JP2925424B2 - オーバーライト可能な高密度光磁気記録媒体 - Google Patents

オーバーライト可能な高密度光磁気記録媒体

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光変調ダイレクトオー
バーライトが可能で、かつ、超解像再生が可能な光磁気
記録媒体、およびこの光磁気記録媒体の記録または再生
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光磁気記録媒体としてＴｂＦｅＣ
ｏ膜などの希土類遷移金属合金磁性体膜が知られてい
る。しかしながら、この従来の光磁気記録媒体は、再生
時には再生光学系の光学的分解能よりも小さなビット磁
区は再生できないため記録密度が限られており、また記
録時にはダイレクトオーバーライトができないため、前
の情報を消去してから記録しなければならず、記録速度
が遅いという問題がある。
【０００３】最近、これらの問題に対し、前者について
は超解像再生方式が、また後者については、ダイレクト
オーバーライトが可能な交換結合４層膜が提案されてい
る。超解像再生方式については、たとえばジャパニーズ
ジャーナル オブ アプライド フィジックス（Japa
nese Journal of Applyed Physics）第31巻1992年２
月、パート１（Ｐａｒｔ１）２Ｂ号、568〜575頁に記載
されており、図７は超解像再生可能な光磁気記録媒体の
層構成、および各層の磁化方向を矢印で示した説明図で
ある。以下、図７に基づいて超解像再生方式の動作を説
明する。図７において、11は再生層、12はスイッチ層、
13はメモリー層、14はマスク領域、15は光スポット、16
は記録ビット磁区、17は未記録領域を示す。再生層11の
磁化は、室温ではスイッチ層12を介して交換結合によっ
てメモリー層13の磁化方向と同方向に揃っている。磁性
層に再生光エネルギーが入射すると再生光スポットの媒
体移動方向側にピークを有する温度分布が生ずる。この
磁性層の温度分布中、スイッチ層12のキュリー温度以上
に昇温した領域では、再生層11とメモリー層13のあいだ
の交換結合が切られるために再生層11の磁化方向はもは
やメモリー層13には拘束されずに、外部磁界の方向に揃
う。このとき再生光スポット中、再生層が外部磁界方向
に揃ったこの領域は、再生信号成分に寄与しないマスク
領域14となり再生信号はこの「マスク」以外の領域にお
いて検出される。このことは、すなわち光スポット径を
実効的に小さくしたことに相当し、光スポット径によっ
て規定される光学的分解能限界をこえた微小ビット磁区
の再生、すなわち、超解像再生が可能であることを示し
ている。なお、超解像再生を行うための「マスク」を形
成するためには、ある程度の強度の再生光ビーム強度が
必要である。以下では超解像再生のための再生光ビーム
強度をＰRと記す。
【０００４】また、ダイレクトオーバーライトが可能な
交換結合４層膜については、たとえば日本応用磁気学会
誌、第14巻第２号、1990年、165〜170頁に記載されてい
る。図８は光の強弱のみでダイレクトオーバーライトを
可能にした前記４層膜からなる光磁気記録媒体のダイレ
クトオーバーライト動作を説明した図である。図８にお
いて、白抜きの大きな矢印は磁化の方向を、また白抜き
矢印の中の小さな矢印は４層磁性膜の遷移金属副格子磁
化の方向を示しており、４層磁性膜の各層は上から、21
をメモリー層、22を記録層、23をスイッチ層、24を初期
化層とする。また、Ｔc1はメモリ層21のキュリー温度、
Ｔc2は記録層22のキュリー温度、Ｔc3はスイッチ層23の
キュリー温度、Ｔc4は初期化層24のキュリー温度、Ｔ
roomは室温、Ｔcomp2は記録層22の補償温度、Ｔcomp4は
初期化層24の補償温度を示す。以下、この光磁気記録媒
体のダイレクトオーバーライト動作を（あ）初期化動
作、（い）低温動作、（う）高温動作の順に説明する。
【０００５】まず、初期化動作（あ）について説明す
る。光磁気記録媒体を成膜後、記録層22、スイッチ層2
3、初期化層24の遷移金属副格子磁化の方向を一方向、
たとえば下向きに揃える（図８の（ａ）と（ｂ））。こ
れは、たとえば最初に充分大きな磁界を印加することに
よって行う。このときメモリー層21の遷移金属副格子磁
化の方向は上向き（図８の（ａ））であっても下向き
（図８の（ｂ））であってもかまわない。
【０００６】つぎに、高温動作（い）について説明す
る。記録光ビームの強度を強くし、磁性膜の温度を記録
層22のキュリー温度付近まで昇温すると、出発状態が図
８の（ａ）であっても（ｂ）であっても、メモリー層2
1、スイッチ層23の磁化は消失し、記録層22の磁化の方
向は外部磁界（図中、上向き）の方向に揃う（図８の
（ｃ））。こののちの冷却過程において磁性膜温度がメ
モリー層21のキュリー温度より下回りメモリー層21の磁
化が現れるとメモリー層21の遷移金属副格子磁化の方向
は交換結合力によって、記録層22の遷移金属副格子磁化
の方向（上向き）に揃う（図８の（ｄ））。さらに磁性
膜温度がスイッチ層23のキュリー温度を下回るとスイッ
チ層23の磁化が現われ、記録層の遷移金属副格子磁化の
方向はスイッチ層23を介して初期化層24の遷移金属副格
子磁化の方向（下向き）に揃い、図８の（ａ）の状態が
復元される。以上の過程において初期化層24の副格子磁
化の方向は常に一方向に揃うように設定されている。
【０００７】さらに、低温動作（う）について説明す
る。記録光ビームの強度を弱くし、磁性膜の温度をメモ
リー層21のキュリー温度付近まで昇温すると、出発状態
が図８の（ａ）であっても（ｂ）であっても、メモリー
層21の遷移金属副格子磁化の方向は交換結合力によっ
て、記録層22の遷移金属副格子磁化の方向（下向き）に
揃う（図８の（ｅ））。磁性膜温度が室温まで冷却され
ると図８の（ｂ）の状態になる。
【０００８】以上の高温動作（い）、低温動作（う）の
動作によって初期状態が図８の（ａ）、（ｂ）のどちら
であっても、メモリー層21の磁化の方向は、高温動作
（い）により上向きにされ、低温動作（う）により下向
きにされるので、情報の「０」、「１」に応じて記録光
の強度を強弱に２値変調すればダイレクトオーバーライ
トが可能である。なお、以下では高温動作（い）をさせ
るための強い記録光ビーム強度をＰH、低温動作をさせ
るための弱い記録光ビーム強度をＰLとする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、超
解像再生が可能な光磁気記録媒体とダイレクトオーバー
ライトが可能な光磁気記録媒体が提案されているが、い
ずれの提案の光磁気記録媒体も超解像再生とダイレクト
オーバーライトの両方が行われるものではない。これら
を両立させるためには、ダイレクトオーバーライトでの
高温動作時にＰH、低温動作時にＰLの強弱２値の光ビー
ム強度に加え、超解像再生時にＰRの合計３値の光ビー
ム強度が必要であり、前記それぞれの光ビーム強度に応
じてそれぞれ所定の動作が確実におこり、良好な超解像
再生特性と良好なダイレクトオーバーライト特性が両立
すること、またＰH、ＰL、ＰRがそれぞれ充分なマージ
ン（許容範囲）を有することが望まれる。たとえば光ビ
ーム強度ＰRで超解像再生中に、低温動作がおこって記
録された情報が変わってしまうようなことがあってはな
らない。また当然のことながら、このような超解像再
生、ダイレクトオーバーライトの両方が行われる媒体に
おいて、ＮｄＦｅＣｏ膜やＰｔ／Ｃｏ多層膜などの短波
長光に対して大きな再生信号出力がえられる光磁気材料
を適用するばあい、短波長光に対する特性だけでなく、
いかにすれば超解像再生特性、ダイレクトオーバーライ
ト特性を良好にしうるかなどは、明らかにはされていな
い。
【００１０】またダイレクトオーバーライト記録された
情報を超解像再生する際、ダイレクトオーバーライト記
録時に印加する外部磁界の方向と超解像再生時に印加す
る外部磁界の方向の関係についても明らかにされていな
い。
【００１１】本発明は、以上の問題を解決するためにな
されたもので、超解像再生動作とダイレクトオーバーラ
イト動作のいずれもが可能な光磁気記録媒体をうること
を目的とする。
【００１２】また本発明の他の目的は、超解像再生動作
とダイレクトオーバーライト動作の両方を行える光磁気
記録媒体において、再生光ビーム強度の広い範囲で記録
情報を壊すことなく記録し、または再生する方法を提供
することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、第１磁性層のうえに順次設けられ、隣接する磁性層
が交換力で結合された第２磁性層、第３磁性層、第４磁
性層、第５磁性層および第６磁性層を備え、第１磁性層
は希土類遷移金属合金または磁性遷移金属を含有するフ
ェロ磁性体からなり、第２磁性層、第３磁性層、第４磁
性層、第５磁性層、第６磁性層は希土類遷移金属合金か
らなり、第１磁性層のキュリー温度が第２磁性層のキュ
リー温度よりも高く、第３磁性層のキュリー温度が第２
磁性層のキュリー温度よりも高く、第４磁性層のキュリ
ー温度が第３磁性層のキュリー温度よりも高く、第６磁
性層のキュリー温度が第４磁性層のキュリー温度よりも
高く、第４磁性層のキュリー温度が第５磁性層のキュリ
ー温度よりも高く、第６磁性層のキュリー温度が第５磁
性層のキュリー温度よりも高く、第５磁性層のキュリー
温度が第２磁性層のキュリー温度以上であり、かつ室温
において第３磁性層の磁化は第４磁性層の磁化反転によ
って反転せず、希土類遷移金属からなる第１磁性層の遷
移金属格子磁化方向または前記フェロ磁性体からなる第
１磁性層の磁化方向と、第２磁性層の遷移金属副格子磁
化方向とは、第３磁性層の遷移金属副格子磁化方向が上
向きの領域では上向きに揃っており、第３磁性層の遷移
金属副格子磁化方向が下向きの領域では下向きに揃って
おり、かつ室温において第４磁性層、第５磁性層および
第６磁性層の遷移金属副格子磁化方向が上向き、または
下向きのいずれかに揃っていることを特徴とするもので
ある。
【００１４】
【００１５】さらに、本発明の光磁気記録媒体の第４磁
性層は、室温と該第４磁性層のキュリー温度のあいだに
補償温度を有する希土類遷移金属合金からなることが好
ましい。さらに、本発明の光磁気記録媒体においては、
記録時に印加する磁界の方向と再生時に印加する磁界の
方向とを同一方向にすることが好ましい。
【００１６】さらに、本発明の光磁気記録媒体の第２磁
性層は、一般式（Ｉ）： （ＲＥ１1-xＨｏx）y（Ｆｅ1-zＣｏz）1-y （Ｉ） （式中、ＲＥ１はＨｏ以外の希土類金属を示し、ｘ≧0.
02、0.05≦ｙ≦0.2、０≦ｚ≦１）で表わされるＨｏを
含有する希土類遷移金属合金からなることが好ましい。
【００１７】さらに、本発明の光磁気記録媒体の第１磁
性層は、一般式(II)： （ＲＥ２1-uＮｄu）v（Ｆｅ1-wＣｏw）1-v (II) （式中、ＲＥ２はＮｄ以外の希土類金属を示し、ｕ≧0.
1、0.05≦ｖ≦0.2、０≦ｗ≦１）で表わされるＮｄを含
有する希土類遷移金属合金からなることが好ましい。
【００１８】また、本発明の光磁気記録媒体は、第１磁
性層がプラチナとコバルト、またはパラジウムとコバル
トが交互に積層された前記フェロ磁性体の多層膜からな
り、プラチナ層またはパラジウム層の単位層の厚さが0.
7ｎｍから1.8ｎｍの範囲内であり、コバルト層の単位層
の厚さが0.3ｎｍから1.4ｎｍの範囲内であることが好ま
しい。
【００１９】さらに、第１磁性層が基板バイアス電圧印
加スパッタリング法によって形成されてなることが好ま
しい。
【００２０】
【００２１】
【作用】本発明の光磁気記録媒体は、超解像再生をする
ことができ、かつ、ダイレクトオーバーライトをするこ
とができるものである。また、超解像再生動作、ダイレ
クトオーバーライト動作のいずれもが互いに干渉するこ
となく、安定かつ良好な再生特性を発揮せしめることが
できる。
【００２２】
【００２３】また、第４磁性層が、室温と該第４磁性層
のキュリー温度のあいだに補償温度を有する希土類遷移
金属合金からなる光磁気記録媒体では、記録ビットが再
生中に反転することなく安定な超解像再生を行うことが
できる。また、本発明の光磁気記録媒体は、記録時に印
加する外部磁界の方向と再生時に印加する外部磁界の方
向が同一であるので、超解像再生時の再生光ビーム強度
のマージンを大幅に増加させることができる。
【００２４】また一般式（Ｉ）で表わされるＨｏを含有
する希土類遷移金属合金を第２磁性層に用いた光磁気記
録媒体では、ダイレクトオーバーライト特性に悪影響を
及ぼすことなく超解像再生の光ビーム強度を低減するこ
とができる。
【００２５】また、一般式(II)で表わされるネオジウム
を含有する希土類遷移金属合金を第１磁性層に用いた光
磁気記録媒体、またはプラチナとコバルトまたはパラジ
ウムとコバルトを交互に積層した多層膜からなり、前記
プラチナ層または前記パラジウム層の単位層の厚さが0.
7ｎｍから1.8ｎｍの範囲内であり、コバルトの単位層の
厚さが0.3ｎｍから1.4ｎｍの範囲内のフェロ磁性体を第
１磁性層に用いた光磁気記録媒体では、短波長光再生に
有利な光磁気材料を用いているので、短波長での超解像
再生、ダイレクトオーバーライトをすることができる。
【００２６】また、第１磁性層を基板バイアス電圧印加
スパッタリング法により作製した光磁気記録媒体では、
超解像再生動作時の外部磁界を低減することができる。
【００２７】
【００２８】
【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。
【００２９】［実施例１］図１に本発明の一実施例の光
磁気記録媒体の構成を示す。前記媒体は、ガラス基板上
にスパッタリング法を用いた薄膜形成法によって、下記
の各磁性層および誘電体層、保護層を形成した。
【００３０】図１において、１は第１磁性層、２は第２
磁性層、３は第３磁性層、４は第４磁性層、５は第５磁
性層、６は第６磁性層、７は基板、８は誘電体層、９は
保護層を示す。 （層名称）：（材料） （膜厚） （キュリー温度） 誘電体層 ：ＳｉＮx ６５ｎｍ 第１磁性層：Ｇｄ0.19Ｆｅ0.69Ｃｏ0.12 ２５ｎｍ ３００℃以上 第２磁性層：Ｔｂ0.15Ｆｅ0.84Ｃｏ0.01 ８ｎｍ １２０℃ 第３磁性層：Ｔｂ0.21Ｆｅ0.70Ｃｏ0.09 ４０ｎｍ ２１０℃ 第４磁性層：Ｄｙ0.25Ｆｅ0.50Ｃｏ0.25 ４０ｎｍ ２５０℃ 第５磁性層：Ｔｂ0.15Ｆｅ0.78Ｃｏ0.07 ２０ｎｍ １７０℃ 第６磁性層：Ｔｂ0.25Ｆｅ0.15Ｃｏ0.60 ４０ｎｍ ３００℃以上 保 護 層：ＳｉＮx ８０ｎｍ ここで、磁性層の材料の組成を表す数値は、いずれも原
子比である。
【００３１】また、磁性層の材料、組成は、単に一例で
あり、前記材料および組成に限定されるものではない。
本実施例の光磁気記録媒体の隣接する磁性層は互いに交
換力によって磁気的に結合している。記録再生光ビーム
は第１磁性層側から入射する。
【００３２】第１磁性層は、その磁化パターン（ビット
磁区）が再生の際、主に寄与し、また超解像再生の際の
「マスク」が形成される層である。第２磁性層は超解像
再生動作時に第１磁性層に対して第３磁性層からの交換
力を遮断する層である。第３磁性層は情報の記録と保持
を行う層であり、第４磁性層、第５磁性層、第６磁性層
は情報媒体の役割をせず、光変調ダイレクトオーバーラ
イト機能を付与する層である。第６磁性層は光ビーム照
射による温度上昇に対し動作範囲内では副格子磁化は反
転しない。第５磁性層は第６磁性層からの交換力を高温
動作時に遮断するための層である。
【００３３】また前記のように第１磁性層のキュリー温
度が第２磁性層のキュリー温度よりも高く、第３磁性層
のキュリー温度が第２磁性層のキュリー温度よりも高
く、第４磁性層のキュリー温度が第３磁性層のキュリー
温度よりも高く、第６磁性層のキュリー温度が第４磁性
層のキュリー温度よりも高く、第４磁性層のキュリー温
度が第５磁性層のキュリー温度よりも高く、第６磁性層
のキュリー温度が第５磁性層のキュリー温度よりも高く
設定されている。またとくに第５磁性層のキュリー温度
を第２磁性層のキュリー温度よりも高く設定するのが好
ましい。
【００３４】また室温において第３磁性層の磁化は第４
磁性層の磁化反転によって反転しないように設定されて
おり、かつ室温において第１磁性層、第２磁性層の副格
子磁化方向は、第３磁性層の副格子磁化方向が上向きの
領域では上向きに揃っており、かつ第３磁性層の副格子
磁化方向が下向きの領域では下向きに揃っており、かつ
室温において第４磁性層、第５磁性層および第６磁性層
の副格子磁化方向が上向き、または下向きのいずれかに
揃っているようにしている。
【００３５】室温において第１、第２、第３の磁性層の
副格子磁化の向きを揃えること、および第４、第５、第
６磁性層の副格子磁化の向きを揃えることは、それぞれ
隣接層間の交換力によって可能である。また第３磁性層
の磁化が第４磁性層の磁化反転によって反転しないため
には、第３磁性層の副格子磁化方向を第４磁性層の副格
子磁化に揃えようとする交換力に対して、第３磁性層が
磁化反転しないことが必要である。第３磁性層は第４磁
性層からだけでなく第２磁性層からの交換力も受けるか
ら正確には以下の条件式（１）を室温で満たすことが必
要である。
【００３６】 σ４／（２・Ｍｓ・ｔ）−σ２／（２・Ｍｓ・ｔ）＜Ｈｃ （１） ここで、σ２は第２磁性層と第３磁性層間の界面磁壁エ
ネルギー、σ４は第４磁性層と第３磁性層間の界面磁壁
エネルギー、Ｍｓは第３磁性層の飽和磁化、ｔは第３磁
性層の膜厚、Ｈｃは第３磁性層の保磁力である。左辺第
１項は第４磁性層からの交換力により第３磁性層の副格
子磁化の方向を第４磁性層の副格子磁化の方向に揃えよ
うとする作用を、左辺第２項は第２磁性層からの交換力
によって第３磁性層の副格子磁化の方向を第２磁性層の
副格子磁化の方向に揃えようとする作用を表わしてい
る。また上記条件式（１）の右辺のＨｃは第３磁性層の
磁化反転に抗する作用を表わしており、上記条件式
（１）は保磁力による作用が交換力による作用よりも大
きいことを表わしている。したがって、σ２、σ４、Ｍ
ｓ、ｔ、Ｈｃを前記条件式（１）を満たすように設定す
れば、第３磁性層の磁化が第４磁性層の磁化反転によっ
て反転しないようにすることができる。本発明の光磁気
記録媒体ではとくに、室温において第２磁性層の副格子
磁化の方向を第３磁性層の副格子磁化の方向に揃うよう
構成したので、第２磁性層からの交換力による作用（条
件式（１）の左辺第２項）は常に、条件式（１）を満た
すのに有利に働き、本発明を実現させるのに有効である
といえる。本発明の光磁気記録媒体中の各磁性層は前述
した条件を満たすことにより、ダイレクトオーバーライ
トが可能で、かつ、超解像再生が可能となる。
【００３７】前記条件を満たす第１磁性層は、希土類遷
移金属合金またはフェロ磁性体からなるが、その具体例
としては、前記合金Ｇｄ0.19Ｆｅ0.69Ｃｏ0.12の他、た
とえば一般式(III)： （Ｇｄ1-p-qＴｂpＤｙq）r（Ｆｅ1-sＣｏs）1-r (III) （式中、０≦ｐ≦0.8、０≦ｑ≦0.8、０≦ｐ＋ｑ＜1、
0.05≦ｒ≦0.3、０≦ｓ≦１）で表わされるＧｄを含む
希土類遷移金属合金、一般式(II)： （ＲＥ２1-uＮｄu）v（Ｆｅ1-wＣｏw）1-v (II) （式中、ＲＥ２はＮｄ以外の希土類金属を示し、ｕ≧0.
1、0.05≦ｖ≦0.2、０≦ｗ≦１）で表わされるＮｄを含
有する希土類遷移金属合金、プラチナとコバルト、また
はパラジウムとコバルトを交互に積層した前記フェロ磁
性体の多層膜からなり、プラチナ層またはパラジウム層
の単位層の厚さが0.7〜1.8ｎｍの範囲内であり、コバル
ト層の単位層の厚さが0.3〜1.4ｎｍの範囲内である前記
多層膜があげられる。第１磁性層の厚さは、10〜35ｎｍ
が好ましい。
【００３８】また、前記条件を満たす第２磁性層は、希
土類遷移金属合金からなるが、その具体例としては、前
記合金Ｔｂ0.15Ｆｅ0.84Ｃｏ0.01の他、たとえば一般式
(IV)： （Ｔｂ1-aＤｙa）b（Ｆｅ1-cＣｏc）1-b (IV) （式中、０≦ａ≦１、0.05≦ｂ≦0.4、０≦ｃ≦0.5）で
表わされる希土類遷移金属合金、一般式（Ｉ）： （ＲＥ１1-xＨｏx）y（Ｆｅ1-zＣｏz）1-y （Ｉ） （式中、ＲＥ１はＨｏ以外の希土類金属を示し、ｘ≧0.
02、0.05≦ｙ≦0.2、０≦ｚ≦１）で表わされるＨｏを
含有する希土類遷移金属合金、またはこれらを主成分と
し、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｂなどの非磁性元素を添
加した合金などがあげられる。第２磁性層の厚さは、３
〜20ｎｍが好ましい。
【００３９】また、前記条件を満たす第３磁性層は、希
土類遷移金属合金からなるが、その具体例としては、前
記合金Ｔｂ0.21Ｆｅ0.70Ｃｏ0.09の他、たとえば一般式
（Ｖ）： （Ｔｂ1-dＤｙd）e（Ｆｅ1-fＣｏf）1-e （Ｖ） （式中、０≦ｄ≦１、0.1≦ｅ≦0.3、０≦ｆ≦0.5）で
表わされる希土類遷移金属合金、またはそれらを主成分
とする合金などがあげられる。第３磁性層の厚さは、10
〜50ｎｍが好ましい。
【００４０】また、前記条件を満たす第４磁性層は、希
土類遷移金属合金からなるが、その具体例としては、前
記合金Ｄｙ0.25Ｆｅ0.50Ｃｏ0.25の他、たとえば一般式
(VI): (Gd1-g-hＴｂgＤｙh）j（Ｆｅ1-kＣｏk）1-j (VI) （式中、０≦ｇ≦１、０≦ｈ≦１、０＜ｇ＋ｈ≦１、0.
1≦ｊ≦0.4、０≦ｋ≦１）で表わされるＴｂまたはＤｙ
を含む希土類遷移金属合金、またはそれらを主成分とす
る合金などがあげられ、またとくに室温とキュリー温度
のあいだに補償温度を有することが好ましい。第４磁性
層の厚さは、10〜80ｎｍが好ましい。
【００４１】また、前記条件を満たす第５磁性層は、希
土類遷移金属合金からなるが、その具体例としては、前
記合金Ｔｂ0.15Ｆｅ0.78Ｃｏ0.07の他、たとえば一般式
(VII)： （Ｔｂ1-αＤｙα）β（Ｆｅ1-δＣｏδ）1-β (VII) （式中、０≦α≦１、0.05≦β≦0.4、０≦δ≦0.5）で
表わされる希土類遷移金属合金、またはそれらを主成分
とし、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｂなどの非磁性元素を
添加した合金などがあげられる。第５磁性層の厚さは、
３〜20ｎｍが好ましい。
【００４２】また、前記条件を満たす第６磁性層は、希
土類遷移金属合金からなるが、その具体例としては、前
記合金Ｔｂ0.25Ｆｅ0.15Ｃｏ0.60の他、たとえば一般式
(VIII)： （Ｔｂ1-ζＤｙζ）η（Ｆｅ1-θＣｏθ）1-η (VIII) （式中、０≦ζ≦１、0.1≦η≦0.4、０＜θ≦１）で表
わされる希土類遷移金属合金、またはそれらを主成分と
する合金などがあげられる。第６磁性層の厚さは10〜80
ｎｍが好ましい。
【００４３】つぎに動作について説明する。
【００４４】まず、初期化動作（あ）について説明す
る。図２は本発明の光磁気記録媒体の初期化動作を説明
する図である。なお図２を含め以下の図中、白抜きの大
きな矢印は磁化の方向を、また白抜き矢印の中の小さな
矢印は６層の磁性膜の遷移金属副格子磁化の方向を示
す。図中の符号は図１と同様である。なお、第１磁性層
がフェロ磁性体のばあい、遷移金属副格子磁化の方向
は、磁化方向と同一である。また磁性膜温度がキュリー
温度以上に昇温し、磁化が消失した状態を横棒により、
また隣りあう磁性層の副格子磁化の方向が反平行で、そ
れら２磁性層間の界面に生じた層間界面磁壁を斜線で表
わす。また以下でとくに明示しないばあいは遷移金属副
格子磁化を単に副格子磁化という。
【００４５】光磁気記録媒体を成膜後、第４磁性層、第
５磁性層、第６磁性層の遷移金属副格子磁化の方向を一
方向に、たとえば下向きに揃える。これはたとえば最初
に充分大きな磁界を印加すること、また反転磁界が著し
く大きいばあいは、磁界を印加しながら磁性膜全体を加
熱または冷却することによって行う。このとき第３磁性
層の副格子磁化の方向は上向き（図２の（ａ））であっ
ても下向き（図２の（ｂ））であってもかまわない。こ
のとき、第２磁性層の副格子磁化の方向は、第３磁性層
からの交換力によって第３磁性層の副格子磁化の方向に
揃い、また同様に第１磁性層の副格子磁化の方向は第２
磁性層からの交換力によって第２磁性層の副格子磁化の
方向と揃うため、結果として第１磁性層から、第３磁性
層までは同一の副格子磁化方向に揃っている。第４磁性
層と第６磁性層がいずれも遷移金属副格子磁化優勢、ま
たはいずれも希土類金属副格子磁化優勢であれば一方向
一様の磁界により磁化の向きを揃えられるので都合がよ
い。さらには、第６磁性層が動作温度内で磁化反転をお
こさないためには、より高温まで保磁力の大きな希土類
金属副格子磁化優勢であることが望ましい。したがって
結果として第４磁性層、第６磁性層はともに希土類金属
副格子磁化優勢であることが望ましい。ここで希土類金
属副格子磁化優勢とは、室温において希土類金属副格子
磁化のほうが遷移金属副格子磁化よりも大きく、結果と
して外部にあらわれる磁化の方向が希土類金属副格子磁
化の方向と同一である状態をいう。
【００４６】つぎに、高温動作（い）について説明す
る。図３は本発明の光磁気記録媒体のダイレクトオーバ
ーライト動作のうち、高温動作を説明する図である。図
中の符号は図１と同様である。高温動作の記録光ビーム
強度ＰHの記録光ビームを光磁気記録媒体に照射し、磁
性膜の温度を第４磁性層のキュリー温度付近まで昇温す
る。また記録磁界として上向きの外部磁界を印加する。
【００４７】このとき初期化動作（あ）によって初期化
された状態が図２の（ａ）であっても図２の（ｂ）であ
っても、第２磁性層、第３磁性層、第５磁性層の磁化は
消失し、第４磁性層は他の磁性層からの交換力を受ける
ことなく第４磁性層の副格子磁化の方向は上向きの外部
磁界の方向に揃う（図３の（ａ））。なお本実施例では
第４磁性層は室温では希土類金属副格子磁化優勢である
が、室温から第４磁性層のキュリー温度のあいだに補償
温度を有し、キュリー温度近くでは遷移金属副格子磁化
優勢となるよう設定したので、第４磁性層の副格子磁化
は磁化の方向と同一の上向きに揃う。
【００４８】こののちの冷却過程において、まず磁性膜
温度が第３磁性層のキュリー温度以下まで降温すると第
３磁性層の磁化が現われる。このとき第３磁性層の副格
子磁化は第４磁性層からの交換力によって第４磁性層の
上向き副格子磁化の方向に揃って上向きとなる（図３の
（ｂ））。
【００４９】つぎに磁性膜温度が第５磁性層のキュリー
温度以下まで降温すると第５磁性層の磁化が現われる。
このとき第５磁性層の副格子磁化は第６磁性層からの交
換力によって第６磁性層の下向き副格子磁化の方向に揃
って下向きとなる。引き続いて第４磁性層の副格子磁化
が第５磁性層からの交換力によって第５磁性層の下向き
副格子磁化に揃い下向きとなる（図３の（ｃ））。
【００５０】冷却過程において第２磁性層のキュリー温
度以下まで磁性膜温度が降温すると第２磁性層の磁化が
現われる。このとき第２磁性層の副格子磁化は第３磁性
層から交換力を受けて第３磁性層の上向き副格子磁化の
方向に揃って上向きとなり、また第１磁性層の副格子磁
化は第２磁性層から交換力を受けて第２磁性層の上向き
副格子磁化の方向に揃って上向きとなる（図３の
（ｄ））。
【００５１】以上のように、最初の状態が図２の（ａ）
であっても図２の（ｂ）であっても、高温動作（い）に
よって図２の（ａ）と同じ図３の（ｄ）の状態が実現
し、たとえばこの状態を情報の「１」に対応させること
ができる。
【００５２】つぎに、低温動作（う）について説明す
る。図４は本発明の光磁気記録媒体のダイレクトオーバ
ーライト動作のうち、低温動作を説明する図であり、図
中の符号は図１と同様である。低温動作の記録光ビーム
強度ＰLの記録光ビームを光磁気記録媒体に照射し、磁
性膜の温度を第３磁性層のキュリー温度付近まで昇温す
る。
【００５３】このとき初期化動作（あ）によって初期化
された状態が図２の（ａ）であっても図２の（ｂ）であ
っても、第２磁性層、第５磁性層の磁化は消失し、第３
磁性層の副格子磁化の方向は第２磁性層からの交換力を
受けることなく第４磁性層からの交換力により第４磁性
層の下向き副格子磁化の方向に揃って下向きとなる（図
４の（ａ））。
【００５４】つぎに磁性膜温度が第５磁性層のキュリー
温度以下まで降温すると第５磁性層の磁化が現われる。
このとき第５磁性層の副格子磁化は第６磁性層からの交
換力によって第６磁性層の下向き副格子磁化の方向に揃
って下向きとなる。引き続いて第４磁性層の副格子磁化
が第５磁性層からの交換力によって第５磁性層の下向き
副格子磁化に揃い下向きとなる。つぎに第２磁性層のキ
ュリー温度以下まで磁性膜温度が降温すると第２磁性層
の磁化が現われる。このとき第２磁性層の副格子磁化は
第３磁性層から交換力を受けて第３磁性層の下向き副格
子磁化の方向に揃って下向きとなり、また第１磁性層の
副格子磁化は第２磁性層からの交換力を受けて第２磁性
層の下向き副格子磁化の方向に揃って下向きとなる（図
４の（ｂ））。
【００５５】以上のように最初の状態が図２の（ａ）で
あっても図２の（ｂ）であっても、低温動作（う）によ
って図２（ｂ）と同じ図４（ｂ）の状態が実現し、たと
えばこの状態を情報の「０」に対応させることができ
る。
【００５６】つぎに、超解像再生動作について説明す
る。図５は高温動作（い）、低温動作（う）のダイレク
トオーバーライトによって図２の（ａ）、（ｂ）に示し
た磁化パターンとして記録された情報を超解像再生する
動作を説明する図であり、図中の符号は図１と同様であ
る。なお、図５において磁化方向の表示は省いた。図５
において媒体は図面右方向へ移動するものとする。磁性
層は再生光エネルギー入射によって昇温し、再生光スポ
ットの媒体移動方向側にピークを有する温度分布が生ず
る。この磁性層の温度分布中、第２磁性層のキュリー温
度以上に昇温した領域では、第１磁性層と第３磁性層の
あいだの交換結合が切られるために第１磁性層の磁化方
向はもはや第３磁性層には拘束されずに、外部磁界の方
向に揃う。このとき再生光スポット中、再生層が外部磁
界方向に揃ったこの領域は、再生信号成分に寄与しない
「マスク」領域となり再生信号はこの「マスク」以外の
領域において検出される。このことはすなわち光スポッ
ト径を実効的に小さくしたことに相当し、光スポット径
によって規定される光学的分解能限界をこえた微小ビッ
ト磁区の再生、すなわち超解像再生が可能となる。
【００５７】上述の各動作によって本発明の光磁気記録
媒体は、ダイレクトオーバーライト動作、超解像再生動
作の両立が可能である。
【００５８】つぎに、本実施例において第２磁性層、第
５磁性層のキュリー温度の組合せを変えた媒体につい
て、その再生特性である搬送波対雑音強度比（ＣＮ比）
について調べた結果を表１に示す。第２磁性層、第５磁
性層のキュリー温度は、それぞれの磁性膜の組成、具体
的には、Ｔｂn（Ｆｅ1-mＣｏm）1-n膜中のＴｂ量（ｎ）
を変化させて、またはＣｏを含有しないばあいも含めて
ＦｅＣｏに対するＣｏの比率（ｍ）を変えて変化させ
た。第２磁性層および第５磁性層の各キュリー温度に対
する組成を表２に示す。なお膜厚はそれぞれ８ｎｍ、20
ｎｍである。表１および表２において、第２磁性層のキ
ュリー温度をＴｃ2、第５磁性層のキュリー温度をＴｃ5
と表記する。また表２において、Ｔｃ2、Ｔｃ5の各組合
せの媒体の中で、全く再生信号がえられなかった媒体に
ついてはＣＮ比を示さず、横棒を記入した。
【００５９】
【表１】
【００６０】
【表２】 表１の結果から、Ｔｃ2＞Ｔｃ5のばあいには、30ｄＢ以
下の実用に耐えないＣＮ比しかえられないか、または全
く再生信号がえられず、Ｔｃ2≦Ｔｃ5のばあいに良好な
ＣＮ比がえられることが明かとなった。これはＴｃ2＞
Ｔｃ5の媒体を超解像再生するばあい、低温動作（う）
がおこってしまい、磁化パターンとして記録された情報
が、消去されてしまうためと考えられる。これらのこと
から第５磁性層のキュリー温度は第２磁性層のキュリー
温度以上であることが望ましい。これによって非常に安
定な超解像再生動作が可能になる。
【００６１】［比較例１］実施例１では、第１磁性層と
して遷移金属副格子磁化優勢な希土類遷移金属合金、第
４磁性層として室温と該第４磁性層のキュリー温度のあ
いだに補償温度を有する材料を用いた。これに対する比
較例として室温と第４磁性層のキュリー温度のあいだに
補償温度を有さず、室温で希土類金属副格子磁化優勢な
材料を第４磁性層として用いた光磁気記録媒体を以下に
示す。比較例１の構成は、第４磁性層以外は、実施例１
と同じであって、第４磁性層には膜厚が40ｎｍでキュリ
ー温度が255℃のＤｙ0.28Ｆｅ0.47Ｃｏ0.25を用いた。
【００６２】実施例１と本比較例の光磁気記録媒体の違
いは、ダイレクトオーバーライトの高温動作時に、前者
の第４磁性層が遷移金属副格子磁化優勢であるのに対
し、後者の第４磁性層は希土類金属副格子磁化優勢であ
ることである。したがって実施例１では記録時の外部磁
界方向は、上向きであったが、本比較例において、実施
例１と同じ記録状態をえようとすれば記録時の外部磁界
方向を下向きにする必要がある。本比較例では、装置構
成の簡単化のために再生時の外部磁界方向を記録時の外
部磁界方向と同一とした。
【００６３】図６の（ａ）、（ｂ）は、それぞれ実施例
１と本比較例の媒体を超解像動作させたときに第１磁性
層の磁化が外部磁界の方向に揃って「マスク」された状
態における各磁性層の磁化方向を示した図であり、図中
の符号は図１と同様である。本比較例のばあい、第１磁
性層の副格子磁化は下向き外部磁界によって下向に揃っ
ている。磁性膜温度が下がり室温まで冷却する過程にお
いて、第２磁性層の磁化が現われるときに、第２磁性層
は第１磁性層からの交換力と第３磁性層からの交換力を
同時に受ける。実施例１（図６（ａ））のばあいは、第
１磁性層と第３磁性層の副格子磁化の方向は共に上向き
であり、第２磁性層の副格子磁化は、第１磁性層からの
交換力と第３磁性層からの交換力によって上向きに揃
う。一方、本比較例（図６（ｂ））のばあいには第１磁
性層の副格子磁化は下向きであり、第３磁性層の副格子
磁化は上向きである。したがって本比較例の第２磁性層
の磁化が現われたときの該第２磁性層の副格子磁化の方
向は第１磁性層と第３磁性層からの交換力、および外部
磁界の磁化力の３者のバランスで決まる。第２磁性層の
副格子磁化が上向きとなったばあいには、第１磁性層と
第２磁性層のあいだに、また第２磁性層の副格子磁化が
下向きとなったばあいには、第２磁性層と第３磁性層の
あいだに界面磁壁が生ずる。また第３磁性層と第４磁性
層のあいだにも界面磁壁があるので、計２つの界面磁壁
が冷却過程で現われることとなる。界面磁壁内は交換エ
ネルギーが蓄積された状態にあるため、本比較例の界面
磁壁が２個存在する状態は、実施例１に比べエネルギー
が高く不安定な状態といえる。とくに第２磁性層と第３
磁性層のあいだ、第３磁性層と第４磁性層のあいだに界
面磁壁が発生し、第３磁性層が２つの界面磁壁で挟まれ
た状態は、情報を保持するべき第３磁性層の磁化方向が
不安定となり好ましくなく、最悪のばあいは超解像再生
動作によって記録された情報が変化してしまう危険性が
ある。一方、実施例１では、生ずる界面磁壁は最大１つ
であり、記録情報を変化させるおそれがなく、安定に超
解像再生動作ができる。つまり第１磁性層が遷移金属副
格子磁化優勢な希土類遷移金属合金またはフェロ磁性体
のばあい、第４磁性層は、室温と該第４磁性層のキュリ
ー温度のあいだに補償温度を有することが望ましい。
【００６４】［実施例２］本発明のほかの実施例とし
て、第２磁性層の組成以外は実施例１と同じ構成であっ
て、第２磁性層として、一般式（Ｉ）： （ＲＥ１1-xＨｏx）y（Ｆｅ1-zＣｏz）1-y （Ｉ） （式中、ＲＥ１はＨｏ以外の希土類金属を示す）で表わ
されるＨｏを含有する希土類遷移金属合金を用いた。前
記合金の膜厚は10ｎｍである。本実施例２の光磁気記録
媒体の第２磁性層の特徴は、希土類金属中にＨｏを含有
していることであり、これによって第２磁性層のキュリ
ー温度を低下させることができ、超解像再生動作の再生
光ビーム強度ＰRを低減させることができる。このこと
はダイレクトオーバーライトの低温動作の記録光ビーム
強度ＰLとＰRの差を大きくし、互いに動作が干渉しない
ために望ましい。またＨｏを含有する第２磁性層は、第
１磁性層とのあいだ、第３磁性層とのあいだでの交換力
も強く、超解像再生動作に適している。
【００６５】表３に本実施例の光磁気記録媒体の第２磁
性層の前記一般式に基づく組成ｘ（希土類金属中のＨｏ
比率）、ｙ（全希土類金属組成）、ｚ（ＦｅＣｏ中のＣ
ｏ比率）の例と、各例の光磁気記録媒体のＣＮ比を示
す。組成式中、ＲＥ１で表わしたＨｏ以外の希土類金属
は、本実施例ではＴｂである。表３中の光磁気記録媒体
で超解像再生に必要となる再生光ビーム強度は実施例１
の光磁気記録媒体に比べ約２割の低減効果がえられた。
また表３でも示されているように、組成として、ｘ≧0.
02、0.05≦ｙ≦0.2であるばあいにとくに良好なＣＮ比
がえられており、この範囲の組成がとくに本発明の構成
の光磁気記録媒体の第２磁性層として適している。また
Ｈｏ以外の希土類金属ＲＥ１として本実施例ではＴｂを
用いたが、これ以外にＤｙ、Ｇｄ、あるいはこれら３種
のうち２種以上の混合物であってもよい。
【００６６】
【表３】 ［実施例３］本発明のほかの実施例として、第１磁性層
の組成以外の構成は実施例１と同じであって、第１磁性
層として一般式(II)： （ＲＥ２1-uＮｄu）v（Ｆｅ1-wＣｏw）1-v (II) （式中、ＲＥ２はＮｄ以外の希土類金属を示す）で表わ
されるＮｄを含有する希土類遷移金属合金からなる磁性
膜を用いた例を表４に示す。前記磁性膜の厚さは25ｎｍ
である。表４には第１磁性層の前記組成式に基づく組成
ｕ（希土類金属中のＮｄ比率）、ｖ（全希土類金属組
成）、ｗ（ＦｅＣｏ中のＣｏ比率）の値と、各例の光磁
気記録媒体のＣＮ比を示す。組成式中、ＲＥ２で表わし
たＮｄ以外の希土類金属は、本実施例ではＧｄである
が、Ｇｄ以外のＤｙやＴｂまたはそれら３種のうち２種
以上の混合物でもよい。Ｎｄを含有する希土類遷移金属
合金は、Ｎｄを含有しない材料に比べ、より短波長の光
に対しても光磁気効果が大きく高密度記録材料として知
られている。表４中の光磁気記録媒体はいずれも、現在
よく使われている赤外光より短波長においてＮｄを含ま
ない材料より大きな磁気光学効果を示した。また表４に
示した組成の中でも、とくにｕ≧0.1、0.05≦ｖ≦0.2を
満たすばあいに、とくに良好なＣＮ比を示しており、こ
の組成範囲の材料が本発明の光磁気記録媒体の第１磁性
層として適している。
【００６７】
【表４】 ［実施例４］本発明の他の実施例として、第１磁性層の
組成以外の構成は実施例１と同じであって、第１磁性層
がＰｔとＣｏを交互に各12層積層した多層膜からなるフ
ェロ磁性体を用いた光磁気記録媒体の例を表５に示す。
表５にはＰｔ単位層厚（Ｔpt）、Ｃｏ単位層厚（Ｔco）
の値と各例の媒体のＣＮ比を示す。Ｐｔ／Ｃｏ多層膜は
実施例３のＮｄ系材料と同じく短波長光での光磁気効果
が大きな高密度記録材料として知られている。表５に示
した組成の中では、とくにＰｔ層の単位層厚が0.7ｎｍ
から1.8ｎｍの範囲内であり、Ｃｏ層の単位層厚が0.3ｎ
ｍから1.4ｎｍを満たすばあいにとくに良好なＣＮ比を
示しており、この組成範囲の材料が本発明の光磁気記録
媒体の第１磁性層として適している。なおＰｔの代わり
にＰｄを用いても同様に良好なＣＮ比がえられた。
【００６８】
【表５】 ［実施例５］実施例１〜４においては、第１磁性層はス
パッタリング法で形成し、とくにスパッタリング成膜中
に基板バイアス電圧を印加しなかったが、本実施例で
は、第１磁性層をスパッタリング成膜中に基板バイアス
電圧を印加しながら形成し、その他の層の成膜法は変え
ずに光磁気記録媒体を作製した。基板バイアス電圧は、
基板電極にｒｆ電源を接続し、第１磁性層を成膜中に、
基板に200Ｗの電力のｒｆ電力を供給することによって
行った。表６に種々の第１磁性層をバイアス電圧を印加
しないで成膜したばあいの第１磁性層の室温での保磁力
Ｈｃａと、バイアス電圧を印加して成膜したばあいの第
１磁性層の室温での保磁力Ｈｃｂを示す。
【表６】 表６のいずれの例においてもバイアス電圧印加によって
第１磁性層の保磁力は低減されている。超解像再生動作
における外部磁界は動作温度において第１磁性層の反転
磁界以上である必要があるから、第１磁性層の保磁力が
小さいほど、外部磁界を低減できる。したがって、本発
明の光磁気記録媒体において第１磁性層をスパッタリン
グ成膜中に基板バイアス電圧を印加することで外部磁界
を低減できる効果がある。
【００６９】なお実施例１〜５において、６層磁性層の
隣接するいずれかの層間にきわめて薄い磁性層などの中
間層を挿入して層間の交換力を適度な値に制御してもよ
い。
【００７０】［実施例６］実施例１〜５においては、い
ずれの実施例も記録時の外部磁界の方向と、再生時の外
部磁界の方向を同一にして行った。表７に実施例１の冒
頭に示した構成の光磁気記録媒体について、記録時の外
部磁界の方向を再生時の外部磁界の方向と同一方向にし
たばあい（ａ）と、逆方向にしたばあい（ｂ）の再生Ｃ
Ｎ比を再生光ビームの強度を変えて測定した結果を示
す。外部磁界の大きさは300Ｏｅである。
【００７１】
【表７】 記録時の外部磁界の方向を再生時の外部磁界の方向と同
一方向にしたばあい（ａ）では再生光ビーム強度が2.2
ｍＷをこえると、ＣＮ比は急減する。これは再生光ビー
ム強度が大きくなると、再生動作中においてもダイレク
トオーバーライトの低温動作が起こり、記録された情報
が消去されてしまうことによるものと考えられる。一
方、記録時の外部磁界の方向を再生時の外部磁界の方向
と逆方向にしたばあい（ｂ）では、再生光ビーム強度が
1.4ｍＷをこえると急減している。これは低温動作が起
こる再生光ビーム強度よりも低い強度の再生光ビームで
あっても、記録された情報を乱すことを示しており、再
生時の外部磁界が記録時の外部磁界と逆方向であるた
め、一度記録された情報の一部が消去されることに基づ
いている。すなわち外部磁界の方向を記録時と再生時と
で同一方向にすることで、より広い範囲の再生光ビーム
強度に対しても良好な再生特性がえられる。また同時に
外部磁界発生手段として電磁石でなく、固定マグネット
を使用することができ、装置の簡素化、低コスト化の副
次的な効果がえられる。
【００７２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、超解像再
生動作とダイレクトオーバーライト動作の両方を行うこ
とができる光磁気記録媒体をうることができると共に、
良好な再生特性をうることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録媒体の構造の一実施例を示
