JPH03173958A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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- JPH03173958A JPH03173958A JP1312557A JP31255789A JPH03173958A JP H03173958 A JPH03173958 A JP H03173958A JP 1312557 A JP1312557 A JP 1312557A JP 31255789 A JP31255789 A JP 31255789A JP H03173958 A JPH03173958 A JP H03173958A
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- dielectric layer
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、Ｅ −Ｄ ＲＡ Ｗ （１２ｒａｓａｂｌｅ
−Ｄｉｒｅｃｔ１？ｅａｄ Ａｒｔｃｒ Ｗｒｌｔｅ）
型の光磁気ディスクに関し、特に希土類金属元素と遷移
金属元素とを主成分とする非晶質合金薄膜を磁気記録媒
体とした光磁気ディスクに関する。
−Ｄｉｒｅｃｔ１？ｅａｄ Ａｒｔｃｒ Ｗｒｌｔｅ）
型の光磁気ディスクに関し、特に希土類金属元素と遷移
金属元素とを主成分とする非晶質合金薄膜を磁気記録媒
体とした光磁気ディスクに関する。
前景技術
光磁気記録技術において、一定の条件下で成膜される希
土類金属と遷移金属との合金薄膜層は非晶質構造をとり
、その層面に垂直な一軸磁気異方性をａすることが知ら
れている。従来から、この性質を利用しこの合金薄膜を
光磁気記録層とする光磁気ディスクが開発されている。
土類金属と遷移金属との合金薄膜層は非晶質構造をとり
、その層面に垂直な一軸磁気異方性をａすることが知ら
れている。従来から、この性質を利用しこの合金薄膜を
光磁気記録層とする光磁気ディスクが開発されている。
この光磁気記録層は酸化などにより劣化されやすいので
、これを挾む窒化珪素ＳｉＮ、硫化亜鉛ＺｎＳなどの誘
７じ体からなる一対の保護層が設けられる。これら保護
１φは、光磁気記録層を温気から連断する働きと、磁気
光学効果の増強すなわち、レーザ光が多重反勾、■する
際に生じるエンハンス効果によってレザ光のカー回転角
を大きくする働きをなす。
、これを挾む窒化珪素ＳｉＮ、硫化亜鉛ＺｎＳなどの誘
７じ体からなる一対の保護層が設けられる。これら保護
１φは、光磁気記録層を温気から連断する働きと、磁気
光学効果の増強すなわち、レーザ光が多重反勾、■する
際に生じるエンハンス効果によってレザ光のカー回転角
を大きくする働きをなす。
光磁気ディスクの構造として、第１図の拡大部分断面図
に示す光磁気ディスクが知られている。
に示す光磁気ディスクが知られている。
かかる光磁気ディスクは、ＰＣ等からなる透明基板１の
主面上に、カー効果エンハンス層としても作用する誘電
体からなる第１ｆＱ］ｆｆ１２と、ＴｂＦｅＣｏ （テ
ルビュームー鉄−コバルト）等からなる光磁気記録層３
と、誘電体からなる第２保護ＩＷ４とを順に積ｊωして
なる。また１例えば保護層４上に接着剤層６を介して裏
板７を貼着して光磁気ディスクが得られる。レーザビー
ム８は透明基板１の方向から入射される。
主面上に、カー効果エンハンス層としても作用する誘電
体からなる第１ｆＱ］ｆｆ１２と、ＴｂＦｅＣｏ （テ
ルビュームー鉄−コバルト）等からなる光磁気記録層３
と、誘電体からなる第２保護ＩＷ４とを順に積ｊωして
なる。また１例えば保護層４上に接着剤層６を介して裏
板７を貼着して光磁気ディスクが得られる。レーザビー
ム８は透明基板１の方向から入射される。
光磁気ディスクの情報の記録再生は次のように行われる
。先ず、光磁気記録層３上にレーザビー８を実兄するこ
とによってこれをそのキュリー温度又は補償温度付近の
温度まで局部的に加熱せしめる。この時、光磁気記録層
の昇ｄ部分に２宴、、Ａすべき情報に対応して層面垂直
方向に一様に磁界を印加し熱消磁又は磁極の反転の熱的
効果により、一方向に一様に磁化された層商内に小さな
反転磁区を任意に形成する。次に、この反転磁区に心線
１ｌｌＩｉ光レーザ光を入射すれば、保護層２によりエ
ンハンスされた光磁気配ｊ；Ａ ｊω３のカー効果によ
る光の偏光楕円体の主軸の回転と楕円率との変化から、
反転磁区の′Ｇ無を信号として検出できる。
。先ず、光磁気記録層３上にレーザビー８を実兄するこ
とによってこれをそのキュリー温度又は補償温度付近の
温度まで局部的に加熱せしめる。この時、光磁気記録層
の昇ｄ部分に２宴、、Ａすべき情報に対応して層面垂直
方向に一様に磁界を印加し熱消磁又は磁極の反転の熱的
効果により、一方向に一様に磁化された層商内に小さな
反転磁区を任意に形成する。次に、この反転磁区に心線
１ｌｌＩｉ光レーザ光を入射すれば、保護層２によりエ
ンハンスされた光磁気配ｊ；Ａ ｊω３のカー効果によ
る光の偏光楕円体の主軸の回転と楕円率との変化から、
