JP2603027B2

JP2603027B2 - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2603027B2
Application number: JP4124568A
Authority: JP
Inventors: 善夫藤井; 隆志徳永; 義幸中木; 和彦堤; 一夫羽島; 達也深見; 裕司川野
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1992-05-18
Filing date: 1992-05-18
Publication date: 1997-04-23
Anticipated expiration: 2012-04-23
Also published as: JPH05325277A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、情報の記録再生に用
いられる光磁気記録媒体、特に初期化層によって光変調
ダイレクト・オーバーライト機能を付与した光磁気記録
媒体およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１２は、例えばJournal of Applied P
hysics vol. 67 No.９（１．May.'90)，PP. 4415〜4416
に示された従来の光磁気記録媒体の構成図である。図１
２において、１は半導体レーザ等により出射されレンズ
により集光された光ビーム、２はＨｂの磁界を発生させ
る外部磁界発生装置、３はガラスまたはプラスチックの
透明基板、４〜７は互いに交換結合した４層の磁性層で
あり、第１磁性層４、第２磁性層５、第３磁性層６、第
４磁性層７で構成されている。

【０００３】次に、ダイレクト・オーバーライトのメカ
ニズムについて説明する。図１３は、ある温度での遷移
金属副格子磁化の方向を示し、図１４に記録時
（Ｐ_HIGH，Ｐ_LOW）と再生時（Ｐ_READ）の３値変調され
る光ビームの光強度を示している。図１４のＰ_READは非
常に小さなパワーのため、磁化状態（記録状態）は変化
しないが、Ｐ_LOW，Ｐ_HIGHでは記録膜の温度が上昇し、
その最高到達温度はＴ_LOW，Ｔ_HIGHとなり、以後冷却時
の磁化状態の変化により「０」または「１」の記録が行
われ、それぞれ「低パワー・プロセス」と「高パワー・
プロセス」と呼び、この二つについて図１３により説明
する。

【０００４】「低パワー・プロセス」においては、第２
磁性層５と第４磁性層７はその遷移金属副格子磁化の方
向に変化なく上向きであり、その後の冷却時に第１磁性
層４は第２磁性層５からの交換力により遷移金属副格子
磁化の方向は揃い、上向きとなり、「０」が記録され
る。

【０００５】また、「高いパワー・プロセス」において
は、媒体温度がＴ_HIGHまで、つまり、第２磁性層５のキ
ュリー温度Ｔ_C2近傍まで上昇するため、第４磁性層７の
みが遷移金属副格子磁化の方向が上向きとなっている。
その後の冷却時に外部磁界発生装置２による磁界Ｈｂに
より、第２磁性層５の遷移金属副格子磁化の方向が下向
きとなり、次に第１磁性層４が「低パワー・プロセス」
同様に第２磁性層５からの交換力により下向きになる。

【０００６】室温近傍において、第２磁性層５が第３磁
性層６からの交換力により上向きに戻す初期化過程が起
こるが、第１磁性層４はこの時点では交換力による磁化
の反転はなく、下向きを保ち「１」が記録される。以上
のようにして、光変調によるダイレクト・オーバーライ
トが実現される。

【０００７】次に、第２磁性層５を初期状態である上向
きに戻す初期化過程についてさらに詳細に述べる。高パ
ワー・プロセスからの冷却過程において、まず第３磁性
層６の磁化の方向が交換結合力によって、第４磁性層７
の磁化の方向に揃い、遷移金属副格子磁化は上向きとな
る。

【０００８】次に、第２磁性層５の磁化の方向が交換結
合力によって第３磁性層６の磁化の方向に揃い、遷移金
属副格子磁化が上向きになって初期状態に戻され、初期
化過程が完了する。第４磁性層７は第２磁性層５の磁化
の方向を次の記録に備えて常に上向きに初期化する働き
を持つので、第４磁性層７は「初期化層」と呼ばれる。
後述するこの発明においても、第４磁性層７を初期化層
７として以後記載する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
ダイレクトオーバーライトを実現するには、初期化層７
の磁化の方向は常に一方向に保持される必要があり、高
パワー・プロセスを含め、全ての記録再生の過程におい
て、磁化反転を起こしてはならない。しかしながら、高
パワー・プロセスにおける光パワーＰ_HIGHが過大の場合
には、初期化層７の磁化の方向が反転する場合もあるこ
とが判った。

