JPS6192455A - 光学的記録媒体 - Google Patents
光学的記録媒体Info
- Publication number
- JPS6192455A JPS6192455A JP21143884A JP21143884A JPS6192455A JP S6192455 A JPS6192455 A JP S6192455A JP 21143884 A JP21143884 A JP 21143884A JP 21143884 A JP21143884 A JP 21143884A JP S6192455 A JPS6192455 A JP S6192455A
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- JP
- Japan
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- film
- optical recording
- carbide
- nitride
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ビームにより記録・再生を行うことが可能
な光学的記録媒体に関するものである。
な光学的記録媒体に関するものである。
従来より、光ディスクに用いられる光学的記録媒体とし
ては希土類−遷移金１萬の合金薄膜、非晶質から結晶賀
への相転移を利用したカルコゲン化合物等の還元［土酸
化物薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモプラスチック
記録媒体等が知られている。例えば、希土類−Ａｓ−１
、ｙｗｖ、属の合金ｊ＋’、Ｉ７１模で形成される光磁
気記録媒体としては、ＭｎＢ１ 、 ＭｎＣｕＢ１など
の多結晶薄膜、ＧｄＣｏ 、 ＧｄＦｅ 、 Ｔｂ
Ｆｅ 、 ＤｙＦｅ ；ＧｄＴｂＦｅ、 ＴｂＤｙ
Ｆｅ、 ＧｄＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅＣｏ、 Ｇｄ
ＴｂＣｏなどの非晶質薄膜、ＧｄＩＧなどの単結晶４膜
などが知られている。
ては希土類−遷移金１萬の合金薄膜、非晶質から結晶賀
への相転移を利用したカルコゲン化合物等の還元［土酸
化物薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモプラスチック
記録媒体等が知られている。例えば、希土類−Ａｓ−１
、ｙｗｖ、属の合金ｊ＋’、Ｉ７１模で形成される光磁
気記録媒体としては、ＭｎＢ１ 、 ＭｎＣｕＢ１など
の多結晶薄膜、ＧｄＣｏ 、 ＧｄＦｅ 、 Ｔｂ
Ｆｅ 、 ＤｙＦｅ ；ＧｄＴｂＦｅ、 ＴｂＤｙ
Ｆｅ、 ＧｄＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅＣｏ、 Ｇｄ
ＴｂＣｏなどの非晶質薄膜、ＧｄＩＧなどの単結晶４膜
などが知られている。
これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を゛堅温近傍の温度
で製作する際の５５．慢性、信号を小さな光熱エネルギ
ーで書き込むための書き込み効率、および書き込まれた
信号をＳ／Ｎ比よく読み出すための読み出し効率等を勘
案して、最近では前記非晶質薄膜が光磁気記録媒体用と
して後れていると考えられている。特に、１５０〜２０
０℃程度のキューリ一温度を持つＧｄＴｂＦｅやカー回
転角が大きく再生性能に優れたＧｄＴｂＦｅＣｏ （特
開昭５８−１９６６３９）等が光磁気記録媒体用として
最適である。
で製作する際の５５．慢性、信号を小さな光熱エネルギ
ーで書き込むための書き込み効率、および書き込まれた
信号をＳ／Ｎ比よく読み出すための読み出し効率等を勘
案して、最近では前記非晶質薄膜が光磁気記録媒体用と
して後れていると考えられている。特に、１５０〜２０
０℃程度のキューリ一温度を持つＧｄＴｂＦｅやカー回
転角が大きく再生性能に優れたＧｄＴｂＦｅＣｏ （特
開昭５８−１９６６３９）等が光磁気記録媒体用として
最適である。
しかしながら、一般に前記ＧｄＴｂＦｅ等の光磁気記録
媒体をはじめとする磁気記録媒体に用いられる非晶質磁
性体は、耐食性が悪いという欠点を持つている。すなわ
ち、大気、水蒸気に触れると磁気特性が低下し、最終的
には完全に酸化されて透明化するに至る。
媒体をはじめとする磁気記録媒体に用いられる非晶質磁
性体は、耐食性が悪いという欠点を持つている。すなわ
ち、大気、水蒸気に触れると磁気特性が低下し、最終的
には完全に酸化されて透明化するに至る。
このような欠点を除くために、従来から光学的記録層の
上に各種の保護層、例えば５ｉ０２ 、 ＳｉＯ。
上に各種の保護層、例えば５ｉ０２ 、 ＳｉＯ。
Ａｌ２Ｏ３など透明物質の保護層を設けたり、さらに不
活性ガスにより封じ込めたディスク状記録媒体が提案さ
れているが、いずれも、記録層が酸化され易い材料から
成る場合、磁性膜の厚さが〜数百又と薄い場合には、保
護効果が不十分であった。
活性ガスにより封じ込めたディスク状記録媒体が提案さ
れているが、いずれも、記録層が酸化され易い材料から
成る場合、磁性膜の厚さが〜数百又と薄い場合には、保
護効果が不十分であった。
上記酸化物に代わり窒化物の薄膜、例えばＡ７Ｎ 。
Ｓｉ、Ｎ４膜など、あるいは炭化物の薄膜、 例えばＳ
ｉＣ，Ｂ４Ｃ膜を保護膜として設けることも提案されて
いるが、プラスチック基板上に直接設けられた場合には
、密着性が悪く、膜割れ等が生じゃすく、膜割れ部分か
ら腐食がすすみ易い等の欠点があった。
ｉＣ，Ｂ４Ｃ膜を保護膜として設けることも提案されて
いるが、プラスチック基板上に直接設けられた場合には
、密着性が悪く、膜割れ等が生じゃすく、膜割れ部分か
ら腐食がすすみ易い等の欠点があった。
本発明の目的は、従来の記録媒体に比べ更に耐腐食性に
優れた光学的記録媒体を提供することにある。
優れた光学的記録媒体を提供することにある。
本発明の目的は、以下の光学的記録媒体によって達成さ
れる。
れる。
すなわち、基板上に少なくとも光学的記録層を有する光
学的記録媒体において、前記基板と光学的記録層の間に
、基板側からｊ１ｎ１膜化ケイ素の膜、金属の膜、炭化
物又は窒化物又は炭化物と窒化物の混合物から成る保護
膜？設けたことを特徴とする光学的記録媒体である。
学的記録媒体において、前記基板と光学的記録層の間に
、基板側からｊ１ｎ１膜化ケイ素の膜、金属の膜、炭化
物又は窒化物又は炭化物と窒化物の混合物から成る保護
膜？設けたことを特徴とする光学的記録媒体である。
前記酸化ケイ素の膜としては、ＳｉＯまたはＳｉＯ２が
適しており、膜厚５００〜２０００ Ｘに、好ましくは
１０００ Ａ程度に形成される。
適しており、膜厚５００〜２０００ Ｘに、好ましくは
１０００ Ａ程度に形成される。
前記金属の膜としては、Ａｌ、 Ｃｒ、 Ｔｉ、 Ｓｔ
、 Ｇｅ。
、 Ｇｅ。
Ｔａ、 Ｎｂ、 ＮｉまたはＣｏが適しており、膜厚１
００久以下、好ましくは４０Ｘ以下に形成される。
００久以下、好ましくは４０Ｘ以下に形成される。
前記炭化物の膜としては、Ａ７− Ｃ系、Ｂ−Ｃ系。
Ｂａ−Ｃ系、Ｂｅ−Ｃ系、Ｃｅ−Ｃ系、Ｃｒ−Ｃ系、
Ｆｅ −Ｃ系、 Ｈｆ−Ｃ系、 Ｌａ−Ｃ系、
Ｍｎ−Ｃ系、Ｍｏ−Ｃ系。
Ｆｅ −Ｃ系、 Ｈｆ−Ｃ系、 Ｌａ−Ｃ系、
Ｍｎ−Ｃ系、Ｍｏ−Ｃ系。
Ｎｂ−Ｃ系、 ５ｉ−Ｃ系、５ｒ−Ｃ系、 Ｔａ−
Ｃ系、Ｔｉ−Ｃ系、ｖ−ｃ系、ｗ−ｃ系、Ｙ−Ｃ系、Ｚ
ｒ−Ｃ系の炭化物が用いられ、好ましくはＳｉＣ，Ｂ４
Ｃが用いられる。前記窒化物の膜としては、針！ミ転＃
Ｉミ≠Ｚｒ−Ｎ系、 ±コ込ミ≠Ｃｒ−Ｎ系、Ｎｂ−Ｎ
系、Ｖ−Ｎ系、Ｗ−Ｎ系の窒化物が用いられ、好ましく
はＳｉ３Ｎ４． ＡｌＮ 、 ＺｒＮ 、 Ｃｒ
Ｎが用いられる。又、前記炭化物と窒化物の混合膜とし
ては、Ｓｉ３Ｎ４−８ｉＣ、ＡｌＮ−８ｉＣ、ＢＮ−Ｂ
、Ｃ、ＣｒＮ−ＣｒＣ等が用いられ、好ましくはＳｉ３
Ｎ４− ＳｉＣが用いられる。
Ｃ系、Ｔｉ−Ｃ系、ｖ−ｃ系、ｗ−ｃ系、Ｙ−Ｃ系、Ｚ
ｒ−Ｃ系の炭化物が用いられ、好ましくはＳｉＣ，Ｂ４
Ｃが用いられる。前記窒化物の膜としては、針！ミ転＃
Ｉミ≠Ｚｒ−Ｎ系、 ±コ込ミ≠Ｃｒ−Ｎ系、Ｎｂ−Ｎ
系、Ｖ−Ｎ系、Ｗ−Ｎ系の窒化物が用いられ、好ましく
はＳｉ３Ｎ４． ＡｌＮ 、 ＺｒＮ 、 Ｃｒ
Ｎが用いられる。又、前記炭化物と窒化物の混合膜とし
ては、Ｓｉ３Ｎ４−８ｉＣ、ＡｌＮ−８ｉＣ、ＢＮ−Ｂ
、Ｃ、ＣｒＮ−ＣｒＣ等が用いられ、好ましくはＳｉ３
Ｎ４− ＳｉＣが用いられる。
膜厚ハ、５００〜３０００Ｘ、好マシくハ５００〜１ｏ
ｏＯ久に形成される。
ｏＯ久に形成される。
本発明の光学的記録媒体の代表的な例を第１図に示す。
図において、１ａは書き込み側基板、２は酸化ケイ素の
膜、６は金属の膜、４は炭化物又は窒化物又は炭化物と
窒化物の混合物から成る保護膜、５は光学的記録層、６
はスペーサ一層、７は反射層、８は保護層、９は接着層
、１ｂは保護用基板である。
膜、６は金属の膜、４は炭化物又は窒化物又は炭化物と
窒化物の混合物から成る保護膜、５は光学的記録層、６
はスペーサ一層、７は反射層、８は保護層、９は接着層
、１ｂは保護用基板である。
１ａの書き込み側基板としては、使用光に対して透明で
あるものが用いることができ、ガラス、アクリル系樹脂
等のプラスチックが用いられる。
あるものが用いることができ、ガラス、アクリル系樹脂
等のプラスチックが用いられる。
酸化ケイ素を基板と相接して設ける本発明の構成におい
ては、基板との密着性を向上させることができるので、
従来密着性が問題であったプラスチック基板も好ましく
用いることができる。
ては、基板との密着性を向上させることができるので、
従来密着性が問題であったプラスチック基板も好ましく
用いることができる。
５の光学的記録層としては、ＧｄＴｂＦｅの３元系非晶
質膜、ＧｄＴｂＦｅＣｏの４元系非晶質膜あるいはカル
コゲン化合物の薄膜などを用いることができる。
質膜、ＧｄＴｂＦｅＣｏの４元系非晶質膜あるいはカル
コゲン化合物の薄膜などを用いることができる。
６のスペーサ一層としては、層２と同様の酸化ケイ素、
層４と同様の炭化物または窒化物又は大化物と窒化物の
混合物が用いられ、膜厚５００〜３０００ Ｘに形成さ
れる。
層４と同様の炭化物または窒化物又は大化物と窒化物の
混合物が用いられ、膜厚５００〜３０００ Ｘに形成さ
れる。
７の反射層としては、ＡｌまたはＣｕを用いて、膜厚４
００〜１０００Ｘに形成される。
００〜１０００Ｘに形成される。
８の保護層としては、前記スペーサー、顎と同様の物質
を用い、膜厚１０００〜３０００ 久に形成される。
を用い、膜厚１０００〜３０００ 久に形成される。
９の接着層としては、シリコーン系接着剤、例えば東し
シリコーン■％ Ｓ Ｅ Ｌ７００などが、１０μｍ程
度の厚さで用いられる。
シリコーン■％ Ｓ Ｅ Ｌ７００などが、１０μｍ程
度の厚さで用いられる。
１ｂの保護用基板としては、ガラス、グラスチックなど
が用いられる。
が用いられる。
スペーサ一層１反射層、保護層、接着層、保護用基板は
、必要に応じ、設けても設けなくてもよいっ又、池の補
助層を設けてもよい。
、必要に応じ、設けても設けなくてもよいっ又、池の補
助層を設けてもよい。
第１図には貼り合わせ構造の光学的記録媒体を示したが
、不活性ガスを封じ込めたエアーサンドインチ構造であ
ってもよい。
、不活性ガスを封じ込めたエアーサンドインチ構造であ
ってもよい。
本発明を更に具体的に説明するために、以下に実施例を
示す。
示す。
実施例１
第１図に示す構造の磁気記録媒体を以下のように製造し
た。
た。
書き込み側基板１ａとして厚さ１ｍのプラスチック仮を
用い、その上に酸化ケイ素の膜２、金属の嘆６、保護膜
４として順次Ｓｉ膜膜、 Ｓｉ膜、ＳｉＣ膜？それぞれ
１０００久、４０久、１ｏｏｏＸ厚に形成した。ＳｉＣ
膜は、Ｓｉターゲットを用いて、Ａｒ、 ＣＨ４ガス雰
囲気中で反応性スパッタリングにより形成した。Ａｒお
よびＣＨ４ガスの導入油の比は９．５：５であり、８０
０ ｎｍの使用波長ではほぼ吸収のないｌ莫を得ること
が出来た。
用い、その上に酸化ケイ素の膜２、金属の嘆６、保護膜
４として順次Ｓｉ膜膜、 Ｓｉ膜、ＳｉＣ膜？それぞれ
１０００久、４０久、１ｏｏｏＸ厚に形成した。ＳｉＣ
膜は、Ｓｉターゲットを用いて、Ａｒ、 ＣＨ４ガス雰
囲気中で反応性スパッタリングにより形成した。Ａｒお
よびＣＨ４ガスの導入油の比は９．５：５であり、８０
０ ｎｍの使用波長ではほぼ吸収のないｌ莫を得ること
が出来た。
次に光学的記録層５としてＧｄＴｂＦｅＣｏ ４元系
ｊｐ品質磁性層をスパッタリングにより２００ Ｘ厚に
形成した。スペーサ一層６としては５ｉＮｌ］％を１０
００久厚に形成した。反射層７としてＡｌ膜を６００
入、ｒｇに真空蒸着法により形成した。次いで、保護層
８としてＳｉ膜膜を２０００ 久厚に真空蒸着法により
形成した後、接着層９として東しシリコーン！ｍ 装５
Ｅ１７００を１０μ厚にスクリーン印刷して、保護用基
板１ｂの１Ｍ厚のアクリル樹脂板と接着したつ作製した
磁気記録媒体を、温度４５℃、相対湿度９５％の恒温恒
湿槽に１０００時間入れて耐腐食性試験を行った。試験
前後における保磁力の変化、りＶ観の肉眼的観察を行っ
たところ、耐腐食性試験後において保磁力は初期値に対
して９割とほとんど変化なく、外観も変化は認められな
かった。
ｊｐ品質磁性層をスパッタリングにより２００ Ｘ厚に
形成した。スペーサ一層６としては５ｉＮｌ］％を１０
００久厚に形成した。反射層７としてＡｌ膜を６００
入、ｒｇに真空蒸着法により形成した。次いで、保護層
８としてＳｉ膜膜を２０００ 久厚に真空蒸着法により
形成した後、接着層９として東しシリコーン！ｍ 装５
Ｅ１７００を１０μ厚にスクリーン印刷して、保護用基
板１ｂの１Ｍ厚のアクリル樹脂板と接着したつ作製した
磁気記録媒体を、温度４５℃、相対湿度９５％の恒温恒
湿槽に１０００時間入れて耐腐食性試験を行った。試験
前後における保磁力の変化、りＶ観の肉眼的観察を行っ
たところ、耐腐食性試験後において保磁力は初期値に対
して９割とほとんど変化なく、外観も変化は認められな
かった。
実施例２
酸化ケイ素の膜２として５ｉｎ２膜、金属の膜６として
Ｃｒ膜、保護膜４としてＢ４Ｃ膜を形成した他は、実施
例１と同様にして、磁気記録媒体を製造した。
Ｃｒ膜、保護膜４としてＢ４Ｃ膜を形成した他は、実施
例１と同様にして、磁気記録媒体を製造した。
製造した磁気記録媒体を、実施例１と同様の耐腐食性試
験を行なったところ、保磁力は９割以上であり、外観に
も変化は認められなかった。
験を行なったところ、保磁力は９割以上であり、外観に
も変化は認められなかった。
実施例６
酸化ケイ素の膜２としてＳｉ膜膜、金属の膜６としてＣ
ｒ膜、保護膜４としてＣｒＮ膜を形成した他は、実施例
１と同様にして磁気記録媒体を製造した。
ｒ膜、保護膜４としてＣｒＮ膜を形成した他は、実施例
１と同様にして磁気記録媒体を製造した。
製造した磁気記録媒体を実施例１と同様の耐腐食性試験
を行なったところ、保磁力は９割以上であり、外観変化
も認められなかった。ＣｒＮ膜はＳｉＮ膜に比較して成
膜速度が速いため、製造上有利であるという利点がある
。
を行なったところ、保磁力は９割以上であり、外観変化
も認められなかった。ＣｒＮ膜はＳｉＮ膜に比較して成
膜速度が速いため、製造上有利であるという利点がある
。
実施例４
酸化ケイ素の膜２としてＳｉ膜膜、金属の膜６としてＳ
ｉ膜、保護ｊ摸４としてＳｉＮとＳｉＣの混合膜を形成
した他は、実施例１と同様にして磁気記録媒体？製造し
た。ＳｉＮとＳｉＣの混合膜は、Ｓ１ターゲツトを用い
てＮ２． ＣＨ４ガス雰囲気中で反す訃スパッタリング
によって形成した。Ａｒ、 Ｎ２ ＋ ＣＨ４のガス導
入量の比は９０ ： ５ ： ５である。Ｎ２とＣＨ４
の流量比を調整すると、２．０〜２．６のｌ＋ｆｉ、囲
の屈折率の膜を得ることができる。
ｉ膜、保護ｊ摸４としてＳｉＮとＳｉＣの混合膜を形成
した他は、実施例１と同様にして磁気記録媒体？製造し
た。ＳｉＮとＳｉＣの混合膜は、Ｓ１ターゲツトを用い
てＮ２． ＣＨ４ガス雰囲気中で反す訃スパッタリング
によって形成した。Ａｒ、 Ｎ２ ＋ ＣＨ４のガス導
入量の比は９０ ： ５ ： ５である。Ｎ２とＣＨ４
の流量比を調整すると、２．０〜２．６のｌ＋ｆｉ、囲
の屈折率の膜を得ることができる。
製造した磁気記録媒体を実施例１と同様の耐腐食性試験
を行ったところ、保磁力は９割以上であり、外観変化も
認められなかった。
を行ったところ、保磁力は９割以上であり、外観変化も
認められなかった。
比較例１
比較のために、第１図に図示した構成の６ｉ （ヒケイ
素の膜２、金属の膜６、保護膜４の代わりに、プラスチ
ック基板上にＳｉＮから成る保護膜のみを設けた磁気記
録媒体を作製した。この媒体に実施例１と同様の耐腐食
性試験を行なったところ、試験開始後２００時間で媒体
に膜ワレを生じ、１０００時間後では外観、磁気特性と
もに使用不可の状態となった。
素の膜２、金属の膜６、保護膜４の代わりに、プラスチ
ック基板上にＳｉＮから成る保護膜のみを設けた磁気記
録媒体を作製した。この媒体に実施例１と同様の耐腐食
性試験を行なったところ、試験開始後２００時間で媒体
に膜ワレを生じ、１０００時間後では外観、磁気特性と
もに使用不可の状態となった。
比較例２
比較例１の保護層をＳｉＯ膜とした以外は比較例１と同
様にして磁気記録媒体を作製した。この媒体に実施例１
と同様の耐腐食性試験を行なったところ、１０００時間
後には保磁力は３割程度に劣化してしまい、媒体として
は使用不可の状態となった。
様にして磁気記録媒体を作製した。この媒体に実施例１
と同様の耐腐食性試験を行なったところ、１０００時間
後には保磁力は３割程度に劣化してしまい、媒体として
は使用不可の状態となった。
基板と光学的記録層の間に、基板側から順次酸化ケイ素
の膜、金属の膜、炭化物又は窒化物又は炭化物と窒化物
の混合物の保護膜を設けろことにより、基板特にプラス
チック基板との密着性に優れた、耐腐食性に侵れた光学
的記録媒体の提供が可能である。
の膜、金属の膜、炭化物又は窒化物又は炭化物と窒化物
の混合物の保護膜を設けろことにより、基板特にプラス
チック基板との密着性に優れた、耐腐食性に侵れた光学
的記録媒体の提供が可能である。
尚、本発明は磁気記録媒体に限定されるものでなく、た
とえばカルコゲ：／化合物の薄膜等、酸化され易い記録
層を有する他の光学的記録媒体の耐久性向上に関しても
同様に効果的である。
とえばカルコゲ：／化合物の薄膜等、酸化され易い記録
層を有する他の光学的記録媒体の耐久性向上に関しても
同様に効果的である。
第１図は本発明の光学的記録媒体の略断面図である。
１ａ・・・書き込み側基板
２・・・・酸１ヒケイ素の膜
６・・・・金属の膜
４・・・・炭化物又は窒化物又は炭化物と窒化物の混合
物から成る保護膜 ５・・・・光学的記録層 ６・・・・スペーサ一層 ７・・・・反射層 ８・・・・保護層 ９・・・・接着層 １ｂ・・・保護用基板
物から成る保護膜 ５・・・・光学的記録層 ６・・・・スペーサ一層 ７・・・・反射層 ８・・・・保護層 ９・・・・接着層 １ｂ・・・保護用基板
Claims (1)
- 基板上に少なくとも光学的記録層を有する光学的記録媒
体において、前記基板と光学的記録層の間に、基板側か
ら順次酸化ケイ素の膜、金属の膜、炭化物又は窒化物又
は炭化物と窒化物の混合物からなる保護膜を設けたこと
を特徴とする光学的記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21143884A JPS6192455A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光学的記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21143884A JPS6192455A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光学的記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6192455A true JPS6192455A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=16605953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21143884A Pending JPS6192455A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6192455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4786559A (en) * | 1985-12-25 | 1988-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetooptical storage element |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP21143884A patent/JPS6192455A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4786559A (en) * | 1985-12-25 | 1988-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetooptical storage element |
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