反転磁区の′Ｇ無を信号として検出できる。
このようにして光磁気ディスクにおいて反転磁区の自゛
無を”１” “Ｏｍに対応させることによって記Ｉ
Ａ情報の記録再生が可能となる。
無を”１” “Ｏｍに対応させることによって記Ｉ
Ａ情報の記録再生が可能となる。
しかしながら、従来の保護層は多結晶の誘電体であるた
め結晶による光の散乱の影響により、光磁気ディスクの
Ｃ／Ｎ比等の初期特性が悪化する問題が生じる。
め結晶による光の散乱の影響により、光磁気ディスクの
Ｃ／Ｎ比等の初期特性が悪化する問題が生じる。
発明の概要
［発明の目的］
本発明の目的は、高感度かつ高Ｃ／Ｎ比の光磁気ディス
ク及びその製造方法をＷ［％することである。
ク及びその製造方法をＷ［％することである。
［発明の構成］
本発明の光磁気ディスクは、透明基板上の少なくとも一
対の誘電体層間に配置されかつ層面に垂直な方向に一軸
の磁気異方性を有する希土類金属遷移全域の非晶質合金
薄膜からなる光磁気記録層を有する光磁気ディスクであ
って、前記誘電体層が非晶質であることを特徴とする。
対の誘電体層間に配置されかつ層面に垂直な方向に一軸
の磁気異方性を有する希土類金属遷移全域の非晶質合金
薄膜からなる光磁気記録層を有する光磁気ディスクであ
って、前記誘電体層が非晶質であることを特徴とする。
本発明の光磁気ディスク製逍方注は、透明及板上の少な
くとも一対の誘電体層間に配置されかつ層面に垂直な方
向に一軸の磁気異方性を有する希土類金属−遷移金属の
非晶質合金薄膜からなる光磁気記録層を有する光磁気デ
ィスクを製造する方法であって、誘電体層の形成工程に
おいて、成膜装置の気密容器中のスパッタガス圧力を０
．２〜１、ＱｍＴｏｒｒとする低圧ガス圧直流スパッタ
法により誘電体層を形成することを特徴とする。
くとも一対の誘電体層間に配置されかつ層面に垂直な方
向に一軸の磁気異方性を有する希土類金属−遷移金属の
非晶質合金薄膜からなる光磁気記録層を有する光磁気デ
ィスクを製造する方法であって、誘電体層の形成工程に
おいて、成膜装置の気密容器中のスパッタガス圧力を０
．２〜１、ＱｍＴｏｒｒとする低圧ガス圧直流スパッタ
法により誘電体層を形成することを特徴とする。
［発明の作用］
以上の構成により、光磁気ディスクのＣ／Ｎ比が９％く
なる。
なる。
実施例
以下、本発明の実施例を添附図面に址づいて説明する。
本発明の光磁気ディスクは、第１及び第２保護Ｉｍ２．
４の桔品構造を除いて第１図の＋７４逍のものと同一で
ある。すなわち、本発明の光６Ｍ 気ディスクは、ＰＣ
，ＰＭＭＡ、ＰＣ，ガラス″、＋１からなる透明基板１
の主面上に、カー効果エンハンス層としても作用する誘
電体からなる第１保設層２と、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
Ｆｅ等からなる光磁気記録ｊω３と、誘電体からなる第
２保護層４とを順に積Ｊωして、接着剤層６を介して裏
板７を貼着した右のである。本発明の光磁気ディスクに
おいては、第１保設層２の誘電体層が非晶質であり、誘
電体層を非晶質とするためにこれ等誘電体層の形成工程
において、通常よりも低圧のスパッタガス圧力の下でス
パッタ法により誘ｒａ体物質を層状に形成する。
４の桔品構造を除いて第１図の＋７４逍のものと同一で
ある。すなわち、本発明の光６Ｍ 気ディスクは、ＰＣ
，ＰＭＭＡ、ＰＣ，ガラス″、＋１からなる透明基板１
の主面上に、カー効果エンハンス層としても作用する誘
電体からなる第１保設層２と、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
Ｆｅ等からなる光磁気記録ｊω３と、誘電体からなる第
２保護層４とを順に積Ｊωして、接着剤層６を介して裏
板７を貼着した右のである。本発明の光磁気ディスクに
おいては、第１保設層２の誘電体層が非晶質であり、誘
電体層を非晶質とするためにこれ等誘電体層の形成工程
において、通常よりも低圧のスパッタガス圧力の下でス
パッタ法により誘ｒａ体物質を層状に形成する。
具体的に実施例の光磁気ディスク及び比較例においては
、基板にガラス盤を用いて、該装置のスパッタを行う気
密容器において、ターゲットにはＴｂＦｅＣｏ及びＺｎ
Ｓが用いられた。これらは、光磁気配１１１ｔωを一対
の、誘電体層で挾持した３層構逍のものであり、ガラス
盤の上に、ＺｎＳからなる。″Ａ誘電体層８５０人の膜
厚で成膜して、その後、非結晶合金からなる光磁気記録
層を９００人の膜厚て成膜して、さらにＺｎＳからなる
誘電体層を１０００人の膜厚で積層した光磁気ディスク
である。
、基板にガラス盤を用いて、該装置のスパッタを行う気
密容器において、ターゲットにはＴｂＦｅＣｏ及びＺｎ
Ｓが用いられた。これらは、光磁気配１１１ｔωを一対
の、誘電体層で挾持した３層構逍のものであり、ガラス
盤の上に、ＺｎＳからなる。″Ａ誘電体層８５０人の膜
厚で成膜して、その後、非結晶合金からなる光磁気記録
層を９００人の膜厚て成膜して、さらにＺｎＳからなる
誘電体層を１０００人の膜厚で積層した光磁気ディスク
である。
該実施例及び比較例の光磁気ディスクの誘電体体層の成
