JPH0352142B2 - - Google Patents
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- JPH0352142B2 JPH0352142B2 JP59177582A JP17758284A JPH0352142B2 JP H0352142 B2 JPH0352142 B2 JP H0352142B2 JP 59177582 A JP59177582 A JP 59177582A JP 17758284 A JP17758284 A JP 17758284A JP H0352142 B2 JPH0352142 B2 JP H0352142B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、光磁気メモリー、磁気記録、表示素
子などに用いられ、磁気カー効果あるいはフアラ
デー効果などの磁気光学効果を用いて読み出すこ
とのできる光学的記録媒体における改良に関す
る。
子などに用いられ、磁気カー効果あるいはフアラ
デー効果などの磁気光学効果を用いて読み出すこ
とのできる光学的記録媒体における改良に関す
る。
従来、光学的記録媒体としてはMnBi、
MnCuBi、などの多結晶薄膜、GdCo、GdFe、
TbFe、DyFe、GdTbFe、TbDyFe、GdFeCo、
TbFeCo、GdTbCoなどの非晶質薄膜、GdlGな
どの単結晶薄膜などが知られている。
MnCuBi、などの多結晶薄膜、GdCo、GdFe、
TbFe、DyFe、GdTbFe、TbDyFe、GdFeCo、
TbFeCo、GdTbCoなどの非晶質薄膜、GdlGな
どの単結晶薄膜などが知られている。
これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近傍
の温度で製作する際の成膜性、信号を小さな光熱
エネルギーで書き込むための書き込み効率、およ
び書き込まれた信号をＳ／Ｎ比よく読み出すため
の読み出し効率等を勘案して、最近では前記非晶
質薄膜が光学的記録媒体用として優れていると考
えられている。特に、GdTbFeはカー回転角も大
きく、150℃前後のキユーリー点を持つので、光
学的記録媒体用として最適である。
の温度で製作する際の成膜性、信号を小さな光熱
エネルギーで書き込むための書き込み効率、およ
び書き込まれた信号をＳ／Ｎ比よく読み出すため
の読み出し効率等を勘案して、最近では前記非晶
質薄膜が光学的記録媒体用として優れていると考
えられている。特に、GdTbFeはカー回転角も大
きく、150℃前後のキユーリー点を持つので、光
学的記録媒体用として最適である。
また、GdTbFeをはじめとして、一般に非晶質
磁性体は耐腐食性が劣り、湿気を有する雰囲気中
では腐食されて磁気特性の劣化を生じるという欠
点がある。Si、Cr、Ti等の元素を添加すると耐
腐食性は向上するが、キユーリー点が上昇して記
録感度が低下する欠点がある。
磁性体は耐腐食性が劣り、湿気を有する雰囲気中
では腐食されて磁気特性の劣化を生じるという欠
点がある。Si、Cr、Ti等の元素を添加すると耐
腐食性は向上するが、キユーリー点が上昇して記
録感度が低下する欠点がある。
このような欠点を除くために、従来から、非晶
質磁性体の記録磁性層の上に種々の保護層を設け
たり、あるいは不活性ガスによつて記録磁性層を
封じ込めたエアーサンドイツチ構造や貼り合わせ
構造のデイスク状光学的記録媒体が提案されてい
る。
質磁性体の記録磁性層の上に種々の保護層を設け
たり、あるいは不活性ガスによつて記録磁性層を
封じ込めたエアーサンドイツチ構造や貼り合わせ
構造のデイスク状光学的記録媒体が提案されてい
る。
前記保護層としては、例えば、SiO2、SiO、
Al2O3など酸化物の薄膜、Ti、Cr、Al、Siなどの
金属膜、AlN、Si3N4などの窒化物の薄膜などが
ある。
Al2O3など酸化物の薄膜、Ti、Cr、Al、Siなどの
金属膜、AlN、Si3N4などの窒化物の薄膜などが
ある。
しかしながら、磁気記録層が〜数百Åと薄い場
合には、酸化物の薄膜による耐久性向上効果は、
充分ではない。また、窒化物の薄膜か、基板、特
にプラスチツク基板との密着性が酸化物より劣
り、屈折率が高すぎるという欠点がある。
合には、酸化物の薄膜による耐久性向上効果は、
充分ではない。また、窒化物の薄膜か、基板、特
にプラスチツク基板との密着性が酸化物より劣
り、屈折率が高すぎるという欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、非晶質磁性体を用いる光学的
記録媒体の耐食性、耐久性を向上し、且つ書き込
み、読出し効果の向上も可能な光学的記録媒体を
提供することにある。
記録媒体の耐食性、耐久性を向上し、且つ書き込
み、読出し効果の向上も可能な光学的記録媒体を
提供することにある。
この目的は次の光学的記録媒体により達成され
る。
る。
すなわち、プラスチツク基板上に、光ビームの
照射によつて情報が記録又は再生される光学的記
録層を具備する光学的記録媒体において、基板と
記録層との間に、基板側から順に基板に相接した
酸化ケイ素膜、金属膜および窒化物から成る膜を
設けたことを特徴とする光学的記録媒体である。
照射によつて情報が記録又は再生される光学的記
録層を具備する光学的記録媒体において、基板と
記録層との間に、基板側から順に基板に相接した
酸化ケイ素膜、金属膜および窒化物から成る膜を
設けたことを特徴とする光学的記録媒体である。
酸化ケイ素膜とは、SiO、SiO2膜である。金属
膜に用いられる金属としては、Si、Cr、Ni、Ti、
Alなどが挙げられる。窒化物から成る膜を形成
する窒化物としては、Si3N4、AlN、BNなどが
挙げられる。
膜に用いられる金属としては、Si、Cr、Ni、Ti、
Alなどが挙げられる。窒化物から成る膜を形成
する窒化物としては、Si3N4、AlN、BNなどが
挙げられる。
上記の材料を用い、酸化ケイ素膜は500〜2000
Å厚、好ましくは500〜1000Å厚、金属膜は20〜
100Å厚、好ましくは20〜40Å厚、窒化物から成
る膜は200〜1000Å厚、好ましくは200〜400Å厚
に形成する。
Å厚、好ましくは500〜1000Å厚、金属膜は20〜
100Å厚、好ましくは20〜40Å厚、窒化物から成
る膜は200〜1000Å厚、好ましくは200〜400Å厚
に形成する。
形成方法は、スパツタリング、真空蒸着などが
用いられる。
用いられる。
本発明の光学的記録媒体の概略断面図を第１図
に示す。
に示す。
図中１ａは書き込み側基板、２は、書き込み側
基板より酸化ケイ素膜２ａ、金属膜２ｂ、窒化物
から成る膜２ｃが積層されてなる下引き層、３は
非晶質磁性体からなる記録層、４はスペーサー
層、５は反射膜、６は保護膜、７は保護用基板１
ｂを接着するための接着層である。
基板より酸化ケイ素膜２ａ、金属膜２ｂ、窒化物
から成る膜２ｃが積層されてなる下引き層、３は
非晶質磁性体からなる記録層、４はスペーサー
層、５は反射膜、６は保護膜、７は保護用基板１
ｂを接着するための接着層である。
上記のように書き込み側基板に相接して酸化ケ
イ素膜を設けると、酸化ケイ素膜は基板、特にプ
ラスチツク基板と密着性がよいので、膜われを防
止することができ、記録媒体の耐久性を向上させ
ることができる。その上に順次設ける金属膜、窒
化物から成る膜は、それぞれが単層であつても防
湿作用があるが、積層することによつてさらに防
湿性が高くなり、記録層の腐食を防止し得る。更
に、金属膜と窒化物から成る膜は反射防止膜とし
ての作用を有し、書き込み効率の向上、及びカー
回転角の増大による読み出し効率の向上を計るこ
とができる。
イ素膜を設けると、酸化ケイ素膜は基板、特にプ
ラスチツク基板と密着性がよいので、膜われを防
止することができ、記録媒体の耐久性を向上させ
ることができる。その上に順次設ける金属膜、窒
化物から成る膜は、それぞれが単層であつても防
湿作用があるが、積層することによつてさらに防
湿性が高くなり、記録層の腐食を防止し得る。更
に、金属膜と窒化物から成る膜は反射防止膜とし
ての作用を有し、書き込み効率の向上、及びカー
回転角の増大による読み出し効率の向上を計るこ
とができる。
基板１ａとしては、プラスチツクを用いること
ができるが、アクリル系樹脂等からなる厚さが１
mm程度の透明プラスチツクデイスク基板が好まし
く用いられる。
ができるが、アクリル系樹脂等からなる厚さが１
mm程度の透明プラスチツクデイスク基板が好まし
く用いられる。
記録磁性層３としては、例えば、厚さが200Å
前後のGdTbFeの３元系非晶質膜、GdTbFeCoの
４元系非７晶質膜等が好ましく用いられる。
前後のGdTbFeの３元系非晶質膜、GdTbFeCoの
４元系非７晶質膜等が好ましく用いられる。
またスペーサー層４としては、厚さが500〜
3000Å程度の、SiO2もしくはSiO膜あるいは上記
した層２ｃと同様な窒化物から成る膜が好ましく
用いられる。
3000Å程度の、SiO2もしくはSiO膜あるいは上記
した層２ｃと同様な窒化物から成る膜が好ましく
用いられる。
反射膜５としては、厚さが500〜1000Å程度の
Al膜、あるいはCu膜が好ましく用いられる。
Al膜、あるいはCu膜が好ましく用いられる。
保護層６としては、厚さが500〜3000Å程度の
SiO2膜もしくはSiO膜あるいは上記した層２ｃと
同様な窒化物から成る膜が好ましく用いられる。
SiO2膜もしくはSiO膜あるいは上記した層２ｃと
同様な窒化物から成る膜が好ましく用いられる。
接着層７としては、シリコーン系接着剤、例え
ば東レシリコーン(株)製SE1700などを、10μｍ程度
の厚さで用いればよい。
ば東レシリコーン(株)製SE1700などを、10μｍ程度
の厚さで用いればよい。
保護用基板１ｂとしては、ガラス、プラスチツ
クが用いることができるが基板１ａと同様にアク
リル樹脂基板等が好ましく用いられる。
クが用いることができるが基板１ａと同様にアク
リル樹脂基板等が好ましく用いられる。
本発明を更に具体的に説明するために以下に実
施例を示す。
施例を示す。
実施例 １
第１図に示す光学的記録媒体を次のようにして
製造した。
製造した。
書き込み側基板１ａとして厚さ1.2mmのアクリ
ル樹脂基板を用いた。基板１ａ上に下引き層２を
まず酸化ケイ素膜２ａとしてSiO2膜を1000Å厚
にスパツタリングにより設けた。次に金属膜２ｂ
としてSi膜を40Å厚にスパツタリングにより設け
た。次に窒化物から成る膜２ｃとしてSi3N4膜を
400Åにスパツタリングにより設けた。その上に
高周波スパツタ装置を用いてスパツタリングによ
りGdTbFeCoを膜厚200Åに成膜し、記録層３を
形成した。次にスペーサー層４としてSiO2膜を
700Å厚にスパツタリングにより設け、次に真空
蒸着装置を用い、電子ビーム加熱によりAlを500
Å厚に蒸着して反射膜５とした。保護層６は、
SiO2を2000Å厚に真空蒸着法により形成した。
シリコン系接着剤（商品名：SE1700、製造元：
東レシリコーン(株)）を10μｍ厚を接着層７とし
て、1.2mm厚のアクリル樹脂基板の保護用基板１
ｂと接着した。
ル樹脂基板を用いた。基板１ａ上に下引き層２を
まず酸化ケイ素膜２ａとしてSiO2膜を1000Å厚
にスパツタリングにより設けた。次に金属膜２ｂ
としてSi膜を40Å厚にスパツタリングにより設け
た。次に窒化物から成る膜２ｃとしてSi3N4膜を
400Åにスパツタリングにより設けた。その上に
高周波スパツタ装置を用いてスパツタリングによ
りGdTbFeCoを膜厚200Åに成膜し、記録層３を
形成した。次にスペーサー層４としてSiO2膜を
700Å厚にスパツタリングにより設け、次に真空
蒸着装置を用い、電子ビーム加熱によりAlを500
Å厚に蒸着して反射膜５とした。保護層６は、
SiO2を2000Å厚に真空蒸着法により形成した。
シリコン系接着剤（商品名：SE1700、製造元：
東レシリコーン(株)）を10μｍ厚を接着層７とし
て、1.2mm厚のアクリル樹脂基板の保護用基板１
ｂと接着した。
製造した光学的記録層媒体を、45℃、相対湿度
95％の恒温恒湿槽に入れて500時間放置し、耐食
性試験を行なつた。試験後、外観を肉眼観察した
ところ、変化は認められず、保磁力、カー回転角
は、初期値の90％以上であつた。
95％の恒温恒湿槽に入れて500時間放置し、耐食
性試験を行なつた。試験後、外観を肉眼観察した
ところ、変化は認められず、保磁力、カー回転角
は、初期値の90％以上であつた。
比較のため、下引き層を設けない他は、実施例
１と同様な光学的記録媒体を製造し、同時に耐食
性試験を行なつた。その結果は、外観観察におい
ては多数のピンホールの発生が認められ、又、保
磁力、カー回転角とも初期値の30％以下であつ
た。
１と同様な光学的記録媒体を製造し、同時に耐食
性試験を行なつた。その結果は、外観観察におい
ては多数のピンホールの発生が認められ、又、保
磁力、カー回転角とも初期値の30％以下であつ
た。
製造した記録媒体の下引き層と基板との密着性
は強固なものであり、又、金属膜２ｂのSi層の膜
厚が薄いためその吸収量も、波長6328Åで〜数
％、波長8200Åで〜１％程度であつた。また、Si
の薄層を用いたことにより、カー回転角増大の効
果が顕著であつた。第２図に下引き層のSi3N4層
の膜厚を変化させたときのカー回転角θk２１、
反射率Ｒ２２の変化を示す。Si3N4膜の厚さを除
いて、他の下引き層（SiO2層、Si層）、記録層、
スペーサー層、反射層、保護層の膜厚は前記の通
りである。反射防止効果により最大〜4゜のカー回
転角増大を計ることができ、書き込み、読み出し
効率をも向上させることができた。
は強固なものであり、又、金属膜２ｂのSi層の膜
厚が薄いためその吸収量も、波長6328Åで〜数
％、波長8200Åで〜１％程度であつた。また、Si
の薄層を用いたことにより、カー回転角増大の効
果が顕著であつた。第２図に下引き層のSi3N4層
の膜厚を変化させたときのカー回転角θk２１、
反射率Ｒ２２の変化を示す。Si3N4膜の厚さを除
いて、他の下引き層（SiO2層、Si層）、記録層、
スペーサー層、反射層、保護層の膜厚は前記の通
りである。反射防止効果により最大〜4゜のカー回
転角増大を計ることができ、書き込み、読み出し
効率をも向上させることができた。
実施例 ２
実施例１の下引き層２の金属膜２ｂのSi膜を、
Cr膜に代え、20Å厚に形成した他は実施例１と
同様な光学的記録媒体を製造した。
Cr膜に代え、20Å厚に形成した他は実施例１と
同様な光学的記録媒体を製造した。
製造した記録媒体においては、使用波長6328
Å、8200Åとも〜３％程度の吸収量であつた。実
施例１と同様の耐食性試験を行なつた結果は、肉
眼観察によつて腐食は認められず、保磁力、カー
回転角は初期値の90％以上であつた。更に実施例
１同様、書き込み、読み出し効率の向上が得られ
た。
Å、8200Åとも〜３％程度の吸収量であつた。実
施例１と同様の耐食性試験を行なつた結果は、肉
眼観察によつて腐食は認められず、保磁力、カー
回転角は初期値の90％以上であつた。更に実施例
１同様、書き込み、読み出し効率の向上が得られ
た。
以上説明したように、本発明は、プラスチツク
基板上に、光ビームの照射によつて情報が記録又
は再生される光学的記録層を具備する光学的記録
媒体において、基板と記録層との間に、基板側か
ら順に基板に相接した酸化ケイ素膜、金属膜およ
び窒化物から成る膜を設けたことによつて、耐食
性、耐久性を向上させ、且つ書き込み、読み出し
効率を向上させる効果を奏するものである。
基板上に、光ビームの照射によつて情報が記録又
は再生される光学的記録層を具備する光学的記録
媒体において、基板と記録層との間に、基板側か
ら順に基板に相接した酸化ケイ素膜、金属膜およ
び窒化物から成る膜を設けたことによつて、耐食
性、耐久性を向上させ、且つ書き込み、読み出し
効率を向上させる効果を奏するものである。
第１図は本発明の光学的記録媒体の概略断面図
であり、第２図は、本発明の光学的記録媒体にお
いて、下引き層の窒化膜を変化させたときのカー
回転角と反射率の変化を示す図である。 １ａ……書き込み側基板、１ｂ……保護用基
板、２……下引き層、２ａ……酸化ケイ素膜、２
ｂ……金属膜、２ｃ……窒化物から成る膜、３…
…記録層、４……スペーサー層、５……反射膜、
６……保護層、７……接着層、２１……カー回転
角の変化、２２……反射率の変化。
であり、第２図は、本発明の光学的記録媒体にお
いて、下引き層の窒化膜を変化させたときのカー
回転角と反射率の変化を示す図である。 １ａ……書き込み側基板、１ｂ……保護用基
板、２……下引き層、２ａ……酸化ケイ素膜、２
ｂ……金属膜、２ｃ……窒化物から成る膜、３…
…記録層、４……スペーサー層、５……反射膜、
６……保護層、７……接着層、２１……カー回転
角の変化、２２……反射率の変化。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラスチツク基板上に、光ビームの照射によ
つて情報が記録又は再生される光学的記録層を具
備する光学的記録媒体において、 前記基板と前記記録層との間に、基板側から順
に基板に相接した酸化ケイ素膜、金属膜および窒
化物から成る膜を設けたことを特徴とする光学的
記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59177582A JPS6157052A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 光学的記録媒体 |
| US06/767,867 US4695510A (en) | 1984-08-28 | 1985-08-21 | Opto-magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59177582A JPS6157052A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 光学的記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6157052A JPS6157052A (ja) | 1986-03-22 |
| JPH0352142B2 true JPH0352142B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=16033492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59177582A Granted JPS6157052A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | 光学的記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4695510A (ja) |
| JP (1) | JPS6157052A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4861671A (en) * | 1985-10-23 | 1989-08-29 | Kerdix, Inc. | Magneto-optic recording media with protective layer |
| JPS62172549A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-29 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| EP0245833B1 (en) * | 1986-05-14 | 1991-10-09 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
