JPH02778B2 - - Google Patents

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JPH02778B2
JPH02778B2 JP55101602A JP10160280A JPH02778B2 JP H02778 B2 JPH02778 B2 JP H02778B2 JP 55101602 A JP55101602 A JP 55101602A JP 10160280 A JP10160280 A JP 10160280A JP H02778 B2 JPH02778 B2 JP H02778B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
recording
magneto
transparent
disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP55101602A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5727451A (en
Inventor
Kenji Oota
Shozo Kobayashi
Toshihisa Deguchi
Akira Takahashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP10160280A priority Critical patent/JPS5727451A/ja
Publication of JPS5727451A publication Critical patent/JPS5727451A/ja
Publication of JPH02778B2 publication Critical patent/JPH02778B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光を用いて情報の記録、再生、消去
を行ない得る磁気光学記憶素子に関する。
近年HeNeレーザ、Arレーザ、半導体レーザ
等の光を用いて磁性薄膜上に、光学的に情報を記
録、再生、消去する方式、即ち、磁気光学記録方
式が注目され、産業界等において重点的に研究開
発が推進されるに至つた。
この方式においては、記録ヘツドであるレンズ
と記録媒体との間に約1mm程度の間隙を設けるこ
とが可能である為、記録媒体とレンズとの間に透
明な保護板を設けることにより、記録媒体に直接
塵埃が付着することを確実に防止でき、従来の磁
気ヘツドを用いた記録方式と比較して塵埃の影響
を少なくすることができるという利点がある。
また、透明な保護板の厚みを適宜変化させるこ
とにより、レンズと記録円板との接触を確実に防
止でき、従来方式では除去し得なかつたヘツドク
ラツシユを完全に防止できるという利点がある。
更には、この方式によれば記録ビゾト径を光波
長程度(約1μm以下)に極小化し得ることとな
る為、従来の磁気ヘツド方式と比較して非常に高
密度化し得るという利点もある。
本発明は、磁気光学記録方式の上記特徴を特に
生かすために有効な磁気光学記録素子に関するも
のである。
磁気光学記録方式に使用可能な磁性材料は種々
提案されているが、本発明は各種磁性材料の中で
も、特に、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er等
希土類とFe、Co、Ni等の遷移金属とを種々の組
成比で組合わせ形成されるアモルフアスフエリ磁
性体を記録材料とする場合に有効なものである。
そして記録媒体を保護するには保護板(膜)を
設ければ良いが、ここで謂う記録媒体はアモルフ
アスフエリ磁性体を対象とするものであり、該ア
モルフアスフエリ磁性体は研究の結果判明したこ
とは温度に対する依存性が極度に大きいことであ
る。
つまり、高温になると結晶化して面内磁化(膜
面と平行磁化)が進行し、磁気光学メモリーにお
いて利用される最も重要な垂直硬化が減少する。
即ち、温度変化によつて垂直硬化の保持力や力一
回転角がヒステリシスを伴つて大きく変化するこ
とである。これと同時に反射率が減少し、透過率
が増加することも明らかにされ、その結果熱を伴
う熱硬化性の接着剤の使用が許されず、更にはア
モルフアスフエリ磁性体の磁気特性は酸素によつ
て著しく影響を受けやすいことから、接着作業時
において、空気に曝さないようにしなければなら
なかつた。
本発明は、紫外線硬化剤を用いるとともに、ア
モルフアスフエリ磁性体薄膜上に直ち熱伝導の少
ない誘電体薄膜を形成することにより上記の欠点
を解消したものであり、以下、実施例を示す添付
図面によつて詳細に説明する。
第1図は本発明を磁気光学記録円板に実施した
側面図であり、ソーダガラス、コーニングマイク
ロシート等のガラス円板、或はアクリル、ポリカ
ーボネート等の樹脂製の円板1(第1の基板)の
上面に、真空蒸着法、スパツタリング法、イオン
プレーテイング法等によりGdTbFe、GdDyFe、
