚さ１．２０mm
のポリカーボネイト樹脂製の基板１をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装置真空排気工程（ｂ）で５×１０-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程（ｃ）でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚のシリコンの透明干渉層２３を形成した。次に、
透明干渉層スパッタエッチング工程（ｄ）でこの表面を
アルゴンガスで１０オングストローム程度スパッタエッ
チングして窒化シリコンの透明干渉層２３の表面を比較
的平坦にし、次に第１の光磁気層成膜工程（ｅ）でＴｂ
ＦｅＴｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタする
ことにより２００オングストローム厚のＴｂＦｅＴｉの
非晶質の第１の光磁気層３３１を形成した。次に第２の
光磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉターゲ
ットをアルゴンガスによりスパッタすることにより５０
オングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光
磁気層３３２を形成した。次に第３の光磁気層成膜工程
（ｇ）でＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴンガ
スによりスパッタすることにより１０００オングストロ
ーム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第３の光磁気
層３３３を形成した。次に第４の光磁気層成膜工程
（ｈ）でＴｂＣｏＴｉターゲットをアルゴンによりスパ
ッタすることにより４００オングストローム厚のＴｂＣ
ｏＴｉの非晶質の第４の光磁気層３３４を形成した。次
に保護層成膜工程（ｊ）でシリコンターゲットをアルゴ
ンと窒素との混合ガスにより反応性スパッタすることに
より８００オングストローム厚の窒化シリコンの保護層
４３を設けた。次に放熱層成膜工程（ｋ）でＡｌＮｉタ
ーゲットをアルゴンガスによりスパッタすることにより
４００オングストローム厚のＡｌＮｉの放熱層５を設
け、図６のような構成にした。このようにして製造され
た光磁気記録媒体は光磁気記録媒体取出工程（ｌ）でス
パッタ装置の外に取り出される。この光磁気記録媒体を
３６００rpm で回転させ、波長８３００オングストロー
ムの半導体レーザー光を基板１を通して第１の光磁気層
３３１上でおよそφ１．４μm に絞って照射した。半径
３０．０mmのところで３値の光変調で、先行補助磁界な
しで、記録磁界３５０エルステッドでオーバーライト記
録した後、再生時に記録磁界と同一方向に３５０エルス
テッドのバイアス磁界を印加して再生しても、記録され
ていない状態の領域が記録された状態に変化することな
く良好な再生特性を得られ、また記録磁界と同一向きに
バイアス磁界を印加しながら低レベル記録パワーを照射
したとき、高レベル記録パワーによって記録された記録
マークが低レベル記録パワーによって記録されるべき記
録マークに良好に書き換えられることが確認された。
案内溝が形成されている直径１３０mm、厚さ１．２０mm
のポリカーボネイト樹脂製の基板１をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装置真空排気工程（ｂ）で５×１０-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程（ｃ）でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚のシリコンの透明干渉層２３を形成した。次に、
透明干渉層スパッタエッチング工程（ｄ）でこの表面を
アルゴンガスで１０オングストローム程度スパッタエッ
チングして窒化シリコンの透明干渉層２３の表面を比較
的平坦にし、次に第１の光磁気層成膜工程（ｅ）でＴｂ
ＦｅＴｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタする
ことにより２００オングストローム厚のＴｂＦｅＴｉの
非晶質の第１の光磁気層３３１を形成した。次に第２の
光磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉターゲ
ットをアルゴンガスによりスパッタすることにより５０
オングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光
磁気層３３２を形成した。次に第３の光磁気層成膜工程
（ｇ）でＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴンガ
スによりスパッタすることにより１０００オングストロ
ーム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第３の光磁気
層３３３を形成した。次に第４の光磁気層成膜工程
（ｈ）でＴｂＣｏＴｉターゲットをアルゴンによりスパ
ッタすることにより４００オングストローム厚のＴｂＣ
ｏＴｉの非晶質の第４の光磁気層３３４を形成した。次
に保護層成膜工程（ｊ）でシリコンターゲットをアルゴ
ンと窒素との混合ガスにより反応性スパッタすることに
より８００オングストローム厚の窒化シリコンの保護層
４３を設けた。次に放熱層成膜工程（ｋ）でＡｌＮｉタ
ーゲットをアルゴンガスによりスパッタすることにより
４００オングストローム厚のＡｌＮｉの放熱層５を設
け、図６のような構成にした。このようにして製造され
た光磁気記録媒体は光磁気記録媒体取出工程（ｌ）でス
パッタ装置の外に取り出される。この光磁気記録媒体を
３６００rpm で回転させ、波長８３００オングストロー
ムの半導体レーザー光を基板１を通して第１の光磁気層
３３１上でおよそφ１．４μm に絞って照射した。半径
３０．０mmのところで３値の光変調で、先行補助磁界な
しで、記録磁界３５０エルステッドでオーバーライト記
録した後、再生時に記録磁界と同一方向に３５０エルス
テッドのバイアス磁界を印加して再生しても、記録され
ていない状態の領域が記録された状態に変化することな
く良好な再生特性を得られ、また記録磁界と同一向きに
バイアス磁界を印加しながら低レベル記録パワーを照射
したとき、高レベル記録パワーによって記録された記録
マークが低レベル記録パワーによって記録されるべき記
録マークに良好に書き換えられることが確認された。
【００４４】透明干渉層２３の材料としては窒化シリコ
ン、窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化
亜鉛と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物
との混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化
亜鉛と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金