| US4828905A (en) * | 1986-06-12 | 1989-05-09 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| DE3716736A1 (de) * | 1987-05-19 | 1988-12-01 | Basf Ag | Flaechenfoermiges, mehrschichtiges, magneto-optisches aufzeichnungsmaterial |
| US5571629A (en) * | 1987-07-10 | 1996-11-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JPH061222Y2 (ja) * | 1987-07-10 | 1994-01-12 | 株式会社西部技研 | 脱臭用エレメント |
| DE3803000A1 (de) * | 1988-02-02 | 1989-08-10 | Basf Ag | Flaechenfoermiges, mehrschichtiges magneto-optisches aufzeichnungsmaterial |
| EP0341521A1 (de) * | 1988-05-09 | 1989-11-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Magnetooptisches Speichermedium |
| CA1333820C (en) * | 1988-09-13 | 1995-01-03 | Masahiko Sekiya | Magneto-optical recording medium |
| US5192626A (en) * | 1988-12-14 | 1993-03-09 | Teijin Limited | Optical recording medium |
| SE500863C2 (sv) * | 1989-01-11 | 1994-09-19 | Roby Teknik Ab | Laminerat förpackningsmaterial med goda gas- och arombarriäregenskaper, samt sätt att framställa materialet |
| US6042919A (en) * | 1998-05-07 | 2000-03-28 | Zomax Optical Media, Inc. | Structurally stable optical data storage medium |
| JP4590758B2 (ja) * | 2000-04-10 | 2010-12-01 | Ｔｄｋ株式会社 | 光情報媒体 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2558937C3 (de) * | 1974-12-25 | 1978-03-30 | Nippon Telegraph And Telephone Public Corp., Tokio | Magneto-optischer Dünnfilmspeicher und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JPS5952443A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-27 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
| US4544443A (en) * | 1983-05-13 | 1985-10-01 | Shap Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing an optical memory element |
| US4556291A (en) * | 1983-08-08 | 1985-12-03 | Xerox Corporation | Magneto-optic storage media |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP59177582A patent/JPS6157052A/ja active Granted
-
1985
- 1985-08-21 US US06/767,867 patent/US4695510A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6157052A (ja) | 1986-03-22 |
| US4695510A (en) | 1987-09-22 |
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