【００１０】図１５は再生信号の搬送波対雑音（Ｃ／
Ｎ）比の記録光ビームのパワーＰ_HIGHに対する依存性で
ある。ここでＰ_HIGHが１０mWを超えると、急激にＣ／Ｎ
比が低下しており、この時、初期化層７を偏光顕微鏡に
よって観察したところ、記録領域の初期化層の一部が磁
化反転していることが確かめられた。これは、Ｐ_HIGHが
過剰のために、磁性層の温度が初期化層のキュリー温度
付近まで上昇し、初期化層の磁化が反転したものであ
る。

【００１１】また、図１６は繰り返し記録再生を行なっ
たときの再生信号のビットエラーレートの繰り返し記録
再生回数に対する依存性である。繰り返し記録回数が１
×１０⁴回を越える付近から、ビットエラーレートの増
大が見られる。エラーが増大した光磁気記録媒体の初期
化層７の磁化が反転していることが確かめられた。この
場合は、１回の記録再生では問題にならない初期化層の
磁化方向の反転またはゆらぎが繰り返し記録再生によっ
て拡大され、エラーの増加につながる程の初期化層７の
磁化反転を引き起こしたものと考えられる。

【００１２】以上述べたように、図１２に示した光磁気
記録媒体においては、光変調ダイレクト・オーバーライ
ト光磁気記録媒体に特有の初期化層７の磁化反転の問題
があるために、記録ビームの光パワーの上限が低く制限
され、また繰り返し記録再生可能回数が制限される場合
があることが判明した。

【００１３】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたものであり、初期化層によって光変調
ダイレクト・オーバーライトの機能を付与した光磁気記
録媒体において、高い記録パワーに対しても信号の劣化
がなく、また優れた耐繰り返し記録再生特性を有する光
磁気記録媒体を得ることを目的としており、また、樹脂
層を形成するのに必要な樹脂の量を低減でき、極めて安
定した樹脂層厚、初期化層過熱を抑制でき、樹脂層形
状、安定な外観品質を有し、さらに、製品歩留りを向上
させることができる光磁気記録媒体の製造方法を得るこ
とを目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明に係る光磁気記
録媒体は、透明基板上に第１磁性層から第３磁性層まで
の３層が積層されてなる記録膜と、この記録膜に対し前
記透明基板と逆側に密着して形成された第４磁性層であ
る初期化層と、この初期化層の表面に形成された０．３
μｍ以上の厚さの樹脂層とを備えており、それぞれ隣接
する磁性層は互いに交換結合されてなることを特徴とす
る。

【００１５】また、この発明に係る光磁気記録媒体の製
造方法は、透明基板上に第１磁性層から第３磁性層およ
び初期化層の４層を順次積層して記録膜を形成する工程
と、初期化層の記録再生領域以外を金属製のマスクで覆
って記録再生領域に樹脂を塗布して紫外線の照射により
硬化させて第１樹脂層を形成する工程を導入したもので
ある。

【００１６】また、この発明に係る光磁気記録媒体の製
造方法は、第１樹脂層形成後さらに樹脂を塗布して硬化
させることにより第２樹脂層を形成する工程を導入した
ものである。

【００１７】さらに、この発明に係る光磁気記録媒体は
初期化層の表面に形成された誘電体層と、この誘電体層
上に形成された金属薄膜層と、この金属薄膜層上に形成
された０．３μｍ以上の厚さの樹脂層とをさらに備えて
なることを特徴とする。

【００１８】この発明に係る光磁気記録媒体は、２枚の
光磁気記録媒体の樹脂層を互いに向かい合わせて接着層
により接合する工程を導入したものである。

【００１９】さらに、この発明に係る光磁気記録媒体
は、２枚の光磁気記録媒体の樹脂層を互いに向かい合わ
せて、接着層を内周領域と外周領域に形成して接合する
工程を導入したものである。

【００２０】また、この発明に係る光磁気記録媒体の製
造方法は、２枚の光磁気記録媒体の両方の樹脂層同志を
向かい合わせるか、または一方の光磁気記録媒体の樹脂
層と初期化層とを向かい合わせて、樹脂層を硬化する前
に圧接する工程を導入したものである。

【００２１】さらに、この発明に係る光磁気記録媒体の
製造方法は、初期化層上に誘電体層を介して金属薄膜層
を形成した２枚の光磁気記録媒体の金属薄膜層を互いに
向かい合わせて、その間に樹脂層を介在させて接合する
工程を導入したものである。

【００２２】

【作用】この発明における光磁気記録媒体においては、
初期化層を含む記録膜に接して基板と逆側に樹脂層を設
けたことによって記録時の集光ビームによる初期化層の
熱が樹脂層に吸収されて初期化層の過熱が抑制され、初
期化層の磁化反転を防止することができ、その結果とし
て、高い記録パワーまで信号の劣化を引き起こすことな
く、記録再生が行え、また繰り返し記録再生可能回数の
飛躍的な増大がもたらされる。

【００２３】また、この発明の光磁気記録媒体の製造方
法においては、初期化層形成後に金属製マスクで覆って
記録再生領域のみに樹脂層を形成することから、必要な
樹脂量のみでよく、安定した樹脂膜厚と樹脂層を形成す
る。

【００２４】この発明の光磁気記録媒体の製造方法にお
いては、第１樹脂層形成後第２樹脂層を形成することに
より、第１樹脂層の塗布むら、塗り残しむらを解消する
とともに、初期化層の過熱を抑制することになり、製品
歩留まりを向上させる。

【００２５】この発明の光磁気記録媒体においては、初
期化層と樹脂層との間に誘電体層と金属薄膜を形成する
ことにより、記録時に初期化層に付与された熱エネルギ
を誘電体層を介して金属薄膜に迅速に伝達し、金属薄膜
に蓄積されることなく、樹脂層に伝達され、初期化層の
過熱を抑制する。

【００２６】さらに、この発明の光磁気記録媒体の製造
方法においては、２枚の光磁気記録媒体の樹脂層を互い
に向かい合わせて接着層で接合することにより、両面光
磁気記録媒体が得られる。

【００２７】また、この発明の光磁気記録媒体の製造方
法においては、２枚の光磁気記録媒体の第２樹脂層を互
いに向かい合わせて、内周領域と外周領域を接着層で接
合するから、接着層を必要量に削減することになる。

【００２８】また、この発明の光磁気記録媒体の製造方
法においては、２枚の光磁気記録媒体の樹脂層共有と
し、樹脂層の硬化前に両光磁気記録媒体を圧接すること
により、両面光磁気記録媒体が得られる。

【００２９】さらに、この発明の光磁気記録媒体は２枚
の光磁気記録媒体の樹脂層を共有として２枚を接合する
から、両光磁気記録媒体が得られ、２枚の光磁気記録媒
体にそれぞれ誘電体層と金属薄膜を有するから、両初期
化層に熱エネルギが付与されたとき、それぞれ誘電体層
と金属薄膜を介して両方の樹脂層に伝達され、初期化層
の過熱を抑制する。

【００３０】

【実施例】

実施例１．以下、この発明の実施例を図を用いて説明す
る。図１はこの発明の光磁気記録媒体の一実施例の断面
図を示す。図１における１３はガラスまたはプラスチッ
クの透明基板、１４〜１７は互いに交換結合した４層の
磁性層であり、第１磁性層１４、第２磁性層１５、第３
磁性層１６、初期化層１７（第４磁性層）、樹脂層１８
となっている。以下に各層の諸元を記す。透明基板１３：外周半径６５mm、中心孔半径７．５mm、
厚み１．２mm、記録再生領域が半径３０mmから６０mmの
範囲の案内溝付きポリカーボネート基板、第１磁性層１４：Ｔｂ₂₄Ｆｅ₇₂Ｃｏ₄３元系非晶質合金
薄膜、第２磁性層１５：Ｄｙ₂₅Ｆｅ₄₅Ｃｏ₃₀３元系非晶質合金
薄膜、第３磁性層１６：Ｔｂ₁₈Ｆｅ₈₄２元系非晶質合金薄膜、初期化層１７：Ｔｂ₃₀Ｃｏ₇₀２元系非晶質合金薄膜、樹脂層１８：紫外線硬化型樹脂、この実施例１の光記録媒体は透明基板１３上の半径２５
mmから半径６２mmの同心円領域に、第１磁性層１４、第
２磁性層１５、第３磁性層１６、初期化層１７の４層か
らなる記録膜を順次マグネトロンスパッタ法により成膜
し、その後初期化層１７に接して樹脂層１８をスピンコ
ーティング塗布した後、紫外線を照射して樹脂層１８を
硬化させることによって作製した。

【００３１】図２は、実施例１の光磁気記録媒体の再生
信号のＣ／Ｎ比の記録光ビームのパワーＰ_HIGHに対する
依存性である。ここで樹脂層１８がない場合には、Ｐ
_HIGHが１０mWを超えると急激にＣ／Ｎ比が低下したのに
対し、樹脂層１８を付与したこの実施例では、Ｐ_HIGHが
１２．５mWを超えるまでＣ／Ｎ比が低下しない。

【００３２】これは記録光ビームの加熱による初期化層
１７の熱が樹脂層１８へ伝達吸収され、初期化層１７の
温度上昇が抑制され、より大きなＰ_HIGHまで初期化層の
磁化反転による特性劣化が抑えられたものである。

【００３３】また、図３は実施例１の光磁気記録媒体に
繰り返し記録再生を行なったときの再生信号ビットエラ
ーレートの繰り返し記録再生回数に対する依存性であ
る。ここで樹脂層１８がない場合には、繰り返し記録回
数が１×１０⁴回を超える付近からビットエラーレート
の増大が見られたのに対し、樹脂層１８を付与したこの
実施例１では、１×１０⁷回の繰り返し記録再生に対し
ても、エラーの増加は見られない。

【００３４】この媒体の初期化層を偏光顕微鏡で観察し
たところ繰り返し記録再生領域の初期化層１７の磁化は
一方向を向いており、繰り返し記録再生によるエラーの
増加につながる初期化層１７の磁化反転は起こっていな
い。なお、樹脂層１８の厚みとしては、０．３μｍ以上
であれば、初期化層１７の過熱を抑制することによって
得られるこの発明の効果が認められ、これよりも厚い樹
脂層１８を設けることによって、より確実にこの発明の
効果が発揮される。

【００３５】実施例２．図４はこの発明の実施例２を説
明する断面図である。この実施例２は実施例１の光磁気
記録媒体において記録再生を行なう領域（記録再生領
域）である半径３０mmから半径６０mmの同心円領域を包
含するように、図５に示すように半径２９．５mmから半
径６０．５mmの同心円領域以外を金属製のマスク１９に
よって覆い、半径２９．５mmから半径６０．５mmの同心
円領域に樹脂層１８を塗布、硬化させ形成したものであ
る。

【００３６】この実施例２の製造方法によって、実施例
１で述べたようなこの発明の効果を損なうことなく、樹
脂層１８を形成するのに必要な樹脂の量を低減でき、極
めて安定な樹脂層厚、樹脂層１８の形状、および安定な
外観品質を有する光磁気記録媒体を製造することができ
る。

【００３７】実施例３．図６はこの発明の実施例３によ
る光磁気記録媒体の製造方法により製造された光磁気記
録媒体の断面図である。この実施例３は実施例２中にて
述べた光磁気記録媒体の製造方法により樹脂層１８を設
けた後に、樹脂層を再塗布し硬化させることによって、
さらに第２の樹脂層を１層付加したものである。この発
明の効果を得るには、記録再生領域の初期化層１７と樹
脂層１８が密接して完全に覆われる必要があるが、例え
ば、実施例２の光磁気記録媒体の製造方法の工程におい
て、樹脂層１８の塗布むら、塗り残し等により、樹脂層
１８が完全に記録再生領域を覆っていない不具合が生じ
た場合、この実施例３の工程により、塗り残し部分にも
第２の樹脂層１８ａを形成することができ、この発明の
光磁気記録媒体の生産工程における製品歩留まりを向上
させる効果がある。

【００３８】また、この実施例３の工程によって作成さ
れた光磁気記録媒体は記録再生領域の樹脂層厚が他の領
域の樹脂層厚より厚くなり、初期化層１７の過熱を抑制
することによって得られるこの発明の効果がより確実に
得られるという効果がある。

【００３９】実施例４．図７はこの発明の実施例４の断
面図である。この実施例４における記録層は、樹脂層１
８に接する側からＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉなどの
金属または合金からなる金属薄膜層２０、Ｔａ₂Ｏ₅、
ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＯ、
ＳｉＯ₂、ＧｅＮなどからなる誘電体層２１を設けたも
のである。