膜工程において、スパッタリング装置を用いスパッタガ
ス（Ａ「）圧を変化させることにより誘電体層の粘晶状
態（結晶質あるいは非晶質）を制御する。スパッタ条件
をスパッタガス（Ａｒ）圧が実施例では０．２〜１．０
ｍＴｏｒｒの条件で行い、比較例では１．０ｍＴ、ｏ
ｒ ｒを越えるＡｒガス圧力の条件で行い、それぞれ硫
化亜鉛誘電体層を形成する。なお、直流スパッタリング
装置を用い０．２〜１．０ｍＴｏｒｒの条件で行うスパ
ッタ方法を低圧ガス江スパッタ法という。
膜工程において、スパッタリング装置を用いスパッタガ
ス（Ａ「）圧を変化させることにより誘電体層の粘晶状
態（結晶質あるいは非晶質）を制御する。スパッタ条件
をスパッタガス（Ａｒ）圧が実施例では０．２〜１．０
ｍＴｏｒｒの条件で行い、比較例では１．０ｍＴ、ｏ
ｒ ｒを越えるＡｒガス圧力の条件で行い、それぞれ硫
化亜鉛誘電体層を形成する。なお、直流スパッタリング
装置を用い０．２〜１．０ｍＴｏｒｒの条件で行うスパ
ッタ方法を低圧ガス江スパッタ法という。
ここで、第２図に、得られた実施例及び比較例の光磁気
ディスクにおいて、そのＣ／Ｎ比とスパッタ装置の気密
容器中のＡｒガス圧力の関係を示す。０．２〜１．．０
ｍＴｏｒｒの条件で特に０゜３ｍＴｏ ｒ ｒで約６５
ｄＢを越える高いＣ／Ｎ比をｖ、？ることか分かる。
ディスクにおいて、そのＣ／Ｎ比とスパッタ装置の気密
容器中のＡｒガス圧力の関係を示す。０．２〜１．．０
ｍＴｏｒｒの条件で特に０゜３ｍＴｏ ｒ ｒで約６５
ｄＢを越える高いＣ／Ｎ比をｖ、？ることか分かる。
これは、ＴＳ３図に示すように、例えば実施例のアルゴ
ンガス圧力０．３ｍＴｏｒｒ及び比較例の２ｍＴｏ ｒ
ｒのガラス盤上に成膜したＺ ｎ Ｓの誘電体層をＸ
線角ｑ折し、そのＸ線回折パターンを比較してみると２
ｍＴｏ ｒ ｒのものでは高いピークを示しているよう
に多結晶となっているが、０゜３ｍＴｏｒｒのものでは
ピークが７ｉ在せず非粘晶であることから、誘？じ体層
の多結晶による光の散乱の影響が、非晶質：Ａ重体層を
有する実施例の場合ないためと推定される。
ンガス圧力０．３ｍＴｏｒｒ及び比較例の２ｍＴｏ ｒ
ｒのガラス盤上に成膜したＺ ｎ Ｓの誘電体層をＸ
線角ｑ折し、そのＸ線回折パターンを比較してみると２
ｍＴｏ ｒ ｒのものでは高いピークを示しているよう
に多結晶となっているが、０゜３ｍＴｏｒｒのものでは
ピークが７ｉ在せず非粘晶であることから、誘？じ体層
の多結晶による光の散乱の影響が、非晶質：Ａ重体層を
有する実施例の場合ないためと推定される。
また、第１図において、第２保護層４と接着剤層６との
間に反射層を設けた構造としても良い。基板の主面上に
複数の同心■状案内溝を担持した等のものを用いること
もできる。
間に反射層を設けた構造としても良い。基板の主面上に
複数の同心■状案内溝を担持した等のものを用いること
もできる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、透明基板上の一対の誘電
体膜間に配置された光磁気記録層を有する光磁気ディス
クにおいて、誘電体層を非晶質とした故に、高Ｃ／Ｎ比
の光磁気ディスクが得られる。また、本発明の方法によ
れば、誘電体層を低圧ガス圧スパッタ法によって形成す
るので、スパッタＡｒガス圧力を制御するだけで高Ｃ／
Ｎ比の光磁気ディスク製逍の生産性が向上する。
体膜間に配置された光磁気記録層を有する光磁気ディス
クにおいて、誘電体層を非晶質とした故に、高Ｃ／Ｎ比
の光磁気ディスクが得られる。また、本発明の方法によ
れば、誘電体層を低圧ガス圧スパッタ法によって形成す
るので、スパッタＡｒガス圧力を制御するだけで高Ｃ／
Ｎ比の光磁気ディスク製逍の生産性が向上する。
第１図は光磁気ディスクの横進を示す拡大部分断内因で
あり、第２図は実施例及び比較例の光磁気ディスクにお
いてそのＣ／Ｎ比とスパッタ装置の気密容器中のＡ「ガ
ス圧力の関係を示すグラフ、第３図は実施例及び比較例
の光磁気ディスクのＺｎＳの誘電体層のＸ線回折パター
ンを示すである。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・基板 ２・・・・・・第１誘電体層 ３・・・・・・光磁気記録層 ４・・・・・・第２誘電体層 ６・・・・・・接着剤層 ７・・・・・・裏板 ８・・・・・・レーザ光 出廓人 代狸人 パイオニア桂式会比 ブＦ理士 ノ傷村元彦 ！、−８ 弔 図 ロー − 大豊り］ ！−−！ ｔヒ板デ）
あり、第２図は実施例及び比較例の光磁気ディスクにお
いてそのＣ／Ｎ比とスパッタ装置の気密容器中のＡ「ガ
ス圧力の関係を示すグラフ、第３図は実施例及び比較例
の光磁気ディスクのＺｎＳの誘電体層のＸ線回折パター
ンを示すである。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・基板 ２・・・・・・第１誘電体層 ３・・・・・・光磁気記録層 ４・・・・・・第２誘電体層 ６・・・・・・接着剤層 ７・・・・・・裏板 ８・・・・・・レーザ光 出廓人 代狸人 パイオニア桂式会比 ブＦ理士 ノ傷村元彦 ！、−８ 弔 図 ロー − 大豊り］ ！−−！ ｔヒ板デ）
Claims (5)
- （１）透明基板上の少なくとも一対の誘電体層間に配置
されかつ層面に垂直な方向に一軸の磁気異方性を有する
希土類金属−遷移金属の非晶質合金薄膜からなる光磁気
記録層を有する光磁気ディスクであって、前記誘電体層
が非晶質であることを特徴とする光磁気ディスク。 - （２）前記誘電体層は硫化亜鉛であることを特徴とする
請求項１記載の光磁気ディスク。 - （３）透明基板上の少なくとも一対の誘電体層間に配置
されかつ層面に垂直な方向に一軸の磁気異方性を有する
希土類金属−遷移金属の非晶質合金薄膜からなる光磁気
記録層を有する光磁気ディスクを製造する方法であって
、誘電体層の形成工程において、成膜装置の気密容器中
のスパッタガス圧力を０．２〜１．０ｍＴｏｒｒとして
スパッタ法により誘電体層を形成することを特徴とする
方法。 - （４）前記誘電体層は硫化亜鉛であることを特徴とする
請求項３記載の方法。 - （５）前記スパッタガス圧力が０．３ｍＴｏｒｒあるこ
とを特徴とする請求項３または４記載の方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312557A JPH03173958A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 光磁気ディスク |
| US07/595,367 US5087340A (en) | 1989-12-01 | 1990-10-10 | Method of making magneto-optical recording disk |
| EP19900311475 EP0430422A3 (en) | 1989-12-01 | 1990-10-18 | Magneto-optical recording disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312557A JPH03173958A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173958A true JPH03173958A (ja) | 1991-07-29 |
Family
ID=18030648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1312557A Pending JPH03173958A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 光磁気ディスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5087340A (ja) |
| EP (1) | EP0430422A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03173958A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5633092A (en) * | 1991-12-10 | 1997-05-27 | British Technology Group Ltd. | Magnetostrictive material |
| US5202880A (en) * | 1992-03-06 | 1993-04-13 | Digital Equipment Corporation | Double-sided magneto-optical media for a multi-disk storage device |
| EP0657562B1 (en) | 1993-11-12 | 2001-09-12 | PPG Industries Ohio, Inc. | Durable sputtered metal oxide coating |
| JP3226418B2 (ja) * | 1994-05-26 | 2001-11-05 | キヤノン株式会社 | 熱的記録媒体の記録方法 |
| US5985105A (en) * | 1997-12-04 | 1999-11-16 | Seagate Technology, Inc. | Method of sputtering protective overcoats with improved corrosion resistance |
| BR0008208A (pt) | 1999-02-12 | 2002-02-19 | Gen Electric | Meios de armazenamento de dados |
| US20020155216A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-24 | Reitz John Bradford | Spin coated media |
| EP2049089A4 (en) * | 2006-08-08 | 2012-07-04 | Accu Break Technologies Inc | PHARMACEUTICAL TABLET CONTAINING A PLURALITY OF ACTIVE SEGMENTS |
