JPS6180639A - 光学的記録媒体 - Google Patents
光学的記録媒体Info
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- JPS6180639A JPS6180639A JP20303384A JP20303384A JPS6180639A JP S6180639 A JPS6180639 A JP S6180639A JP 20303384 A JP20303384 A JP 20303384A JP 20303384 A JP20303384 A JP 20303384A JP S6180639 A JPS6180639 A JP S6180639A
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- recording medium
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
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- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ビームにより２碌・再生を行うことが可能
な光学的記録媒体に関するものである。
な光学的記録媒体に関するものである。
従来より、光ディスクに用いられる光学的記録媒体とし
ては希土類−遷移金属の合金薄膜、非晶質から結晶質へ
の相転移を利用したカルコゲン化合物等の還元性酸化物
薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモグラスナック記録
媒体等が知られている。例えば、希土類−込移金属の合
金薄膜で形成される光磁気記録媒体としては、ＭｎＢ１
、ＭｎＣｕＢ１などの多結晶薄膜、ＧｃｌＣｏ、 Ｇ
ｄＦｅ、 ＴｂＦｅ＋ ＤｙＦｅ。
ては希土類−遷移金属の合金薄膜、非晶質から結晶質へ
の相転移を利用したカルコゲン化合物等の還元性酸化物
薄膜、ヒートモード記録媒体、サーモグラスナック記録
媒体等が知られている。例えば、希土類−込移金属の合
金薄膜で形成される光磁気記録媒体としては、ＭｎＢ１
、ＭｎＣｕＢ１などの多結晶薄膜、ＧｃｌＣｏ、 Ｇ
ｄＦｅ、 ＴｂＦｅ＋ ＤｙＦｅ。
ＧｄＴｂＦｅ、 Ｔｈｒ）ｙＦ’ｅ、 ＧｄＦｃＣｏ、
ＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏなどの非晶質薄膜
、Ｇｄ１Ｇ などの単結晶薄膜などが知られている。
ＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏなどの非晶質薄膜
、Ｇｄ１Ｇ などの単結晶薄膜などが知られている。
これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近傍の温度で
製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エネルギーで書
き込むだめの書き込み効率、および書き込まれた信号を
Ｓ／Ｎ比よく読み出すための読み出１〜効率等を勘案し
て、最近では前記非晶質薄膜が光間記録媒体用として優
れていると考えられている。
製作する際の成膜性、信号を小さな光熱エネルギーで書
き込むだめの書き込み効率、および書き込まれた信号を
Ｓ／Ｎ比よく読み出すための読み出１〜効率等を勘案し
て、最近では前記非晶質薄膜が光間記録媒体用として優
れていると考えられている。
これらの非晶質薄膜は材料固有のカー回転角は０．３〜
０．４°と小さく、十分な再生Ｓ／Ｎ比を得ることがで
きない。そこで磁気光学効果のエンハンスメント効果を
ねら−って、記録層側から順に光学干渉膜、反射層等を
積層した構造が提案されている。光学干渉膜としては、
従来ＳｉＯ＋ ５ｉＯｚ等が用いられて（・た。・ 〔発明が解決しようとする問題点〕 しか１−ながら、ＧｄＴｂＦｅあるいはＧｄＴｂＦｅＣ
ｏをはじめとして、一般に非晶質磁性体は耐腐食性が劣
り、湿気を有する雰囲気中では腐食されて磁気特性の劣
化を生じるという欠点がある。特に、Ｓ／Ｎ比を向上さ
せる目的で磁気記録層の裏面に反射層を設けたり、ある
いは、干渉層と反射層を設けた構成においては、ファラ
デー効果を有効て利用する必要から、磁気記録層の厚さ
を薄（しなければならないため、耐腐食性がいっそう悪
化する。また、このような酸化による記録特性の劣化は
、光磁気記録媒体に限らず、光学的記録媒体に共通の欠
点であった。
０．４°と小さく、十分な再生Ｓ／Ｎ比を得ることがで
きない。そこで磁気光学効果のエンハンスメント効果を
ねら−って、記録層側から順に光学干渉膜、反射層等を
積層した構造が提案されている。光学干渉膜としては、
従来ＳｉＯ＋ ５ｉＯｚ等が用いられて（・た。・ 〔発明が解決しようとする問題点〕 しか１−ながら、ＧｄＴｂＦｅあるいはＧｄＴｂＦｅＣ
ｏをはじめとして、一般に非晶質磁性体は耐腐食性が劣
り、湿気を有する雰囲気中では腐食されて磁気特性の劣
化を生じるという欠点がある。特に、Ｓ／Ｎ比を向上さ
せる目的で磁気記録層の裏面に反射層を設けたり、ある
いは、干渉層と反射層を設けた構成においては、ファラ
デー効果を有効て利用する必要から、磁気記録層の厚さ
を薄（しなければならないため、耐腐食性がいっそう悪
化する。また、このような酸化による記録特性の劣化は
、光磁気記録媒体に限らず、光学的記録媒体に共通の欠
点であった。
このような欠点を除くため罠、従来から光学的記録層の
上に各種の保護層を設けたり、あるいは不活性ガスによ
って磁気記録層を封じ込めたエアーサンドインチ構造や
貼合わせ構造のディスク状光学的記録媒体が提案されて
いるが、いずれも、記録層が酸化され易い材料から成る
場合、磁性膜の厚さが非常に薄い時には保護効果が不十
分であった。
上に各種の保護層を設けたり、あるいは不活性ガスによ
って磁気記録層を封じ込めたエアーサンドインチ構造や
貼合わせ構造のディスク状光学的記録媒体が提案されて
いるが、いずれも、記録層が酸化され易い材料から成る
場合、磁性膜の厚さが非常に薄い時には保護効果が不十
分であった。
本発明の目的は、読出し信号のＳ／Ｎ比が太きく、しか
も十分な耐ｆＺ ｆｆｊ性を有する光学的記録媒体を提
供することにある。。
も十分な耐ｆＺ ｆｆｊ性を有する光学的記録媒体を提
供することにある。。
本発明の目的は、以下の光学的記録媒体によって達成さ
れる。
れる。
すなわち、基板上に少なくとも光学的記録層と反射層と
をｐ−１備する光学的記録媒体において、前記光学的記
録層と反射層との間に炭化シリコンから成る光学Ｆ渉膜
な設けたことを特徴とする光学的記録媒体である。
をｐ−１備する光学的記録媒体において、前記光学的記
録層と反射層との間に炭化シリコンから成る光学Ｆ渉膜
な設けたことを特徴とする光学的記録媒体である。
本発明の光学的記録媒体の概略断面図を第１図に示す。
図中、１は基板、２は記録層、３は保護防蝕層を兼ねる
光学干渉膜、４は反射層である。
光学干渉膜、４は反射層である。
基板１はガラス、ポリメチルメタクリレート樹脂（ＰＭ
ＭＡ ） 、ポリカーボネート樹脂（ｐｃ）などのプラ
スチック、またはアルミニウムなどの金属が用ζ・られ
、前もってプレグループカ３形成されていてもよい。基
板１上に、例えばＧｄＴｂＦｅ なとの記録層２７ス
パツタリングなどの方法によって形成した後、保護防蝕
層を兼ねる光学干渉膜３として炭化シリコン（以下Ｓｉ
Ｃと記す）をスパッタリング、真空蒸着等の方法により
形成する。更に反射層４としてＣｕ 、 Ａｌ、 ｋｇ
、 Ａｕ等の金属層を真空蒸着、スパッタリング等の方
法により形成する。
ＭＡ ） 、ポリカーボネート樹脂（ｐｃ）などのプラ
スチック、またはアルミニウムなどの金属が用ζ・られ
、前もってプレグループカ３形成されていてもよい。基
板１上に、例えばＧｄＴｂＦｅ なとの記録層２７ス
パツタリングなどの方法によって形成した後、保護防蝕
層を兼ねる光学干渉膜３として炭化シリコン（以下Ｓｉ
Ｃと記す）をスパッタリング、真空蒸着等の方法により
形成する。更に反射層４としてＣｕ 、 Ａｌ、 ｋｇ
、 Ａｕ等の金属層を真空蒸着、スパッタリング等の方
法により形成する。
光学干渉膜は、少なくとも記録層と反射層との間に設け
られれば本発明の目的を達成することができるが、例え
ば下引き層、保護層を兼ねて２層以上設げてもよい。特
にＰＭＭＡやポリカーボネイト等、基板材料からの透湿
によって磁性材料が酸−化、吸湿することが考えられる
場合は、基板と光学記録層の間にも保護防蝕層を兼ねた
光学干渉膜を設けた方がよい。
られれば本発明の目的を達成することができるが、例え
ば下引き層、保護層を兼ねて２層以上設げてもよい。特
にＰＭＭＡやポリカーボネイト等、基板材料からの透湿
によって磁性材料が酸−化、吸湿することが考えられる
場合は、基板と光学記録層の間にも保護防蝕層を兼ねた
光学干渉膜を設けた方がよい。
光学干渉膜の膜厚はＣ／Ｎ比の劣化が小さく、かつ記録
層が空気中及び他の層に含まれる酸素。
層が空気中及び他の層に含まれる酸素。
水分等の不純物によって、特性が劣化するのを防止し、
かつ再生Ｃ／Ｎを高めるために十分なカー回転角増感効
果を有するような膜厚に設定される。
かつ再生Ｃ／Ｎを高めるために十分なカー回転角増感効
果を有するような膜厚に設定される。
記録再生装置の特注によりほぼ決定し、通常は５〜５０
００Ａ の範囲で設定される。記録層と反射層との間
に設ｉ）−られる光学干渉膜は２０〜１５００Ａ厚が好
ましい。前記の基板と記録層の間にも光学干渉膜を設け
る場合には、記録層が基板を通して入る可能けのある水
分、酸素等の不純物の影響で特性が劣化するのを防止で
きればよく５〜２０００Ａが好ましく特には１００〜１
５００Ａが好ましい。
００Ａ の範囲で設定される。記録層と反射層との間
に設ｉ）−られる光学干渉膜は２０〜１５００Ａ厚が好
ましい。前記の基板と記録層の間にも光学干渉膜を設け
る場合には、記録層が基板を通して入る可能けのある水
分、酸素等の不純物の影響で特性が劣化するのを防止で
きればよく５〜２０００Ａが好ましく特には１００〜１
５００Ａが好ましい。
本発明の光学的記録媒体は、必要に応じ他の補助層、例
えば保護層、断熱層１反射防止層などを設けてもよい。
えば保護層、断熱層１反射防止層などを設けてもよい。
また、基板と反対側に保護用基板を設けてもよいし、（
・わゆる貼り合わせ構造や、不活性ガスを中く封じ込め
たエアーサンドイッチ構造に７−ることもできる。
・わゆる貼り合わせ構造や、不活性ガスを中く封じ込め
たエアーサンドイッチ構造に７−ることもできる。
〔実施例２
本発明を更に具体的に説明するために、以下に実施レリ
を示す。
を示す。
実施例１
第２図に示した構造の光磁気記録媒体を以下のようにし
て製造した。
て製造した。
高周波スパッタ法シしおいて１インチ×３インチの白板
ガラスを基板１とし、５インチΩのＦｅＣ。
ガラスを基板１とし、５インチΩのＦｅＣ。
合金（Ｆｅ ：ｃＯ＝７ｏ ： ３０原子％）上にＧｄ
Ｔｂ 合金（５０：５０原子％）の１ｚ角片を均一に並
べたものをターゲットとして０．５Ｐａ のアルゴン
ガス中でスパッタリングな行ない記録層２であるＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ を約２０ＯＡ形成した。その上にＳｉＣ
化合物なターゲットとしてＯ１３Ｐａのアルゴンガス中
でスパッタリングによりＳｉＣを光学干渉膜３として約
２０ＯＡ形成した。その上に反射層４と゛して真空蒸着
法によってＣｕを５０ＯＡ形成した。その上に保護層を
兼ねる光学干渉膜５としてＳｉＣを前記光学干渉膜と同
様な条件でスパッタリングにより約２０００Ａ形成した
。更にエポキシ系接着剤６を用いて保護用のガラス基板
７と貼合せた。記録層であるＧｄＴｂＦｅＣ０Ｇ！ Ｘ
線回折測定により非晶質であｇことが確認され、組成分
析の結果（Ｇｄ５０Ｔｂｓｏ）ｚ３（Ｆｅｙｎ ＣＯ３
：Ｏ）７７であった。 またこのようにして形成された
光磁気記録媒体の偏光面回転角は波長８３０１１１１で
の測定で０．９度を示した。
Ｔｂ 合金（５０：５０原子％）の１ｚ角片を均一に並
べたものをターゲットとして０．５Ｐａ のアルゴン
ガス中でスパッタリングな行ない記録層２であるＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ を約２０ＯＡ形成した。その上にＳｉＣ
化合物なターゲットとしてＯ１３Ｐａのアルゴンガス中
でスパッタリングによりＳｉＣを光学干渉膜３として約
２０ＯＡ形成した。その上に反射層４と゛して真空蒸着
法によってＣｕを５０ＯＡ形成した。その上に保護層を
兼ねる光学干渉膜５としてＳｉＣを前記光学干渉膜と同
様な条件でスパッタリングにより約２０００Ａ形成した
。更にエポキシ系接着剤６を用いて保護用のガラス基板
７と貼合せた。記録層であるＧｄＴｂＦｅＣ０Ｇ！ Ｘ
線回折測定により非晶質であｇことが確認され、組成分
析の結果（Ｇｄ５０Ｔｂｓｏ）ｚ３（Ｆｅｙｎ ＣＯ３
：Ｏ）７７であった。 またこのようにして形成された
光磁気記録媒体の偏光面回転角は波長８３０１１１１で
の測定で０．９度を示した。
本実施例で形成したＳｉＣはＸ線回折測定により非晶質
状態であることがわかった。
状態であることがわかった。
この光磁気記録媒体を温度８５℃、相対湿度８５％の恒
扁恒滉漕にいれ、耐久性試験を行なっだっ比較のために
光学干渉膜と保護層にＳｉＯを用いたものを用意して同
時に試験を行なった。第４図にその結果を示す。横軸は
試験時間、縦軸はカーヒステリシス曲線から求めた保磁
力で初期値で規格化しである。保磁力の低下の大きなも
のほど記録層の磁性体の吸湿等による酸化、腐食が進ん
だことを示１−１保護膜の効果が小さいことを示してい
る。第・１図から明らかなようにＳｉＣを光学干渉膜と
保護防蝕層として用いたものがよりすぐれた耐久性を示
１−だ。
扁恒滉漕にいれ、耐久性試験を行なっだっ比較のために
光学干渉膜と保護層にＳｉＯを用いたものを用意して同
時に試験を行なった。第４図にその結果を示す。横軸は
試験時間、縦軸はカーヒステリシス曲線から求めた保磁
力で初期値で規格化しである。保磁力の低下の大きなも
のほど記録層の磁性体の吸湿等による酸化、腐食が進ん
だことを示１−１保護膜の効果が小さいことを示してい
る。第・１図から明らかなようにＳｉＣを光学干渉膜と
保護防蝕層として用いたものがよりすぐれた耐久性を示
１−だ。
また本実施例の光磁気記録媒体のカー回転角は上記の耐
久試験をした後でも殆んど変化していなかった。
久試験をした後でも殆んど変化していなかった。
実施例２，３゜
第３図、に示した構造の光磁気記録媒体を以下のように
して製造した。
して製造した。
３インチ角のＰＭＭＡおよびＰＣを基板１として基板と
磁性膜との間て下引き層を兼ねる光学干渉膜３′として
のＳｉＣをスパッタリングによって約１５ ＯＡ形成す
る以外は実施例１と同様な手広によって形成した光磁気
記録媒体を温度７０℃、相対湿度８５％の恒飄恒湿糟に
いれて耐久性試験を行なった。比較のために、ＰＭＭＡ
基板上に下引き層を設けずに実施例１と同様に作製した
もの、ＰＭＭＡ基板を用い下引き層、干渉層、保護防蝕
層に全てＳｉＯを用いたものを用意して同時に耐久性試
験を行なった。結果を第５図に示す。図から明らかなよ
うに、ＳｉＣを用いたものの方がＳｉＯを用いたものよ
りも耐腐食性が向上している。また、下引き層を設ける
ことにより、設けない場合よりもその、耐腐食性は向上
する。
磁性膜との間て下引き層を兼ねる光学干渉膜３′として
のＳｉＣをスパッタリングによって約１５ ＯＡ形成す
る以外は実施例１と同様な手広によって形成した光磁気
記録媒体を温度７０℃、相対湿度８５％の恒飄恒湿糟に
いれて耐久性試験を行なった。比較のために、ＰＭＭＡ
基板上に下引き層を設けずに実施例１と同様に作製した
もの、ＰＭＭＡ基板を用い下引き層、干渉層、保護防蝕
層に全てＳｉＯを用いたものを用意して同時に耐久性試
験を行なった。結果を第５図に示す。図から明らかなよ
うに、ＳｉＣを用いたものの方がＳｉＯを用いたものよ
りも耐腐食性が向上している。また、下引き層を設ける
ことにより、設けない場合よりもその、耐腐食性は向上
する。
実施例４〜６
ガラスＰ ＭｒＳ、ＩＡ 、 Ｐ Ｃ、を基板とし、実
施例１におけるＳｉＣ化合物ターゲットをＳｉ単体のタ
ーゲットに変え、ＡｒとＣＨ４ガスとの混合ガス中で高
周波反応性スパッタリングを行なうことでＳｉＣ膜を形
成する以外はガラス基板の時は実施例１．Ｐ〜１〜ｆＡ
とＩ’ Ｃ５！、ｉｆｆ〆 ｒ７：ｔｌ、’ｆＲ”Ｊ
ＺＭ＋１ｆｌｌ ９ − ”Ｊ’ｎ１ｅａｔＪ
Ｌ、 Ｉ’１ｌｌｉｌ ｌ”構成で光磁気記録媒
体を形成した。この光磁気記録媒体をガラスを基板とす
るものは温度８５℃。
施例１におけるＳｉＣ化合物ターゲットをＳｉ単体のタ
ーゲットに変え、ＡｒとＣＨ４ガスとの混合ガス中で高
周波反応性スパッタリングを行なうことでＳｉＣ膜を形
成する以外はガラス基板の時は実施例１．Ｐ〜１〜ｆＡ
とＩ’ Ｃ５！、ｉｆｆ〆 ｒ７：ｔｌ、’ｆＲ”Ｊ
ＺＭ＋１ｆｌｌ ９ − ”Ｊ’ｎ１ｅａｔＪ
Ｌ、 Ｉ’１ｌｌｉｌ ｌ”構成で光磁気記録媒
体を形成した。この光磁気記録媒体をガラスを基板とす
るものは温度８５℃。
相対１♀度８５％、 ＰＭＭＡとＰＣを基板とするもの
は昌度り０℃、相対湿度８５％の恒温恒湿槽内にいれて
耐久性試験を行なった。結果を表１に示す。
は昌度り０℃、相対湿度８５％の恒温恒湿槽内にいれて
耐久性試験を行なった。結果を表１に示す。
保磁力の変化は、初期値を１として聚わしである。
表の結果を第３図と比べると明らかなように反応性スパ
ッタリング法で形成したＳｉＣを用いてもＳｉＣ化合物
ターゲットを用いて得られたＳｉＣ膜と同等の耐久性を
もつ光磁気記録媒体が得られる。なお本実ｍ ’ｆｌ’
ｌｌ中ではＣＨ４の全スパッタガス圧に対スる分圧比を
７％としたがこの値を２〜９．５％としても同様の効果
が得られる。またＡｒに混合させるガスはＣ）−１，ｉ
でな（てもよ（Ｃ２Ｈ２，Ｃ３Ｈ８などのガスを用いて
も同様の効果が得られるので炭化水素のガスの種類は問
わない。
ッタリング法で形成したＳｉＣを用いてもＳｉＣ化合物
ターゲットを用いて得られたＳｉＣ膜と同等の耐久性を
もつ光磁気記録媒体が得られる。なお本実ｍ ’ｆｌ’
ｌｌ中ではＣＨ４の全スパッタガス圧に対スる分圧比を
７％としたがこの値を２〜９．５％としても同様の効果
が得られる。またＡｒに混合させるガスはＣ）−１，ｉ
でな（てもよ（Ｃ２Ｈ２，Ｃ３Ｈ８などのガスを用いて
も同様の効果が得られるので炭化水素のガスの種類は問
わない。
表 １
実施例７
一＃７０５９ガラスを基板とし、グロー放電ＣＶＤ装置
において背圧１０ Ｐａ以下に排気した楓、Ｓ ｉＨ
４とＣａＨｓの混合ガス中で放電を行なうことによって
ＳｉＣ膜を形成する以外は実施例１と同様な層構成の光
磁気記録媒体を作成し、温度８５℃。
において背圧１０ Ｐａ以下に排気した楓、Ｓ ｉＨ
４とＣａＨｓの混合ガス中で放電を行なうことによって
ＳｉＣ膜を形成する以外は実施例１と同様な層構成の光
磁気記録媒体を作成し、温度８５℃。
相対湿度８５％の恒温恒湿条件下で耐久性試験を行なっ
た。１ｏｏｏ時間経過後の保磁力の減少分は約１２％で
ありカー回転角は初期値と比べて殆んど変化していなか
った。このようにＳｉＣの形成にＣＶＤ装置を用いても
、実施例１の場合同様耐久比にすぐれた光磁気記録媒体
が得られる。
た。１ｏｏｏ時間経過後の保磁力の減少分は約１２％で
ありカー回転角は初期値と比べて殆んど変化していなか
った。このようにＳｉＣの形成にＣＶＤ装置を用いても
、実施例１の場合同様耐久比にすぐれた光磁気記録媒体
が得られる。
なお本実施例ではガス流量を５ｉＨ４（１０ＳＣＣＭ
）Ｃ３１−Ｉｓ（１５３ＣＣＭ） 、全圧力１６Ｐａ、
投入パワー１０Ｗとしたが流量その他１莫形成条件はこ
の限りでない。
）Ｃ３１−Ｉｓ（１５３ＣＣＭ） 、全圧力１６Ｐａ、
投入パワー１０Ｗとしたが流量その他１莫形成条件はこ
の限りでない。
また、炭化水素カスはＣ３Ｈ８でなくてもＣＨ４、Ｃ２
Ｈ４１Ｃ２１−１２等の炭化水素ガスを使用しても同様
の結果が得られる。
Ｈ４１Ｃ２１−１２等の炭化水素ガスを使用しても同様
の結果が得られる。
（発明の効果〕
としてＳｉＣを用いることにより媒体の化学的安定性、
耐久性が大幅に改善できる。
耐久性が大幅に改善できる。
尚、本発明は光磁気記録媒体に限定されるものでな（、
たとえばカルコゲン化合物の薄膜等、酸化され易い記録
層を有する他の光学的記録媒体の耐久性向上に関しても
同様に効果的である。
たとえばカルコゲン化合物の薄膜等、酸化され易い記録
層を有する他の光学的記録媒体の耐久性向上に関しても
同様に効果的である。
第１図〜第３図は本発明の光学的記録媒体の略断面図で
あり、第４図、第５図は本発明の光学的記録媒体の耐久
性試験結果を示すグラフである。 １・・・基板 ２・・・光学的記録層３・・
・光学干渉膜 ３′・−・下引き層４・・・反射層
５・・・保護防蝕層６・・・接着層
７・・・保護用基板筒 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
あり、第４図、第５図は本発明の光学的記録媒体の耐久
性試験結果を示すグラフである。 １・・・基板 ２・・・光学的記録層３・・
・光学干渉膜 ３′・−・下引き層４・・・反射層
５・・・保護防蝕層６・・・接着層
７・・・保護用基板筒 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 基板上に少なくとも光学的記録層と反射層とを具備する
光学的記録媒体において、前記光学的記録層と反射層と
の間に炭化シリコンから成る光学干渉膜を設けたことを
特徴とする光学的記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20303384A JPS6180639A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 光学的記録媒体 |
| US06/762,447 US4777068A (en) | 1984-08-10 | 1985-08-05 | Optical recording medium |
| GB08519965A GB2164061B (en) | 1984-08-10 | 1985-08-08 | Optical recording medium |
| FR858512231A FR2569033B1 (fr) | 1984-08-10 | 1985-08-09 | Support d'enregistrement optique |
| DE19853528701 DE3528701A1 (de) | 1984-08-10 | 1985-08-09 | Lichtaufzeichnungsmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20303384A JPS6180639A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 光学的記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180639A true JPS6180639A (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=16467233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20303384A Pending JPS6180639A (ja) | 1984-08-10 | 1984-09-28 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180639A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63226638A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-09-21 | Konica Corp | 超迅速処理可能なハロゲン化銀写真感光材料 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60163247A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Ulvac Corp | 光磁気記録体 |
| JPS60177454A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-11 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 耐久性にすぐれた光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP20303384A patent/JPS6180639A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60163247A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Ulvac Corp | 光磁気記録体 |
| JPS60177454A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-11 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 耐久性にすぐれた光磁気記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63226638A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-09-21 | Konica Corp | 超迅速処理可能なハロゲン化銀写真感光材料 |
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