【００４０】この実施例４の構成の光磁気記録媒体で
は、記録時に初期化層１７に付与された熱エネルギは、
誘電体層２１を介して金属薄膜層２０に迅速に伝達さ
れ、しかも熱エネルギが金属薄膜層２０に蓄積されるこ
となく樹脂層１８に伝達される。これによって、初期化
層１７の過熱を抑制することによって得られるこの発明
の効果がより確実に得られるという効果が有る。

【００４１】実施例５．図８はこの発明の実施例５の断
面図である。この実施例５は初期化層を有する両面光磁
気記録媒体において、この発明の光磁気記録媒体の構成
を適用したものである。この実施例５の光磁気記録媒体
を作成する方法を以下に述べる。まず、実施例２の光磁
気記録媒体２枚を作成する。次に、この両媒体の樹脂層
１８を互いに向かい合わせ、ホットメルト接着剤や粘着
性テープなどの接着層２２によって接合したものであ
る。

【００４２】この実施例５の構成によって両面光磁気記
録媒体であっても、この発明の効果を得ることができ
る。また、接着層２２は樹脂層１８の未塗布部分である
内周部と外周部のみに設けることによって、接着層の必
要量を削減することもでき、この場合でも、この発明の
効果は変わらない。

【００４３】実施例６．図９はこの発明の実施例６の断
面図である。この実施例６は実施例３に示した光磁気記
録媒体２枚をこの両媒体の樹脂層１８ａを互いに向かい
合わせ、ホットメルト接着剤や粘着性テープなどの接着
層２２を内周領域と外周領域に設けて接合したものであ
る。

【００４４】実施例７．図１０はこの発明の実施例７の
断面図である。この実施例７は実施例５において両面の
光磁気記録媒体２枚にそれぞれ設けていた樹脂層１８
を、両面で一つの樹脂層１８を共有するようにしたもの
である。この実施例７の構成の光磁気記録媒体の作成方
法は以下の通りである。

【００４５】まず、実施例２で述べた方法によって２枚
の光磁気記録媒体の内１枚にエポキシ樹脂層１８を塗布
する。この時、樹脂層１８の塗布厚、あるいは塗布厚の
合計が０．３μｍ以上となるように塗布樹脂量を調節し
た。次に、この樹脂層１８が硬化する以前に両光磁気記
録媒体の記録層を互いに向かい合わせて、互いに押しつ
けるような圧力を印加した。

【００４６】この際、接着強度の必要に応じた量のホッ
トメルト接着剤や粘着性テープなどの接着層２２を設け
た。この実施例７の構成によっても、実施例５と同様
に、この発明の効果を得ることができる。

【００４７】実施例８．図１１はこの発明の実施例８の
断面図である。この実施例８は実施例７における光磁気
記録媒体の両面の各記録層として、それぞれ樹脂層１８
に接する側から、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉなどの
金属または合金からなる金属薄膜層２０、Ｔａ₂Ｏ₅、
ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＯ、
ＳｉＯ₂、ＧｅＮなどからなる誘電体層２１を設けたも
のである。

【００４８】上記各実施例では、樹脂層１８、第２樹脂
層１８ａとして紫外線硬化型樹脂や、エポキシ系樹脂を
用いたが、この他のゴム系樹脂、ウレタン系樹脂、アク
リル系樹脂の場合においても、樹脂層を記録膜上に密着
するよう設けた場合には、同様の効果が得られた。

【００４９】また、上記実施例では、記録膜が磁性層の
みからなるもの、磁性層に接して誘電体層２１と金属薄
膜層２０を有するものについて説明したが、記録膜とし
て磁性層と基板の間、あるいは磁性層と樹脂層１８との
間、金属薄膜２０と樹脂層１８との間に誘電体などから
なる保護層を設けた光磁気記録媒体についても、この発
明の効果は変わらなかった。

【００５０】さらに、実施例５のような両面構造の場合
には、樹脂層１８として接着性の特に良好な材料を選択
して用いれば、樹脂層１８と接着層２２を兼用しても良
い。

【００５１】

【発明の効果】この発明の光磁気記録媒体は、以上説明
したように構成されているので、以下に記載されるよう
な効果を奏する。

【００５２】初期化層を含む記録膜を有する光磁気記録
媒体において記録膜と接し、初期化層の熱を伝達吸収す
ることで初期化層の過熱を防止するような樹脂層を設け
たので、初期化層の磁化反転が抑制され、より高い記録
パワーに対しても信号の劣化を起こすことがなく、広い
範囲の記録パワーで高品質の再生信号を得ることができ
る。

