JPH0677343B2 - 光磁気メモリ用媒体 - Google Patents
光磁気メモリ用媒体Info
- Publication number
- JPH0677343B2 JPH0677343B2 JP15971986A JP15971986A JPH0677343B2 JP H0677343 B2 JPH0677343 B2 JP H0677343B2 JP 15971986 A JP15971986 A JP 15971986A JP 15971986 A JP15971986 A JP 15971986A JP H0677343 B2 JPH0677343 B2 JP H0677343B2
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- JP
- Japan
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- layer
- magneto
- film
- optical memory
- recording layer
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、耐食性が改善された光磁気メモリ用媒体に関
する。
する。
希土類−鉄族非晶質合金薄膜を用いた光磁気メモリは、
その読み出し特性が充分ではなく、その改善方法につい
てさまざまな提案がなされている。その一つに記録特性
が良い膜と読み出し特性が良い膜からなる交換結合二層
膜がある（例えば特開昭57-78652号）。従来の交換結合
二層膜では、記録層にはTb−Fe、Dy−Fe、読み出し層に
はGd−Fe、Gd−Fe−Coなどが用いられていた。
その読み出し特性が充分ではなく、その改善方法につい
てさまざまな提案がなされている。その一つに記録特性
が良い膜と読み出し特性が良い膜からなる交換結合二層
膜がある（例えば特開昭57-78652号）。従来の交換結合
二層膜では、記録層にはTb−Fe、Dy−Fe、読み出し層に
はGd−Fe、Gd−Fe−Coなどが用いられていた。
光磁気メモリの実用化に対しては、その磁性膜の耐食性
がかなり重要な問題となっている。希土類−鉄族非晶質
合金薄膜では、鉄族元素としてCoを多量に含むほど耐食
性が改善されることがわかっている。交換結合二層磁性
膜では、その読み出し層にはGd−Fe−Coを用いることが
でき、Coの濃度を高くして、読み出し特性の改善ととも
に耐食性の改善を行なうことができる。しかし、その記
録層にはTb−FeやDy−Feが用いられていて、これにCoを
添加すると少量でもキュリー温度がかなり上昇し、記録
感度が悪くなる欠点があった。
がかなり重要な問題となっている。希土類−鉄族非晶質
合金薄膜では、鉄族元素としてCoを多量に含むほど耐食
性が改善されることがわかっている。交換結合二層磁性
膜では、その読み出し層にはGd−Fe−Coを用いることが
でき、Coの濃度を高くして、読み出し特性の改善ととも
に耐食性の改善を行なうことができる。しかし、その記
録層にはTb−FeやDy−Feが用いられていて、これにCoを
添加すると少量でもキュリー温度がかなり上昇し、記録
感度が悪くなる欠点があった。
本発明は、上記従来の欠点を改良するためになされたも
のであり、その目的は記録層としてTb−Feを用い、読み
出し層にGd−Fe−Coを用いて、記録層を読み出し層では
さんで、耐食性を改善した光磁気メモリ用媒体を提供す
ることにある。
のであり、その目的は記録層としてTb−Feを用い、読み
出し層にGd−Fe−Coを用いて、記録層を読み出し層では
さんで、耐食性を改善した光磁気メモリ用媒体を提供す
ることにある。
上記目的達成可能な本発明は室温において高い保磁力と
低いキュリー温度を有する記録層を、低い保磁力と高い
キュリー温度を有する読み出し層ではさんだ交換結合を
した三層構造の磁性膜を有して成る光磁気メモリ用媒体
であって、前記記録層がTb−Feであり、前記読み出し層
がGd−Fe−Coであることを特徴とする光磁気メモリ用媒
体である。
低いキュリー温度を有する記録層を、低い保磁力と高い
キュリー温度を有する読み出し層ではさんだ交換結合を
した三層構造の磁性膜を有して成る光磁気メモリ用媒体
であって、前記記録層がTb−Feであり、前記読み出し層
がGd−Fe−Coであることを特徴とする光磁気メモリ用媒
体である。
以下に、従来例と本発明の光磁気メモリ用媒体の違いに
ついて詳しく説明する。
ついて詳しく説明する。
希土類−鉄族非晶質合金薄膜から成る磁性膜の腐食過程
には、膜中に存在する遊離酸素が主に希土類元素と結合
し酸化されたり、磁性膜と保護膜の界面を通して酸素や
水分が膜中に拡散し酸化されることなどが考えられる。
このうちの前者に関しては、スパッタリングにおけるタ
ーゲットや蒸着における蒸発源の中の酸素濃度を減らし
たり、真空装置の残留ガス圧、Arガス中の不純物を減ら
すことによりかなり改善される。一方、後者について
は、緻密で酸素を含まない保護膜によってかなり抑えら
れるものの、磁性膜そのものの耐食性の改善が望まれ
る。特に、基板にプラスチックを用いる場合には、基板
にある程度の吸水性があり、保護膜だけでなく磁性膜の
耐食性の改善が特に望まれる。交換結合二層磁性膜で
は、その読み出し層はキュリー点が高くてよいのでGd−
Fe−Coを用いることができ、Coの濃度を高くして耐食性
の改善を行なうことができる。しかし、従来の媒体の記
録層にはTb−FeやDy−Feが用いられていて、これにCoを
添加すると少量でもキュリー温度がかなり上昇し、記録
感度が悪くなる欠点があった。
には、膜中に存在する遊離酸素が主に希土類元素と結合
し酸化されたり、磁性膜と保護膜の界面を通して酸素や
水分が膜中に拡散し酸化されることなどが考えられる。
このうちの前者に関しては、スパッタリングにおけるタ
ーゲットや蒸着における蒸発源の中の酸素濃度を減らし
たり、真空装置の残留ガス圧、Arガス中の不純物を減ら
すことによりかなり改善される。一方、後者について
は、緻密で酸素を含まない保護膜によってかなり抑えら
れるものの、磁性膜そのものの耐食性の改善が望まれ
る。特に、基板にプラスチックを用いる場合には、基板
にある程度の吸水性があり、保護膜だけでなく磁性膜の
耐食性の改善が特に望まれる。交換結合二層磁性膜で
は、その読み出し層はキュリー点が高くてよいのでGd−
Fe−Coを用いることができ、Coの濃度を高くして耐食性
の改善を行なうことができる。しかし、従来の媒体の記
録層にはTb−FeやDy−Feが用いられていて、これにCoを
添加すると少量でもキュリー温度がかなり上昇し、記録
感度が悪くなる欠点があった。
本発明では、Tb−Feの記録層を、耐食性の良い読み出し
層のGd−Fe−Coではさむことによって、磁性層と保護層
の界面からの腐食に対して改善を行なったものである。
層のGd−Fe−Coではさむことによって、磁性層と保護層
の界面からの腐食に対して改善を行なったものである。
本発明の光磁気メモリ媒体は磁性膜を上記のように構成
したことに特徴を有するもので、磁性膜以外に光を有効
に利用するための反射層、磁性膜を保護してさらに保護
機能を高めるための保護層など、各種の補助層が所望に
応じて任意に配設されてよい。
したことに特徴を有するもので、磁性膜以外に光を有効
に利用するための反射層、磁性膜を保護してさらに保護
機能を高めるための保護層など、各種の補助層が所望に
応じて任意に配設されてよい。
通常のスパッタリング法を用いて、従来例と本発明の、
130mmφのディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、耐
食性の実験を行った。従来例において磁性膜はGd−Fe−
Co（Gd:Fe:Co＝18:62:20膜厚500Å）の読み出し層と、T
b−Fe（Tb:Fe＝22:78、膜厚500Å）の記録層との二層膜
とし、本発明におけるものの磁性膜は、Gd−Fe−Co（G
d:Fe:Co＝18:62:20、膜厚300Å）の読み出し層で、Tb−
Dy（Tb:Fe＝22:78、膜厚400Å）の記録層をはさんだ三
層膜とした。基板にはポリカーボネートを用いた。
130mmφのディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、耐
食性の実験を行った。従来例において磁性膜はGd−Fe−
Co（Gd:Fe:Co＝18:62:20膜厚500Å）の読み出し層と、T
b−Fe（Tb:Fe＝22:78、膜厚500Å）の記録層との二層膜
とし、本発明におけるものの磁性膜は、Gd−Fe−Co（G
d:Fe:Co＝18:62:20、膜厚300Å）の読み出し層で、Tb−
Dy（Tb:Fe＝22:78、膜厚400Å）の記録層をはさんだ三
層膜とした。基板にはポリカーボネートを用いた。
１規定のNaCl水溶液を用いた耐食性の試験では、従来例
では15分間浸した後には、目視でかなりのピンホールが
見られたが、本発明のものは、目視でピンホールの発生
は見られなかった。
では15分間浸した後には、目視でかなりのピンホールが
見られたが、本発明のものは、目視でピンホールの発生
は見られなかった。
以上説明したように、記録層にTb−Feを用い、読み出し
層にGd−Fe−Coを用いて、記録層を読み出し層ではさん
だ本発明の光磁気メモリ用媒体により、耐食性が改善さ
れた。
層にGd−Fe−Coを用いて、記録層を読み出し層ではさん
だ本発明の光磁気メモリ用媒体により、耐食性が改善さ
れた。
Claims (1)
- 【請求項１】室温において高い保磁力と低いキュリー温
度を有する記録層を、低い保磁力と高いキュリー温度を
有する読み出し層ではさんだ交換結合をした三層構造の
磁性膜を有して成る光磁気メモリ用媒体であって、前記
記録層がTb−Feであり、前記読み出し層がGd−Fe−Coで
あることを特徴とする光磁気メモリ用媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15971986A JPH0677343B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気メモリ用媒体 |
| US07/170,053 US4871614A (en) | 1986-07-09 | 1988-03-16 | Opto-magnetic recording medium having three exchange-coupled magnetic layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15971986A JPH0677343B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気メモリ用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6316445A JPS6316445A (ja) | 1988-01-23 |
| JPH0677343B2 true JPH0677343B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=15699782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15971986A Expired - Fee Related JPH0677343B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気メモリ用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677343B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03122848A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH03122849A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-07-09 JP JP15971986A patent/JPH0677343B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6316445A (ja) | 1988-01-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |