JPS63269348A - 光磁気記録用媒体 - Google Patents
光磁気記録用媒体Info
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- JPS63269348A JPS63269348A JP10412387A JP10412387A JPS63269348A JP S63269348 A JPS63269348 A JP S63269348A JP 10412387 A JP10412387 A JP 10412387A JP 10412387 A JP10412387 A JP 10412387A JP S63269348 A JPS63269348 A JP S63269348A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光学的記録媒体における光磁気記録用媒体に
関するものである。
関するものである。
(従来の技術)
従来、このような分野の技術としては、特開昭52 3
1703 @公報、及び特開昭52−109193号公
報に記載されるものがあった。以下、その構成を図を用
いて説明する。
1703 @公報、及び特開昭52−109193号公
報に記載されるものがあった。以下、その構成を図を用
いて説明する。
第2図は従来の光磁気記録用媒体の一構成例を示す概略
断面図でおる。
断面図でおる。
この光磁気記録用媒体は、光透過性の基板1上に光磁気
記録層2を形成した構造をしている。光磁気記録層2は
、希土類−遷移金属系合金の非晶質膜(以下、RE−T
)l膜という)で構成されている。
記録層2を形成した構造をしている。光磁気記録層2は
、希土類−遷移金属系合金の非晶質膜(以下、RE−T
)l膜という)で構成されている。
ここで、RE−TM膜は、具体的にはREとしてガドリ
ニウムGd、テルビウム丁b1ジスプロシウムDy1ネ
オジムNd等、IHとして鉄「eまたはコバルトCoを
主成分としている。このRE −T)llljJはその
膜面に対して垂直な磁化をもつ、いわゆる垂直磁化膜で
ある。
ニウムGd、テルビウム丁b1ジスプロシウムDy1ネ
オジムNd等、IHとして鉄「eまたはコバルトCoを
主成分としている。このRE −T)llljJはその
膜面に対して垂直な磁化をもつ、いわゆる垂直磁化膜で
ある。
このようなRE−TH膜を用いた光磁気記録用媒体は、
1μmφ程度に絞られたレーザビームを基板1を通して
照射すると共に、外部磁界を用いた熱磁気書込み方式に
よって108ビツト/criというきわめて高密度な記
録が可能で、しかも原理的には無限回に近い消去及び再
書込みが可能という非常に優れた特長を有している。
1μmφ程度に絞られたレーザビームを基板1を通して
照射すると共に、外部磁界を用いた熱磁気書込み方式に
よって108ビツト/criというきわめて高密度な記
録が可能で、しかも原理的には無限回に近い消去及び再
書込みが可能という非常に優れた特長を有している。
この種の光磁気記録用媒体では、光磁気記録層2の両面
に、酸化シリコンSiO等からなる誘電体膜を設けて光
磁気記録層2を保護すると共にカー効果エンハンスメン
トの機能を持たせたり、さらには光磁気記録層2の上側
を保護するためにカバー基板を設ける等、種々の改良が
試みられている。
に、酸化シリコンSiO等からなる誘電体膜を設けて光
磁気記録層2を保護すると共にカー効果エンハンスメン
トの機能を持たせたり、さらには光磁気記録層2の上側
を保護するためにカバー基板を設ける等、種々の改良が
試みられている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記構成の誘電体膜を有する光磁気記録
用媒体では、誘電体膜と光磁気記録層とが直接接してい
るため、誘電体膜を構成している元素の光磁気記録層2
への混入により、光磁気記録層2における磁気特性及び
光磁気特性が劣化したり、あるいは誘電体膜と接してい
るために、光磁気配B層2における垂直異方性の劣化が
生じるおそれがおった。
用媒体では、誘電体膜と光磁気記録層とが直接接してい
るため、誘電体膜を構成している元素の光磁気記録層2
への混入により、光磁気記録層2における磁気特性及び
光磁気特性が劣化したり、あるいは誘電体膜と接してい
るために、光磁気配B層2における垂直異方性の劣化が
生じるおそれがおった。
本発明は前記従来技術が持っていた問題点として、誘電
体膜による光磁気記録層における磁気特性及び光磁気特
性の劣化と、垂直異方性の劣化の点について解決した光
磁気記録用媒体を提供するものである。
体膜による光磁気記録層における磁気特性及び光磁気特
性の劣化と、垂直異方性の劣化の点について解決した光
磁気記録用媒体を提供するものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は前記問題点を解決するために、RE−T)l膜
からなる光磁気記録層が誘電体膜を介して基板上に形成
された光磁気記録用媒体において、光学的特性に影響を
与えない膜厚で、かつ活性な金属からなる金属膜を、前
記光磁気記録層と誘電体膜との間に設けたものでおる。
からなる光磁気記録層が誘電体膜を介して基板上に形成
された光磁気記録用媒体において、光学的特性に影響を
与えない膜厚で、かつ活性な金属からなる金属膜を、前
記光磁気記録層と誘電体膜との間に設けたものでおる。
(作 用)
本発明によれば、以上のように光磁気記録用媒体を構成
したので、金属膜は誘電体膜を構成する元素の侵入に対
してそれをトラップして光磁気記録層への混入を阻止す
るように働くと共に、光磁気記録層における垂直異方性
を増大してカー回転角を大きくするように働く。従って
前記問題点を除去できるのでおる。
したので、金属膜は誘電体膜を構成する元素の侵入に対
してそれをトラップして光磁気記録層への混入を阻止す
るように働くと共に、光磁気記録層における垂直異方性
を増大してカー回転角を大きくするように働く。従って
前記問題点を除去できるのでおる。
(実施例)
第1図は本発明の実施例を示す光磁気記録用媒体の概略
断面図である。
断面図である。
この光磁気記録用媒体は片面記録型のものであり、透明
度が高くかつ光学特性の良いガラス板や、ポリカーボネ
ート等の樹脂板等で構成される基板10を有し、その基
板10上には誘電体膜11、金属膜12、l?E−Tt
4fglb”)なる光磁気記録層13、金属膜14、誘
電体膜15、接着層16、及びカバー基板17が、順次
積層状態に形成されている。
度が高くかつ光学特性の良いガラス板や、ポリカーボネ
ート等の樹脂板等で構成される基板10を有し、その基
板10上には誘電体膜11、金属膜12、l?E−Tt
4fglb”)なる光磁気記録層13、金属膜14、誘
電体膜15、接着層16、及びカバー基板17が、順次
積層状態に形成されている。
誘電体膜11.15は、カー効果エンハンスメントの働
きをもつもので、例えば下層側の誘電体膜11が膜厚8
0nm及び上層側の誘電体膜15が膜厚150nmのA
、l! 5iON膜等で形成されている。金属膜12.
14は、活性な金属(例えば、マグネシウム+g、アル
ミニウムA、!! 、チタン丁11ニオブNb、バナジ
ウムV1タングステンW1モリブデンNo1ジルコニウ
ムZr、クロムCr、タンタル丁a)等を用いて膜厚が
例えば1 onm以下の5mm程度に形成されている。
きをもつもので、例えば下層側の誘電体膜11が膜厚8
0nm及び上層側の誘電体膜15が膜厚150nmのA
、l! 5iON膜等で形成されている。金属膜12.
14は、活性な金属(例えば、マグネシウム+g、アル
ミニウムA、!! 、チタン丁11ニオブNb、バナジ
ウムV1タングステンW1モリブデンNo1ジルコニウ
ムZr、クロムCr、タンタル丁a)等を用いて膜厚が
例えば1 onm以下の5mm程度に形成されている。
光磁気記録層13を構成するf?E−TH膜は、例えば
膜厚が1100n稈度のRE−Fe−Co系合金で作ら
れている。
膜厚が1100n稈度のRE−Fe−Co系合金で作ら
れている。
ここで、RE−Fe−Co系合金のうち、R[はTb等
の希土類元素である。上層側の誘電体膜15上に接着層
16を介して接着されるカバー基板17は、光磁気記録
層13等を機械的及び化学的に保護するためのもので、
ポリカーボネート、ポリメチルアクリレート(PH)I
A)、ポリエステル、ポリスチレン等のポリマー材料に
より、膜厚が例えば1μm程度に形成されている。
の希土類元素である。上層側の誘電体膜15上に接着層
16を介して接着されるカバー基板17は、光磁気記録
層13等を機械的及び化学的に保護するためのもので、
ポリカーボネート、ポリメチルアクリレート(PH)I
A)、ポリエステル、ポリスチレン等のポリマー材料に
より、膜厚が例えば1μm程度に形成されている。
以上のように構成される光磁気記録用媒体を用いて、次
の表で示されるような光磁気記録ディスクNo、 1〜
No、10を作り、その記録・再生特性を検討した。こ
こで、比較のため、第3図に示すように金属膜12.1
4を省略した光磁気記録ディスクNo、11を作ると共
に、第1図における金属膜12゜14を比較的不活性な
金属Ni、 Coで形成した光磁気記録ディスクNo、
12 、 No13を作り、それらの記録・再生特性も
検討した。
の表で示されるような光磁気記録ディスクNo、 1〜
No、10を作り、その記録・再生特性を検討した。こ
こで、比較のため、第3図に示すように金属膜12.1
4を省略した光磁気記録ディスクNo、11を作ると共
に、第1図における金属膜12゜14を比較的不活性な
金属Ni、 Coで形成した光磁気記録ディスクNo、
12 、 No13を作り、それらの記録・再生特性も
検討した。
但し、第1図及び第3図の基板10はポリカーボネート
樹脂基板、誘電体膜11.15はA、G 5iON膜、
光磁気記録層13はTbFeC0膜、及びカバー基板1
7はポリカーボネート樹脂基板でそれぞれ構成した。
樹脂基板、誘電体膜11.15はA、G 5iON膜、
光磁気記録層13はTbFeC0膜、及びカバー基板1
7はポリカーボネート樹脂基板でそれぞれ構成した。
上記表の光磁気記録ディスクNO,1〜No、13を評
価するために、ディスク回転数9oorpm、周波数1
MH7、基板10を通して光磁気記録層13へ照射する
レーザビームの出カフー以下(このパワーはディスク上
の値であり、そのレーザ波長は830nm)の条件でデ
ータの記録を行った後、ディスク半径r=50mmでの
データ読出し時の再生のキャリア対雑音比(以下、C/
Nという)を測定した。
価するために、ディスク回転数9oorpm、周波数1
MH7、基板10を通して光磁気記録層13へ照射する
レーザビームの出カフー以下(このパワーはディスク上
の値であり、そのレーザ波長は830nm)の条件でデ
ータの記録を行った後、ディスク半径r=50mmでの
データ読出し時の再生のキャリア対雑音比(以下、C/
Nという)を測定した。
その結果、ディスクNo、11に比較して本実施例のデ
ィスクNO,1〜No、 10は、すべて3〜5dBの
C/N向上が見られた。一方、ディスクNo、12 。
ィスクNO,1〜No、 10は、すべて3〜5dBの
C/N向上が見られた。一方、ディスクNo、12 。
No、13ではC/Hの向上が認められなかった。従っ
て、誘電体膜11.15と光磁気記録層13との間に活
性な金属膜12.14を入れることにより、記録特性が
向上することがわかる。その理由としては、次のような
ことが考えられる。
て、誘電体膜11.15と光磁気記録層13との間に活
性な金属膜12.14を入れることにより、記録特性が
向上することがわかる。その理由としては、次のような
ことが考えられる。
■ 誘電体膜11.15を構成する元素、例えば酸素0
や窒素Nを活性金属がトラップし、光磁気記録層13へ
の混入を阻止する。そのため、光磁気記録層の磁気、光
磁気特性の劣化が防止できる。
や窒素Nを活性金属がトラップし、光磁気記録層13へ
の混入を阻止する。そのため、光磁気記録層の磁気、光
磁気特性の劣化が防止できる。
■ 金属膜12.14に接することによってRE−1M
膜の垂直異方性が増大し、カー回転角が大きくなる。
膜の垂直異方性が増大し、カー回転角が大きくなる。
■ 金属膜12.14は、例えば10nm以下と薄いの
で、光学的特性に悪影響を与えない。
で、光学的特性に悪影響を与えない。
なお、本発明は図示の実施例に限定されず、種々の変形
が可能でおる。その変形例としては、例えば次のような
ものがある。
が可能でおる。その変形例としては、例えば次のような
ものがある。
(a)基板10は、ガラス板や樹脂板にのみ限定される
ものではなく、板状、シート状、テープ状、その他の形
状で、しかも任意所望の材料で構成することができる。
ものではなく、板状、シート状、テープ状、その他の形
状で、しかも任意所望の材料で構成することができる。
(b)誘電体膜11.15はA、Q 5iON膜以外に
、酸化ケイ素SiO膜等の他の膜を用いてもよい。
、酸化ケイ素SiO膜等の他の膜を用いてもよい。
(C) RE−Fe−Co−M系合金におけるREは、
希土類としてTbを用いたが、Tb、 DV、 Gd、
Nd等の1種または2種以上の希土類を用いてもよい
。
希土類としてTbを用いたが、Tb、 DV、 Gd、
Nd等の1種または2種以上の希土類を用いてもよい
。
(d)カバー基板17を形成するポリマーは、上記実流
側で例示したものに限定されず、ポリウレタン、エポキ
シ、ポリイミド、フロロカーボン、ポリキシレン、ポリ
ビニル、ポリアミド、ポリサルファイド等の種々の材料
が使用できる。
側で例示したものに限定されず、ポリウレタン、エポキ
シ、ポリイミド、フロロカーボン、ポリキシレン、ポリ
ビニル、ポリアミド、ポリサルファイド等の種々の材料
が使用できる。
(e)光磁気記録用媒体の断面構造は、第1図のものに
限定されず、例えば下層から上層に向って、基板、誘電
体膜、金属膜、RE−T)l膜、金属膜、誘電体膜、接
着層、誘電体膜、金属膜、RE −TM膜、金属膜、誘
電体膜、及び基板を順次積層状態に形成した両面記録型
のものや、あるいはそれらに反射膜を設ける等、種々の
構造に適用できる。
限定されず、例えば下層から上層に向って、基板、誘電
体膜、金属膜、RE−T)l膜、金属膜、誘電体膜、接
着層、誘電体膜、金属膜、RE −TM膜、金属膜、誘
電体膜、及び基板を順次積層状態に形成した両面記録型
のものや、あるいはそれらに反射膜を設ける等、種々の
構造に適用できる。
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、本発明によれば、誘電体膜
と光磁気記録層との間に活性な金属膜を設(プたので、
誘電体膜構成元素の光磁気記録層への混入を阻止でき、
それによって光磁気記録層における磁気特性及び光磁気
特性の劣化を防止できる。ざらに、光磁気記録層の垂直
異方性、の劣化を防止でき、その垂直異方性が増大され
それによるカー回転角が大きくなる。
と光磁気記録層との間に活性な金属膜を設(プたので、
誘電体膜構成元素の光磁気記録層への混入を阻止でき、
それによって光磁気記録層における磁気特性及び光磁気
特性の劣化を防止できる。ざらに、光磁気記録層の垂直
異方性、の劣化を防止でき、その垂直異方性が増大され
それによるカー回転角が大きくなる。
第1図は本発明の実施例を示す光磁気記録用媒体の概略
断面図、第2図は従来の光磁気記録用媒体の概略断面図
、第3図は第1図に対する比較用の光磁気記録用媒体の
概略断面図である。 10・・・・・・基板、11.15・・団・誘電体膜、
12.14・・・・・・金属膜、13・・・・・・光磁
気記録層、16・・・・・・接@層、17・・・・・・
カバー基板。
断面図、第2図は従来の光磁気記録用媒体の概略断面図
、第3図は第1図に対する比較用の光磁気記録用媒体の
概略断面図である。 10・・・・・・基板、11.15・・団・誘電体膜、
12.14・・・・・・金属膜、13・・・・・・光磁
気記録層、16・・・・・・接@層、17・・・・・・
カバー基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、希土類−遷移金属系合金の非晶質膜からなる光磁気
記録層が誘電体膜を介して基板上に形成された光磁気記
録用媒体において、 光学的特性に影響を与えない膜厚で、かつ活性な金属か
らなる金属膜を、前記光磁気記録層と誘電体膜との間に
設けたことを特徴とする光磁気記録用媒体。 2、前記金属膜の膜厚は、10nm以下である特許請求
の範囲第1項記載の光磁気記録用媒体。 3、前記活性な金属は、マグネシウムMg、アルミニウ
ムAl、チタンTi、ニオブNb、バナジウムV、タン
グステンW、モリブデンMo、ジリコニウムZr、クロ
ムCr、またはタンタルTaのいずれかの金属である特
許請求の範囲第1項記載の光磁気記録用媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10412387A JPS63269348A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 光磁気記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10412387A JPS63269348A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 光磁気記録用媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63269348A true JPS63269348A (ja) | 1988-11-07 |
Family
ID=14372347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10412387A Pending JPS63269348A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 光磁気記録用媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63269348A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02254650A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-15 | Fuji Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
US5492773A (en) * | 1988-09-13 | 1996-02-20 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
CN1305033C (zh) * | 2002-06-30 | 2007-03-14 | 华中科技大学 | 一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜 |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP10412387A patent/JPS63269348A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5492773A (en) * | 1988-09-13 | 1996-02-20 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
JPH02254650A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-15 | Fuji Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
CN1305033C (zh) * | 2002-06-30 | 2007-03-14 | 华中科技大学 | 一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜 |
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