JPH0677345B2 - 光磁気メモリ用媒体 - Google Patents
光磁気メモリ用媒体Info
- Publication number
- JPH0677345B2 JPH0677345B2 JP15972186A JP15972186A JPH0677345B2 JP H0677345 B2 JPH0677345 B2 JP H0677345B2 JP 15972186 A JP15972186 A JP 15972186A JP 15972186 A JP15972186 A JP 15972186A JP H0677345 B2 JPH0677345 B2 JP H0677345B2
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- recording
- magneto
- optical memory
- medium
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報の記録特性、耐食性と共に磁性膜間の交
換結合が改善された光磁気メモリ用媒体に関する。
換結合が改善された光磁気メモリ用媒体に関する。
〔従来の技術〕 希土類−鉄族非晶質合金薄膜を用いた光磁気メモリは、
その読み出し特性が充分ではなく、その改善方法につい
てさまざまな提案がなされている。その一つに記録特性
が良い膜と読み出し特性が良い膜からなる交換結合二層
膜がある（例えば特開昭57-78652号）。従来の交換結合
二層膜では、記録層にはTb−Fe、Dy−Fe、読み出し層に
はGd−Fe、Gd−Fe−Coなどが用いられていた。
その読み出し特性が充分ではなく、その改善方法につい
てさまざまな提案がなされている。その一つに記録特性
が良い膜と読み出し特性が良い膜からなる交換結合二層
膜がある（例えば特開昭57-78652号）。従来の交換結合
二層膜では、記録層にはTb−Fe、Dy−Fe、読み出し層に
はGd−Fe、Gd−Fe−Coなどが用いられていた。
光磁気メモリでは、レーザー光の熱作用を利用して情報
を記録するので、その磁性膜のキュリー温度が低いほど
記録感度が高くなる。交換結合二層磁性膜において記録
感度を決めるものは記録層のキュリー温度であるので、
記録層のキュリー温度を下げれば記録感度が高くなる。
しかし、記録情報の安定性や光磁気メモリ用ドライブ装
置の機内温度（＞50℃）などから考えると、記録層のキ
ュリー温度は100℃程度が望ましい。この点から考える
と、従来記録層として用いられていたTb−Feはキュリー
温度が約130℃とやや高く、Dy−Feは約70℃とやや低
く、実用的には最適なキュリー温度であるとはいえな
い。
を記録するので、その磁性膜のキュリー温度が低いほど
記録感度が高くなる。交換結合二層磁性膜において記録
感度を決めるものは記録層のキュリー温度であるので、
記録層のキュリー温度を下げれば記録感度が高くなる。
しかし、記録情報の安定性や光磁気メモリ用ドライブ装
置の機内温度（＞50℃）などから考えると、記録層のキ
ュリー温度は100℃程度が望ましい。この点から考える
と、従来記録層として用いられていたTb−Feはキュリー
温度が約130℃とやや高く、Dy−Feは約70℃とやや低
く、実用的には最適なキュリー温度であるとはいえな
い。
さらに、光磁気メモリの実用化に対しては、その磁性膜
の耐食性がかなり重要な問題となっている。希土類−鉄
族非晶質合金薄膜では、鉄族元素としてCoを多量に含む
ほど耐食性が改善されることがわかっている。交換結合
二層磁性膜では、その読み出し層にはGd−Fe−Coを用い
ることができ、Coの濃度を高くして、読み出し特性の改
善とともに耐食性の改善を行なうことができる。しか
し、その記録層にはTb−FeやDy−Feが用いられていて、
これにCoを添加すると少量でもキュリー温度がかなり上
昇し、記録感度が悪くなる欠点があった。
の耐食性がかなり重要な問題となっている。希土類−鉄
族非晶質合金薄膜では、鉄族元素としてCoを多量に含む
ほど耐食性が改善されることがわかっている。交換結合
二層磁性膜では、その読み出し層にはGd−Fe−Coを用い
ることができ、Coの濃度を高くして、読み出し特性の改
善とともに耐食性の改善を行なうことができる。しか
し、その記録層にはTb−FeやDy−Feが用いられていて、
これにCoを添加すると少量でもキュリー温度がかなり上
昇し、記録感度が悪くなる欠点があった。
本発明は、上記従来の欠点を改良するためになされたも
のであり、その目的は記録層としてＲ−FeCo−Ｍ（Ｒ＝
Tb,Dy、Ｍ＝Cr,Al）を用い、読み出し層にGd−FeCo−Ｍ
を用いて、記録層を読み出し層ではさんで、記録特性、
耐食性と共に交換結合を改善した光磁気メモリ用媒体を
提供することにある。
のであり、その目的は記録層としてＲ−FeCo−Ｍ（Ｒ＝
Tb,Dy、Ｍ＝Cr,Al）を用い、読み出し層にGd−FeCo−Ｍ
を用いて、記録層を読み出し層ではさんで、記録特性、
耐食性と共に交換結合を改善した光磁気メモリ用媒体を
提供することにある。
上記目的達成可能な本発明は室温において高い保磁力と
低いキュリー温度を有する記録層を、低い保磁力と高い
キュリー温度を有する読み出し層ではさんだ交換結合を
した三層構造の磁性膜を有して成る光磁気メモリ用媒体
であって、前記記録層がＲ−FeCo−Ｍであり、前記読み
出し層がGd−Fe−Co−Ｍであることを特徴とする光磁気
メモリ用媒体（ただし、ＲはTb及びDyから選ばれる１種
または２種の元素であり、ＭはCr及びAlから選ばれる１
種の元素である。）である。
低いキュリー温度を有する記録層を、低い保磁力と高い
キュリー温度を有する読み出し層ではさんだ交換結合を
した三層構造の磁性膜を有して成る光磁気メモリ用媒体
であって、前記記録層がＲ−FeCo−Ｍであり、前記読み
出し層がGd−Fe−Co−Ｍであることを特徴とする光磁気
メモリ用媒体（ただし、ＲはTb及びDyから選ばれる１種
または２種の元素であり、ＭはCr及びAlから選ばれる１
種の元素である。）である。
以下に、従来例と本発明の光磁気メモリ用媒体の違いに
ついて詳しく説明する。
ついて詳しく説明する。
まず、両媒体の記録層のキュリー点の差異について述べ
る。従来の媒体の記録層としては、Tb−Fe、Dy−Feなど
が使用されていたが、前述したようにTb−Feはキュリー
温度が約130℃とやや高く、Dy−Feは約70℃とやや低
い。そこで、（（Tb1-XDyX）−（Fe1-YCoY））1-ZM
Z［０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦0.3、０≦ｚ≦0.1（Cr）、０
≦ｚ≦0.2（Al）］で示される磁性膜を種々作製したと
ころ、そのキュリー温度TcとDyの原子数比ｘ、Coの原子
数比ｙ、Ｍの原子数比ｚとの間にはほぼ Tc＝130（１−ｘ）＋70x＋600y−500z（℃） （Ｍ＝Cr） Tc＝130（１−ｘ）＋70x＋600y−300z（℃） （Ｍ＝Al） という関係が得られた。したがって、ｘ＝0.5、ｙ＝0.1
とすると、Crではｚ＝0.12、Alではｚ＝0.2とすればキ
ュリー温度は約100℃となり、Tb−Feよりもキュリー温
度が低く、Dy−Feよりも温度安定性に優れた磁性膜が得
られる。この知見に基づき、Ｒ、Fe、Co及びＭを含む磁
性膜を本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層として用い
たのである。キュリー温度の最適値は使用するレーザー
のパワー、光学系の構成、媒体の構成、ディスクの回転
数、ディスクの直径などによって例えば90、110℃のよ
うに100℃から多少ずれこともあるが、その場合にも、
そのキュリー点となるようにｘ、ｙ、ｚの値を適宜選べ
ばよい。また、本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層の
キュリー点を、従来の媒体の記録層が示すキュリー点と
同じような値にすることもできる。しかし、一般的には
媒体の記録感度が高ければ、使用するレーザーのパワー
が小さくてすみ、光学系も簡単となるので安価となり、
また、外乱による記録パワーの変動に対しても安定に記
録されるので信頼性が高くなる。したがって、記録感度
はなるべく高くなるようにキュリー点は低くするのが望
ましいが、温度に対する安定性から考えるとキュリー温
度は高いほうが良いので設定すべきキュリー点は90〜12
0℃が好ましい。
る。従来の媒体の記録層としては、Tb−Fe、Dy−Feなど
が使用されていたが、前述したようにTb−Feはキュリー
温度が約130℃とやや高く、Dy−Feは約70℃とやや低
い。そこで、（（Tb1-XDyX）−（Fe1-YCoY））1-ZM
Z［０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦0.3、０≦ｚ≦0.1（Cr）、０
≦ｚ≦0.2（Al）］で示される磁性膜を種々作製したと
ころ、そのキュリー温度TcとDyの原子数比ｘ、Coの原子
数比ｙ、Ｍの原子数比ｚとの間にはほぼ Tc＝130（１−ｘ）＋70x＋600y−500z（℃） （Ｍ＝Cr） Tc＝130（１−ｘ）＋70x＋600y−300z（℃） （Ｍ＝Al） という関係が得られた。したがって、ｘ＝0.5、ｙ＝0.1
とすると、Crではｚ＝0.12、Alではｚ＝0.2とすればキ
ュリー温度は約100℃となり、Tb−Feよりもキュリー温
度が低く、Dy−Feよりも温度安定性に優れた磁性膜が得
られる。この知見に基づき、Ｒ、Fe、Co及びＭを含む磁
性膜を本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層として用い
たのである。キュリー温度の最適値は使用するレーザー
のパワー、光学系の構成、媒体の構成、ディスクの回転
数、ディスクの直径などによって例えば90、110℃のよ
うに100℃から多少ずれこともあるが、その場合にも、
そのキュリー点となるようにｘ、ｙ、ｚの値を適宜選べ
ばよい。また、本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層の
キュリー点を、従来の媒体の記録層が示すキュリー点と
同じような値にすることもできる。しかし、一般的には
媒体の記録感度が高ければ、使用するレーザーのパワー
が小さくてすみ、光学系も簡単となるので安価となり、
また、外乱による記録パワーの変動に対しても安定に記
録されるので信頼性が高くなる。したがって、記録感度
はなるべく高くなるようにキュリー点は低くするのが望
ましいが、温度に対する安定性から考えるとキュリー温
度は高いほうが良いので設定すべきキュリー点は90〜12
0℃が好ましい。
次に従来例と本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層の耐
食性の差異について述べる。希土類−鉄族非晶質合金薄
膜から成る磁性膜の腐食過程には、膜中に存在する遊離
酸素が主に希土類元素と結合し酸化されたり、磁性膜と
保護膜の界面を通して酸素や水分が膜中に拡散し酸化さ
れることなどが考えられる。このうちの前者に関して
は、スパッタリングにおけるターゲットや蒸着における
蒸発源の中の酸素濃度を減らしたり、真空装置の残留ガ
ス圧、Arガス中の不純物を減らすことによりかなり改善
される。一方、後者については、緻密で酸素を含まない
保護膜によってかなり抑えられるものの、磁性膜そのも
のの耐食性の改善が望まれる。特に、基板にプラスチッ
クを用いる場合には、基板にある程度の吸水性があり、
保護膜だけでなく磁性膜の耐食性の改善が特に望まれ
る。交換結合二層磁性膜では、その読み出し層はキュリ
ー点が高くてよいのでGd−Fe−Coを用いることができ、
Coの濃度を高くして耐食性の改善を行なうことができ
る。しかし、従来の媒体の記録層にはTb−FeやDy−Feが
用いられていて、これにCoを添加すると少量でもキュリ
ー温度がかなり上昇し、記録感度が悪くなる欠点があっ
た。
食性の差異について述べる。希土類−鉄族非晶質合金薄
膜から成る磁性膜の腐食過程には、膜中に存在する遊離
酸素が主に希土類元素と結合し酸化されたり、磁性膜と
保護膜の界面を通して酸素や水分が膜中に拡散し酸化さ
れることなどが考えられる。このうちの前者に関して
は、スパッタリングにおけるターゲットや蒸着における
蒸発源の中の酸素濃度を減らしたり、真空装置の残留ガ
ス圧、Arガス中の不純物を減らすことによりかなり改善
される。一方、後者については、緻密で酸素を含まない
保護膜によってかなり抑えられるものの、磁性膜そのも
のの耐食性の改善が望まれる。特に、基板にプラスチッ
クを用いる場合には、基板にある程度の吸水性があり、
保護膜だけでなく磁性膜の耐食性の改善が特に望まれ
る。交換結合二層磁性膜では、その読み出し層はキュリ
ー点が高くてよいのでGd−Fe−Coを用いることができ、
Coの濃度を高くして耐食性の改善を行なうことができ
る。しかし、従来の媒体の記録層にはTb−FeやDy−Feが
用いられていて、これにCoを添加すると少量でもキュリ
ー温度がかなり上昇し、記録感度が悪くなる欠点があっ
た。
本発明では、記録層にCoと共にCrやAlを添加することに
よって、キュリー温度の上昇を抑え、記録感度を下げず
に耐食性を改善したＲ−FeCo−Ｍの記録層を、記録層よ
りもさらに耐食性の良い読み出し層のGd−Fe−Co−Ｍで
はさむことによって、磁性層と保護層の界面からの腐食
に対して改善を行なったものである。ここで、読み出し
層にGd−Fe−Co−Ｍを用いたのはGd−Fe−Coは腐食され
にくいがさらにＭを添加するとさらに腐食が起きにくく
ならためである。読み出し層のGd−Fe−Co−ＭのＭの原
子数比は0.05から0.2程度の少量で効果がある。Ｍの少
量の添加では磁性は変わらない。なお、記録層Ｒ−FeCo
−Ｍは読み出し層Gd−Fe−Co−ＭほどにCoやＭを入れら
れないので比較すると読み出し層の方が腐食されにく
い。
よって、キュリー温度の上昇を抑え、記録感度を下げず
に耐食性を改善したＲ−FeCo−Ｍの記録層を、記録層よ
りもさらに耐食性の良い読み出し層のGd−Fe−Co−Ｍで
はさむことによって、磁性層と保護層の界面からの腐食
に対して改善を行なったものである。ここで、読み出し
層にGd−Fe−Co−Ｍを用いたのはGd−Fe−Coは腐食され
にくいがさらにＭを添加するとさらに腐食が起きにくく
ならためである。読み出し層のGd−Fe−Co−ＭのＭの原
子数比は0.05から0.2程度の少量で効果がある。Ｍの少
量の添加では磁性は変わらない。なお、記録層Ｒ−FeCo
−Ｍは読み出し層Gd−Fe−Co−ＭほどにCoやＭを入れら
れないので比較すると読み出し層の方が腐食されにく
い。
また、交換結合二層磁性膜では、磁性膜間の交換結合の
大きさが媒体の特性を大きく左右する、交換結合の大き
さは作製時の到達真空圧の違いによってかなり変動す
る。これは、磁性膜を作製してから次の磁性膜を作製す
るまでの間に界面に吸着した残留ガスの影響であり、こ
の影響は耐食性を改善することによってかなり改善され
る。したがって、耐食性の改善された記録層を用いた本
発明の光磁気メモリ用媒体は、単に媒体の経時変化の改
善のみならず、交換結合の向上にも効果がある。
大きさが媒体の特性を大きく左右する、交換結合の大き
さは作製時の到達真空圧の違いによってかなり変動す
る。これは、磁性膜を作製してから次の磁性膜を作製す
るまでの間に界面に吸着した残留ガスの影響であり、こ
の影響は耐食性を改善することによってかなり改善され
る。したがって、耐食性の改善された記録層を用いた本
発明の光磁気メモリ用媒体は、単に媒体の経時変化の改
善のみならず、交換結合の向上にも効果がある。
本発明の光磁気メモリ媒体は磁性膜を上記のように構成
したことに特徴を有するもので、磁性膜以外に、光を有
効に利用するための反射層、磁性膜を保護してさらに保
護機能を高めるための保護層など、各種の補助層が所望
に応じて任意に配設されてよい。
したことに特徴を有するもので、磁性膜以外に、光を有
効に利用するための反射層、磁性膜を保護してさらに保
護機能を高めるための保護層など、各種の補助層が所望
に応じて任意に配設されてよい。
実施例１ 通常のスパッタリング法を用いて、従来例と本発明の13
0mmφのディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、記録
感度の実験を行った。従来例において磁性膜はGd−Fe−
Co（Gd:Fe:Co＝18:62:20膜厚500Å）の読み出し層と、T
b−Fe（Tb:Fe＝22:78、膜厚500Å）の記録層との二層膜
と、本発明におけるものの磁性膜は、Gd−Fe−Co−Cr
（Gd:Fe:Co:Cr＝17:61:19:3、膜厚300Å）の読み出し層
で、（Tb−（Fe1-YCoY））1-ZCrZ（ｙ＝0.05、ｚ＝0.1
2、膜厚400Å）の記録層をはさんだ三層膜とした。基板
にはポリカーボネートを用いた。
0mmφのディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、記録
感度の実験を行った。従来例において磁性膜はGd−Fe−
Co（Gd:Fe:Co＝18:62:20膜厚500Å）の読み出し層と、T
b−Fe（Tb:Fe＝22:78、膜厚500Å）の記録層との二層膜
と、本発明におけるものの磁性膜は、Gd−Fe−Co−Cr
（Gd:Fe:Co:Cr＝17:61:19:3、膜厚300Å）の読み出し層
で、（Tb−（Fe1-YCoY））1-ZCrZ（ｙ＝0.05、ｚ＝0.1
2、膜厚400Å）の記録層をはさんだ三層膜とした。基板
にはポリカーボネートを用いた。
回転数1800rpmで、従来例の媒体の記録にはレーザーパ
ワー4.9mW、バイアス磁界200 Oeが必要であったが、本
発明のものはレーザーパワー4.1mW、バイアス磁界200 O
eで記録が可能であり記録特性が改善された。
ワー4.9mW、バイアス磁界200 Oeが必要であったが、本
発明のものはレーザーパワー4.1mW、バイアス磁界200 O
eで記録が可能であり記録特性が改善された。
また、１規定のNaCl水溶液を用いた耐食性の試験では、
従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピンホ
ールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホール
の発生は見られなかった。
従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピンホ
ールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホール
の発生は見られなかった。
交換結合の測定は、誤差をかなり含むので正確な値とし
ては求められなかったが、本発明の方が従来例より約1.
5倍ほど向上するという傾向があった。
ては求められなかったが、本発明の方が従来例より約1.
5倍ほど向上するという傾向があった。
実施例２ 通常のスパッタリング法を用いて、本発明の130mmφの
ディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、記録感度の実
験を行った。磁性膜は、Gd−Fe−Co−Al（Gd:Fe:Co:Al
＝16:60:18:6、膜厚300Å）の読み出し層で、（Dy−（F
e1-YCoY））1-ZAlZ（ｙ＝0.1、ｚ＝0.1、膜厚400Å）の
記録層をはさんだものとした。
ディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、記録感度の実
験を行った。磁性膜は、Gd−Fe−Co−Al（Gd:Fe:Co:Al
＝16:60:18:6、膜厚300Å）の読み出し層で、（Dy−（F
e1-YCoY））1-ZAlZ（ｙ＝0.1、ｚ＝0.1、膜厚400Å）の
記録層をはさんだものとした。
回転数1800rpmで、レーザーパワー4.3mW、バイアス磁界
200 Oeで記録が可能であり記録特性が改善された。
200 Oeで記録が可能であり記録特性が改善された。
また、１規定のNaCl水溶液を用いた耐食性の試験では、
目視でピンホールの発生は見られなかった。
目視でピンホールの発生は見られなかった。
実施例３ 通常のスパッタリング法を用いて、本発明の製130mmφ
のディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、記録感度の
実験を行った。磁性膜はGd−Fe−Co−Al（Gd:Fe:Co:Al
＝16:60:18:6、膜厚300Å）の読み出し層で、（（Tb1-X
DyX）−（Fe1-YCoY））1-ZAlZ（ｘ＝0.5,y＝0.1、ｚ＝
0.2、膜厚400Å）の記録層をはさんだものとした。
のディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、記録感度の
実験を行った。磁性膜はGd−Fe−Co−Al（Gd:Fe:Co:Al
＝16:60:18:6、膜厚300Å）の読み出し層で、（（Tb1-X
DyX）−（Fe1-YCoY））1-ZAlZ（ｘ＝0.5,y＝0.1、ｚ＝
0.2、膜厚400Å）の記録層をはさんだものとした。
回転数1800rpmで、レーザーパワー4.4mW、バイアス磁界
200 Oeで記録が可能であり記録特性が改善された。
200 Oeで記録が可能であり記録特性が改善された。
また、１規定のNaCl水溶液を用いた耐食性の試験では、
目視でピンホールの発生は見られなかった。
目視でピンホールの発生は見られなかった。
以上説明したように、記録層にＲ−FeCo−Ｍ（Ｒ＝Tb及
び／またはDy、Ｍ＝CrまたはAl）を用い、読み出し層に
Gd−FeCo−Ｍを用いて、記録層を読み出し層ではさんだ
本発明の光磁気メモリ用媒体により、記録特性、耐食性
と共に交換結合が改善された。
び／またはDy、Ｍ＝CrまたはAl）を用い、読み出し層に
Gd−FeCo−Ｍを用いて、記録層を読み出し層ではさんだ
本発明の光磁気メモリ用媒体により、記録特性、耐食性
と共に交換結合が改善された。
Claims (1)
- 【請求項１】室温において高い保磁力と低いキュリー温
度を有する記録層を、低い保持力と高いキュリー温度を
有する読み出し層ではさんだ交換結合をした三層構造の
磁性膜を有して成る光磁気メモリ用媒体であって、前記
記録層がＲ−FeCo−Ｍであり、前記読み出し層がGd−Fe
Co−Ｍであることを特徴とする光磁気メモリ用媒体（た
だし、ＲはTb及びDyから選ばれる１種または２種の元素
であり、ＭはCr及びAlから選ばれる１種の元素であ
る。）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15972186A JPH0677345B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気メモリ用媒体 |
| US07/170,053 US4871614A (en) | 1986-07-09 | 1988-03-16 | Opto-magnetic recording medium having three exchange-coupled magnetic layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15972186A JPH0677345B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気メモリ用媒体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2206709A Division JP2629062B2 (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | 光磁気メモリ用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318543A JPS6318543A (ja) | 1988-01-26 |
| JPH0677345B2 true JPH0677345B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=15699826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15972186A Expired - Fee Related JPH0677345B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気メモリ用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677345B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2629062B2 (ja) * | 1990-08-06 | 1997-07-09 | キヤノン 株式会社 | 光磁気メモリ用媒体 |
-
1986
- 1986-07-09 JP JP15972186A patent/JPH0677345B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6318543A (ja) | 1988-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |