JP2503708B2 - 光磁気記録媒体及び装置 - Google Patents
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- G11B11/10504—Recording
- G11B11/10506—Recording by modulating only the light beam of the transducer
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光変調ダイレクト・オーバーライト可能
な光磁気媒体に関するものである。
な光磁気媒体に関するものである。
第25図（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、各々例えば刊
行物（第31回応用物理学関係連合講演会予稿集、1987年
春季、28P−ZL−３）に示された従来の光記録再生装置
の要部構成斜視図、記録体の光記録再生状態を示す要部
断面図および、記録体の領域における記録用レーザパワ
ー変化を示す特性図である。図において、（１）は光磁
気記録体、（２）はガラス又はプラスチックからなる基
板、（３）は第１磁性層、（４）は第２磁性層であり、
記録体（１）は、基板（２）、第１磁性層（３）および
第２磁性層（４）で構成されており、さらに第１磁性層
（３）と第２磁性層（４）の間には交換力が働いてお
り、この交換力は両磁性層（３），（４）のそれぞれの
磁化方向を等しくするように働く。（５）はレーザービ
ームを情報担体（１）へ照射する対物レンズ、（６）は
対物レンズ（５）により収束された集光スポット、
（７）は第１磁性層（３）に記録された情報のうち、第
１磁性層（３）の磁化方向が第25図（ｂ）中、上向きの
部分をこの場合二値化データの“1"としてその領域を示
している。（９）は第２磁性層（４）を初期磁化するた
めの5000ｅ程度の磁界を発生する初期化磁石、（８）
は情報担体（１）をはさんで、対物レンズ（５）と対向
する位置に設けられた200〜600ｅの磁界を発生するバ
イアス磁石である。又、第25図（ｃ）におけるR1は、情
報１を記録するためのレーザパワー、R0は、情報０を記
録するためのレーザパワー、縦軸はレーザパワーを横軸
は領域を示し、第25図（ａ）において、一点鎖線に対し
て左は新データ（DN）を右は旧データ（DO）を示す。
行物（第31回応用物理学関係連合講演会予稿集、1987年
春季、28P−ZL−３）に示された従来の光記録再生装置
の要部構成斜視図、記録体の光記録再生状態を示す要部
断面図および、記録体の領域における記録用レーザパワ
ー変化を示す特性図である。図において、（１）は光磁
気記録体、（２）はガラス又はプラスチックからなる基
板、（３）は第１磁性層、（４）は第２磁性層であり、
記録体（１）は、基板（２）、第１磁性層（３）および
第２磁性層（４）で構成されており、さらに第１磁性層
（３）と第２磁性層（４）の間には交換力が働いてお
り、この交換力は両磁性層（３），（４）のそれぞれの
磁化方向を等しくするように働く。（５）はレーザービ
ームを情報担体（１）へ照射する対物レンズ、（６）は
対物レンズ（５）により収束された集光スポット、
（７）は第１磁性層（３）に記録された情報のうち、第
１磁性層（３）の磁化方向が第25図（ｂ）中、上向きの
部分をこの場合二値化データの“1"としてその領域を示
している。（９）は第２磁性層（４）を初期磁化するた
めの5000ｅ程度の磁界を発生する初期化磁石、（８）
は情報担体（１）をはさんで、対物レンズ（５）と対向
する位置に設けられた200〜600ｅの磁界を発生するバ
イアス磁石である。又、第25図（ｃ）におけるR1は、情
報１を記録するためのレーザパワー、R0は、情報０を記
録するためのレーザパワー、縦軸はレーザパワーを横軸
は領域を示し、第25図（ａ）において、一点鎖線に対し
て左は新データ（DN）を右は旧データ（DO）を示す。
次に動作について説明する。記録担体（１）は図示し
ていない保持駆動機構により、第25図（ａ）および
（ｂ）中の矢印ａ方向に回転駆動されている。第１磁性
層（３）は例えばTb21Fe79から成る一般的な光磁気ディ
スクに用いられる情報担体の記録層と同様な性質のもの
で、ここでも記録層および読み出し層として作用する。
第２磁性層（４）は例えばGd24Tb3Fe73から成る補助層
と呼ばれるもので、オーバライト性能、すなわち旧デー
タ上に新データをリアルタイムで重ね書きする性能を発
揮すべく設けられている。ここで、第１磁性層（３）と
第２磁性層（４）の特性は、そのキユリー温度をそれぞ
れTc1,Tc2、室温付近における保磁力をそれぞれHc1,
Hc2、室温における交換力をそれぞれHw1,Hw2とすると、
次の関係が成り立つ。
ていない保持駆動機構により、第25図（ａ）および
（ｂ）中の矢印ａ方向に回転駆動されている。第１磁性
層（３）は例えばTb21Fe79から成る一般的な光磁気ディ
スクに用いられる情報担体の記録層と同様な性質のもの
で、ここでも記録層および読み出し層として作用する。
第２磁性層（４）は例えばGd24Tb3Fe73から成る補助層
と呼ばれるもので、オーバライト性能、すなわち旧デー
タ上に新データをリアルタイムで重ね書きする性能を発
揮すべく設けられている。ここで、第１磁性層（３）と
第２磁性層（４）の特性は、そのキユリー温度をそれぞ
れTc1,Tc2、室温付近における保磁力をそれぞれHc1,
Hc2、室温における交換力をそれぞれHw1,Hw2とすると、
次の関係が成り立つ。
Tc1＜Tc2 Hc1−Hw1＞Hc2＋Hw2 ここで、第１磁性層（３）に記録された情報を再生す
る場合について説明する。第25図（ｂ）に示すように第
１磁性層（３）は２値コードすなわち“1",“0"に対応
して上向きまたは下向きに磁化されている。再生時に
は、集光スポット（６）の照射部の第１磁性層（３）の
磁化方向を、従来より良く知られた光カー効果により光
学的情報に変換することによって情報担体（１）から情
報を検知している。この時、記録担体（１）に照射する
レーザー強度は、第26図のレーザービームパワーによる
スポット内での磁性膜温度変化を示す特性図に示す強度
Ａに相当する強度であり、この強度では集光スポット
（６）照射部の第１磁性層（３）および第２磁性層
（４）の最高上昇温度は、第１磁性層（３）および第２
磁性層（４）のキユリー温度Tc1,Tc2には到達しない。
したがって、集光スポット照射により磁化方向すなわち
記録情報が消されることはない。
る場合について説明する。第25図（ｂ）に示すように第
１磁性層（３）は２値コードすなわち“1",“0"に対応
して上向きまたは下向きに磁化されている。再生時に
は、集光スポット（６）の照射部の第１磁性層（３）の
磁化方向を、従来より良く知られた光カー効果により光
学的情報に変換することによって情報担体（１）から情
報を検知している。この時、記録担体（１）に照射する
レーザー強度は、第26図のレーザービームパワーによる
スポット内での磁性膜温度変化を示す特性図に示す強度
Ａに相当する強度であり、この強度では集光スポット
（６）照射部の第１磁性層（３）および第２磁性層
（４）の最高上昇温度は、第１磁性層（３）および第２
磁性層（４）のキユリー温度Tc1,Tc2には到達しない。
したがって、集光スポット照射により磁化方向すなわち
記録情報が消されることはない。
次にオーバーライトの動作について説明する。第25図
における初期化磁石（９）は、図中に示す矢印ｂの方向
（上向き）に大きさHiniなる磁場を発生する。この磁場
Hiniは、第１磁性層（３）および第２磁性層（４）の保
磁力、および交換力に対して、 Hc1−Hw1＞Hini＞Hc2＋Hw2 なる関係を有している。その結果、第25図（ｂ）に示す
ように情報担体（１）が矢印ａ方向に回転した時、初期
化磁石（９）部を通過した第２磁性層（４）の磁化方向
は、第１磁性層（３）の磁化方向にかかわらず、全て上
向きに磁化される。この時、第１磁性層（３）の磁化方
向は、初期化磁石の磁界もしくは、第２磁性層（４）か
ら働く交換力によって、室温近くでは影響を受けず、そ
のままの状態を保持する。
における初期化磁石（９）は、図中に示す矢印ｂの方向
（上向き）に大きさHiniなる磁場を発生する。この磁場
Hiniは、第１磁性層（３）および第２磁性層（４）の保
磁力、および交換力に対して、 Hc1−Hw1＞Hini＞Hc2＋Hw2 なる関係を有している。その結果、第25図（ｂ）に示す
ように情報担体（１）が矢印ａ方向に回転した時、初期
化磁石（９）部を通過した第２磁性層（４）の磁化方向
は、第１磁性層（３）の磁化方向にかかわらず、全て上
向きに磁化される。この時、第１磁性層（３）の磁化方
向は、初期化磁石の磁界もしくは、第２磁性層（４）か
ら働く交換力によって、室温近くでは影響を受けず、そ
のままの状態を保持する。
情報“1"を記録する時、すなわち第１磁性層（３）の
磁化方向を上向きとする時のレーザービーム強度は、第
26図における強度Ｂに相当する。この時、集光スポット
（６）内の部分は温度上昇して、第１磁性層（３）のキ
ユリー温度TC1を越えるが、第２磁性層（４）キユリー
温度TC2には達しない。その結果、第１磁性層（３）の
磁化は消失するが、第２磁性層（４）の磁化方向は初期
化磁石（８）により磁化された上向きのままである。そ
して、ディスクが回転して集光スポット（６）に照射さ
れなくなり、第１磁性層（３）の温度がそのキユリー温
度TC1より下降する段階で、第２磁性層（４）の磁化方
向が第１磁性層（３）に転写され、第１磁性層（３）の
磁化方向は上向き、すなわち情報“1"に相当する向きと
なる。
磁化方向を上向きとする時のレーザービーム強度は、第
26図における強度Ｂに相当する。この時、集光スポット
（６）内の部分は温度上昇して、第１磁性層（３）のキ
ユリー温度TC1を越えるが、第２磁性層（４）キユリー
温度TC2には達しない。その結果、第１磁性層（３）の
磁化は消失するが、第２磁性層（４）の磁化方向は初期
化磁石（８）により磁化された上向きのままである。そ
して、ディスクが回転して集光スポット（６）に照射さ
れなくなり、第１磁性層（３）の温度がそのキユリー温
度TC1より下降する段階で、第２磁性層（４）の磁化方
向が第１磁性層（３）に転写され、第１磁性層（３）の
磁化方向は上向き、すなわち情報“1"に相当する向きと
なる。
情報“0"を記録する時、すなわち第１磁性層（３）の
磁化方向を下向きとする時のレーザービーム強度は、第
26図における強度Ｃに相当する。この時、集光スポット
（６）内の部分は温度上昇して、第１磁性層（３）のキ
ユリー温度TC1だけでなく、第２磁性層（４）のキユリ
ー温度TC2も越える。その結果、第１磁性層（３）、第
２磁性層（４）共に集光スポット（６）内の磁化は消失
する。そして、ディスクが回転して集光スポット（６）
が照射されなくなり、第２磁性層（４）の温度がそのキ
ユリー温度TC2よりも下降する段階で、バイアス磁石
（９）による第25図中の矢印Ｃの方向（下向き）に印加
された弱い磁場により、第２磁性層（４）の磁化方向は
下向きになる。さらに、第１磁性層（３）の温度がその
キユリー温度TC1より下降する段階で、第２磁性層
（４）の磁化方向が第１磁性層（３）に転写され、第１
磁性層（３）の磁化方向は下向き、すなわち情報“0"に
相当する向きとなる。
磁化方向を下向きとする時のレーザービーム強度は、第
26図における強度Ｃに相当する。この時、集光スポット
（６）内の部分は温度上昇して、第１磁性層（３）のキ
ユリー温度TC1だけでなく、第２磁性層（４）のキユリ
ー温度TC2も越える。その結果、第１磁性層（３）、第
２磁性層（４）共に集光スポット（６）内の磁化は消失
する。そして、ディスクが回転して集光スポット（６）
が照射されなくなり、第２磁性層（４）の温度がそのキ
ユリー温度TC2よりも下降する段階で、バイアス磁石
（９）による第25図中の矢印Ｃの方向（下向き）に印加
された弱い磁場により、第２磁性層（４）の磁化方向は
下向きになる。さらに、第１磁性層（３）の温度がその
キユリー温度TC1より下降する段階で、第２磁性層
（４）の磁化方向が第１磁性層（３）に転写され、第１
磁性層（３）の磁化方向は下向き、すなわち情報“0"に
相当する向きとなる。
以上の様な動作により、レーザービーム強度を情報の
２値化コード“0",“1"に応じて、第26図における強度
Ｂと強度Ｃとに強度変調することにより、オーバーライ
ト可能になる。
２値化コード“0",“1"に応じて、第26図における強度
Ｂと強度Ｃとに強度変調することにより、オーバーライ
ト可能になる。
さらに27、28図は、例えば特開昭63−268103号公報に
実施例１として記載されている光の強弱のみでオーバー
ライトを行なう方法に関する記録媒体の断面図及び磁化
過程の説明図である。図において、（100）は第１磁性
層、（200）は第２磁性層（300）は第３磁性層、（40
0）は第４磁性層、（500）は光透光性基板、（600）は
誘電体膜、（700）は保護膜、（900）は界面磁壁、（10
1）は熱磁気記録媒体、Hexは外部磁界印加方向を表す矢
印である。ここでは磁性薄膜（100）〜（400）はフェリ
磁性の遷移金属（TM）−希土類金属（RE）合金磁性薄膜
で構成されている。この記録媒体は外部磁界Hexの印加
で、ほぼ第１の磁性薄膜（100）のキユリー温度TC1以上
の温度T1と、第２の磁性薄膜（200）の遷移金属の副格
子磁化の向きを反転し得る第２の温度T2に昇温するよう
にして記録をおこなう。第１及び第２の磁性薄膜（10
0）及び（200）は、室温からキユリー温度に至る迄の温
度でそれぞれTM副格子磁化優勢膜であり、第３の磁性薄
膜（300）は室温から上記加熱温度T1までRE副格子磁化
優勢膜である。キユリー温度は、 TC1＜TC2 ……（０−１） TC4＜TC2,TC3 ……（０−２） TC4≦TC1 ……（０−３） に選定してある。
実施例１として記載されている光の強弱のみでオーバー
ライトを行なう方法に関する記録媒体の断面図及び磁化
過程の説明図である。図において、（100）は第１磁性
層、（200）は第２磁性層（300）は第３磁性層、（40
0）は第４磁性層、（500）は光透光性基板、（600）は
誘電体膜、（700）は保護膜、（900）は界面磁壁、（10
1）は熱磁気記録媒体、Hexは外部磁界印加方向を表す矢
印である。ここでは磁性薄膜（100）〜（400）はフェリ
磁性の遷移金属（TM）−希土類金属（RE）合金磁性薄膜
で構成されている。この記録媒体は外部磁界Hexの印加
で、ほぼ第１の磁性薄膜（100）のキユリー温度TC1以上
の温度T1と、第２の磁性薄膜（200）の遷移金属の副格
子磁化の向きを反転し得る第２の温度T2に昇温するよう
にして記録をおこなう。第１及び第２の磁性薄膜（10
0）及び（200）は、室温からキユリー温度に至る迄の温
度でそれぞれTM副格子磁化優勢膜であり、第３の磁性薄
膜（300）は室温から上記加熱温度T1までRE副格子磁化
優勢膜である。キユリー温度は、 TC1＜TC2 ……（０−１） TC4＜TC2,TC3 ……（０−２） TC4≦TC1 ……（０−３） に選定してある。
室温では各磁性薄膜の磁化状態は、状態Ａあるいは状
態Ｃにある。温度をT1に昇温すると、第１の磁性薄膜
（100）の磁化が消失する（第28図−状態Ｅ）。TC1以下
に降温すると、第１の磁性薄膜（100）のTM副格子磁化
方向は、第２の磁性薄膜（200）のTM副格子磁化方向と
揃う。室温まで降温して初期の状態Ａになる。これによ
り‘0'の記録部を形成する。温度をT2に昇温すると、第
１及び第２の磁性薄膜（100）及び（200）の磁化が消失
し、第２の磁性薄膜（200）は外部磁界HexによりTM副格
子磁化が反転する（第28図−状態Ｆ）TC1近傍に降温す
ると、第１の磁性薄膜（100）のTM副格子磁化方向は、
第２の磁性薄膜（200）のTM副格子磁化方向と揃う。こ
の副格子磁化方向の転写は前記T1に昇温する場合と同様
のものである。但し第２の磁性薄膜（200）の磁化方向
が逆であり、外部磁界によらず交換力により転写されな
ければならないので、第ｉの磁性薄膜の膜厚をhi、磁化
をMsi、保磁力をHci、第１及び第２の磁性薄膜（100）
及び（200）間の界面磁壁エネルギー密度をσW1とし、 σW1＞2|MS1|・h1・Hex ……（０−５） なる関係を満たさなければならない。このためHexは大
きくすることができず、発明の効果Ｈで、この副格子磁
化転写においてはHexは大きく見積っても1KOe以下であ
ると記述している。第４の磁性薄膜（400）には第２及
び第３の磁性薄膜（200）及び（300）の副格子磁化の向
きが互いに逆向きになることによって界面磁壁（900）
が発生する。（第28図−状態Ｇ）。この状態Ｇから、室
温TRまで冷却してくると、第２及び第３の磁性薄膜（20
0）及び（300）間の界面磁壁エネルギーをσW2として、 σW2−２・MS3・h3・Hex＜＜２・MS3・h3・HC3……（０
−11） σW2−σW1−２・MS2・h2・Hex＞＞２・MS2・h2・HC2…
…（０−12） なる関係式を満たすように設定して、第２の磁性薄膜
（200）は第３の磁性薄膜（300）のため初期の状態Ｃに
なり、これにより‘1'の記録部を形成するとしている。
態Ｃにある。温度をT1に昇温すると、第１の磁性薄膜
（100）の磁化が消失する（第28図−状態Ｅ）。TC1以下
に降温すると、第１の磁性薄膜（100）のTM副格子磁化
方向は、第２の磁性薄膜（200）のTM副格子磁化方向と
揃う。室温まで降温して初期の状態Ａになる。これによ
り‘0'の記録部を形成する。温度をT2に昇温すると、第
１及び第２の磁性薄膜（100）及び（200）の磁化が消失
し、第２の磁性薄膜（200）は外部磁界HexによりTM副格
子磁化が反転する（第28図−状態Ｆ）TC1近傍に降温す
ると、第１の磁性薄膜（100）のTM副格子磁化方向は、
第２の磁性薄膜（200）のTM副格子磁化方向と揃う。こ
の副格子磁化方向の転写は前記T1に昇温する場合と同様
のものである。但し第２の磁性薄膜（200）の磁化方向
が逆であり、外部磁界によらず交換力により転写されな
ければならないので、第ｉの磁性薄膜の膜厚をhi、磁化
をMsi、保磁力をHci、第１及び第２の磁性薄膜（100）
及び（200）間の界面磁壁エネルギー密度をσW1とし、 σW1＞2|MS1|・h1・Hex ……（０−５） なる関係を満たさなければならない。このためHexは大
きくすることができず、発明の効果Ｈで、この副格子磁
化転写においてはHexは大きく見積っても1KOe以下であ
ると記述している。第４の磁性薄膜（400）には第２及
び第３の磁性薄膜（200）及び（300）の副格子磁化の向
きが互いに逆向きになることによって界面磁壁（900）
が発生する。（第28図−状態Ｇ）。この状態Ｇから、室
温TRまで冷却してくると、第２及び第３の磁性薄膜（20
0）及び（300）間の界面磁壁エネルギーをσW2として、 σW2−２・MS3・h3・Hex＜＜２・MS3・h3・HC3……（０
−11） σW2−σW1−２・MS2・h2・Hex＞＞２・MS2・h2・HC2…
…（０−12） なる関係式を満たすように設定して、第２の磁性薄膜
（200）は第３の磁性薄膜（300）のため初期の状態Ｃに
なり、これにより‘1'の記録部を形成するとしている。
第29図は、同公報に実施例２として記載されている方
法に関する磁化過程の説明図第30図は第29図の磁性薄膜
（200）の磁化及び保磁力の温度特性図である。図にお
いて、破線の矢印はRE副格子磁化を表わす。ここで各磁
性薄膜は、例えば、表１に示すものを構成し、特に第２
の磁性薄膜（200）は第30図に示す磁化及び保磁力の温
度特性を持っている。外部磁界は、 HC2＜Hex となるように設定し、ここでは1kOe以上発生させてあ
る。記録動作は前記とほぼ同様であるが、第２の磁性薄
膜（２）の初期化はその保磁力より外部磁界を大きく設
定して、第28図に示した記録媒体と同じ条件を満たし初
期化が行なわれるとしている。
法に関する磁化過程の説明図第30図は第29図の磁性薄膜
（200）の磁化及び保磁力の温度特性図である。図にお
いて、破線の矢印はRE副格子磁化を表わす。ここで各磁
性薄膜は、例えば、表１に示すものを構成し、特に第２
の磁性薄膜（200）は第30図に示す磁化及び保磁力の温
度特性を持っている。外部磁界は、 HC2＜Hex となるように設定し、ここでは1kOe以上発生させてあ
る。記録動作は前記とほぼ同様であるが、第２の磁性薄
膜（２）の初期化はその保磁力より外部磁界を大きく設
定して、第28図に示した記録媒体と同じ条件を満たし初
期化が行なわれるとしている。
さらに、特開平１−241051号公報に記載されているよ
うに磁性体層を４層化し、光の強弱のみでオーバーライ
トを可能にする技術が提案されている。第31図にこのオ
ーバーライト作用を説明する図を示す。第４磁性層を例
えば上向きに着磁しておき、第２磁性層、第３磁性層、
第４磁性層は室温にて副格子磁化が揃うように構成して
いる。（第31図（ａ））。第１磁性層の磁化方向が上向
き、下向きのいずれであっても、記録媒体をTc1以上に
昇温すると、第１磁性層の磁化は消失する。降温するに
従い、Tc1以下で第１磁性層の副格子磁化方向は第２磁
性層の副格子磁化方向と揃うように磁化は発生し（第31
図（ｇ））、第１磁性層は上向きに磁化される（第31図
（ｆ））。記録媒体をTH以上に昇温すると、やはり第１
磁性層、第３磁性層の磁化は消失する。この時第４磁性
層からの交換力は第２磁性層には働かず、第２磁性層は
反磁界により初期化された方向と逆方向に磁化される
（第31図（ｅ））。さらに降温して、Tc1以下で第１磁
性層の副格子磁化方向は、第２磁性層の副格子磁化方向
と揃い、下向きになる（第31図（ｉ））。さらに降温し
て室温に戻ると、第２磁性層が第３磁性層からの交換力
で初期化され（第31図（ｈ））、記録可能としている。
うに磁性体層を４層化し、光の強弱のみでオーバーライ
トを可能にする技術が提案されている。第31図にこのオ
ーバーライト作用を説明する図を示す。第４磁性層を例
えば上向きに着磁しておき、第２磁性層、第３磁性層、
第４磁性層は室温にて副格子磁化が揃うように構成して
いる。（第31図（ａ））。第１磁性層の磁化方向が上向
き、下向きのいずれであっても、記録媒体をTc1以上に
昇温すると、第１磁性層の磁化は消失する。降温するに
従い、Tc1以下で第１磁性層の副格子磁化方向は第２磁
性層の副格子磁化方向と揃うように磁化は発生し（第31
図（ｇ））、第１磁性層は上向きに磁化される（第31図
（ｆ））。記録媒体をTH以上に昇温すると、やはり第１
磁性層、第３磁性層の磁化は消失する。この時第４磁性
層からの交換力は第２磁性層には働かず、第２磁性層は
反磁界により初期化された方向と逆方向に磁化される
（第31図（ｅ））。さらに降温して、Tc1以下で第１磁
性層の副格子磁化方向は、第２磁性層の副格子磁化方向
と揃い、下向きになる（第31図（ｉ））。さらに降温し
て室温に戻ると、第２磁性層が第３磁性層からの交換力
で初期化され（第31図（ｈ））、記録可能としている。
従来の光磁気記録媒体は以上のように構成されてい
る。このため大きな磁場を有する初期化磁石を用いなけ
ればならず、光ディスク録再装置全体の構成が複雑とな
り、同装置が大型化することなどの課題があった。ま
た、特開昭63−268103号公報の実施例１に記載されたよ
うな方式において、状態Ｇから状態Ｃへの遷移条件は
（０−12）式に示されているように、Hexは第２の磁性
薄膜（200）の初期化を起きにくくするように作用する
ため、小さくする必要があった。しかし、Hexを小さく
設定すると、T2に昇温したとき、第２の磁性薄膜（20
0）のHexによる書き込みが困難になって、状態Ｆが実現
されず、オーバーライト記録が困難であった。また（０
−11）式を満たすように設定しても熱磁気記録媒体（10
1）が移動して、Hexが印加されていないところで第３の
磁性薄膜（300）の副格子磁化が反転して、オーバーラ
イトが不可能になる場合があった。
る。このため大きな磁場を有する初期化磁石を用いなけ
ればならず、光ディスク録再装置全体の構成が複雑とな
り、同装置が大型化することなどの課題があった。ま
た、特開昭63−268103号公報の実施例１に記載されたよ
うな方式において、状態Ｇから状態Ｃへの遷移条件は
（０−12）式に示されているように、Hexは第２の磁性
薄膜（200）の初期化を起きにくくするように作用する
ため、小さくする必要があった。しかし、Hexを小さく
設定すると、T2に昇温したとき、第２の磁性薄膜（20
0）のHexによる書き込みが困難になって、状態Ｆが実現
されず、オーバーライト記録が困難であった。また（０
−11）式を満たすように設定しても熱磁気記録媒体（10
1）が移動して、Hexが印加されていないところで第３の
磁性薄膜（300）の副格子磁化が反転して、オーバーラ
イトが不可能になる場合があった。
また、第２の磁性薄膜（200）がRE副格子磁化優勢で
室温以上で補償温度を有する例が同公報の実施例２に挙
げられているが、第２の磁性薄膜（200）の初期化プロ
セスは外部磁界により生じるさせるため、Hexはかなり
大きな磁界を必要になる。このとき、Tc1近傍における
第２の磁性薄膜（200）から第１の磁性薄膜（100）に副
格子磁化方向の転写がされるプロセス、即ち状態Ｆから
状態Ｇへ状態遷移プロセスが起きにくくなり、オーバー
ライト記録が困難であった。加えて第２磁性層単層での
保磁力を第１表のようにすることは困難であり、できた
としても書き込みが良好にされない問題があった。
室温以上で補償温度を有する例が同公報の実施例２に挙
げられているが、第２の磁性薄膜（200）の初期化プロ
セスは外部磁界により生じるさせるため、Hexはかなり
大きな磁界を必要になる。このとき、Tc1近傍における
第２の磁性薄膜（200）から第１の磁性薄膜（100）に副
格子磁化方向の転写がされるプロセス、即ち状態Ｆから
状態Ｇへ状態遷移プロセスが起きにくくなり、オーバー
ライト記録が困難であった。加えて第２磁性層単層での
保磁力を第１表のようにすることは困難であり、できた
としても書き込みが良好にされない問題があった。
さらに、特開平１−241051号公報に記載されたような
方式では、第２磁性層への書き込みが補償点記録方式で
あるが、第２磁性層が室温以上、記録時の媒体温度以下
に補償温度を持つため、浮遊磁界が有効には働かず、記
録が良好にされず、例えばデジタル記録に必要な再生信
号は全く得られず、オーバーライト記録が困難であっ
た。また、温度がTL以下でも第１磁性層との交換力が働
いているため、第２磁性層の初期化が完全にされず、オ
ーバーライト記録が不可能になる等の問題点があった。
方式では、第２磁性層への書き込みが補償点記録方式で
あるが、第２磁性層が室温以上、記録時の媒体温度以下
に補償温度を持つため、浮遊磁界が有効には働かず、記
録が良好にされず、例えばデジタル記録に必要な再生信
号は全く得られず、オーバーライト記録が困難であっ
た。また、温度がTL以下でも第１磁性層との交換力が働
いているため、第２磁性層の初期化が完全にされず、オ
ーバーライト記録が不可能になる等の問題点があった。
この発明に係る光磁気記録媒体は、 （１）垂直磁気異方性を有する第１磁性層、この第１磁
性層に設けられ上記第１磁性層と交換力で結合され、希
土類金属副格子磁化優勢膜である第２磁性層、この第２
磁性層に設けられ上記第２磁性層と交換力で結合された
第３磁性層、この第３磁性層に設けられ上記第３磁性層
と交換力で結合され希土類金属副格子磁化優勢膜である
第４磁性層と備え、 第２磁性層のキユリー温度が第１磁性層のキユリー温
度よりも高く、 かつ、第４磁性層のキユリー温度が第１磁性層のキユ
リー温度よりも高く、 かつ、第２磁性層のキユリー温度が第３磁性層のキユ
リー温度よりも高く、 かつ、第４磁性層のキユリー温度が第３磁性層のキユ
リー温度よりも高く、 かつ第４磁性層のキュリー温度が第２磁性層のキュリ
ー温度よりも高く、かつ室温にて第１磁性層の磁化は第
２磁性層の磁化反転により反転せず、 かつ記録動作後に室温にて第２磁性層、第３磁性層及
び第４磁性層の副格子磁化方向が上向き又は下向きに揃
っていて、 かつ室温から第１磁性層と第３磁性層のキユリー温度
の低い方の温度までの間で HC2＜HW2 を満足する温度が存在することを特徴とする光磁気記録
媒体である。
性層に設けられ上記第１磁性層と交換力で結合され、希
土類金属副格子磁化優勢膜である第２磁性層、この第２
磁性層に設けられ上記第２磁性層と交換力で結合された
第３磁性層、この第３磁性層に設けられ上記第３磁性層
と交換力で結合され希土類金属副格子磁化優勢膜である
第４磁性層と備え、 第２磁性層のキユリー温度が第１磁性層のキユリー温
度よりも高く、 かつ、第４磁性層のキユリー温度が第１磁性層のキユ
リー温度よりも高く、 かつ、第２磁性層のキユリー温度が第３磁性層のキユ
リー温度よりも高く、 かつ、第４磁性層のキユリー温度が第３磁性層のキユ
リー温度よりも高く、 かつ第４磁性層のキュリー温度が第２磁性層のキュリ
ー温度よりも高く、かつ室温にて第１磁性層の磁化は第
２磁性層の磁化反転により反転せず、 かつ記録動作後に室温にて第２磁性層、第３磁性層及
び第４磁性層の副格子磁化方向が上向き又は下向きに揃
っていて、 かつ室温から第１磁性層と第３磁性層のキユリー温度
の低い方の温度までの間で HC2＜HW2 を満足する温度が存在することを特徴とする光磁気記録
媒体である。
但し HC2は４層に積層され、かつ第１磁性層と第３磁性層
の副格子磁化が互いに反平行である時に得られる第２磁
性層の保磁力であり、 HW2は４層に積層され、かつ第１磁性層と第３磁性層
の副格子磁化が互いに反平行である時に得られる第２磁
性層が隣接する第１磁性層と第３磁性層からうける交換
力である。
の副格子磁化が互いに反平行である時に得られる第２磁
性層の保磁力であり、 HW2は４層に積層され、かつ第１磁性層と第３磁性層
の副格子磁化が互いに反平行である時に得られる第２磁
性層が隣接する第１磁性層と第３磁性層からうける交換
力である。
（２）請求項２に係る発明は請求項１において第１磁性
層の膜厚が200Å以上1200Å以下であることを特徴とす
る。
層の膜厚が200Å以上1200Å以下であることを特徴とす
る。
（３）請求項３に係る発明は請求項１から２のいずれか
において第２磁性層の膜厚が第１磁性層の膜厚よりも厚
いことを特徴とする。
において第２磁性層の膜厚が第１磁性層の膜厚よりも厚
いことを特徴とする。
（４）請求項４に係る発明は請求項１から３のいずれか
において第２磁性層は鉄及びコバルトを含みこの鉄とコ
バルトに対するコバルトの割合は0.5よりも小さいこと
を特徴とする。
において第２磁性層は鉄及びコバルトを含みこの鉄とコ
バルトに対するコバルトの割合は0.5よりも小さいこと
を特徴とする。
（５）請求項５に係る発明は請求項１から４のいずれか
において第２磁性層にガドリニウムとディスプロシウム
を含む希土類金属と遷移金属の非晶質磁性膜を用いるこ
とを特徴とする。
において第２磁性層にガドリニウムとディスプロシウム
を含む希土類金属と遷移金属の非晶質磁性膜を用いるこ
とを特徴とする。
（６）請求項６に係る発明は請求項１から５のいずれか
において第３磁性層が垂直磁気異方性を有することを特
徴とする。
において第３磁性層が垂直磁気異方性を有することを特
徴とする。
（７）請求項７に係る発明は請求項１から６のいずれか
において第３磁性層を遷移金属副格子磁化優勢とするこ
とを特徴とする。
において第３磁性層を遷移金属副格子磁化優勢とするこ
とを特徴とする。
（８）請求項８に係る発明は請求項１から７のいずれか
において第３磁性層が希土類金属と遷移金属からなる非
晶質磁性膜であり、遷移金属の組成がFe1−xCoxを含む
み０＜Ｘ≦0.3であることを特徴とする。
において第３磁性層が希土類金属と遷移金属からなる非
晶質磁性膜であり、遷移金属の組成がFe1−xCoxを含む
み０＜Ｘ≦0.3であることを特徴とする。
（９）請求項９に係る発明は請求項１から８のいずれか
において第３磁性層の膜厚が100Åより大きく800Åより
小さいことを特徴とする。
において第３磁性層の膜厚が100Åより大きく800Åより
小さいことを特徴とする。
（10）請求項10に係る発明は請求項１から９のいずれか
において第４磁性層は鉄及びコバルトを含み、この鉄と
コバルトに対するコバルトの割合が0.5よりも小さいこ
とを特徴とする。
において第４磁性層は鉄及びコバルトを含み、この鉄と
コバルトに対するコバルトの割合が0.5よりも小さいこ
とを特徴とする。
（11）請求項11に係る発明は請求項１から10のいずれか
において第３磁性層と第４磁性層にテルビウムを含むこ
とを特徴とする。
において第３磁性層と第４磁性層にテルビウムを含むこ
とを特徴とする。
（12）請求項12に係る発明は光磁気記録媒体の記録層に
対して、情報を上向き磁化を有するビット下向き磁化を
有するビットで記録する光磁気記録装置において、媒体
として特許請求項１から11項記載の光磁気記録媒体を使
用し、レーザービームを媒体に照射する手段、前記ビー
ムを記録すべき２値化情報に従って、前記光磁気媒体を
２値化情報が消失する温度以上に昇温する手段、前記ビ
ームを照射した媒体部分に記録磁界を印加する手段から
なることを特徴とする。
対して、情報を上向き磁化を有するビット下向き磁化を
有するビットで記録する光磁気記録装置において、媒体
として特許請求項１から11項記載の光磁気記録媒体を使
用し、レーザービームを媒体に照射する手段、前記ビー
ムを記録すべき２値化情報に従って、前記光磁気媒体を
２値化情報が消失する温度以上に昇温する手段、前記ビ
ームを照射した媒体部分に記録磁界を印加する手段から
なることを特徴とする。
（13）請求項13に記載の発明は請求項12において記録用
レーザービームのスポットを追従する再生用レーザービ
ームが設けられていることを特徴とする。
レーザービームのスポットを追従する再生用レーザービ
ームが設けられていることを特徴とする。
（14）請求項14に記載の発明は請求項13において記録用
レーザービームと再生用レーザービームの波長が異なる
ことを特徴とする。
レーザービームと再生用レーザービームの波長が異なる
ことを特徴とする。
上記のような構成とすることにより、請求項１の光磁
気記録媒体によりオーバライトが可能となり、請求項１
から12の光磁気記録媒体により各層間の相互関係を向上
させることによりオーバライトの特性を良好とし、請求
項13から15の光磁気記録装置により初期化磁石を有さず
にオーバライト記録が可能となる。
気記録媒体によりオーバライトが可能となり、請求項１
から12の光磁気記録媒体により各層間の相互関係を向上
させることによりオーバライトの特性を良好とし、請求
項13から15の光磁気記録装置により初期化磁石を有さず
にオーバライト記録が可能となる。
以下この発明の実施例により具体的に説明する。
実施例１ 第１図にこの発明の一実施例の光磁気記録媒体の構成
を示す。
を示す。
この記録媒体は例えばガラス基板上にスパッター法等
で例えば、 誘電体層:SiNx 650Å 第１磁性層:Tb22Fe69Co99 800Å 第２磁性層:Gd8Dy17Fe60Co015 1500Å 第３磁性層:Tb16Fe84 200Å 第４磁性層:Tb30Co70 400Å 保護層:SiNx 700Å を形成した。ここで隣接する磁性層は交換力で結合して
いる。第１磁性層は情報の記録・保持を行なう記録層で
ある。第２磁性層、第３磁性層及び第４磁性層は情報媒
体の役割を有さず、光変調ダイレクト・オーバーライト
を可能にした付加層で、第４磁性層はレーザー照射によ
る温度上昇に対し動作範囲で副格子磁化の反転はせずバ
イアス磁界と対抗する作用を有する初期化層である。第
３磁性層は第４磁性層からの交換力を高温で遮断するた
めの制御層である。
で例えば、 誘電体層:SiNx 650Å 第１磁性層:Tb22Fe69Co99 800Å 第２磁性層:Gd8Dy17Fe60Co015 1500Å 第３磁性層:Tb16Fe84 200Å 第４磁性層:Tb30Co70 400Å 保護層:SiNx 700Å を形成した。ここで隣接する磁性層は交換力で結合して
いる。第１磁性層は情報の記録・保持を行なう記録層で
ある。第２磁性層、第３磁性層及び第４磁性層は情報媒
体の役割を有さず、光変調ダイレクト・オーバーライト
を可能にした付加層で、第４磁性層はレーザー照射によ
る温度上昇に対し動作範囲で副格子磁化の反転はせずバ
イアス磁界と対抗する作用を有する初期化層である。第
３磁性層は第４磁性層からの交換力を高温で遮断するた
めの制御層である。
次に動作について説明する。
〔Ｏ〕初期化過程 光磁気記録媒体の成膜後、記録媒体を第２磁性層、第
３磁性層、第４磁性層を最初に一度だけ遷移金属副格子
磁化は下向きに配向させ、24個の副格子磁化構成のうち
第２図の２通りの磁化状態にさせておく。この２状態が
記録後の記録状態になる。第２図の白抜き矢印は磁化
を、その中の矢印あるいは単独で表わす矢印は遷移金属
副格子磁化を、斜線部は磁性層間で磁壁が生じている状
態を、横棒線はキユリー温度以上に昇温し強磁性が失わ
れている状態を示している。
３磁性層、第４磁性層を最初に一度だけ遷移金属副格子
磁化は下向きに配向させ、24個の副格子磁化構成のうち
第２図の２通りの磁化状態にさせておく。この２状態が
記録後の記録状態になる。第２図の白抜き矢印は磁化
を、その中の矢印あるいは単独で表わす矢印は遷移金属
副格子磁化を、斜線部は磁性層間で磁壁が生じている状
態を、横棒線はキユリー温度以上に昇温し強磁性が失わ
れている状態を示している。
第３図に示すように第４磁性層の遷移金属副格子磁化
を下向きに配向させるためには、第４磁性層が遷移金属
副格子磁化優勢の磁性体で構成されている場合には下向
き、希土類金属副格子磁化優勢の磁性体で構成されてい
る場合には上向きに、第４磁性層の反転磁界以上の磁界
中にさらす。但し反転磁界が著しく大きく初期化が困難
な場合には記録媒体を加熱あるいは冷却して行なう。
を下向きに配向させるためには、第４磁性層が遷移金属
副格子磁化優勢の磁性体で構成されている場合には下向
き、希土類金属副格子磁化優勢の磁性体で構成されてい
る場合には上向きに、第４磁性層の反転磁界以上の磁界
中にさらす。但し反転磁界が著しく大きく初期化が困難
な場合には記録媒体を加熱あるいは冷却して行なう。
以下で特に明示しない場合には遷移金属副格子磁化を
磁化を表記する。
磁化を表記する。
初期化過程では低温動作において第３磁性層のキユリ
ー温度以上に昇温する場合は、第４図の第３磁性層の磁
化が第２磁性層、第４磁性層と反平行の２状態に初期化
が行なわれているもよく、この場合は低温動作および高
温動作のいずれの過程が行なわれても最終的には第１図
の２状態になる。
ー温度以上に昇温する場合は、第４図の第３磁性層の磁
化が第２磁性層、第４磁性層と反平行の２状態に初期化
が行なわれているもよく、この場合は低温動作および高
温動作のいずれの過程が行なわれても最終的には第１図
の２状態になる。
前述のように記録前には第２磁性層及び第４磁性層の
磁化を同方向に配向している方がよい。例えば第２磁性
層が遷移金属副格子磁化優勢（以下TM−rich）、第４磁
性層が希土類金属副格子磁化優勢（以下RE−rich）であ
っても反転磁界の差を利用して初期化は可能となる。し
かし初期化を行う温度で両層が同一元素優勢であれば、
第２磁性層、第４磁性層の両方が一方向一様に配向する
磁界にさらすのみで初期化ができるので、簡便に初期化
ができる。望ましくは室温で同一元素優勢であるものが
よい。
磁化を同方向に配向している方がよい。例えば第２磁性
層が遷移金属副格子磁化優勢（以下TM−rich）、第４磁
性層が希土類金属副格子磁化優勢（以下RE−rich）であ
っても反転磁界の差を利用して初期化は可能となる。し
かし初期化を行う温度で両層が同一元素優勢であれば、
第２磁性層、第４磁性層の両方が一方向一様に配向する
磁界にさらすのみで初期化ができるので、簡便に初期化
ができる。望ましくは室温で同一元素優勢であるものが
よい。
〔１〕低温動作 第５図に示すように再生時よりレーザー出力を上昇さ
せ集光スポット内の磁性層が第１磁性層のキユリー温度
近傍にまで昇温したときは、第２磁性層の磁化方向は変
化せず、第２磁性層の磁化が第１磁性層に転写され、第
１磁性層の磁化は下向きになる。
せ集光スポット内の磁性層が第１磁性層のキユリー温度
近傍にまで昇温したときは、第２磁性層の磁化方向は変
化せず、第２磁性層の磁化が第１磁性層に転写され、第
１磁性層の磁化は下向きになる。
このとき第３磁性層、第４磁性層は動作に対する寄与
は特になく、第３磁性層の磁化が消失しても第４磁性層
との交換力で再び同方向に磁化され、初期状態「０」に
なる。
は特になく、第３磁性層の磁化が消失しても第４磁性層
との交換力で再び同方向に磁化され、初期状態「０」に
なる。
また第３磁性層の磁化が第２磁性層及び第４磁性層の
磁化と反平行の場合でも第３磁性層のキユリー温度以上
に昇温する場合には、記録動作中で第３磁性層の磁化が
消失する過程を通るので室温での第３磁性層の磁化状態
は特に問題にならずに記録過程後には初期状態「０」に
なる。
磁化と反平行の場合でも第３磁性層のキユリー温度以上
に昇温する場合には、記録動作中で第３磁性層の磁化が
消失する過程を通るので室温での第３磁性層の磁化状態
は特に問題にならずに記録過程後には初期状態「０」に
なる。
バイアス磁界は第４磁性層の磁化配向に対して、第２
磁性層の磁化配向がキユリー温度近傍で対抗するように
発生させる。すなわち第４磁性層が下向きに配向させて
ある場合にはキユリー温度以下で補償温度を有する磁性
体で構成されている場合には上向き、キユリー温度以下
で補償温度を有さない磁性体で構成されている場合には
下向きに発生させる。この実施例では上向きに発生させ
る。
磁性層の磁化配向がキユリー温度近傍で対抗するように
発生させる。すなわち第４磁性層が下向きに配向させて
ある場合にはキユリー温度以下で補償温度を有する磁性
体で構成されている場合には上向き、キユリー温度以下
で補償温度を有さない磁性体で構成されている場合には
下向きに発生させる。この実施例では上向きに発生させ
る。
第６図に示すように第２磁性層のキユリー温度近傍に
まで昇温したときは、第１磁性層、第３磁性層の磁化は
消失するが第４磁性層の磁化方向は変化しない。第１磁
性層、第３磁性層からの交換力を受けず外部磁界により
第２磁性層の磁化は上向きになる。
まで昇温したときは、第１磁性層、第３磁性層の磁化は
消失するが第４磁性層の磁化方向は変化しない。第１磁
性層、第３磁性層からの交換力を受けず外部磁界により
第２磁性層の磁化は上向きになる。
第１磁性層のキユリー温度TC1より降温したとき、第
２磁性層の磁化が第１磁性層に転写された第１磁性層の
磁化は上向きになる。
２磁性層の磁化が第１磁性層に転写された第１磁性層の
磁化は上向きになる。
第３磁性層のキユリー温度TC3より降温したとき、第
３磁性層の磁化は第４磁性層と揃い下向きになり、さら
に温度が下がり第２磁性層の磁化は第３磁性層を介して
第４磁性層の磁化と揃い下向きになって、初期状態
「１」になる。
３磁性層の磁化は第４磁性層と揃い下向きになり、さら
に温度が下がり第２磁性層の磁化は第３磁性層を介して
第４磁性層の磁化と揃い下向きになって、初期状態
「１」になる。
第２磁性層のキユリー温度TC2近傍においては第４磁
性層の保磁力が大きければ、高温動作時に磁化反転を起
さないので、TC2近傍に第４磁性層の補償温度があるよ
うにするため第４磁性層がRE−richのものが望ましい。
また、初期化の際に第２磁性層の保磁力は小さい方がよ
く、初期化が起こるTc3以下で保磁力が小さいようにす
るため、第２磁性層もRE−richのものが望ましい。
性層の保磁力が大きければ、高温動作時に磁化反転を起
さないので、TC2近傍に第４磁性層の補償温度があるよ
うにするため第４磁性層がRE−richのものが望ましい。
また、初期化の際に第２磁性層の保磁力は小さい方がよ
く、初期化が起こるTc3以下で保磁力が小さいようにす
るため、第２磁性層もRE−richのものが望ましい。
第７図（ａ）に室温での磁化曲線及び第７図（ｂ）に
TC3近傍での磁化曲線を示す。高温動作でTC3より降温し
たときの第２磁性層の磁化配向については状態１′から
状態１への状態遷移が必要となる。この時の磁化反転は
下図の第２磁性層のみに関する２つの磁化曲線（ｎ−10
0p及びｃ−100p）において、状態１′から状態１への状
態遷移はｃ−100pの２つの反転磁界が印加磁界が零にし
て同じ方向に存在するとき生じる。室温ではｃ−100pが
零を跨いているが、第７図（ｂ）に示すようにTC3近傍
（TC3より低温）で零を跨がず状態１′から状態１への
状態遷移が起きている。
TC3近傍での磁化曲線を示す。高温動作でTC3より降温し
たときの第２磁性層の磁化配向については状態１′から
状態１への状態遷移が必要となる。この時の磁化反転は
下図の第２磁性層のみに関する２つの磁化曲線（ｎ−10
0p及びｃ−100p）において、状態１′から状態１への状
態遷移はｃ−100pの２つの反転磁界が印加磁界が零にし
て同じ方向に存在するとき生じる。室温ではｃ−100pが
零を跨いているが、第７図（ｂ）に示すようにTC3近傍
（TC3より低温）で零を跨がず状態１′から状態１への
状態遷移が起きている。
このように高温動作時の第２磁性層の初期化に際し
て、第２磁性層の保磁力が単層状態のものに比べて小さ
くなることが見いだされた。初期化のためには第２磁性
層の保磁力は小さい方が望ましいので、この現象は初期
化動作を助けるように働いていることがわかる。
て、第２磁性層の保磁力が単層状態のものに比べて小さ
くなることが見いだされた。初期化のためには第２磁性
層の保磁力は小さい方が望ましいので、この現象は初期
化動作を助けるように働いていることがわかる。
Tciを第ｉ磁性層のキユリー温度、HCiを第ｉ磁性層の
反転磁界の半分の磁界幅（保磁力に相当するもの）、H
Wiを隣接する磁性層からの第ｉ磁性層の受ける交換力
（第ｉ磁性層のループの遷移幅で、第２磁性層、第３磁
性層には第８図のような磁化反転に対して定義する。） として、本実施例での磁気特性は、 ・TC4＞（Tcomp4）＞TC2＞TC1＞（Tcomp2） ＞TC3＞（室温） ……（１） ・第１磁性層:HW1＜HC1;〜室温 ……（２） HW1＞HC1;〜TC1 ……（３） ・第２磁性層:HW2＞HC2;〜TC3 ……（４） HW2＜HC2;〜TC1 ……（５） ・第３磁性層 HW3＞HC3;〜TC3 ……（６） ・第４磁性層 HW4＜HC4;動作温度範囲内 ……（７） であり、（２）は室温で第１磁性層の磁化は第２磁性層
の磁化反転により反転せず、（４），（６）〜（７）は
記録後に室温で第２磁性層、第３磁性層及び第４磁性層
の磁化方向が下向きにっていることを示す。
反転磁界の半分の磁界幅（保磁力に相当するもの）、H
Wiを隣接する磁性層からの第ｉ磁性層の受ける交換力
（第ｉ磁性層のループの遷移幅で、第２磁性層、第３磁
性層には第８図のような磁化反転に対して定義する。） として、本実施例での磁気特性は、 ・TC4＞（Tcomp4）＞TC2＞TC1＞（Tcomp2） ＞TC3＞（室温） ……（１） ・第１磁性層:HW1＜HC1;〜室温 ……（２） HW1＞HC1;〜TC1 ……（３） ・第２磁性層:HW2＞HC2;〜TC3 ……（４） HW2＜HC2;〜TC1 ……（５） ・第３磁性層 HW3＞HC3;〜TC3 ……（６） ・第４磁性層 HW4＜HC4;動作温度範囲内 ……（７） であり、（２）は室温で第１磁性層の磁化は第２磁性層
の磁化反転により反転せず、（４），（６）〜（７）は
記録後に室温で第２磁性層、第３磁性層及び第４磁性層
の磁化方向が下向きにっていることを示す。
以上のような動作によりレーザー光強度のみを変調す
ることにより、光変調ダイレクトオーバーライトが可能
である。1.6μｍ間隔の溝付き基板に上記誘電体層、磁
性層、保護層を設けた光磁気記録媒体において、ビット
長２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を、線速11
m/sec,印加磁界300ｅ、レーザーパワーをピークパワ
ー13mW,ボトムパワーを5mWに強度変調して消し残りなく
CN比47dBが得られた。
ることにより、光変調ダイレクトオーバーライトが可能
である。1.6μｍ間隔の溝付き基板に上記誘電体層、磁
性層、保護層を設けた光磁気記録媒体において、ビット
長２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を、線速11
m/sec,印加磁界300ｅ、レーザーパワーをピークパワ
ー13mW,ボトムパワーを5mWに強度変調して消し残りなく
CN比47dBが得られた。
上記実施例では、具体的な各磁性層の組成、膜厚等を
示しているが、これらは確実にオーバーライトができる
キユリー温度及び保磁力の条件に加え、オーバーライト
の特性を向上する為に決定されるもので、研究の結果以
下のように構成すればオーバーライト特性の向上を図る
ことができる。
示しているが、これらは確実にオーバーライトができる
キユリー温度及び保磁力の条件に加え、オーバーライト
の特性を向上する為に決定されるもので、研究の結果以
下のように構成すればオーバーライト特性の向上を図る
ことができる。
（１）第１磁性層の膜厚（t1）について 第１磁性層の膜厚以外は実施例１と同じ構成の記録媒
体を作成し、第１磁性層の膜厚を種々変化させた。そこ
でビット長２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を
線速11m/sec印加磁界300Oeの条件でCN比を測定したとこ
ろ、第９図のようになった。
体を作成し、第１磁性層の膜厚を種々変化させた。そこ
でビット長２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を
線速11m/sec印加磁界300Oeの条件でCN比を測定したとこ
ろ、第９図のようになった。
ここでCN比が42dB以上、得られる第１磁性層の膜厚は
200Åから1200Åまでであった。この原因は200Å未満の
場合、レーザ光の侵入深さが200Å以上になるため第２
磁性層の表面にレーザ光が達してしまうことであり、12
00Åを越える場合は許容磁界範囲の上限が小さくなるた
めである。
200Åから1200Åまでであった。この原因は200Å未満の
場合、レーザ光の侵入深さが200Å以上になるため第２
磁性層の表面にレーザ光が達してしまうことであり、12
00Åを越える場合は許容磁界範囲の上限が小さくなるた
めである。
（２）第１磁性層の膜厚（t1）＜第２磁性層の膜厚（t
2） 特開昭63−268103の実施例２で、第２の磁性層を室温
にて初期化状態になるようにするため、第１磁性層を50
0Å、第２の磁性層を300Åと、第２の磁性層を薄くした
実施例が表１に示されている。しかし、本発明の光磁気
記録媒体は第３磁性層のキユリー温度（TC3）以上では
第４磁性層から第２磁性層への交換力は遮断され働かな
い。そのため低温と高温の各動作において第１磁性層の
磁化方向が第２磁性層の磁化方向に揃うために 第１磁性層:HW1＞HC1;〜TC1 （３） 第２磁性層:HW2＜HC2;〜TC1 （５） を満足する必要がある。ここで各層に働く交換力HWiは
膜厚に反比例するため膜厚に関しては第１磁性層は薄
く、第２磁性層は厚くするほうがよく、各動作でこの第
１磁性層の磁化方向を第２磁性層の磁化方向に安定して
揃うためには第２磁性層の膜厚を第１磁性層より厚くす
ることが望ましい。第10図に実施例１の組成で第１磁性
層と第２磁性層の膜厚を変化させ消去比を測定した結果
を示す。第１磁性層の膜厚t1を600,800,1000Åと変化さ
せたところ第２磁性層の膜厚t2に対し、t1＜t2において
消去比30dB以上が得られた。しかし第１磁性層の膜厚t1
を400Åとさらに薄くしても消去比30dB以上を得るため
にはt2≧600Åが必要である。但し、交換力を制御する
ための中間層（50Å程度の磁性層もしくは誘電体層な
ど）を設けた場合、第２磁性層の膜厚は第１磁性層と同
じか、それ以下でもよい。
2） 特開昭63−268103の実施例２で、第２の磁性層を室温
にて初期化状態になるようにするため、第１磁性層を50
0Å、第２の磁性層を300Åと、第２の磁性層を薄くした
実施例が表１に示されている。しかし、本発明の光磁気
記録媒体は第３磁性層のキユリー温度（TC3）以上では
第４磁性層から第２磁性層への交換力は遮断され働かな
い。そのため低温と高温の各動作において第１磁性層の
磁化方向が第２磁性層の磁化方向に揃うために 第１磁性層:HW1＞HC1;〜TC1 （３） 第２磁性層:HW2＜HC2;〜TC1 （５） を満足する必要がある。ここで各層に働く交換力HWiは
膜厚に反比例するため膜厚に関しては第１磁性層は薄
く、第２磁性層は厚くするほうがよく、各動作でこの第
１磁性層の磁化方向を第２磁性層の磁化方向に安定して
揃うためには第２磁性層の膜厚を第１磁性層より厚くす
ることが望ましい。第10図に実施例１の組成で第１磁性
層と第２磁性層の膜厚を変化させ消去比を測定した結果
を示す。第１磁性層の膜厚t1を600,800,1000Åと変化さ
せたところ第２磁性層の膜厚t2に対し、t1＜t2において
消去比30dB以上が得られた。しかし第１磁性層の膜厚t1
を400Åとさらに薄くしても消去比30dB以上を得るため
にはt2≧600Åが必要である。但し、交換力を制御する
ための中間層（50Å程度の磁性層もしくは誘電体層な
ど）を設けた場合、第２磁性層の膜厚は第１磁性層と同
じか、それ以下でもよい。
（３）第２磁性層においてCo/（Fe＋Co）＜0.5 誘電体層:SiNx 650Å 第１磁性層:Tb22Fe69Co9 800Å 第２磁性層:Gd8Dy17（Fe1-αCoα）75 1500Å Gd15Dy10（Fe1-αCoα）75 第３磁性層:Tb16Fe84 200Å 第４磁性層:Tb30Co70 400Å 保護膜:SiNx 700Å 上記構成においてαと消去比の関係は第11図のように
なる。これはCo量が増加すると第２磁性層の垂直磁気異
方性が増加し、第２磁性層の初期化動作が困難になるた
め消去比が劣化する。Gd量を増加すると、垂直磁気異方
性が減少するためCo量はより多くできるが、第11図から
わかるようにα＝0.5では実用域の消去比を得ることは
困難である。
なる。これはCo量が増加すると第２磁性層の垂直磁気異
方性が増加し、第２磁性層の初期化動作が困難になるた
め消去比が劣化する。Gd量を増加すると、垂直磁気異方
性が減少するためCo量はより多くできるが、第11図から
わかるようにα＝0.5では実用域の消去比を得ることは
困難である。
（４）第２磁性層にGdとDyを含むRE−TM非晶質磁性膜を
用いる。
用いる。
光磁気記録膜はRE（希土類金属）とTM（遷移金属）の
フェリ磁性非晶質合金が一般に用いられていることは前
述した。REとしては、Tb,Gd,Dy等があるが、GdとDyがRE
の主成分である記録膜が第２磁性層に最適であることを
見いだした。それは以下の理由による。
フェリ磁性非晶質合金が一般に用いられていることは前
述した。REとしては、Tb,Gd,Dy等があるが、GdとDyがRE
の主成分である記録膜が第２磁性層に最適であることを
見いだした。それは以下の理由による。
（ｉ）第２磁性層の初期化は100℃前後で起きる。その
ため、その温度で第２磁性層の垂直磁気異方性定数Ku2
が小さくなければならない。GdおよびDyを含む磁性層
は、Tbを含む系に比べて垂直磁気異方性は小さい。
ため、その温度で第２磁性層の垂直磁気異方性定数Ku2
が小さくなければならない。GdおよびDyを含む磁性層
は、Tbを含む系に比べて垂直磁気異方性は小さい。
（ii）Gdはキユリー温度が高く、Dyは低いため、GdとDy
の構成比を変化させることにより、磁気特性の温度特性
を自由に制御できる。第２磁性層は各温度で様々な役割
を持つため、上記のような温度特性の制御は重要であ
る。
の構成比を変化させることにより、磁気特性の温度特性
を自由に制御できる。第２磁性層は各温度で様々な役割
を持つため、上記のような温度特性の制御は重要であ
る。
（５）第３磁性層が垂直磁気異方性を有する。
隣接する層への交換力HWは垂直磁気異方性Kuと相関が
ある。つまり、交換力は隣接する２層間の界面磁壁エネ
ルギーσＷに比例し、KuとσＷには の関係があり、交換力は飽和磁化MSと膜厚ｔにより、 で与えられる。従って、第３磁性層として面内磁化膜
（面内方向に磁化容易軸が存在）を用いると、σＷの低
下により第４磁性層から第２磁性層への交換力HW2,HW3
が小さくなり、 第２磁性層:HW2＞HC2;〜TC3 （４） 第３磁性層:HW3＞HC3;〜TC3 （６） の磁気特性を満足させることが困難となる。そのため第
３磁性層には垂直磁気異方性を有する磁性膜を用いるこ
とが望ましい。
ある。つまり、交換力は隣接する２層間の界面磁壁エネ
ルギーσＷに比例し、KuとσＷには の関係があり、交換力は飽和磁化MSと膜厚ｔにより、 で与えられる。従って、第３磁性層として面内磁化膜
（面内方向に磁化容易軸が存在）を用いると、σＷの低
下により第４磁性層から第２磁性層への交換力HW2,HW3
が小さくなり、 第２磁性層:HW2＞HC2;〜TC3 （４） 第３磁性層:HW3＞HC3;〜TC3 （６） の磁気特性を満足させることが困難となる。そのため第
３磁性層には垂直磁気異方性を有する磁性膜を用いるこ
とが望ましい。
（６）第３磁性層をTM−richとする。
第３磁性層のキユリー温度（TC3）以下の温度範囲で 第３磁性層:HW3＞HC3;〜TC3 （６） の特性を満足させるには、第３磁性層は室温以上に補償
温度を持たないRE−TM膜がよい。つまり、第３磁性層に
働く交換力HW3は飽和磁化MS3,膜厚t3,第2,4磁性層との
界面磁壁エネルギーをσW23,σW34とすると、 で表され、補償温度近傍では保磁力HC3の増加により式
（６）を満足できなくなる。そのため第３磁性層は室温
以上に補償温度を持たないRE−TM膜がよい。またRE−ri
chでも室温以上に補償温度を持たないRE−TM合金膜もあ
るが、これはTM−rich膜に比べ垂直磁気異方性が小さい
ため界面磁壁エネルギーが小さく、そのため交換力が低
下し特性が良くない。従って、第３磁性層としてはTM−
richのRE−TM合金膜が望ましい。さらに第３磁性層とし
て必要な特性を満足する、つまり垂直磁気異方性を有
し、TM−richである組成範囲は広く生産性においても有
効である。
温度を持たないRE−TM膜がよい。つまり、第３磁性層に
働く交換力HW3は飽和磁化MS3,膜厚t3,第2,4磁性層との
界面磁壁エネルギーをσW23,σW34とすると、 で表され、補償温度近傍では保磁力HC3の増加により式
（６）を満足できなくなる。そのため第３磁性層は室温
以上に補償温度を持たないRE−TM膜がよい。またRE−ri
chでも室温以上に補償温度を持たないRE−TM合金膜もあ
るが、これはTM−rich膜に比べ垂直磁気異方性が小さい
ため界面磁壁エネルギーが小さく、そのため交換力が低
下し特性が良くない。従って、第３磁性層としてはTM−
richのRE−TM合金膜が望ましい。さらに第３磁性層とし
て必要な特性を満足する、つまり垂直磁気異方性を有
し、TM−richである組成範囲は広く生産性においても有
効である。
（７）第３磁性層RE・（Fe1-xCox）のとき０≦ｘ≦0.3 実施例１の光磁気記録媒体において第３磁性層のCo量
Ｘ（遷移金属中のCo量:Co/FeCo）を変化させたときの消
去比を第12図に示す。図よりｘ≦0.3において消去比30d
B以上が得られた。従って、第３磁性層の組成は、 RE・（Fe1-xCox）のとき０≦ｘ≦0.3 であることがよい。
Ｘ（遷移金属中のCo量:Co/FeCo）を変化させたときの消
去比を第12図に示す。図よりｘ≦0.3において消去比30d
B以上が得られた。従って、第３磁性層の組成は、 RE・（Fe1-xCox）のとき０≦ｘ≦0.3 であることがよい。
（８）第３磁性層の膜厚100Å＜t3＜800Å 第３磁性層の膜厚（t3）は高温動作において第４磁性
層から第２磁性層への交換力を十分に遮断するため、10
0Åより大きい方が良好なオーバーライトが可能であり
これは磁性膜がisland状ではなく膜として存在できる膜
厚である。後述する実施例３で第３磁性層の膜厚を変化
させたところオーバライト動作は800Åまで確認でき
た。t3＞800ÅではHW3＜HC3となる恐れがあり、初期化
動作に支障をきたす。
層から第２磁性層への交換力を十分に遮断するため、10
0Åより大きい方が良好なオーバーライトが可能であり
これは磁性膜がisland状ではなく膜として存在できる膜
厚である。後述する実施例３で第３磁性層の膜厚を変化
させたところオーバライト動作は800Åまで確認でき
た。t3＞800ÅではHW3＜HC3となる恐れがあり、初期化
動作に支障をきたす。
（９）第４磁性層のCo/（Fe＋Co）＞50at％ 第４磁性層の組成以外は実施例１と同じ構成の記録媒
体を作成し第４磁性層の組成を変化させた。組成と消去
比の関係を第13図に示す。すなわち、FeとCoとの比がCo
/（Fe＋Co）が50at％未満である場合は消去比が悪くな
りオーバーライトが容易にできなくなる。そのためCo量
は50at％以上がよい。
体を作成し第４磁性層の組成を変化させた。組成と消去
比の関係を第13図に示す。すなわち、FeとCoとの比がCo
/（Fe＋Co）が50at％未満である場合は消去比が悪くな
りオーバーライトが容易にできなくなる。そのためCo量
は50at％以上がよい。
（10）第４磁性層の膜厚 次に第４磁性層の膜厚以外は実施例１と同じ構成の記
録媒体を作成し、第４磁性層の膜厚を種々変化させた。
そこでビット長２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信
号をオーバーライトすることを１サイクルとしてくり返
しオーバーライトを行ったところ第14図のようになっ
た。
録媒体を作成し、第４磁性層の膜厚を種々変化させた。
そこでビット長２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信
号をオーバーライトすることを１サイクルとしてくり返
しオーバーライトを行ったところ第14図のようになっ
た。
ここで初期のCN比から3dB落ちるところを寿命とする
と105回以上のくり返し回数を得るためには第４磁性層
の膜厚は200Å以上であり、さらに106回以上のくり返し
回数を得るためには第４磁性層の膜厚は400Å以上必要
であることが明らかである。
と105回以上のくり返し回数を得るためには第４磁性層
の膜厚は200Å以上であり、さらに106回以上のくり返し
回数を得るためには第４磁性層の膜厚は400Å以上必要
であることが明らかである。
（11）第３磁性層と第４磁性層に用いるRE−TM合金膜の
希土類金属（RE）にはTbを含む。
希土類金属（RE）にはTbを含む。
第３磁性層と第４磁性層は、各動作後に磁化方向を揃
える初期化動作を安定に行うためには各層間の交換力を
大きくする必要がある。この交換力HWは、 で与えられ、ここでMs,t,σＷはそれぞれ飽和磁化，膜
厚，界面磁壁エネルギーである。
える初期化動作を安定に行うためには各層間の交換力を
大きくする必要がある。この交換力HWは、 で与えられ、ここでMs,t,σＷはそれぞれ飽和磁化，膜
厚，界面磁壁エネルギーである。
また、σＷと垂直磁気異方性エネルギーKuとは の関係があるため、大きな交換力HWを得るためには垂直
磁気異方性の大きな材料を用いるとよい。磁性層の希土
類金属（RE）としてTbを用いたRE−TM合金膜は大きな垂
直磁気異方性を有することが知られており、オーバーラ
イト特性を良好にするために第３磁性層と第４磁性層に
はTbを含む系が適しており、第３磁性層としてはTb Fe
Co、第４磁性層は全動作温度においてその副格子磁化の
方向が一定であることが重要であるため大きな垂直磁気
異方性と高いキユリー温度が必要となり、Tb Coがよ
い。また、これらの材料にEu,Gd,Dy,Hoのいずれか１つ
以上を少量添加してもよい。
磁気異方性の大きな材料を用いるとよい。磁性層の希土
類金属（RE）としてTbを用いたRE−TM合金膜は大きな垂
直磁気異方性を有することが知られており、オーバーラ
イト特性を良好にするために第３磁性層と第４磁性層に
はTbを含む系が適しており、第３磁性層としてはTb Fe
Co、第４磁性層は全動作温度においてその副格子磁化の
方向が一定であることが重要であるため大きな垂直磁気
異方性と高いキユリー温度が必要となり、Tb Coがよ
い。また、これらの材料にEu,Gd,Dy,Hoのいずれか１つ
以上を少量添加してもよい。
特開昭63−268103の実施例２において副格子磁化の方
向が常に一定である第３の磁性層としてキユリー温度15
0℃のTb Fe Coが示されている。ここで第２の磁性層の
磁化を反転させる温度（第２の温度T2、本発明では高温
動作温度に相当する）を250℃としているが、この温度
では第３の磁性層はキユリー温度以上となるため、記録
バイアス磁界により磁化反転する。そのため副格子磁化
の方向を一定に保つためには高いキユリー温度が必要で
ある。Tb Coは高キユリー温度であるとともに高保磁力
材料である。
向が常に一定である第３の磁性層としてキユリー温度15
0℃のTb Fe Coが示されている。ここで第２の磁性層の
磁化を反転させる温度（第２の温度T2、本発明では高温
動作温度に相当する）を250℃としているが、この温度
では第３の磁性層はキユリー温度以上となるため、記録
バイアス磁界により磁化反転する。そのため副格子磁化
の方向を一定に保つためには高いキユリー温度が必要で
ある。Tb Coは高キユリー温度であるとともに高保磁力
材料である。
（12）最小ビット径500Åを存在させる為の条件 第１磁性層のHC1とシフト量H1の関係と最小ビット径d
minの関係を検討した。
minの関係を検討した。
第１磁性層のHC1とH1はポーラーカー効果によるヒス
テリシスループより測定した。第15図にその例を示す。
また最小ビット径は、消磁状態を偏光顕微鏡により観察
し、決定した。
テリシスループより測定した。第15図にその例を示す。
また最小ビット径は、消磁状態を偏光顕微鏡により観察
し、決定した。
結果を第16図に示す。
最小ビット径で500Åを存在させるためにはHC1≧1KOe
かつH1≧0.3KOeである必要がある。
かつH1≧0.3KOeである必要がある。
（13）第１磁性層のキユリー温度とCN比の関係 第１磁性層以外は実施例１と同じ構成の記録媒体を作
成し、第１磁性層のキユリー温度を種々変化させた。第
１磁性層のキユリー温度と0.76μｍビット長でのCN比の
関係を第17図に示す。CN比42dB以上得るためには、第１
磁性層のキユリー温度が150℃以上であることが必要と
なるCN比42dB以上ではジッターが5nsec以下になるた
め、エラーが少なくなる。
成し、第１磁性層のキユリー温度を種々変化させた。第
１磁性層のキユリー温度と0.76μｍビット長でのCN比の
関係を第17図に示す。CN比42dB以上得るためには、第１
磁性層のキユリー温度が150℃以上であることが必要と
なるCN比42dB以上ではジッターが5nsec以下になるた
め、エラーが少なくなる。
以上（１）〜（13）の要件を１つ以上満たすように膜
を構成することにより、オーバーライトの特性を向上さ
せることができる。後述する実施例２〜９でもこれらの
要件を反映させている。
を構成することにより、オーバーライトの特性を向上さ
せることができる。後述する実施例２〜９でもこれらの
要件を反映させている。
尚、実施例では（４）式に示した第２磁性層の初期化
条件 HW2＞HC2 はTC3付近で満足され室温近傍では満足されていない。
条件 HW2＞HC2 はTC3付近で満足され室温近傍では満足されていない。
しかし、他の実施例では（４）式を室温近傍で満足す
る例もある。例えば、次の２例は室温で（４）式を満足
する。
る例もある。例えば、次の２例は室温で（４）式を満足
する。
以上の結果より、実施例１に比べて（ａ）、（ｂ）は
CN比が悪化し、バイアス磁界マージンも小さくなってい
る。
CN比が悪化し、バイアス磁界マージンも小さくなってい
る。
（ａ）においては、第２磁性層を薄く（1500→800
Å）したため、（４）式を室温で満足するようになっ
た。しかし、第２磁性層が薄くなったため、（第２→第
１磁性層）の転写プロセスが不安定になり、CN比の悪化
およびバイアス磁界マージンを減少を招いた。
Å）したため、（４）式を室温で満足するようになっ
た。しかし、第２磁性層が薄くなったため、（第２→第
１磁性層）の転写プロセスが不安定になり、CN比の悪化
およびバイアス磁界マージンを減少を招いた。
（ｂ）においては、第１磁性層にGdを加えることによ
り、σW12を減少させた。これにより、（４）式は室温
で満足されたが、第１磁性層のTCの上昇のためボトムパ
ワーが上昇し、ピークパワーとボトムパワーの分離が悪
くなり、CN比が悪化した。以上のように、室温近傍で第
２磁性層の初期化条件（４）式を満足するように媒体を
設計すると、他のプロセスに無理が生じ、録再特性が著
しく劣化することが確認された。
り、σW12を減少させた。これにより、（４）式は室温
で満足されたが、第１磁性層のTCの上昇のためボトムパ
ワーが上昇し、ピークパワーとボトムパワーの分離が悪
くなり、CN比が悪化した。以上のように、室温近傍で第
２磁性層の初期化条件（４）式を満足するように媒体を
設計すると、他のプロセスに無理が生じ、録再特性が著
しく劣化することが確認された。
そこで、実施例１から第２層の膜厚だけを減少させた
時、どの膜厚でCN比の減少が起こるかを確かめるべく実
験を行なった。また、各膜厚で（４）式を満足する最低
温度をVSM（Vibrating sample magnetmater（振動試料
型磁力計））で測定を行なった。それらの結果を第18図
に示す。
時、どの膜厚でCN比の減少が起こるかを確かめるべく実
験を行なった。また、各膜厚で（４）式を満足する最低
温度をVSM（Vibrating sample magnetmater（振動試料
型磁力計））で測定を行なった。それらの結果を第18図
に示す。
このデータからわかるように、（４）式を満足する最
低温度が70℃前後でCN比が急激に変化している。このよ
うに室温を少し越えた温度（約70℃）以上に（４）式を
満足する最低温度がある場合にCN比は良好な値を示して
いることがわかる。
低温度が70℃前後でCN比が急激に変化している。このよ
うに室温を少し越えた温度（約70℃）以上に（４）式を
満足する最低温度がある場合にCN比は良好な値を示して
いることがわかる。
実施例２ 記録媒体はガラス基板上にスパッター法等で例えば、 誘電体層:SiNx 650Å 第１磁性層:Tb22Fe69Co9 800Å 第２磁性層:Gd12Dy13Fe60Co15 1200Å 第３磁性層:Tb16Fe84 200Å 第４磁性層:Tb30Co70 400Å 保護層:SiNx 700Å を形成した。ここで隣接する磁性層は交換力で結合して
いる。
いる。
第19図に室温での磁化曲線を示す。第２磁性層のみに
関する２つの磁化曲線において、状態１′から状態１へ
の遷移はｃ−100pの２つの反転磁界が零に対して同じ方
向に存在するとき生じる。室温で零を跨がす状態１′か
ら状態１への状態遷移が起きている。
関する２つの磁化曲線において、状態１′から状態１へ
の遷移はｃ−100pの２つの反転磁界が零に対して同じ方
向に存在するとき生じる。室温で零を跨がす状態１′か
ら状態１への状態遷移が起きている。
本実施例での磁気特性は、 ・TC4＞TC2＞TC1＞TC3＞（室温） ……（１） ・第１磁性層:HW1＜HC1;〜室温 ……（２） HW1＞HC1;〜TC1 ……（３） ・第２磁性層:HW2＞HC2;〜室温 ……（４） ・第３磁性層:HW3＞HC3;〜TC3 ……（５） ・第４磁性層:HW4＜HC4;動作温度範囲内 ……（６） であり、（２）は室温で第１磁性層の磁化は第２磁性層
の磁化反転により反転せず、（４）〜（６）は記録後に
室温で第２磁性層、第３磁性層及び第４磁性層の磁化方
向が下向きに揃っていることを示す。
の磁化反転により反転せず、（４）〜（６）は記録後に
室温で第２磁性層、第３磁性層及び第４磁性層の磁化方
向が下向きに揃っていることを示す。
1.6μｍ間隔の溝付き基板に上記誘電体層、磁性層、
保護層を設けた光磁気記録媒体において、ビット長２μ
ｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を、線速11m/sec,
印加磁界350e,レーザーパワーをピークパワー15mW,ボ
トムパワーを6mWに光変調して消し残りなくCN比46dBが
得られた。
保護層を設けた光磁気記録媒体において、ビット長２μ
ｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を、線速11m/sec,
印加磁界350e,レーザーパワーをピークパワー15mW,ボ
トムパワーを6mWに光変調して消し残りなくCN比46dBが
得られた。
実施例３〜９ 実施例３〜９と第２表及び第３表に示す。４元のRFマ
グネトロンスパッター装置を用いて、Tb,Coチップを配
したFeターゲット、Gd,Dy,Coチップを配したFeターゲッ
ト、Tbチップを配したFeターゲット、Tbチップを配した
Coターゲットを置く。厚さ1.2mm、直径86mmで1.6μｍピ
ッチのグループがあらかじめ設けられているガラス基板
を該装置のチャンバー内にセットする。該装置のチャン
バー内を一旦８×10-7Torr以下の真空に排気した後、Ar
ガス3mTorrを導入する。堆積速度約100Å/minでスパッ
ターを行なう。これにより基板上に厚さ800ÅTb Fe Co
の第１磁性層を形成する。続いて真空状態を保持したま
ま同様に厚さ1500ÅGd Dy Fe Coの第２磁性層、厚さ100
ÅTb Feの第３磁性層、厚さ400ÅTb Coの第４磁性層を
形成する。各磁性層ともに垂直磁化膜であり、隣接する
各磁性層は交換力で結合している。下表にターゲット上
のチップ数あるいはスパッター時間を変えたとき、ビッ
ト長２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を、線速
11m/secの条件下での記録・再生特性を示す。この時消
し残り信号は見られず、ダイレクト・オーバライト動作
が確認された。
グネトロンスパッター装置を用いて、Tb,Coチップを配
したFeターゲット、Gd,Dy,Coチップを配したFeターゲッ
ト、Tbチップを配したFeターゲット、Tbチップを配した
Coターゲットを置く。厚さ1.2mm、直径86mmで1.6μｍピ
ッチのグループがあらかじめ設けられているガラス基板
を該装置のチャンバー内にセットする。該装置のチャン
バー内を一旦８×10-7Torr以下の真空に排気した後、Ar
ガス3mTorrを導入する。堆積速度約100Å/minでスパッ
ターを行なう。これにより基板上に厚さ800ÅTb Fe Co
の第１磁性層を形成する。続いて真空状態を保持したま
ま同様に厚さ1500ÅGd Dy Fe Coの第２磁性層、厚さ100
ÅTb Feの第３磁性層、厚さ400ÅTb Coの第４磁性層を
形成する。各磁性層ともに垂直磁化膜であり、隣接する
各磁性層は交換力で結合している。下表にターゲット上
のチップ数あるいはスパッター時間を変えたとき、ビッ
ト長２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を、線速
11m/secの条件下での記録・再生特性を示す。この時消
し残り信号は見られず、ダイレクト・オーバライト動作
が確認された。
ここで各磁性層ともに、それ自体多層膜から構成され
ていてもよく、例えば第１磁性層を形成する前に磁気光
学効果の大きい交換結合された磁性層を設けてもよく、
ガラス基板上にスパッター法等で例えば、 誘電体層:SiNx 650Å 再生層:Tb15Fe70Co15 100Å 第１磁性層:Tb22Fe69Co9 800Å 第２磁性層:Gd8Dy17Fe60Co15 1500Å 第３磁性層:Tb16Fe84 200Å 第４磁性層:Tb30Co70 400Å 保護層:SiNx 700Å を形成し、1dBのCNR向上がみられた。
ていてもよく、例えば第１磁性層を形成する前に磁気光
学効果の大きい交換結合された磁性層を設けてもよく、
ガラス基板上にスパッター法等で例えば、 誘電体層:SiNx 650Å 再生層:Tb15Fe70Co15 100Å 第１磁性層:Tb22Fe69Co9 800Å 第２磁性層:Gd8Dy17Fe60Co15 1500Å 第３磁性層:Tb16Fe84 200Å 第４磁性層:Tb30Co70 400Å 保護層:SiNx 700Å を形成し、1dBのCNR向上がみられた。
また交換力を制御するための磁性層、誘電体層酸化物
層等を磁性層間に形成してもよい。又各磁性層は、Gd F
e、Gd Tb Fe Co、Tb Dy Fe Co、Nd Dy Fe Co、Dy Co、T
b Ho Fe Co、Dy Fe Co等のフェリ磁性体で構成してもよ
い。
層等を磁性層間に形成してもよい。又各磁性層は、Gd F
e、Gd Tb Fe Co、Tb Dy Fe Co、Nd Dy Fe Co、Dy Co、T
b Ho Fe Co、Dy Fe Co等のフェリ磁性体で構成してもよ
い。
この実施例では基板に記録層を設けただけの単板媒体
を示したが、２枚の単板媒体をエポキシ系樹脂、熱可塑
性樹脂、熱硬化性樹脂等で貼合わせてもよい。又媒体形
状として例えばカード状等のディスク状以外でもよい。
を示したが、２枚の単板媒体をエポキシ系樹脂、熱可塑
性樹脂、熱硬化性樹脂等で貼合わせてもよい。又媒体形
状として例えばカード状等のディスク状以外でもよい。
実施例10 第20図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（10）は光磁気記録媒体、（20）は外部磁界発生装
置、（30）は半導体レーザー、（40）は偏光ビームスプ
リッター、（50）は再生装置である。半導体レーザーは
記録レーザービームを記録情報に従って再生時のレーザ
ービーム強度より大きい出力で、２値のビーム強度に変
調できるようにしてある。外部磁界発生装置はここでは
光磁気記録媒体面上で300ｅの磁界を印加する永久磁
石を用いるが、電磁石を用いてもよい。実施例１の光磁
気記録媒体を用いて、ビット長２μｍの信号上にビット
長0.76μｍの信号を、線速11m/sec,印加磁界350e,レ
ーザーパワーをピークパワー15mW,ボトムパワーをピー
クパワー15mW,ボトムパワーを6mWに光変調して消し残り
なくCN比46dBが得られた。
て、（10）は光磁気記録媒体、（20）は外部磁界発生装
置、（30）は半導体レーザー、（40）は偏光ビームスプ
リッター、（50）は再生装置である。半導体レーザーは
記録レーザービームを記録情報に従って再生時のレーザ
ービーム強度より大きい出力で、２値のビーム強度に変
調できるようにしてある。外部磁界発生装置はここでは
光磁気記録媒体面上で300ｅの磁界を印加する永久磁
石を用いるが、電磁石を用いてもよい。実施例１の光磁
気記録媒体を用いて、ビット長２μｍの信号上にビット
長0.76μｍの信号を、線速11m/sec,印加磁界350e,レ
ーザーパワーをピークパワー15mW,ボトムパワーをピー
クパワー15mW,ボトムパワーを6mWに光変調して消し残り
なくCN比46dBが得られた。
実施例11 第21図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（10）は光磁気記録媒体、（20）は外部磁界発生装
置、（30）は半導体レーザー、（40）は偏光ビームスプ
リッター、（50）は再生装置である。半導体レーザーか
ら出射されるルーザービームを記録情報の最大周波数の
20倍のパルス列で構成された高温動作に対応するパルス
パターンと記録情報の最大周波数の10倍のパルス列で構
成された低温動作に対応するパルスパターンが発生でき
るようにした。このときの構成パルス幅はそれぞれ同じ
値を用いた。実施例１の光磁気記録媒体を用いて、ビッ
ト長２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を、線速
11m/sec,印加磁界350e,レーザーパワーをピークパワ
ー15mWに光変調して消し残りなく記録可能であった。
て、（10）は光磁気記録媒体、（20）は外部磁界発生装
置、（30）は半導体レーザー、（40）は偏光ビームスプ
リッター、（50）は再生装置である。半導体レーザーか
ら出射されるルーザービームを記録情報の最大周波数の
20倍のパルス列で構成された高温動作に対応するパルス
パターンと記録情報の最大周波数の10倍のパルス列で構
成された低温動作に対応するパルスパターンが発生でき
るようにした。このときの構成パルス幅はそれぞれ同じ
値を用いた。実施例１の光磁気記録媒体を用いて、ビッ
ト長２μｍの信号上にビット長0.76μｍの信号を、線速
11m/sec,印加磁界350e,レーザーパワーをピークパワ
ー15mWに光変調して消し残りなく記録可能であった。
実施例12 第22図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（10）は光磁気記録媒体、（20）は外部磁界発生装
置、（301），（302）は半導体レーザー、（40）は偏光
ビームスプリッター、（50）は再生装置である。（60）
はビームスプリッターである。半導体レーザー（30
1）、（302）は波長830nm、最大連続出射出力16mWであ
り、光磁気記録媒体の近接した部位に集光される。１つ
のレーザーは低温動作に対応する定常レーザー出力を発
生し、もう一つのレーザーは情報‘1'に対応する時のみ
に高温動作に必要の温度に達するレーザー出力を発生す
る。このとき実施例１の光磁気記録媒体を用い最高レー
ザー出力は10mWと3mW減少されて、ダイレクト・オーバ
ーライトが可能であった。
て、（10）は光磁気記録媒体、（20）は外部磁界発生装
置、（301），（302）は半導体レーザー、（40）は偏光
ビームスプリッター、（50）は再生装置である。（60）
はビームスプリッターである。半導体レーザー（30
1）、（302）は波長830nm、最大連続出射出力16mWであ
り、光磁気記録媒体の近接した部位に集光される。１つ
のレーザーは低温動作に対応する定常レーザー出力を発
生し、もう一つのレーザーは情報‘1'に対応する時のみ
に高温動作に必要の温度に達するレーザー出力を発生す
る。このとき実施例１の光磁気記録媒体を用い最高レー
ザー出力は10mWと3mW減少されて、ダイレクト・オーバ
ーライトが可能であった。
実施例13 第23図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（10）は光磁気記録媒体、（20）は外部磁界発生装
置、（301），（302）は半導体レーザー、（40）は偏光
ビームスプリッター、（50）は再生装置である。（60）
はビームスプリッターである。半導体レーザー（301）
は波長830nm,最大連続出射出力20mWの記録用であり、
（302）は波長780nm、最大連続出射出力4mWの再生用で
あり、（301）のレーザースポットを追従するようにさ
れており、オーバーライト記録と同時にベリファイを行
なえるようになっている。これにより記録時のデータ転
送速度は再生時と同程度になった。
て、（10）は光磁気記録媒体、（20）は外部磁界発生装
置、（301），（302）は半導体レーザー、（40）は偏光
ビームスプリッター、（50）は再生装置である。（60）
はビームスプリッターである。半導体レーザー（301）
は波長830nm,最大連続出射出力20mWの記録用であり、
（302）は波長780nm、最大連続出射出力4mWの再生用で
あり、（301）のレーザースポットを追従するようにさ
れており、オーバーライト記録と同時にベリファイを行
なえるようになっている。これにより記録時のデータ転
送速度は再生時と同程度になった。
実施例14 第24図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（10）は光磁気記録媒体、（20）は外部磁界発生装
置、（301），（302）は波長830nm、最大連続出射出力2
0nWの同一の半導体レーザー、（40）は偏光ビームスプ
リッター、（50）は再生装置である。（60）はビームス
プリッターである。レーザービームは光磁気記録媒体の
隣接したトラック上に集光され同時記録できるようにし
てある。
て、（10）は光磁気記録媒体、（20）は外部磁界発生装
置、（301），（302）は波長830nm、最大連続出射出力2
0nWの同一の半導体レーザー、（40）は偏光ビームスプ
リッター、（50）は再生装置である。（60）はビームス
プリッターである。レーザービームは光磁気記録媒体の
隣接したトラック上に集光され同時記録できるようにし
てある。
各実施例において光磁気記録媒体を移動してあるが、
レーザーをアレイあるいはマトリックスに構成してもよ
く、光磁気記録媒体を移動さぜずに記録・再生してもよ
い。
レーザーをアレイあるいはマトリックスに構成してもよ
く、光磁気記録媒体を移動さぜずに記録・再生してもよ
い。
また１本のレーザービームの光路に例えば液晶板等の
空間的に透過率が変化できる光学素子を配置してもよ
い。
空間的に透過率が変化できる光学素子を配置してもよ
い。
以上のようにこの発明によれば初期化磁界なしで良好
なオーバライトを可能とした光磁気記録媒体を得ること
ができると共に、小型・軽量でレーザ変調のみでオーバ
ライトが可能となる光磁気記録装置を得ることができ
る。
なオーバライトを可能とした光磁気記録媒体を得ること
ができると共に、小型・軽量でレーザ変調のみでオーバ
ライトが可能となる光磁気記録装置を得ることができ
る。
第１図はこの発明の一実施例の光磁気ディスク媒体の構
成図、第２図から第４図はこの発明の光磁気ディスク媒
体の初期化の過程を示した模式図、第５図は低温での記
録動作を説明した説明図、第６図は高温での記録動作を
説明した説明図、第７図は磁化曲線を示す模式図で、
（ａ）は室温時、（ｂ）はTC3近傍を示す。第８図は磁
化反転の説明図、第９図は第１磁性層の膜厚とCN比との
関係を示すグラフ、第10図は第２磁性層の膜厚と消去比
とを示すグラフ、第11図は第２磁性層の鉄とコバルトの
組成比と消去比とを示すグラフ、第12図は第３磁性層の
鉄とコバルトの組成比と消去比とを示すグラフ、第13図
は第４磁性層の鉄とコバルトの組成比と消去比とを示す
グラフ、第14図はくり返しオーバーライト回数と初期値
よりのC/Nの減少との関係を示すグラフ、第15図はこの
発明に係る光磁気記録媒体のヒステリシスループを示す
図、第16図は最小ビット径500Åを存在させるために必
要な第１磁性層の特性を示す特性図、第17図は第１磁性
層のキユリー温度とC/Nの関係をあらわすグラフ、第18
図は第２磁性層の膜厚とCN比との関係をあらわすグラ
フ、第19図は室温での磁化曲線を示す模式図、第20図か
ら第24図は第１図の光磁気ディスク媒体を使用した発明
に係る光磁気ディスク装置の構成図、第25図は、従来の
光記録再生装置を示す説明図、第26図はレーザービーム
パワーによる磁性膜温度変化を示す特性図、第27図は別
の従来例の媒体構成図、第28,29図は温度に対する第27
図に示した従来の媒体の２種類の状態遷移図、第30図は
従来例の第２層の磁化及び保磁力の温度特性を示す図、
第31図はさらに別従来例の媒体の温度に対する状態遷移
図である。図中、（10）は光磁気記録媒体、（20）は外
部磁界発生装置である。なお、各図中、同一符号は同
一、または相当部分を示す。
成図、第２図から第４図はこの発明の光磁気ディスク媒
体の初期化の過程を示した模式図、第５図は低温での記
録動作を説明した説明図、第６図は高温での記録動作を
説明した説明図、第７図は磁化曲線を示す模式図で、
（ａ）は室温時、（ｂ）はTC3近傍を示す。第８図は磁
化反転の説明図、第９図は第１磁性層の膜厚とCN比との
関係を示すグラフ、第10図は第２磁性層の膜厚と消去比
とを示すグラフ、第11図は第２磁性層の鉄とコバルトの
組成比と消去比とを示すグラフ、第12図は第３磁性層の
鉄とコバルトの組成比と消去比とを示すグラフ、第13図
は第４磁性層の鉄とコバルトの組成比と消去比とを示す
グラフ、第14図はくり返しオーバーライト回数と初期値
よりのC/Nの減少との関係を示すグラフ、第15図はこの
発明に係る光磁気記録媒体のヒステリシスループを示す
図、第16図は最小ビット径500Åを存在させるために必
要な第１磁性層の特性を示す特性図、第17図は第１磁性
層のキユリー温度とC/Nの関係をあらわすグラフ、第18
図は第２磁性層の膜厚とCN比との関係をあらわすグラ
フ、第19図は室温での磁化曲線を示す模式図、第20図か
ら第24図は第１図の光磁気ディスク媒体を使用した発明
に係る光磁気ディスク装置の構成図、第25図は、従来の
光記録再生装置を示す説明図、第26図はレーザービーム
パワーによる磁性膜温度変化を示す特性図、第27図は別
の従来例の媒体構成図、第28,29図は温度に対する第27
図に示した従来の媒体の２種類の状態遷移図、第30図は
従来例の第２層の磁化及び保磁力の温度特性を示す図、
第31図はさらに別従来例の媒体の温度に対する状態遷移
図である。図中、（10）は光磁気記録媒体、（20）は外
部磁界発生装置である。なお、各図中、同一符号は同
一、または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深見 達也 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社材料研究所内 (72)発明者 田口 元久 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社材料研究所内 (56)参考文献 特開 平１−241051（ＪＰ，Ａ)
Claims (14)
- 【請求項１】垂直磁気異方性を有する第１の磁性層、こ
の第１磁性層に設けられた上記第１磁性層と交換力で結
合され、希土類金属副格子磁化優勢膜である第２磁性
層、この第２磁性層に設けられ上記第２磁性層と交換力
で結合された第３磁性層、この第３磁性層に設けられ上
記第３磁性層と交換力で結合され希土類金属副格子磁化
優勢膜である第４磁性層を備え、第２磁性層のキュリー
温度が第１磁性層のキュリー温度よりも高く、かつ、第
４磁性層のキュリー温度が第１磁性層のキュリー温度よ
りも高く、かつ、第２磁性層のキュリー温度が第３磁性
層のキュリー温度よりも高く、かつ、第４磁性層のキュ
リー温度が第３磁性層のキュリー温度よりも高く、か
つ、第４磁性層のキュリー温度が第２磁性層のキュリー
温度よりも高く、かつ室温にて第１磁性層の磁化は第２
磁性層の磁化反転により反転せず、かつ記録動作後に室
温にて第２磁性層、第３磁性層及び第４磁性層の副格子
磁化方向が上向きまたは下向きに揃っていて、かつ室温
から第１磁性層と第３磁性層のキュリー温度の低い方の
温度までの間で HC2＜HW2 を満足する温度が存在することを特徴とする光磁気記録
媒体 但しHC2は４層に積層され、かつ第１磁性層と第３磁性
層の副格子磁化が互いに反平行である時に得られる第２
磁性層の保持力であり、HW2は４層に積層され、かつ第
１磁性層と第３磁性層の副格子磁化が互いに反平行であ
る時に得られる第２磁性層が隣接する第１磁性層と第３
磁性層からうける交換力である。 - 【請求項２】第１磁性層の膜厚が200Å以上1200Å以下
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
光磁気記録媒体。 - 【請求項３】第２磁性層の膜厚が第１磁性層の膜厚より
も厚いことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項のいずれかに記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】第２磁性層は鉄及びコバルトを含みこの鉄
とコバルトに対するコバルトの割合は0.5より小さいこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項から第３項のいず
れかに記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】第２磁性層にガドリニウムとディスプロシ
ウムを含む希土類金属と遷移金属の非晶質磁性膜を用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第４項の
いずれかに記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】第３磁性層が垂直磁気異方性を有すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項から第５項のいずれ
かに記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】第３磁性層を遷移金属副格子磁化優勢とす
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第６項の
いずれかに記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項８】第３磁性層が希土類金属と遷移金属からな
る非晶質磁性膜であり、遷移金属の組成がFe1-XCoXを含
み、０＜Ｘ≦0.3であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項から第７項のいずれかに記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項９】第３磁性層の膜厚が100Åより大きく800Å
より小さいことを特徴とする特許請求の範囲第１項から
第８項のいずれかに記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１０】第４磁性層は鉄及びコバルトを含み、こ
の鉄とコバルトに対するコバルトの割合が0.5よりも大
きいことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第９項
のいずれかに記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１１】第３磁性層と第４磁性層にテルビウムを
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第10項
のいずれかに記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１２】光磁気記録媒体の記録層に対して、情報
を上向き磁化を有するビット下向き磁化を有するビット
で記録する光磁気装置において、媒体として特許請求の
範囲第１項記載の光磁気記録媒体を使用し、レーザービ
ームを媒体に照射する手段、前記ビームを記録すべき２
値化情報に従って、前記光磁気媒体を２値化情報が消失
する温度以上に昇温する手段、前記ビームを照射した媒
体部分に記録磁界を印加する手段からなることを特徴と
する光磁気記録再生装置。 - 【請求項１３】記録用レーザービームのスポットを追従
する再生用レーザービームが設けられていることを特徴
とする特許請求の範囲第12項記載の光磁気記録装置。 - 【請求項１４】記録用レーザービームと再生用レーザー
ビームの波長が異なることを特徴とする特許請求の範囲
第13項記載の光磁気記録装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043235A JP2503708B2 (ja) | 1989-11-14 | 1990-02-22 | 光磁気記録媒体及び装置 |
| EP90311320A EP0428271B1 (en) | 1989-11-14 | 1990-10-16 | Magneto-optical recording medium and apparatus |
| DE69027182T DE69027182T2 (de) | 1989-11-14 | 1990-10-16 | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger und -gerät |
| US07/615,024 US5512366A (en) | 1989-11-14 | 1990-11-13 | Magneto-optic recording medium and apparatus |
| KR1019900018302A KR940001452B1 (ko) | 1989-11-14 | 1990-11-13 | 광자기 기록매체 및 이를 사용한 광자기 기록재생장치 |
| CA002029951A CA2029951C (en) | 1989-11-14 | 1990-11-14 | Magneto-optic recording medium and apparatus |
| US08/482,021 US5679455A (en) | 1989-11-14 | 1995-06-07 | Magneto-optic recording medium and apparatus |
| US08/564,910 US5638344A (en) | 1989-08-23 | 1995-11-29 | Magneto-optic recording and reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-296858 | 1989-11-14 | ||
| JP29685889 | 1989-11-14 | ||
| JP2043235A JP2503708B2 (ja) | 1989-11-14 | 1990-02-22 | 光磁気記録媒体及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219449A JPH03219449A (ja) | 1991-09-26 |
| JP2503708B2 true JP2503708B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=26382988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2043235A Expired - Lifetime JP2503708B2 (ja) | 1989-08-23 | 1990-02-22 | 光磁気記録媒体及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0428271B1 (ja) |
| JP (1) | JP2503708B2 (ja) |
| KR (1) | KR940001452B1 (ja) |
| CA (1) | CA2029951C (ja) |
| DE (1) | DE69027182T2 (ja) |
Families Citing this family (9)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2603027B2 (ja) * | 1992-05-18 | 1997-04-23 | 三菱電機株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| US5361248A (en) * | 1992-06-01 | 1994-11-01 | Eastman Kodak Company | Direct overwrite magneto-optical storage medium not requiring an initialization magnet |
| US5702793A (en) * | 1993-02-25 | 1997-12-30 | Nippon Steel Corporation | Magneto-optical recording medium, disk and method of manufacturing the same |
| JP3554083B2 (ja) * | 1995-07-18 | 2004-08-11 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体の情報記録方法 |
| JPH09167388A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-06-24 | Canon Inc | 光磁気記録媒体、該媒体を用いた情報記録再生装置及び情報記録再生方法 |
| US6017620A (en) * | 1997-04-10 | 2000-01-25 | Tdk Corporation | Magneto-optical recording medium |
| JPH10312594A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体 |
| US8241766B2 (en) | 2006-01-20 | 2012-08-14 | Seagate Technology Llc | Laminated exchange coupling adhesion (LECA) media for heat assisted magnetic recording |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0616452B2 (ja) * | 1983-03-01 | 1994-03-02 | キヤノン株式会社 | 磁気光学記録媒体 |
| JPH0816996B2 (ja) * | 1986-12-08 | 1996-02-21 | 株式会社ニコン | 光磁気記録の再生方法及びそれに使用される媒体 |
| ATE216528T1 (de) * | 1986-07-08 | 2002-05-15 | Canon Kk | Gerät und system zur aufzeichnung auf einem magnetooptischen aufzeichnungsmedium |
| JPS63249951A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録情報担体 |
| JP2762435B2 (ja) * | 1987-04-24 | 1998-06-04 | ソニー株式会社 | 熱磁気記録方法 |
| AU600576B2 (en) * | 1987-04-24 | 1990-08-16 | Sony Corporation | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled multi-layer structure of perpendicular anisotropy magnetic film |
| JPH01149246A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2630976B2 (ja) * | 1988-03-19 | 1997-07-16 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| CA1326547C (en) * | 1988-07-13 | 1994-01-25 | Masahiko Kaneko | Thermomagnetic recording method |
| US5216663A (en) * | 1988-08-24 | 1993-06-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto-optic recording medium and manufacturing method |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP2043235A patent/JP2503708B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-16 DE DE69027182T patent/DE69027182T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-16 EP EP90311320A patent/EP0428271B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-13 KR KR1019900018302A patent/KR940001452B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-11-14 CA CA002029951A patent/CA2029951C/en not_active Expired - Fee Related
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| CA2029951A1 (en) | 1991-05-15 |
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| EP0428271B1 (en) | 1996-05-29 |
| EP0428271A3 (en) | 1991-12-18 |
| JPH03219449A (ja) | 1991-09-26 |
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