【００５３】また、同様の理由によって、記録再生を多
数回繰り返しても初期化層の磁化反転が抑制されエラー
の増加を招くことがなく、繰り返し記録再生可能回数が
飛躍的に向上する。

【００５４】さらに、良好な再生信号品質を保証する記
録パワー幅が広がり、磁性膜の組成、膜厚の製造ばらつ
きに対するマージンが広がり、製造コスト低減の効果が
ある。

【００５５】また、この発明の光磁気記録媒体の製造方
法においては、初期化層を含む記録膜の形成後に記録再
生領域以外を金属製のマスクで覆い、記録再生領域に樹
脂層を形成するようにしたので、樹脂層を形成するのに
必要な樹脂の量が少なくて済むとともに、樹脂層の厚さ
およびその形状が安定した外観品質が得られる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１による光磁気記録媒体の断
面図である。

【図２】この発明の実施例１による光磁気記録媒体のＣ
／Ｎ比の記録パワーＰ_HIGHに対する依存性を示す説明図
である。

【図３】この発明の実施例１による光磁気記録媒体のビ
ットエラーレートの繰り返し記録再生回数に対する依存
性を示す説明図である。

【図４】この発明の実施例２による光磁気記録媒体の製
造方法を説明するための断面図である。

【図５】この発明の実施例２による光磁気記録媒体の製
造方法における樹脂層を形成する工程を説明するための
断面図である。

【図６】この発明の実施例３による光磁気記録媒体の製
造方法を説明するための断面図である。

【図７】この発明の実施例４による光磁気記録媒体の断
面図である。

【図８】この発明の実施例５による光磁気記録媒体の製
造方法を説明するための断面図である。

【図９】この発明の実施例６による光磁気記録媒体の製
造方法を説明するための断面図である。

【図１０】この発明の実施例７による光磁気記録媒体の
製造方法を説明するための断面図である。

【図１１】この発明の実施例８による光磁気記録媒体の
製造方法を説明するための断面図である。

【図１２】従来の光磁気記録媒体の部分断面図である。

【図１３】光変調ダイレクト・オーバライトのメカニズ
ムを説明するためのある温度での遷移金属副格子磁化方
向の説明図である。

【図１４】同上光変調ダイレクト・オーバーライトのメ
カニズムを説明するための記録時と再生時の３値変調さ
れた光ビームの光強度の説明図である。

【図１５】従来の記録媒体のＣ／Ｎ比の記録パワーＰ
_HIGHに対する依存性を示す説明図である。

【図１６】従来の記録媒体のビットエラーレートの繰り
返し記録再生回数に対する依存性を示す説明図である。

【符号の説明】

１３透明基板１４第１磁性層１５第２磁性層１６第３磁性層１７初期化層（第４磁性層）１８樹脂層１８ａ樹脂層１９マスク２０金属薄膜層２１誘電体層２２接着層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中木義幸兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社産業システム研究所内 (72)発明者堤和彦兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者羽島一夫兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者深見達也兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者川野裕司兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料デバイス研究所内 (56)参考文献特開平４−216339（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−133067（ＪＰ，Ａ) 特開平４−123339（ＪＰ，Ａ) 特開平３−37844（ＪＰ，Ａ) 特開平２−218034（ＪＰ，Ａ) 特開平３−12042（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上に第１磁性層から第３磁性層
までの３層が積層されてなる記録膜と、この記録膜に対
し前記透明基板と逆側に密着して形成された第４磁性層
である初期化層と、この初期化層の表面に形成された
０．３μｍ以上の厚さの樹脂層を備えており、それぞれ
隣接する磁性層は互いに交換結合されてなる光変調ダイ
レクト・オーバーライト機能を有する光磁気記録媒体。
【請求項２】透明基板上に第１磁性層から第３磁性層
までの３層が積層されてなる記録膜と、この記録膜に対
し前記透明基板と逆側に密着して形成された第４磁性層
である初期化層と、この初期化層の表面に形成された誘
電体層と、この誘電体層上に形成された金属薄膜層と、
この金属薄膜層上に形成された０．３μｍ以上の厚さの
樹脂層とを備えており、それぞれ隣接する磁性層は互い
に交換結合されてなる光変調ダイレクト・オーバーライ
ト機能を有する光磁気記録媒体。