す断面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の初期化動作を説明す
る説明図である。
【図３】本発明の光磁気記録媒体のダイレクトオーバー
ライト動作のうち、高温動作の説明図である。
【図４】本発明の光磁気記録媒体のダイレクトオーバー
ライト動作のうち、低温動作の説明図である。
【図５】本発明の光磁気記録媒体の超解像再生動作の説
明図である。
【図６】本発明の光磁気記録媒体の実施例１と比較例１
における超解像動作時の各磁性層の磁化方向を示した説
明図である。
【図７】従来の超解像再生可能な光磁気記録媒体の説明
図である。
【図８】従来のダイレクトオーバーライトが可能な光磁
気記録媒体のダイレクトオーバーライト動作の説明図で
ある。
【符号の説明】
１ 第１磁性層 ２ 第２磁性層 ３ 第３磁性層 ４ 第４磁性層 ５ 第５磁性層 ６ 第６磁性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５７１ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５７１Ｅ ５８６ ５８６Ａ (72)発明者 中木 義幸 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 材料デバイス研究所内 (72)発明者 堤 和彦 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 材料デバイス研究所内 (56)参考文献 特開 平３−93056（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−219449（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 506

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１磁性層のうえに順次設けられ、隣接
    する磁性層が交換力で結合された第２磁性層、第３磁性
    層、第４磁性層、第５磁性層および第６磁性層と、これ
    らを支持する基板とを備え、 第１磁性層は希土類遷移金属合金または磁性遷移金属を
    含有するフェロ磁性体からなり、第２磁性層、第３磁性
    層、第４磁性層、第５磁性層、第６磁性層は希土類遷移
    金属合金からなり、 第１磁性層のキュリー温度が第２磁性層のキュリー温度
    よりも高く、 第３磁性層のキュリー温度が第２磁性層のキュリー温度
    よりも高く、 第４磁性層のキュリー温度が第３磁性層のキュリー温度
    よりも高く、 第６磁性層のキュリー温度が第４磁性層のキュリー温度
    よりも高く、 第４磁性層のキュリー温度が第５磁性層のキュリー温度
    よりも高く、 第６磁性層のキュリー温度が第５磁性層のキュリー温度
    よりも高く、第５磁性層のキュリー温度が第２磁性層のキュリー温度
    以上であり、 かつ室温において第３磁性層の磁化は第４磁性層の磁化
    反転によって反転せず、希土類遷移金属からなる第１磁
    性層の遷移金属副格子磁化方向または前記フェロ磁性体
    からなる第１磁性層の磁化方向と、第２磁性層の遷移金
    属副格子磁化方向とは、第３磁性層の遷移金属副格子磁
    化方向が上向きの領域では上向きに揃っており、第３磁
    性層の遷移金属副格子磁化方向が下向きの領域では下向
    きに揃っており、 かつ室温において第４磁性層、第５磁性層および第６磁
    性層の遷移金属副格子磁化方向が上向き、または下向き
    のいずれかに揃っている光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】 前記第４磁性層は、室温と該第４磁性層
    のキュリー温度の間に補償温度を有する希土類遷移金属
    合金からなることを特徴とする請求項１記載の光磁気記
    録媒体。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の光磁気記録媒体におい
    て、記録時に印加する外部磁界の方向と再生時に印加す
    る外部磁界の方向とを同一方向にすることを特徴とする
    光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】 第２磁性層が一般式（Ｉ）： （ＲＥ１1-xＨｏx）y（Ｆｅ1-zＣｏz）1-y （Ｉ） （式中、ＲＥ１はＨｏ以外の希土類金属を示し、ｘ≧0.
    02、0.05≦ｙ≦0.2、０≦ｚ≦１）で表わされるＨｏを
    含有する希土類遷移金属合金からなることを特徴とする
    請求項１記載の光磁気記録媒体。
  5. 【請求項５】 第１磁性層が一般式(II)： （ＲＥ２1-uＮｄu）v（Ｆｅ1-wＣｏw）1-v (II) （式中、ＲＥ２はＮｄ以外の希土類金属を示し、ｕ≧0.
    1、0.05≦ｖ≦0.2、０≦ｗ≦１）で表わされるＮｄを含
    有する希土類遷移金属合金からなることを特徴とする請
    求項１記載の光磁気記録媒体。
  6. 【請求項６】 第１磁性層がプラチナとコバルト、また
    はパラジウムとコバルトが交互に積層された前記フェロ
    磁性体の多層膜からなり、プラチナ層またはパラジウム
    層の単位層の厚さが0.7ｎｍから1.8ｎｍの範囲内であ
    り、コバルト層の単位層の厚さが0.3ｎｍから1.4ｎｍの
    範囲内であることを特徴とする請求項１記載の光磁気記
    録媒体。
  7. 【請求項７】 第１磁性層が基板バイアス電圧印加スパ
    ッタリング法によって形成されてなる請求項１記載の光
    磁気記録媒体。
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