JPH03119540A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光磁気記録媒体に関する。

［従来の技術］ 記録された情報の有無にかかわらす新たな情報を重ねて
記録すること（オーバーライｌ’（ｏｖｅｒｗｒｉｔｅ
）　）が可能な光磁気記録媒体にお（する記録方式には
、磁界変調記録方式と光変調記録方式とがある。

磁界変調記録方式は通常の磁気記録方式と同様に光磁気
記録媒体に一定強度のレーザ光照射下に記録する情報に
対応して光磁気記録媒体に印加する磁界を変調すること
によって該光磁気記録媒体にオーバーライドを行うらの
である。磁界変調記録方式によってオーバーライドを行
うには、光磁気記録媒体の磁性膜と記録ヘッドとの間隔
が小さくなければならないので、使用する光磁気記録媒
体が磁性膜が片面のみにある単板構造である必要がある
。また記録のために印加する磁界の強度が低くなるよう
な磁性膜の組成にする必要がある。

光変調記録方式は透明基板上に保護膜、磁気特性の異な
る２層の磁性膜および保護膜が順次積層されてなり、上
層の磁性膜（以下、これを補助層と称する）を形成する
材料が下層の磁性膜（以下、これを記録層と称する）を
形成する材料よりも室温で低い保磁力と高いキュリー温
度とを有している光磁気記録媒体に初期化用の補助磁界
とこれとは反対方向の記録用磁界とを印加し、記録する
情報に対応して照射するレーザ光の強度を変調すること
によってオーバーライドを行うものである（特開昭６２
−１７５９４８号公報参照）。これを具体的に説明する
と、まず初期化用の補助磁界を印加することによって、
補助層の磁化の向きを消去方向にそろえる。この状態で
消去レベルの強度のレーザ光を照射すれば、補助層が有
する磁界が記録層に熱転写され、記録層の磁化は消去方
向に向く。

ここで、書込レベルの高強度の光を記録する情報に対応
して照射すれば、補助層および記録層の磁化が消失する
。磁化が消失した磁性膜に記憶用磁界を印加すれば、記
録層の磁化の向きは消去方向とは逆の記録方向になるの
で、新たな情報が記録される。

また特開昭６Ｌ−６４６５１号公報には、透明基板」二
に保護膜、磁気特性の異なる３層の磁性膜および保護膜
とが順次積層されてなり、上層の磁性膜（補助膜）を形
成する材料が中間層の磁性膜（記録膜）を形成する材料
よりも室温で低い保磁力と高いキュリー温度とを有し、
下層の磁性膜（転写層）を形成する材料が上層の磁性膜
を形成する材料よりも室温で低い保磁力と高いキュリー
温度とを有している光磁気記録媒体を用いて光変調記録
方式によってオーバーライドを行うことが示されている
。

［発明が解決しようとする課題］ 上記の磁界変調記録方式には、磁界を高速で変調するこ
とが困難であるために高速でオーバーライドを行うこと
がてきない点、使用する光磁気記録媒体が単板構造のも
のに限られ、貼り合わせ構造にすることかできないこと
から、記録する情報量を多くできない点などの欠点があ
る。また上記の光変調記録方式には、消去むらが生じ易
いために高密度の情報を記録することが困難である点な
どの欠点がある。

本発明の目的は高密度の情報のオーバーライドを高速で
行うことができる光磁気記録媒体を提供することにある
。

［課題を解決ずろための手段］ 本発明によれば、上記の目的は、基板上に保護膜、磁気
特性の異なる２層の磁性膜、保護膜および該保護膜の熱
伝導率よりも高い熱伝導率を有する熱吸収膜とが順次積
層されてなり、上層の磁性膜を形成する材料が下層の磁
性膜を形成する材料よりも室温で低い保磁力と高いキュ
リー温度とを有していることを特徴とする光磁気記録媒
体を提供することによって達成され、また基板上に保護
膜、磁気特性の異なる３層の磁性膜、保護膜および該保
護膜の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する熱吸収膜と
が順次積層されてなり、上層の磁性膜を形成する材料が
中間層の磁性膜を形成する材料よりも室温で低い保磁力
と高いキュリーｌＡＵとを有し、下層の磁性膜を形成す
る材料が上層の磁性膜を形成する材料よりも室温で低い
保磁ツノと高いキュリー温度とを有していることを特徴
とする光磁気記録媒体を提供することによって達成され
る。

