JPH03219452A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH03219452A JPH03219452A JP30453390A JP30453390A JPH03219452A JP H03219452 A JPH03219452 A JP H03219452A JP 30453390 A JP30453390 A JP 30453390A JP 30453390 A JP30453390 A JP 30453390A JP H03219452 A JPH03219452 A JP H03219452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- heat sink
- magneto
- thermal conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
する。
報記録媒体として実用化が進められている。
いた媒体は非常に優れた特性を示している。
(オーバーライド)ができないことである。すなわぢ、
従来の光磁気記録媒体は記録する前に消去のプロセスを
必要とする為、1回の記録に2回転を要し、データの転
送速度を低下させていた。
がいくつか提唱されている。
ライド法がある。この方式は第34回応用物理学関係連
合講演会予稿集28 P−ZL−3P721 (19
87)で論じられているもので、低キユリー温度と高保
磁力を持った垂直磁化層(記録層)と相対的に高キュリ
ー温度と低保磁力を持った垂直磁化層(補助層)から成
る。オーバーライドの手段は初めに補助層の磁化の向き
をそろえるのに十分でかつ記録層には影響を与えない大
きさの磁界(初期化磁界)を印加した後バイアス磁界を
印加しながら高パワー(Pl+)および低パワー(pt
)の2値に変調された光ビームを照射する。
の交換結合によって安定化する方向に向き、PH照射の
場合は補助層が、バイアス磁界によって反転を起こし、
それに従って記録層もPLの場合と逆方向を向くことに
より、オーバーライドが可能となる。
(間隔)を十分にとって媒体を設計しなければならない
点にある。この差が十分でないとPLで記録を行ってい
るときにビームスポット中心の高温部分で高パワー的な
記録が行われてしまうことがある。これはビームスポッ
ト内での温度分布が原因であり、特にバイアス磁界を強
くした場合に問題となってくる。
配が起るという問題も生じ、この為、PLのパワーマー
ジンが小さ(なってしまう。ここで言うパワーマージン
は、記録信号で用いる全周波数領域において充分なC/
N比と消去比を得られるパワー範囲を示す。
ことはPl+を低下さセられないことを意味する。すな
わち高パワーのレーザーが必要となることを意味する。
の制限からこのPHを低(する必要があり、T、2の低
い補助層を用いるのが望ましいのであるが上記の問題か
らそれは不可能であった。
ヒートシンク層を設けることで低いPl+による記録を
行えることを見出した。
保磁力Hc1を持った光磁気記録層および、キュリー温
度Tc2、室温での保磁力HC2を持った記録補助層が
この順に形成され、前記Tct、 Te3、Hc1およ
びHc2が T c+ < T C2 Hc+>Hcz を満足する重ね書き可能な光磁気記録媒体において、記
録補助層の基板に面する側でない側に記録補助層よりも
熱伝導度の大きい物質からなるヒートシンク層を設けた
ことを特徴とする光磁気記録媒体に存する。
樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチック等の透明
基板が挙げられる。
る。
Mにより測定した値)Hc+が大きいもの、特に希土類
と遷移金属のアモルファス合金が好ましく用いられる。
Co、TbDyFeC。
°C以下が好ましくまた1(c+とじては10kOe以
上が好ましい。膜厚は300〜1000人程度が好まし
い。熱伝導度は通常15〜20Wm−IK”である。
ファス合金等からなる磁性層からなるが、キュリー温度
Tc2が高く、保磁力HC2が小さいものが用いられる
。例えば、TbFeCo、DyFeCoXDyCo、T
bDyFeCo、TbCo。
0°C以上250°C以下が好ましいが当然T0より大
きい必要がある。またHO2としては小さい方が初期化
磁界(Hi、i )を低減させる為に好ましいが、記録
層との交換結合の為、補助層は実効的バイアス磁界(H
w)を受け、初期化した状態を安定に存在させる為には Hc2> Hw なる条件を満たず必要がある。HC2としては一般的に
1kOe以上3kOe以下程度が好ましい。
度である。
は600Å以上1500Å以下である。
1.2〜2.5倍の厚さとされているのが良い。後述す
る中間層を設けた場合は、記録層の厚さの1゜0〜2倍
程度が良い。
間層を設けても良い。中間層としてはGdFeCo、F
eCo等の磁性体や金属等の窒化物、金属等の酸化物等
の誘電体が用いられる。この中間層としては、記録層及
び補助層より垂直磁気異方性が小さいものであるのが好
ましく、厚さは30〜100人程度が良い。この中間層
は、記録層を形成後、該記録層の表面をN2や0□で処
理して形成することもできる。
。このヒートシンク層の目的は記録ビームによる熱を拡
散させて、ビームスポット内の熱分布を小さくすること
にある。ヒートシンク層によって、PLによる記録時に
、光スポットの中心がpo状態になるという現象が改善
される為、TcIとT。2の差が小さい媒体を用いるこ
とができ、結果としてpHの低下をはかることができる
。又、ヒートシンク層を設けた場合、PHによる熱を拡
散することができる為、P tへの影響が小さくなり、
P tのパワーマージンを広くとれる。
補助層より熱伝導度の高い金属又はそれらにTa、Ti
XMgX5t、Pt等を添加した合金等が好ましく用い
られる。これらのうち、AI又はAIを主体とする合金
が好ましい。ヒートシンク層の熱伝導度は、記録補助層
の熱伝導度の2倍以上であることが好ましく、更に好ま
しくは40〜300 Wm−’ K−’である。
は200〜1000人である。AIからなるヒートシン
ク層の場合、好ましくは100〜500人、更に好まし
くは200〜500人である。
どパワーマージンを大きくする効果があるが、同時に感
度も悪化する。従って、ヒートシンク層の熱伝導度をk
(Wm−’に一’) 、膜厚をd(m)とすると、ヒ
ートシンク層の熱伝導度及び膜厚は 1、6 X1o−6< k x d < 1.2 Xl
0−5好ましくは、2.4 Xl0−6< k X d
< 7.2 Xl0−’の関係を満たすのが好ましい
(kXdは単位時間にヒートシンク層を熱が伝わる量を
示す)。
上させる為のものである。干渉層としては屈折率の高い
透明誘電体、例えば、Si3N、、AI N、、Taz
o9、T i○z、ZnS等が用いられる。
、A1203 、’rio□等の安定な誘電体が好まし
く用いられる。
物理蒸着法(PVD)、プラズマCVDのような化学蒸
着法(CVD)等が適用される。
び保護層を成膜形成するには、所定の組成をもったター
ゲットを用いて電子ビーム蒸着またはスパッタリングに
より基板上に各層を堆積するのが通常の方法である。ま
た、イオンブレーティングを用いる方法も考えられる。
ば生産性に影響するので通常0.1〜100久/ s
e c程度とされる。
例に限定されるものではない。
ンバーを持つスパッタリング装置に導入し、先ず3X1
0−’Torr以下まで排気し、Arと02の混合ガス
を用いてTaターゲットの反応性スパッタを行い’pa
20sからなる800人の干渉層を形成した。
のチャンバーに移動した後、Arを100 secm。
原子%、以下同じ)のターゲットを同時にスパッタリン
グを行い、T bI9(F e、sc Os ) e+
(キュリー温度:175°C1室温での保磁カニ15
koeより大、熱伝導度: 18Wm−’に一’)の組
成を持つ記録層500人を形成した。引続きDyトF
C7゜C03゜のターゲットを同時にスパッタリングを
行い、Dy30 (F C7oco3o) 70 (キ
ュリー温度=230°C1室温での保磁カニ 2.2
k Oe、熱伝導度: 16Wm−’に一’)の組成を
持つ補助層を1500人形成した。
を用いて500Aのヒートシンク層(熱伝導度: 24
0 Wm−’に一’)を設けた。コノティスフの特性を
調べその結果を第1表に示す。測定条件はHtn+−6
kOeXHb =3000e。
記録パルス幅)−60nS、測定位置(ディスクの中心
からの距離)R=30mmで行ない、CZN比が最大に
なるときの各パワー(Pl、、PM)を求めた。
に誘電体層として300人のTa205を干渉層と同様
にして形成し、続いて、500人のA1のヒートシンク
層(熱伝導度:240WmK −1)を設けた。Ta2
05はヒートシンク層への熱伝導速度を調節する役をな
す。ディスクの特性を第1表に示す。
ク層は設けず、酸化防止の為に熱伝導度が補助層よりも
小さいTazOsを800人保護層として形成した。デ
ィスクの特性を第1表に示す。
) 68 (キュリー温度:275°C1室温での保磁
カニ 2.0 k Oe、熱伝導度: 18Wm−’に
一’)を用いた他は実施例1と同様にディスクを形成し
た。ディスクの特性を第1表に示す。
rpmでも比較例2を除く全てのディスクが、R=30
mmでは10mW以下のP、で記録可能であったが、比
較例1ではP、のスポットの中央部が高温になりすぎC
/N比が低い。また比較例2では、PMに11mW以上
のパワーが必要であった。
分なC/N比が得られている。
ag O,を300人形成した。(比較例3)。
に導入しAlを100人成膜した。(実施例3) この状態で測定を行ない、以下同様にAIが30OA、
500人、1000人の膜厚について各々成膜と測定を
行なった。(実施例4〜6)結果を表2に示す。比較例
3ではCIN>45dBは得られているが、1.4 M
Hzと3.7 M HzでCINが高いPLにずれが
ある為、画周波数でCIN>45dB、八〇IN<20
dBを満たすP、は存在しなかった。これに対し、実施
例3〜5では条件を満足するPLの範囲が存在する。特
にAIの膜厚が厚い状態では大きなマージンが得られる
。
作成した後、厚さ1000人のA1.、Ta3合金から
なるヒートシンク層を保護層の上に形成し光磁気ディス
クを得た。ヒートシンク層の熱伝導度は55Wm−’に
一’であった。このディスクを実施例3と同一の条件で
測定したところ、1.4MHz及び3.7MHzの画記
録周波数において、45dB以上のC/N比及び20d
B以下のへCZN比の両条件を満たすP、及びPt、は
、それぞれ9mW及び3.4〜4.2mWであった。
可能な光磁気記録媒体を得ることができる。
Claims (1)
- (1)基板上に設けられたキュリー温度T_c_1、室
温での保磁力H_c_1を持った光磁気記録層および、
キュリー温度T_c_2、室温での保磁力H_c_2を
持った記録補助層がこの順に形成され、前記T_c_1
、T_c_2、H_c_1、H_c_2が T_c_1<T_c_2、H_c_1>H_c_2を満
足する重ね書き可能な光磁気記録媒体において、記録補
助層の基板に面する側ではない側に記録補助層よりも熱
伝導度の大きい物質からなるヒートシンク層を設けたこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2304533A JP3057644B2 (ja) | 1989-11-10 | 1990-11-09 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-292897 | 1989-11-10 | ||
JP29289789 | 1989-11-10 | ||
JP2304533A JP3057644B2 (ja) | 1989-11-10 | 1990-11-09 | 光磁気記録媒体 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP216898A Division JPH10177748A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | 光磁気記録媒体 |
JP216998A Division JPH10177749A (ja) | 1998-01-08 | 1998-01-08 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03219452A true JPH03219452A (ja) | 1991-09-26 |
JP3057644B2 JP3057644B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=26559172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2304533A Expired - Lifetime JP3057644B2 (ja) | 1989-11-10 | 1990-11-09 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3057644B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03119540A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-21 | Kuraray Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-11-09 JP JP2304533A patent/JP3057644B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03119540A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-21 | Kuraray Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3057644B2 (ja) | 2000-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000163814A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
US5233575A (en) | Magneto-optical recording medium | |
EP0698881A1 (en) | Magnetooptical recording medium and method for reproducing information from the medium | |
JP3297513B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 | |
EP0454858B1 (en) | Magnetooptical recording medium | |
JPH03219452A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH056588A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
JP3474464B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
KR100691196B1 (ko) | 광자기 기록 매체 | |
JPH0555941B2 (ja) | ||
JPH04219642A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
JP2957260B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH10177748A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH10177749A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JP3177281B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH0528555A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
US5730846A (en) | Method of producing a magneto-optical recording medium | |
JP2647958B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JP3592399B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JP2737241B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS6157053A (ja) | 光学的記録媒体 | |
JP3075048B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
JPS62209750A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH0464940A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JP2004185718A (ja) | 光磁気記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090421 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090421 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100421 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100421 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110421 Year of fee payment: 11 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110421 Year of fee payment: 11 |