| CN1963927B (zh) * | 2006-11-23 | 2010-09-15 | 上海应用技术学院 | 一种蓝光磁光盘 |
| EP2083801A1 (en) * | 2006-11-30 | 2009-08-05 | Accu-Break Technologies, Inc. | Divisible osmotic dosage forms and methods of use |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62289948A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS63195846A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Mitsubishi Metal Corp | 光磁気記録体 |
| JPS6452239A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Canon Kk | Magneto-optical memory medium |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4684454A (en) * | 1983-05-17 | 1987-08-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sputtering process for making magneto optic alloy |
| US4615944A (en) * | 1983-05-17 | 1986-10-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Amorphous magneto optical recording medium |
| US4851096A (en) * | 1984-07-07 | 1989-07-25 | Kyocera Corporation | Method for fabricating a magneto-optical recording element |
| EP0239390A3 (en) * | 1986-03-27 | 1989-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Optomagnetic recording medium |
| US4959136A (en) * | 1986-09-17 | 1990-09-25 | Eastman Kodak Company | Method for making an amorphous aluminum-nitrogen alloy layer |
| DE3802998A1 (de) * | 1988-02-02 | 1989-08-10 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung einer duennen roentgenamorphen aluminiumnitrid- oder aluminiumsiliciumnitridschicht auf einer oberflaeche |
-
1989
- 1989-12-01 JP JP1312557A patent/JPH03173958A/ja active Pending
-
1990
- 1990-10-10 US US07/595,367 patent/US5087340A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-18 EP EP19900311475 patent/EP0430422A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62289948A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS63195846A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Mitsubishi Metal Corp | 光磁気記録体 |
| JPS6452239A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Canon Kk | Magneto-optical memory medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0430422A3 (en) | 1992-02-26 |
| US5087340A (en) | 1992-02-11 |
| EP0430422A2 (en) | 1991-06-05 |
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