［実施例］ 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではな
い。

実施例１ 本発明の光磁気記録媒体の１例の概略部分断面図を第１
図に示す。この光磁気記録媒体はポリカーボネート樹脂
基板１の上に５１５１Ｎ４゜（原子数比）からなる保護
膜２と、ＧｄａＴｂ＋ａＰｅ７７（原子数比）からなる
磁性膜（以下これを記録層と称する）３と、Ｔｂ２ｅＦ
ｅ＋ｚＣＯ＋。（原子数比）からなる磁性膜（以下、こ
れを補助層と称する）４と、Ｓｉ５＋Ｎ４ｅ　（原子数
比）からなる保護膜５と、Ａｌｅ７Ｔｉ３（原子数比）
からなる熱吸収膜６とが、それぞれ膜厚が下層の保護膜
１１００人、記録層１１００人、補助層５００人、上層
の保護膜３５０人および熱吸収膜５００人になるように
積層されてなる。上記の補助層を形成する材料の保磁力
は３ＫＯｅ、キュリー温度は２２０℃であり、記録層を
形成する材料の保磁力は７ＫＯｅ、キュリー温度は１５
０℃である。

この光磁気記録媒体を用い、基板側から照射するレーザ
光の消去レベルの出力が８ｍＶ、書込レベルの出力が１
２ｍＷであり、記録用磁界が０．３ＫＯｅ。

初期化用磁界が５ＫＯｅであり、かつ回転数が１８０゜
ｒｐｍである条件で光変調記録方式のオーバーライドを
行うことより情報を記録した。この情報を再生して得ら
れた信号における周波数とＣ／Ｎとの関係を第２図に実
線で示す。

また、この光磁気記録媒体を用い、照射するレーザ光の
消去レベルの出力が８ｍＷ、記録用磁界か０　、３ＫＯ
ｅ、初期化用磁界が５　Ｋ　Ｏｅ　％回転数が１８０Ｏ
ｒｐｍである条件で、照射するレーザ光の書込レベルの
出力を７〜１５ｍＷの範囲で変えて光変調記録方式のオ
ーバーライドを行うことにより情報を記録した。

この情報を再生して得られた信号における書込レベルの
レーザ光の出力とＣ／Ｎとの関係を第３図に実線で示す
。

比較例１ 実施例１において熱吸収膜を備えていない以外は同一の
構造を有する光磁気記録媒体を用い、同じ条件で測定し
た周波数とＣ／Ｎとの関係を第２図に、書込レベルのレ
ーザ光の出力とＣ／Ｎとの関係を第３図にそれぞれ破線
で示す。

第２図から明らかなように、実施例１の光磁気記録媒体
は比較例１の光磁気記録媒体に比べて高い周波数におい
て高いＣ／Ｎを有しており、オーバーライドを高速で行
うことかできる。また第３図から明らかなように、実施
例１の光磁気記録媒体は比較例１の光磁気記録媒体に比
へて記録のために照射するレーザ光の出力の許容範囲か
広く、情報の記録時に照射するレーザ光により発生ずる
熱が磁性膜内に残留し難いことを示している。したがっ
て、実施例１の光磁気記録媒体は比較例１の光磁気記録
媒体に比べて情報を高い密度で記録一 することができる。

実施例２ 本発明の光磁気記録媒体の他の１例の部分概略断面図を
第４図に示す。この光磁気記録媒体はボリカーボネテト
樹脂基板１の上に、５ｉ４ａＮｓｔ　（原子数比）から
なる保護膜２（膜厚１０００人）、ＧｄｔｔＦｅｓｓＣ
Ｏｔｓ　（原子数比）からなる磁性膜（以下、これを転
写層と称する）７（ｒＡＦ７５ｏｏＡ）、Ｇｄｚ３Ｔｂ
＊Ｆｅ７＋　（原子数比）からなる磁性膜（以下、これ
を記録層と称する）８（膜厚５００人）、ＴｂｔｓＦｅ
ｅ５ＣＯｔ　（原子数比）からなる磁性膜（以下、これ
を補助層と称する）９（膜厚５００人）、５ｉｉｕＮｓ
ｚ　（原子数比）からなる保護膜５（膜厚３００人）お
よびＡｌ５ｏＴｉ＋ｏ　（原子数比）からなる熱吸収膜
６（膜厚・４５０人）が順次積層されてなる。