TdFe、DyFe、DdTdFeNi、HoCo、TbCo等の
アモルフアスフエリ磁性体薄膜2及びSiO2、SiO
等透明な誘電体薄膜3をこの順に形成し、該誘電
体薄膜3の上面にフオートボンド、ロツクタイト
X−353等紫外線硬化接着剤層4を介して前記ガ
ラス円板或は樹脂製の円板5(第2の基板)を固
着して五層構造としている。
第2図は、磁気光学記憶円板と記録ヘツドとの
関係を示す側面略図であり、第1図の磁気光学記
憶円板の円板1の上方に集光レンズ6及び記録、
消去用磁場発生用のコイル7を有する記録ヘツド
8を図示しないフオーカスサーボと連動させ、記
録、再生、消去を行なう場合にアモルフアスフエ
リ磁性体薄膜2との距離を一定に保持し得るよう
にしている。
尚、集光レンズ6を選択することにより記録ヘ
ツド8とアモルフアスフエリ磁性体薄膜2との間
隔を変化させることができる為、透明な円板1の
厚みを例えば0.1mm乃至1mmの範囲内で自由に選
択できる。
例えば、集光レンズ6としてN.A.0.65の顕微鏡
用対物レンズを用いた場合には、円板1の厚みを
0.5mmとしても何ら支障はなかつた。
前記円板1,5の厚み、材質等は、本発明の要
旨を逸脱しない範囲内で自由に選ぶことが可能で
あり、例えば円板1としても0.3〜0.5mmのコーニ
ングマイクロシートを使用した場合には、磁気光
学記憶円板の強度を保つため、円板5として1〜
3mmのアクリル板を使用すれば良い。
また、記録ヘツド7と相対する円板は円板1で
も円板5でも良く、記録ヘツド7と相対しない円
板は透明にする必要がないためAl等の金属板、
セラミツク板等でも良いが、記録ヘツド7と相対
する円板は少なくとも波長が0.4μm以下の紫外線
に対して透明であることが必要である。
また、本発明の構成は円板に限られるものでは
なく、ホログラフイメモリの媒体、磁気光学テー
プ等にも適用可能である。
以上のように、本発明は、特に酸化し易く、し
かも酸化することにより磁気特性が著しく変化を
起こし易い希土類を磁性体薄膜としているので、
製作中並びに製品化後においても酸素との接触を
なくすることが極めて重要なことであり、本発明
は上述のように誘電体膜を保護膜として磁性体薄
膜上に無酸素雰囲気中で密着形成することにより
酸素の侵入を完全に遮断し、製品の磁気光学的性
質の安定化を図ることができる。
又、上記誘電体と該誘電体を保護する第2の基
板とを紫外線硬化接着剤を用いて貼着したことに
より、熱の影響を受けて変性し易いアモルフアス
磁性体の特性変化を防止すると共に、塵埃の付着
防止を図るなどの効果を有する。
又、誘電体薄膜を磁性体薄膜に接して設けたこ
とにより熱拡散を抑制して、熱磁気による記録の
際の効果を高めると共に、外部から磁性体薄膜へ
の熱の侵入を防止して記録媒体に及ぼす影響を排
除し保存性を高めるなどの効果をも奏する。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例を示し、第1図は磁気
光学記憶円板の側面図、第2図は磁気光学記憶円
板と記憶ヘツドとの関係を示す側面略図。 1,5……円板、2……アモルフアスフエリ磁
性体薄膜、3……誘電体薄膜、4……紫外線硬化
接着剤。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ヘツドからの光の入射側に位置するガラスあ
    るいは樹脂材からなる透明な第1の基板上に、希
    土類と遷移金属の合金からなるアモルフアス磁性
    体薄膜と、誘電体薄膜とを順次に積層形成し、該
    誘電体薄膜上に紫外線硬化接着剤を介して透明な
    第2の基板を接着することにより構成したことを
    特徴とする磁気光学記憶素子。
JP10160280A 1980-07-23 1980-07-23 Magnetooptic storage element Granted JPS5727451A (en)

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JP10160280A JPS5727451A (en) 1980-07-23 1980-07-23 Magnetooptic storage element

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JP10160280A JPS5727451A (en) 1980-07-23 1980-07-23 Magnetooptic storage element

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JPS5727451A JPS5727451A (en) 1982-02-13
JPH02778B2 true JPH02778B2 (ja) 1990-01-09

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