JP2619623B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JP2619623B2 JP2619623B2 JP60006163A JP616385A JP2619623B2 JP 2619623 B2 JP2619623 B2 JP 2619623B2 JP 60006163 A JP60006163 A JP 60006163A JP 616385 A JP616385 A JP 616385A JP 2619623 B2 JP2619623 B2 JP 2619623B2
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- JP
- Japan
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- magneto
- optical recording
- recording medium
- rare earth
- thin film
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録媒体に関するもので、スパツタリ
ング等によりガラスあるいはプラステイツク等の基板上
に作製した薄膜であり、膜面に対して垂直な磁気異方性
を有し、レーザー等の加熱により反転磁区を作り情報を
記録することができ、記録した反転磁区をカー効果、フ
アラデー効果により反射または透過レーザー光の偏光面
の回転で読み出すことができる光磁気記録媒体に関す
る。
ング等によりガラスあるいはプラステイツク等の基板上
に作製した薄膜であり、膜面に対して垂直な磁気異方性
を有し、レーザー等の加熱により反転磁区を作り情報を
記録することができ、記録した反転磁区をカー効果、フ
アラデー効果により反射または透過レーザー光の偏光面
の回転で読み出すことができる光磁気記録媒体に関す
る。
従来の光磁気記録媒体は例えば、特開昭57−94948の
ように重希土類金属Tb,Gd,Dyのうち１種類以上およびFe
またはCoのうち１種類以上で構成された非晶質薄膜から
なる。
ように重希土類金属Tb,Gd,Dyのうち１種類以上およびFe
またはCoのうち１種類以上で構成された非晶質薄膜から
なる。
垂直磁化膜を得るための条件は公知のように と書きあらわされる。但しKuは磁気異方性エネルギー
（erg/cm3）である。スパツタリングにより作製された
重希土類金属−鉄系および重希土類金属−コバルト系合
金は非晶質である。また、結晶質と同様にフエリ磁性体
となるため、最も残留磁化が小さくなり、保磁力が最も
大きくなる組成、補償組成に近い組成からなる薄膜を光
磁気記録媒体として用いてきた。
（erg/cm3）である。スパツタリングにより作製された
重希土類金属−鉄系および重希土類金属−コバルト系合
金は非晶質である。また、結晶質と同様にフエリ磁性体
となるため、最も残留磁化が小さくなり、保磁力が最も
大きくなる組成、補償組成に近い組成からなる薄膜を光
磁気記録媒体として用いてきた。
しかし、光磁気記録媒体として用いられるTb,Gd,Dyは
公知のように補償組成付近で遷移金属と金属間化合物を
作りやすく、それらを熔融し鋳造しただけでは割れやす
いという欠点があり、合金ターゲツトを作製するには特
殊な技術が必要である。従つて、スパツタリングにより
薄膜を作製するには複合ターゲツトが用いらている。複
合ターゲツト法では 薄膜の組成制御が困難である。
公知のように補償組成付近で遷移金属と金属間化合物を
作りやすく、それらを熔融し鋳造しただけでは割れやす
いという欠点があり、合金ターゲツトを作製するには特
殊な技術が必要である。従つて、スパツタリングにより
薄膜を作製するには複合ターゲツトが用いらている。複
合ターゲツト法では 薄膜の組成制御が困難である。
均一な組成の薄膜を得るためには、ペレツトの配置
をくふうするなど、煩雑な手続きが必要である。
をくふうするなど、煩雑な手続きが必要である。
という欠点を有する。特に上記項は、薄膜組成の不均
一が再生時のノイズの原因となるため、光磁気記録媒体
のC/N向上のためには克服しなければならない重大な欠
陥である。
一が再生時のノイズの原因となるため、光磁気記録媒体
のC/N向上のためには克服しなければならない重大な欠
陥である。
そこで、本発明はこのような問題点を解決するもの
で、その目的とするところは均一な組成の膜を作製する
ために必要な合金ターゲツトの作製を可能にし、資源的
に僅少な重希土類を豊富な軽希土類金属で置換すること
により従来のものと比べ安価で高性能な光磁気記録媒体
を提供することにある。
で、その目的とするところは均一な組成の膜を作製する
ために必要な合金ターゲツトの作製を可能にし、資源的
に僅少な重希土類を豊富な軽希土類金属で置換すること