上記の転写層を形成する材料の保磁力は０．１ＫＯｅ、
キュリー温度は３８０℃であり、記録層を形成する材料
の保磁力は８ｋＯｅ、キュリー温度は１５０℃であり、
補助層を形成する材料の保磁力は３ＫＯｅ、キュリー温
度は２００℃である。

この光磁気記録媒体ら高い周波数において高いＣ／Ｎを
有しており、また記録のために照射するレーザ光の出力
の許容範囲が広い特徴を有ずろ。

本発明における熱吸収膜はＡＩ、　Ａｕ、　Ａｇ、　Ｐ
ｔおよびＣＵからなる群から選ばれる１つの元素からな
るか、上記の群から選ばれろ１つの元素と、Ｃｒ、　止
ＧｅおよびＳｉからなる群から選ばれる少なくとら１つ
のノし索との合金からなることか好ましく、保護膜およ
び磁性膜の熱特性に応じて組成および膜厚を適宜設定す
ればよい。

上記の基板としてはポリカーボネート樹脂の他にポリメ
チルメタクリレート樹脂、エボキノ樹脂、ガラスなどを
用いることができる。また磁性膜は２層構造または３層
構造を有しており、その２層構造を形成する磁性膜の材
料としてはＧｄＤｙＦｅＧｄＴｂＰｅ、　ＴｂＦｅ　−
ＧｄＴｂＦｅ、　ＴｂＤｙＦｅ−ＧｄＤｙＦｅなどの組
合わせを用いることができ、磁性膜が３層を有する場合
、その３層構造を形成する磁性膜の材料としてはＧｄＦ
ｅＣｏ−ＧｄＤｙＰｅ　−ＧｄＴｂＦｅ、　ＧｄＦｅＣ
。

ＴｂＦｅ　−ＧｄＴｈＦｃ、　ＴｂＤｙＦｅ−ＧｄＤＹ
Ｆｅ　−ＧｄＰｅＣｏなどの組合わせを用いることがで
きる。保護膜を形成する材料としては、ＳｉＮの他にＡ
＆Ｎ５ＡＩＳｉＮなどを用いることができる。

保護膜、磁性膜などの膜厚はこれらの光学的特性および
熱伝導率に応じて決めることができるが、通常それぞれ
の膜厚は下層の保護膜４００〜１２００人、磁性膜（記
録層＋補助層または転写層＋記録層十補助層）を合わせ
た膜厚が６００〜２３００人、上層の保護膜３００〜１
２００人、熱吸収膜２００〜１５００人の範囲であるこ
とが好ましい。上記の６膜はスパッタリング法によって
形成することができる。

［発明の効果］ 本発明によれば、高密度の情報のオーバーライドを高速
で行うことかできる光磁気記録媒体が提供される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気記録媒体の１例の概略部分断面
図、第２図は光磁気記録媒体の周波数とＣ／Ｎとの関係
を示す特性図、第３図は光磁気記録媒体の書込レベルの
レーザ光の出力とＣ／Ｎとの関係を示す特性図、第４図
は本発明の光磁気記録媒体の他の１例の概略部分断面図
である。 ■・・・基　　板、 ２・・・保護膜、 ３・・・磁性膜（記録膜）、 ４・・・磁性膜（補助層）、 ５・・・保護膜、 ６・・・熱吸収膜、 ７・・・磁性膜（転写層）、 ８・・・磁性膜（記録層）、 ９・・・磁性膜（補助層）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に保護膜、磁気特性の異なる２層の磁性膜、
   保護膜および該保護膜の熱伝導率よりも高い熱伝導率を
   有する熱吸収膜とが順次積層されてなり、上層の磁性膜
   を形成する材料が下層の磁性膜を形成する材料よりも室
   温で低い保磁力と高いキュリー温度とを有していること
   を特徴とする光磁気記録媒体。 ２、基板上に保護膜、磁気特性の異なる３層の磁性膜、
   保護膜および該保護膜の熱伝導率よりも高い熱伝導率を
   有する熱吸収膜とが順次積層されてなり、上層の磁性膜
   を形成する材料が中間層の磁性膜を形成する材料よりも
   室温で低い保磁力と高いキュリー温度とを有し、下層の
   磁性膜を形成する材料が上層の磁性膜を形成する材料よ
   りも室温で低い保磁力と高いキュリー温度とを有してい
   ることを特徴とする光磁気記録媒体。