属酸化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。
透明干渉層２３は多相膜で形成してもかまわないが、そ
の場合第１の光磁気層３３１に接する透明干渉層の表面
はスパッタエッチングすることによってある程度平坦に
しなければならない。
ン、窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化
亜鉛と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物
との混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化
亜鉛と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金
属酸化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。
透明干渉層２３は多相膜で形成してもかまわないが、そ
の場合第１の光磁気層３３１に接する透明干渉層の表面
はスパッタエッチングすることによってある程度平坦に
しなければならない。
【００４５】第１の光磁気層３３１の材料としては、Ｇ
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＣｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３３２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３３３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３３３のほうが高いようにする。
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＣｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３３２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３３３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３３３のほうが高いようにする。
【００４６】第４の光磁気層３３４は、高レベルのレー
ザー光の照射によっても磁化が反転しないように第３の
光磁気層３３３よりもキュリー温度が高い膜とし、低レ
ベルのレーザー光の照射のときに補助層として働く第３
の光磁気層３３３の磁化が初期化層として働く第４の光
磁気層３３４の磁化に揃うようにし、高レベルのレーザ
ー光の照射のときには第４の光磁気層３３４の磁化が第
３の光磁気層３３３に影響を与えないような物性を選
ぶ。第４の光磁気層３３４の材料としては、ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、
ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＴ
ａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＣｏ、ＴｂＣｏＴｉ、ＴｂＣｏＣｒ、ＴｂＣｏ
Ｎｉ、ＴｂＣｏＴａ、ＴｂＣｏＮｂ、ＴｂＣｏＰｔが望
ましい。
ザー光の照射によっても磁化が反転しないように第３の
光磁気層３３３よりもキュリー温度が高い膜とし、低レ
ベルのレーザー光の照射のときに補助層として働く第３
の光磁気層３３３の磁化が初期化層として働く第４の光
磁気層３３４の磁化に揃うようにし、高レベルのレーザ
ー光の照射のときには第４の光磁気層３３４の磁化が第
３の光磁気層３３３に影響を与えないような物性を選
ぶ。第４の光磁気層３３４の材料としては、ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、
ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＴ
ａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＣｏ、ＴｂＣｏＴｉ、ＴｂＣｏＣｒ、ＴｂＣｏ
Ｎｉ、ＴｂＣｏＴａ、ＴｂＣｏＮｂ、ＴｂＣｏＰｔが望
ましい。
【００４７】保護層４３の材料としては窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４３は多層膜で形成してもかまわない。
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４３は多層膜で形成してもかまわない。
【００４８】次に、本発明のオーバーライト可能な光磁
気記録媒体の他の実施例について、図面を参照して説明
する。
気記録媒体の他の実施例について、図面を参照して説明
する。
【００４９】図７は本発明の一実施例を説明するための
製造工程図であり、図８は図７に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
製造工程図であり、図８は図７に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
【００５０】図８において、１は基板、２４は透明干渉
層の膜を成膜した後その表面を少しスパッタエッチング
することによりある程度平坦化した透明干渉層、３４１
はその上に成膜した第１の光磁気層、３４２はその上に
成膜した第２の光磁気層、３４３はその上に成膜した第
３の光磁気層、３４４はその上に成膜した第４の光磁気
層、３４５はその上に成膜した第５の光磁気層、４４は
その上に成膜した保護層、５はその上に成膜した放熱層
である。
層の膜を成膜した後その表面を少しスパッタエッチング
することによりある程度平坦化した透明干渉層、３４１
はその上に成膜した第１の光磁気層、３４２はその上に
成膜した第２の光磁気層、３４３はその上に成膜した第
３の光磁気層、３４４はその上に成膜した第４の光磁気
層、３４５はその上に成膜した第５の光磁気層、４４は
その上に成膜した保護層、５はその上に成膜した放熱層
である。
【００５１】図７に示すように、基板装着工程（ａ）で
案内溝が形成されている直径１３０mm、厚さ１．２０mm
のポリカーボネート樹脂製の基板１をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装置真空排気工程（ｂ）で５×１０-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程（ｃ）でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚の窒化シリコンの透明干渉層２４を形成した。次
に、透明干渉層スパッタエッチング工程（ｄ）でこの表
面をアルゴンガスで１０オングストローム程度スパッタ
エッチングして窒化シリコンの透明干渉層２４の表面を
比較的平坦にし、次に第１の光磁気層成膜工程（ｅ）で
ＴｂＦｅＴｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタ
することにより２００オングストローム厚のＴｂＦｅＴ
ｉの非晶質の第１の光磁気層３４１を形成した。次に第
２の光磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉタ
ーゲットをアルゴンガスによりスパッタすることにより
５０オングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２
の光磁気層３４２を形成した。次に第３の光磁気層成膜
工程（ｇ）でＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴ
ンガスによりスパッタすることにより１４００オングス
トローム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第３の光
磁気層３４３を形成した。次に第４の光磁気層成膜工程
（ｈ）でＴｂＣｏＴｉターゲットをアルゴンによりスパ
ッタすることにより２５０オングストローム厚のＴｂＣ
ｏＴｉの非晶質の第４の光磁気層３４４を形成した。次
に第５の光磁気層成膜工程（ｉ）でＴｂＣｏＴｉターゲ
ットをアルゴンによりスパッタすることにより４００オ
ングストローム厚のＴｂＣｏＴｉの非晶質の第５の光磁
気層３４５を形成した。次に保護層成膜工程（ｊ）でシ
リコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスにより
反応性スパッタすることにより８００オングストローム
厚の窒化シリコンの保護層４４を設けた。次に放熱層成
膜工程（ｋ）でＡｌＮｉターゲットをアルゴンガスによ
りスパッタすることにより４００オングストローム厚の
ＡｌＮｉの放熱層５を設け、図８のような構成にした。
このようにして製造された光磁気記録媒体は光磁気記録
媒体取出工程（ｌ）でスパッタ装置の外に取り出され
る。この光磁気記録媒体を３６００rpm で回転させ、波
長８３００オングストロームの半導体レーザー光を基板
１を通して第１の光磁気層３４１上でおよそφ１．４μ
mに絞って照射した。半径３０．０mmのところで３値の
光変調で、先行補助磁界なしで、記録磁界３５０エルス
テッドでオーバーライト記録した後、再生時に記録磁界
と同一方向に３５０エルステッドのバイアス磁界を印加
して再生しても、記録されていない状態の領域が記録さ
れた状態に変化することなく良好な再生特性を得られ、
また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加しながら
低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル記録パワ
ーによって記録された記録マークが低レベル記録パワー
によって記録されるべき記録マークに良好に書き換えら
れることが確認された。
案内溝が形成されている直径１３０mm、厚さ１．２０mm
のポリカーボネート樹脂製の基板１をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装置真空排気工程（ｂ）で５×１０-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程（ｃ）でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚の窒化シリコンの透明干渉層２４を形成した。次
に、透明干渉層スパッタエッチング工程（ｄ）でこの表
面をアルゴンガスで１０オングストローム程度スパッタ
エッチングして窒化シリコンの透明干渉層２４の表面を
比較的平坦にし、次に第１の光磁気層成膜工程（ｅ）で
ＴｂＦｅＴｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタ
することにより２００オングストローム厚のＴｂＦｅＴ
ｉの非晶質の第１の光磁気層３４１を形成した。次に第
２の光磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉタ
ーゲットをアルゴンガスによりスパッタすることにより
５０オングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２
の光磁気層３４２を形成した。次に第３の光磁気層成膜
工程（ｇ）でＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴ
ンガスによりスパッタすることにより１４００オングス
トローム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第３の光
磁気層３４３を形成した。次に第４の光磁気層成膜工程
（ｈ）でＴｂＣｏＴｉターゲットをアルゴンによりスパ
ッタすることにより２５０オングストローム厚のＴｂＣ
ｏＴｉの非晶質の第４の光磁気層３４４を形成した。次
に第５の光磁気層成膜工程（ｉ）でＴｂＣｏＴｉターゲ
ットをアルゴンによりスパッタすることにより４００オ
ングストローム厚のＴｂＣｏＴｉの非晶質の第５の光磁
気層３４５を形成した。次に保護層成膜工程（ｊ）でシ
リコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスにより
反応性スパッタすることにより８００オングストローム
厚の窒化シリコンの保護層４４を設けた。次に放熱層成
膜工程（ｋ）でＡｌＮｉターゲットをアルゴンガスによ
りスパッタすることにより４００オングストローム厚の
ＡｌＮｉの放熱層５を設け、図８のような構成にした。
このようにして製造された光磁気記録媒体は光磁気記録
媒体取出工程（ｌ）でスパッタ装置の外に取り出され
る。この光磁気記録媒体を３６００rpm で回転させ、波
長８３００オングストロームの半導体レーザー光を基板
１を通して第１の光磁気層３４１上でおよそφ１．４μ
mに絞って照射した。半径３０．０mmのところで３値の
光変調で、先行補助磁界なしで、記録磁界３５０エルス
テッドでオーバーライト記録した後、再生時に記録磁界
と同一方向に３５０エルステッドのバイアス磁界を印加
して再生しても、記録されていない状態の領域が記録さ
れた状態に変化することなく良好な再生特性を得られ、
また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加しながら
低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル記録パワ
ーによって記録された記録マークが低レベル記録パワー
によって記録されるべき記録マークに良好に書き換えら
れることが確認された。
【００５２】透明干渉層２４の材料としては窒化シリコ
ン、窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化
亜鉛と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物
との混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化
亜鉛と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金
属酸化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。
透明干渉層２４は多相膜で形成してもかまわないが、そ
の場合第１の光磁気層３４１に接する透明干渉層の表面
はスパッタエッチングすることによってある程度平坦に
しなければならない。
ン、窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化
亜鉛と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物
との混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化
亜鉛と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金
属酸化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。
透明干渉層２４は多相膜で形成してもかまわないが、そ
の場合第１の光磁気層３４１に接する透明干渉層の表面
はスパッタエッチングすることによってある程度平坦に
しなければならない。
【００５３】第１の光磁気層３４１の材料としては、Ｇ
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＣｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３４２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３４３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３４３のほうが高いようにする。
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＣｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３４２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３４３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３４３のほうが高いようにする。
【００５４】第５の光磁気層３４５は、高レベルのレー
ザー光の照射によっても磁化が反転しないように第３の
光磁気層３４３よりもキュリー温度が高い膜とし、第４
の光磁気層３４４のキュリー温度は第１の光磁気層３４
１、第３の光磁気層３４３、第５の光磁気層３４５のな
かで最も低い膜とする。低レベルのレーザー光の照射の
ときに補助層として働く第３の光磁気層３４３の磁化が
初期化層として働く第５の光磁気層３４５の磁化に揃う
ようにし、高レベルのレーザー光の照射のときには第５
の光磁気層３４５の磁化が第３の光磁気層３４３に影響
を与えないように第４の光磁気層３４４がふるまうよう
に、第４の光磁気層３４４と第５の光磁気層３４５の物
性を選ぶ。第４の光磁気層３４４の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＴａ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＤｙＦ
ｅＣｏＮｉ、ＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦ
ｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＮｂが望ましく、第５の光磁気層３４５の材
料としては、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴ
ｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、Ｔｂ
ＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔｂ
ＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴ
ｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、Ｔ
ｂＣｏ、ＴｂＣｏＴｉ、ＴｂＣｏＣｒ、ＴｂＣｏＮｂ、
ＴｂＣｏＰｔが望ましい。
ザー光の照射によっても磁化が反転しないように第３の
光磁気層３４３よりもキュリー温度が高い膜とし、第４
の光磁気層３４４のキュリー温度は第１の光磁気層３４
１、第３の光磁気層３４３、第５の光磁気層３４５のな
かで最も低い膜とする。低レベルのレーザー光の照射の
ときに補助層として働く第３の光磁気層３４３の磁化が
初期化層として働く第５の光磁気層３４５の磁化に揃う
ようにし、高レベルのレーザー光の照射のときには第５
の光磁気層３４５の磁化が第３の光磁気層３４３に影響
を与えないように第４の光磁気層３４４がふるまうよう
に、第４の光磁気層３４４と第５の光磁気層３４５の物
性を選ぶ。第４の光磁気層３４４の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＴａ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＤｙＦ
ｅＣｏＮｉ、ＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦ
ｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＮｂが望ましく、第５の光磁気層３４５の材
料としては、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴ
ｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、Ｔｂ
ＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔｂ
ＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴ
ｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、Ｔ
ｂＣｏ、ＴｂＣｏＴｉ、ＴｂＣｏＣｒ、ＴｂＣｏＮｂ、
ＴｂＣｏＰｔが望ましい。
【００５５】保護層４４の材料としては窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４４は多層膜で形成してもかまわない。
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４４は多層膜で形成してもかまわない。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録媒体の製造方法は、透明干渉層の表面をスパッタエッ
チングして平坦することと、第２の光磁気層としてＮｄ
ＧｄＦｅＣｏＴｉを用いることにより第１の光磁気層と
第３の光磁気層との相互作用が適度に強く、記録磁界と
同一向きにバイアス磁界を印加して記録された情報を読
み出す場合、記録されていない状態の領域が記録された
状態に変化することなく、また記録磁界と同一向きにバ
イアス磁界を印加して低レベルのレーザー光を照射した
とき、高レベルのレーザー光によって記録された記録マ
ークが低レベルのレーザー光によって記録されるべき記
録マークに良好に書き換えられる光磁気記録媒体を製造
することができる。
録媒体の製造方法は、透明干渉層の表面をスパッタエッ
チングして平坦することと、第２の光磁気層としてＮｄ
ＧｄＦｅＣｏＴｉを用いることにより第１の光磁気層と
第３の光磁気層との相互作用が適度に強く、記録磁界と
同一向きにバイアス磁界を印加して記録された情報を読
み出す場合、記録されていない状態の領域が記録された
状態に変化することなく、また記録磁界と同一向きにバ
イアス磁界を印加して低レベルのレーザー光を照射した
とき、高レベルのレーザー光によって記録された記録マ
ークが低レベルのレーザー光によって記録されるべき記
録マークに良好に書き換えられる光磁気記録媒体を製造
することができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための製造工程図
である。
である。
【図２】図１に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。
録媒体の概略断面図である。
【図３】本発明の他の一実施例を説明するための製造工
程図である。
程図である。
【図４】図３に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。
録媒体の概略断面図である。
【図５】本発明の他の一実施例を説明するための製造工
程図である。
程図である。
【図６】図５に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。
録媒体の概略断面図である。
【図７】本発明の他の一実施例を説明するための製造工
程図である。
程図である。
【図８】図７に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。
録媒体の概略断面図である。
【図９】従来の光磁気記録媒体の一実施例を説明するた
めの製造工程図である。
めの製造工程図である。
【図１０】図９に示す実施例を用いて製造された光磁気
記録媒体の概略断面図である。
記録媒体の概略断面図である。
１ 基板 ２１，２２，２３，２４，２０ 透明干渉層 ３１１，３２１，３３１，３４１，３０１ 第１の光
磁気層 ３１２，３２２，３３２，３４２，３０２ 第２の光
磁気層 ３１３，３２３，３３３，３４３，３０３ 第３の光
磁気層 ３３４，３４４ 第４の光磁気層 ３４５ 第５の光磁気層 ５ 放熱層 （ａ） 基板装着工程 （ｂ） スパッタ装置真空排気工程 （ｃ） 透明干渉層成膜工程 （ｄ） 透明干渉層スパッタエッチング工程 （ｅ） 第１の光磁気層成膜工程 （ｆ） ＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層成膜
工程 （ｇ） 第３の光磁気層成膜工程 （ｈ） 第４の光磁気層成膜工程 （ｉ） 第５の光磁気層成膜工程 （ｊ） 保護層成膜工程 （ｋ） 放熱層成膜工程 （ｌ） 光磁気記録媒体取出工程
磁気層 ３１２，３２２，３３２，３４２，３０２ 第２の光
磁気層 ３１３，３２３，３３３，３４３，３０３ 第３の光
磁気層 ３３４，３４４ 第４の光磁気層 ３４５ 第５の光磁気層 ５ 放熱層 （ａ） 基板装着工程 （ｂ） スパッタ装置真空排気工程 （ｃ） 透明干渉層成膜工程 （ｄ） 透明干渉層スパッタエッチング工程 （ｅ） 第１の光磁気層成膜工程 （ｆ） ＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層成膜
工程 （ｇ） 第３の光磁気層成膜工程 （ｈ） 第４の光磁気層成膜工程 （ｉ） 第５の光磁気層成膜工程 （ｊ） 保護層成膜工程 （ｋ） 放熱層成膜工程 （ｌ） 光磁気記録媒体取出工程
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層
に集束して照射することにより情報の書込を行い、レー
ザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移
動させながら照射することにより情報の読出を行うよう
にした光磁気記録媒体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す膜であり、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す膜であり、 前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層と前記第３の光磁気層とは少なくとも１０
℃以上５０℃以下で磁気的に相互作用している光磁気記
録媒体の製造方法において、 前記第１の光磁気層は前記透明干渉層の表面をスパッタ
エッチングして平坦化したのち成膜することにより、前
記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用を
強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層
に集束して照射することにより情報の書込を行い、レー
ザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移
動させながら照射することにより情報の読出を行うよう
にした光磁気記録媒体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、前記第１の光磁気層の磁化はそのままで前記第３の
光磁気層の磁化のみが書込の直前までに先行補助磁界に
より「Ａ向き」に揃えられ、情報に従い高レベルと低レ
ベルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第１の
光磁気層に照射された場合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり
前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記録マ
ークが形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
３の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温度範囲
で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第
１の光磁気層が「Ａ向き」磁化を有する記録マークが形
成されるように、前記第２の光磁気層が前記第１の光磁
気層と前記第３の光磁気層との相互作用を制御するよう
なレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁
気記録媒体の製造方法において、 前記第１の光磁気層は前記透明干渉層の表面をスパッタ
エッチングして平坦化したのちに成膜することにより、
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項３】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層
に集束して照射することにより情報の書込を行い、レー
ザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移
動させながら照射することにより情報の読出を行うよう
にした光磁気記録媒体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、前記第１の光磁気層の磁化はそのままで前記第３の
光磁気層の磁化のみが書込の直前までに先行補助磁界に
より「Ａ向き」に揃えられ、情報に従い高レベルと低レ
ベルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第１の
光磁気層に照射された場合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり
前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記録マ
ークが形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
３の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温度範囲
で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第
１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記録マークが
形成されるように、 前記第２の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の
光磁気層との相互作用を制御するようなレーザー光の変
調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の製造
方法において、 前記第１の光磁気層は前記透明干渉層の表面をスパッタ
エッチングして平坦化したのちに成膜することにより、
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項４】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層とを
この順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を通して
該第１の光磁気層に集束して照射することにより情報の
書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁
気層に集束して移動させながら照射することにより情報
の読出を行うようにした光磁気記録媒体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場
合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり前
記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、前記第１
の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、前記第４の光磁
気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マーク
が形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
３の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより結果として１０℃以上５０℃以下の温度範囲で
前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第１
の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第４の光磁気
層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マークが
形成されるように、 前記第２の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の
光磁気層との相互作用を制御するような先行補助磁界が
なくレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、 前記第１の光磁気層は前記透明干渉層の表面をスパッタ
エッチングして平坦化したのちに成膜することにより、
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項５】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層とを
この順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を通して
該第１の光磁気層に集束して照射することにより情報の
書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁
気層に集束して移動させながら照射することにより情報
の読出を行うようにした光磁気記録媒体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、 前記第１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層
の磁化の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの
何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とす
るとき、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス
変調されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射され
た場合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり前
記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第４の
光磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マ
ークが形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
３の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより結果として１０℃以上５０℃以下の温度範囲で
前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第１
の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、前記第４の光磁
気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マーク
が形成されるように、 前記第２の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の
光磁気層との相互作用を制御するような先行補助磁界が
なくレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、 前記第１の光磁気層は前記透明干渉層の表面をスパッタ
エッチングして平坦化したのちに成膜することにより、
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項６】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層と第
５の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光
を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して照射する
ことにより情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通
して該第１の光磁気層に集束して移動させながら照射す
ることにより情報の読出を行うようにした光磁気記録媒
体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第５の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場
合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
度範囲で前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり
前記第３の光磁気層の磁化は前記第４の光磁気層のため
に前記第５の光磁気層の磁化の影響を受けないで「Ａ向
き」磁化となり前記第５の光磁気層の磁化の向きは不変
で「Ａ向き」である記録マークが形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
３の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより結果として１０℃以上５０℃以下の温度範囲で
前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第１
の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第５の光磁気
層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マークが
形成されるように、 前記第２の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の
光磁気層との相互作用を制御するような先行補助磁界が
なくレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、 前記第１の光磁気層は前記透明干渉層の表面をスパッタ
エッチングして平坦化したのちに成膜することにより、
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項７】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層と第
５の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光
を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して照射する
ことにより情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通
して該第１の光磁気層に集束して移動させながら照射す
ることにより情報の読出を行うようにした光磁気記録媒
体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第５の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、 前記第１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層
の磁化の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの
何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とす
るとき、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス
変調されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射され
た場合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
度範囲で前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、
前記第３の光磁気層の磁化は前記第４の光磁気層のため
に前記第５の光磁気層の磁化の影響を受けないで「Ａ向
き」磁化となり前記第５の光磁気層の磁化の向きは不変
で「Ａ向き」である記録マークが形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
３の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより結果として１０℃以上５０℃以下の温度範囲で
前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第１
の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、前記第５の光磁
気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マーク
が形成されるように、 前記第２の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の
光磁気層との相互作用を制御するような先行補助磁界が
なくレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、 前記第１の光磁気層は前記透明干渉層の表面をスパッタ
エッチングして平坦化したのちに成膜することにより、
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法。
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|---|---|---|---|
| JP21726491A JP2770835B2 (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP21726491A JP2770835B2 (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH06267126A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法および記録媒体 |
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1991
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980318 |