により従来のものと比べ安価で高性能な光磁気記録媒体
を提供することにある。
本発明は、単一の合金ターゲットを用いて、スパッタ
リングにより成膜した薄膜を有する光磁気記録媒体であ
って、 前記薄膜は、Sm、Nd、PrおよびCeから選択された１種
以上の軽希土類金属と、Tb、GdおよびDyから選択された
１種以上の重希土類金属（以下、HRという。）と、Fe、
CoおよびNiから選択された１種以上の遷移金属（以下、
TMという。）とを含み、 その組成式を｛［Ndz（Sm、Pr、Ce）1-z］1-x［HR］
ｘ｝）ｙ［TM］1-yと表したとき、ｘ、ｙおよびｚは、 ０＜ｘ≦0.5、 0.1≦ｙ≦0.4および 0.9≦ｚ≦１ を満足することを特徴とする光磁気記録媒体である。
リングにより成膜した薄膜を有する光磁気記録媒体であ
って、 前記薄膜は、Sm、Nd、PrおよびCeから選択された１種
以上の軽希土類金属と、Tb、GdおよびDyから選択された
１種以上の重希土類金属（以下、HRという。）と、Fe、
CoおよびNiから選択された１種以上の遷移金属（以下、
TMという。）とを含み、 その組成式を｛［Ndz（Sm、Pr、Ce）1-z］1-x［HR］
ｘ｝）ｙ［TM］1-yと表したとき、ｘ、ｙおよびｚは、 ０＜ｘ≦0.5、 0.1≦ｙ≦0.4および 0.9≦ｚ≦１ を満足することを特徴とする光磁気記録媒体である。
この場合、ｘは、好ましくは0.2≦ｘ≦0.5、より好ま
しくは0.35≦ｘ≦0.5である。また、ｙは、好ましくは
0.2≦ｙ≦0.4、より好ましくは0.20≦ｙ≦0.35である。
また、ｚは、好ましくはｚ＝１である。
しくは0.35≦ｘ≦0.5である。また、ｙは、好ましくは
0.2≦ｙ≦0.4、より好ましくは0.20≦ｙ≦0.35である。
また、ｚは、好ましくはｚ＝１である。
実施例により、本発明の効果について述べる。本実施
例で示す薄膜はすべてスパツタリングにより作製した。
低周波溶解炉で溶解して鋳造した合金をターゲットとし
て用いた。スパツタリング条件は初期真空度５×10-7To
rr以下，アルゴン圧5m Torr,基板バイアス電圧0Vであ
る。
例で示す薄膜はすべてスパツタリングにより作製した。
低周波溶解炉で溶解して鋳造した合金をターゲットとし
て用いた。スパツタリング条件は初期真空度５×10-7To
rr以下，アルゴン圧5m Torr,基板バイアス電圧0Vであ
る。
第１図に（Nd1-xDyx）yFe1-yのカー回転角（以下θｋ
と呼ぶ）の組成依存性を示す。カー回転角はFeの組成で
ほぼ決まり、Dyの量を変化させても変わらず18分程度と
なる。この値は従来用いられているTbFe系と同程度であ
る。
と呼ぶ）の組成依存性を示す。カー回転角はFeの組成で
ほぼ決まり、Dyの量を変化させても変わらず18分程度と
なる。この値は従来用いられているTbFe系と同程度であ
る。
第２図に（Nd1-xDyx）0.25Fe0.75（Nd1-xGdx）0.25Fe
0.75，（Nd1-xTbx）0.25Fe0.75の保磁力（以下、Hcとよ
ぶ）のNdに対する重希土類金属の置換量依存性を示す。
最もHcの増大効果が大きいのはTbである。第１図と第２
図からわかるように、Hcが最大となる組成においてθｋ
は減少しない。Hcは記録ビツトの安定性に、θｋは記録
ビツトの読み出し特性に密接に関係している。従つて、
HR置換によりHCを増大できかつ、θｋを下げないという
ことは、安定な記録ビツトを得るうえで有利なことであ
る。
0.75，（Nd1-xTbx）0.25Fe0.75の保磁力（以下、Hcとよ
ぶ）のNdに対する重希土類金属の置換量依存性を示す。
最もHcの増大効果が大きいのはTbである。第１図と第２
図からわかるように、Hcが最大となる組成においてθｋ
は減少しない。Hcは記録ビツトの安定性に、θｋは記録
ビツトの読み出し特性に密接に関係している。従つて、
HR置換によりHCを増大できかつ、θｋを下げないという
ことは、安定な記録ビツトを得るうえで有利なことであ
る。
第１図に示したように、θｋが従来から用いられてき
たTbFe系と同程度である。さらにθｋの向上をはかるた
め、FeをCo,Niで置換した例−（Nd0.6Tb0.4）0.25（Fe
0.9−yCoyNi0.1）0.75のθｋのFeに対するCo置換量依存
性を第３図に示す。θｋはｙ＝0.3のとき最大値22分を
示す。θｋが大きいとして知られているGdFeと同程度に
までひきあげることができた。なお、FeをNi,Coで置換
したことによるHcの変化はみられていない。公知のよう
に記録・再生時のC/NはＲを反射率としたとき に比例するため、θｋの向上により、再生時のC/Nは向
上している。
たTbFe系と同程度である。さらにθｋの向上をはかるた
め、FeをCo,Niで置換した例−（Nd0.6Tb0.4）0.25（Fe
0.9−yCoyNi0.1）0.75のθｋのFeに対するCo置換量依存
性を第３図に示す。θｋはｙ＝0.3のとき最大値22分を
示す。θｋが大きいとして知られているGdFeと同程度に
までひきあげることができた。なお、FeをNi,Coで置換
したことによるHcの変化はみられていない。公知のよう
に記録・再生時のC/NはＲを反射率としたとき に比例するため、θｋの向上により、再生時のC/Nは向
上している。
第４図にNdをSm,Ce,Prなどの軽希土類金属で置換した
｛（Nd1-xLRx）0.6Dy0.4｝0.25Fe0.75のθｋを示す。
（但し、LR＝Sm,Ce,Prである。）Sm置換によりθｋは最
も向上し、次いでCe,Prの順となつている。いずれもθ
ｋが最大となるのはｘ＝0.05のときである。
｛（Nd1-xLRx）0.6Dy0.4｝0.25Fe0.75のθｋを示す。
（但し、LR＝Sm,Ce,Prである。）Sm置換によりθｋは最
も向上し、次いでCe,Prの順となつている。いずれもθ
ｋが最大となるのはｘ＝0.05のときである。
以上述べたように本発明によれば、合金ターゲツトを
容易に作製できる組成で従来用いられてきた光磁気記録
媒体と同等の特性を出すことができる。また、軽希土類
を用いることによって、鋳造合金が割れ、ひびなどを起
こることのないよう丈夫なものとなり、それによって加
工性も著しく向上するために鋳造合金ターゲットが容易
に作製できるという多大な効果を有する。さらに、資源
的に僅少なため高価なTbを豊富なため安価なNdで置換す
ることもできるため、Tbを使い続ければ将来起こるであ
ろう材料の枯渇からも逃れることができるという効果を
有する。
容易に作製できる組成で従来用いられてきた光磁気記録
媒体と同等の特性を出すことができる。また、軽希土類
を用いることによって、鋳造合金が割れ、ひびなどを起
こることのないよう丈夫なものとなり、それによって加
工性も著しく向上するために鋳造合金ターゲットが容易
に作製できるという多大な効果を有する。さらに、資源
的に僅少なため高価なTbを豊富なため安価なNdで置換す
ることもできるため、Tbを使い続ければ将来起こるであ
ろう材料の枯渇からも逃れることができるという効果を
有する。
第１図（Nd1-xDyx）0.25Fe0.75のカー回転角のｘ依存性
を示す図。 第２図（Nd1-xDyx）0.25Fe0.75，（Nd1-xGdx）0.25Fe
0.75，（Nd1-xTbx）0.25Fe0.75の保磁力のｘ依存性を示
す図。 第３図（Nd0.6Tb0.4）0.25（Fe0.9−yCoyNi0.1）0.75の
カー回転角のｙ依存性を示す図。 第４図｛（Nd1-xLRx）0.6Dy0.4｝0.25Fe0.75のカー回転
角のｙ依存性を示す図（LR＝Sm,Pr,Ce）
を示す図。 第２図（Nd1-xDyx）0.25Fe0.75，（Nd1-xGdx）0.25Fe
0.75，（Nd1-xTbx）0.25Fe0.75の保磁力のｘ依存性を示
す図。 第３図（Nd0.6Tb0.4）0.25（Fe0.9−yCoyNi0.1）0.75の
カー回転角のｙ依存性を示す図。 第４図｛（Nd1-xLRx）0.6Dy0.4｝0.25Fe0.75のカー回転
角のｙ依存性を示す図（LR＝Sm,Pr,Ce）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下川渡 聡 諏訪市大和３丁目３番５号 株式会社諏 訪精工舎内 (72)発明者 杉本 守 諏訪市大和３丁目３番５号 株式会社諏 訪精工舎内 (72)発明者 青山 明 諏訪市大和３丁目３番５号 株式会社諏 訪精工舎内 (72)発明者 根橋 聡 諏訪市大和３丁目３番５号 株式会社諏 訪精工舎内 (56)参考文献 特開 昭59−178641（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−34744（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−15308（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】単一の合金ターゲットを用いて、スパッタ
リングにより成膜した薄膜を有する光磁気記録媒体であ
って、 前記薄膜は、Sm、Nd、PrおよびCeから選択された１種以
上の軽希土類金属と、Tb、GdおよびDyから選択された１
種以上の重希土類金属（以下、HRという。）と、Fe、Co
およびNiから選択された１種以上の遷移金属（以下、TM
という。）とを含み、 その組成式を｛［Ndz（Sm、Pr、Ce）1-z］1-x［H
R］ｘ｝）ｙ［TM］1-yと表したとき、ｘ、ｙおよびｚ
は、 ０＜ｘ≦0.5、 0.1≦ｙ≦0.4および 0.9≦ｚ≦１ を満足することを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記組成式中のｚが、ｚ＝１である特許請
求の範囲第１項に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60006163A JP2619623B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 光磁気記録媒体 |
| US07/193,020 US5100741A (en) | 1984-09-12 | 1988-05-12 | Magneto-optic recording systems |
| US08/231,866 US5529854A (en) | 1984-09-12 | 1994-04-25 | Magneto-optic recording systems |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60006163A JP2619623B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61165847A JPS61165847A (ja) | 1986-07-26 |
| JP2619623B2 true JP2619623B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=11630858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60006163A Expired - Lifetime JP2619623B2 (ja) | 1984-09-12 | 1985-01-17 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2619623B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62267950A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 磁気光学記録媒体 |
| WO1988001425A1 (en) * | 1986-08-22 | 1988-02-25 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Optomagnetic recording medium and process for its manufacture |
| JPS63164050A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-07-07 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPS63164049A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-07-07 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPS63173249A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JP2925424B2 (ja) * | 1992-09-09 | 1999-07-28 | 三菱電機株式会社 | オーバーライト可能な高密度光磁気記録媒体 |
| EP1061511A3 (en) * | 1999-06-15 | 2002-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording alloy |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178641A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-09 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
| JPS6115308A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | Hitachi Ltd | 光磁気記録材料 |
| JPS6134744A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気光学記録媒体 |
-
1985
- 1985-01-17 JP JP60006163A patent/JP2619623B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61165847A (ja) | 1986-07-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |