JP3214513B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP3214513B2 JP3214513B2 JP18237192A JP18237192A JP3214513B2 JP 3214513 B2 JP3214513 B2 JP 3214513B2 JP 18237192 A JP18237192 A JP 18237192A JP 18237192 A JP18237192 A JP 18237192A JP 3214513 B2 JP3214513 B2 JP 3214513B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、いわゆる超解像を実現
可能な光磁気記録媒体に係り、特に、その信号対雑音比
（ＣＮ比）を改善する手段に関する。
可能な光磁気記録媒体に係り、特に、その信号対雑音比
（ＣＮ比）を改善する手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開平１−１４３０４２号公報な
どに記載されているように、光磁気記録媒体からの信号
の再生方式に関して、再生用光ビームのスポット径より
も小さなピッチでトラック方向に配列された微小な情報
ビット（磁区）列からの信号の再生が可能な、超解像と
呼ばれる技術が提案されている。
どに記載されているように、光磁気記録媒体からの信号
の再生方式に関して、再生用光ビームのスポット径より
も小さなピッチでトラック方向に配列された微小な情報
ビット（磁区）列からの信号の再生が可能な、超解像と
呼ばれる技術が提案されている。
【０００３】図５は超解像の原理を説明するための図で
あって、そのうちの図５（ａ）は、光磁気記録媒体にお
ける磁性膜の積層構造と再生用光ビームの照射部近傍に
おける磁区の変化状態とを示す要部断面図、図５（ｂ）
は、磁区及び磁区間ピッチの大きさと再生用光ビームの
スポット径との関係、それに再生用光ビームスポットの
照射位置と記録トラックに現われるマスク領域との関係
を模式的に示す要部平面図、図５（ｃ）は、再生用光ビ
ームの照射部近傍におけるトラック方向の温度分布を定
性的に示すグラフ図である。
あって、そのうちの図５（ａ）は、光磁気記録媒体にお
ける磁性膜の積層構造と再生用光ビームの照射部近傍に
おける磁区の変化状態とを示す要部断面図、図５（ｂ）
は、磁区及び磁区間ピッチの大きさと再生用光ビームの
スポット径との関係、それに再生用光ビームスポットの
照射位置と記録トラックに現われるマスク領域との関係
を模式的に示す要部平面図、図５（ｃ）は、再生用光ビ
ームの照射部近傍におけるトラック方向の温度分布を定
性的に示すグラフ図である。
【０００４】図５（ａ）に示すように、光磁気記録媒体
１は、再生用光ビーム２の照射方向から順に、第１の磁
性膜３と、第２の磁性膜４と、第３の磁性膜５とを積層
してなる。これら第１〜第３の磁性膜３〜５は、互いに
室温ＴRTで磁気的に結合しており、夫々のキュリー温度
をＴｃ1 ，Ｔｃ2 ，Ｔｃ3 とするとき、第２の磁性膜４
のキュリー温度Ｔｃ2 は室温ＴRTに対してＴｃ2 ＞ＴRT
の関係にあり、かつ第２の磁性膜４のキュリー温度Ｔｃ
2 は第１の磁性膜３のキュリー温度Ｔｃ1 及び第３の磁
性膜５のキュリー温度Ｔｃ3 に対してＴｃ2 ＜Ｔｃ1 ，
Ｔｃ3 の関係にある。また、上記第１の磁性膜の保磁力
Ｈｃ1 は上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ2 近傍で
充分小さく、上記第３の磁性膜の保磁力Ｈｃ3 は上記室
温ＴRTから上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ2 より
高い所要の温度ＴPSまでの温度範囲で所要の磁場よりも
充分大きくなっている。なお、従来においては、上記第
１〜第３の磁性膜３〜５が、希土類−遷移金属系の垂直
磁化膜などをもって形成されている。
１は、再生用光ビーム２の照射方向から順に、第１の磁
性膜３と、第２の磁性膜４と、第３の磁性膜５とを積層
してなる。これら第１〜第３の磁性膜３〜５は、互いに
室温ＴRTで磁気的に結合しており、夫々のキュリー温度
をＴｃ1 ，Ｔｃ2 ，Ｔｃ3 とするとき、第２の磁性膜４
のキュリー温度Ｔｃ2 は室温ＴRTに対してＴｃ2 ＞ＴRT
の関係にあり、かつ第２の磁性膜４のキュリー温度Ｔｃ
2 は第１の磁性膜３のキュリー温度Ｔｃ1 及び第３の磁
性膜５のキュリー温度Ｔｃ3 に対してＴｃ2 ＜Ｔｃ1 ，
Ｔｃ3 の関係にある。また、上記第１の磁性膜の保磁力
Ｈｃ1 は上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ2 近傍で
充分小さく、上記第３の磁性膜の保磁力Ｈｃ3 は上記室
温ＴRTから上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ2 より
高い所要の温度ＴPSまでの温度範囲で所要の磁場よりも
充分大きくなっている。なお、従来においては、上記第
１〜第３の磁性膜３〜５が、希土類−遷移金属系の垂直
磁化膜などをもって形成されている。
【０００５】この光磁気記録媒体１には、図５（ｂ）に
示すように、トラック６に沿って、再生用光ビーム２の
スポット径Ｄよりも小径の磁区７が、再生用光ビーム２
のスポット径Ｄよりも小さなピッチで記録されている。
示すように、トラック６に沿って、再生用光ビーム２の
スポット径Ｄよりも小径の磁区７が、再生用光ビーム２
のスポット径Ｄよりも小さなピッチで記録されている。
【０００６】磁性膜３〜５に再生用光ビーム２を照射す
ると、そのエネルギによって磁性膜３〜５が昇温される
が、トラック方向（矢印Ａの方向）に光磁気記録媒体１
を駆動しつつトラック６に沿って再生用光ビーム２を照
射すると、再生用光ビーム２の照射時間の差から、図５
（ｃ）に示すように、スポット２ａの後縁部分が最も高
温になる。そこで、再生用光ビーム２の強度を、スポッ
ト２ａの後縁及びその周辺部分の温度が第２の磁性膜４
のキュリー温度近傍になるように調整することによっ
て、第１の磁性膜３と第３の磁性膜５との間の磁気的結
合を断ち切ることができる。すなわち、室温下では、図
５（ａ）の左右両端部分から明らかなように、各磁性膜
３〜５の間には互いに交換結合力が作用しており、各磁
区７内の磁化Ｍは全て記録方向に向き、各磁区７間の磁
化−Ｍは全て消去方向に向いているが、再生用光ビーム
２を照射することによって第２の磁性膜４がキュリー温
度近傍まで昇温される部分では、第２の磁性膜４の磁化
が失われる結果、第１の磁性膜３と第３の磁性膜５とが
磁気的に独立となる。
ると、そのエネルギによって磁性膜３〜５が昇温される
が、トラック方向（矢印Ａの方向）に光磁気記録媒体１
を駆動しつつトラック６に沿って再生用光ビーム２を照
射すると、再生用光ビーム２の照射時間の差から、図５
（ｃ）に示すように、スポット２ａの後縁部分が最も高
温になる。そこで、再生用光ビーム２の強度を、スポッ
ト２ａの後縁及びその周辺部分の温度が第２の磁性膜４
のキュリー温度近傍になるように調整することによっ
て、第１の磁性膜３と第３の磁性膜５との間の磁気的結
合を断ち切ることができる。すなわち、室温下では、図
５（ａ）の左右両端部分から明らかなように、各磁性膜
３〜５の間には互いに交換結合力が作用しており、各磁
区７内の磁化Ｍは全て記録方向に向き、各磁区７間の磁
化−Ｍは全て消去方向に向いているが、再生用光ビーム
２を照射することによって第２の磁性膜４がキュリー温
度近傍まで昇温される部分では、第２の磁性膜４の磁化
が失われる結果、第１の磁性膜３と第３の磁性膜５とが
磁気的に独立となる。
【０００７】この状態で、磁性膜３〜５に所要の再生用
外部磁界Ｈr を印加すると、図５（ａ）に示すように、
第１の磁性層３の高温部分（第２の磁性層４がキュリー
温度近傍まで昇温される部分）の磁化だけが再生用外部
磁界方向（消去方向）に反転する。すなわち、再生用光
ビーム２に対して、図５（ｂ）に楕円で表示される上記
高温部分がマスクされたことになり、スポット２ａのう
ちの三日月形の部分によって照射される磁区７のみから
信号が読み出される。よって、磁区間ピッチｐがスポッ
ト径Ｄの１／２程度に調整された光磁気記録媒体からの
信号の読み出しが可能になる。
外部磁界Ｈr を印加すると、図５（ａ）に示すように、
第１の磁性層３の高温部分（第２の磁性層４がキュリー
温度近傍まで昇温される部分）の磁化だけが再生用外部
磁界方向（消去方向）に反転する。すなわち、再生用光
ビーム２に対して、図５（ｂ）に楕円で表示される上記
高温部分がマスクされたことになり、スポット２ａのう
ちの三日月形の部分によって照射される磁区７のみから
信号が読み出される。よって、磁区間ピッチｐがスポッ
ト径Ｄの１／２程度に調整された光磁気記録媒体からの
信号の読み出しが可能になる。
【０００８】なお、光磁気記録媒体１の駆動に伴って再
生用光ビーム２の照射部及び高温部分から外れた部分
は、順次室温まで冷却され、再度各磁性膜３〜５が磁気
的に結合する。再生用光ビーム２の照射部及び高温部分
においても、Ｔｃ2 ＜Ｔｃ1 ，Ｔｃ3 の条件から、第３
の磁性膜５には磁区が消滅せずに残存しているので、各
磁性膜３〜５が磁気的に再結合した段階で、その交換結
合力によって、第１の磁性膜３及び第２の磁性膜４が第
３の磁性膜５の磁区配列と同じになり、当初の記録状態
が保持される。かように、本方式によると、光磁気記録
媒体の高密度記録が達成される。
生用光ビーム２の照射部及び高温部分から外れた部分
は、順次室温まで冷却され、再度各磁性膜３〜５が磁気
的に結合する。再生用光ビーム２の照射部及び高温部分
においても、Ｔｃ2 ＜Ｔｃ1 ，Ｔｃ3 の条件から、第３
の磁性膜５には磁区が消滅せずに残存しているので、各
磁性膜３〜５が磁気的に再結合した段階で、その交換結
合力によって、第１の磁性膜３及び第２の磁性膜４が第
３の磁性膜５の磁区配列と同じになり、当初の記録状態
が保持される。かように、本方式によると、光磁気記録
媒体の高密度記録が達成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】磁区７を小型化する
と、記録密度の増加には有効であるが、磁区７から読み
だされる再生信号出力が２次曲線的に漸減するためにＣ
Ｎ比が劣化する。特に、高周波帯域においてはＣＮ比の
劣化が顕著になり、現行のドライブ装置で信頼性の高い
再生動作を行なうことが難しくなる。しかるに、従来技
術においては、磁区７の小型化に伴うＣＮ比の劣化を改
善する技術に関してなんら提案されておらず、このまま
では超解像形の光磁気記録媒体を実用化することは難し
い。したがって、超解像形の光磁気記録媒体を実用化す
るためには、再生信号出力の増大化、ひいてはＣＮ比の
改善が不可欠である。本発明はかかる課題を解決するた
めになされたものであって、その目的は、再生信号出力
が大きな超解像形の光磁気記録媒体を提供するにある。
と、記録密度の増加には有効であるが、磁区７から読み
だされる再生信号出力が２次曲線的に漸減するためにＣ
Ｎ比が劣化する。特に、高周波帯域においてはＣＮ比の
劣化が顕著になり、現行のドライブ装置で信頼性の高い
再生動作を行なうことが難しくなる。しかるに、従来技
術においては、磁区７の小型化に伴うＣＮ比の劣化を改
善する技術に関してなんら提案されておらず、このまま
では超解像形の光磁気記録媒体を実用化することは難し
い。したがって、超解像形の光磁気記録媒体を実用化す
るためには、再生信号出力の増大化、ひいてはＣＮ比の
改善が不可欠である。本発明はかかる課題を解決するた
めになされたものであって、その目的は、再生信号出力
が大きな超解像形の光磁気記録媒体を提供するにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、超解像形の光磁気記録媒体を構成する３
つの磁性膜のうち、第１の磁性膜と第３の磁性膜との間
に介設され、再生動作時に第１の磁性膜と第３の磁性膜
との磁気的結合を切断する第２の磁性膜を、貴金属−遷
移金属系の磁性合金をもって構成した。
達成するため、超解像形の光磁気記録媒体を構成する３
つの磁性膜のうち、第１の磁性膜と第３の磁性膜との間
に介設され、再生動作時に第１の磁性膜と第３の磁性膜
との磁気的結合を切断する第２の磁性膜を、貴金属−遷
移金属系の磁性合金をもって構成した。
【００１１】
【作用】上記超解像形の光磁気記録媒体の再生信号出力
には、第１の磁性膜で反射する光のカー回転角及び反射
率のみならず、第１の磁性膜を透過して第２の磁性膜で
反射する光のファラデー回転角及び反射率も大きく寄与
している。したがって、第２の磁性膜として、再生用光
に対する反射率がより高いものを用いれば、大きな再生
信号出力を得ることができる。貴金属−遷移金属系の磁
性合金は、希土類−遷移金属系の磁性膜よりも再生用光
に対する反射率が高いので、これを第２の磁性膜として
用いれば、大きな再生信号出力を得ることができ、超解
像形の光磁気記録媒体のＣＮ比を改善できる。
には、第１の磁性膜で反射する光のカー回転角及び反射
率のみならず、第１の磁性膜を透過して第２の磁性膜で
反射する光のファラデー回転角及び反射率も大きく寄与
している。したがって、第２の磁性膜として、再生用光
に対する反射率がより高いものを用いれば、大きな再生
信号出力を得ることができる。貴金属−遷移金属系の磁
性合金は、希土類−遷移金属系の磁性膜よりも再生用光
に対する反射率が高いので、これを第２の磁性膜として
用いれば、大きな再生信号出力を得ることができ、超解
像形の光磁気記録媒体のＣＮ比を改善できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図４に基づい
て説明する。図１は実施例に係る光磁気記録媒体の要部
断面図、図２は密着貼りあわせ形光磁気ディスクの一例
を示す断面図、図３は実施例に係る光磁気記録媒体の再
生信号出力の再生パワー依存性を示すグラフ図、図４は
実施例に係る光磁気記録媒体のＣＮ比の記録周波数依存
性を示すグラフ図である。
て説明する。図１は実施例に係る光磁気記録媒体の要部
断面図、図２は密着貼りあわせ形光磁気ディスクの一例
を示す断面図、図３は実施例に係る光磁気記録媒体の再
生信号出力の再生パワー依存性を示すグラフ図、図４は
実施例に係る光磁気記録媒体のＣＮ比の記録周波数依存
性を示すグラフ図である。
【００１３】図１及び図２に示すように、本例の光磁気
記録媒体１は、透明基板１１のプリフォーマットパター
ン形成面１２に、透明誘電体膜１３と、希土類−遷移金
属系の非晶質垂直磁化膜からなる第１の磁性膜３と、貴
金属−遷移金属系の磁性合金からなる第２の磁性膜と、
希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜からなる第３の
磁性膜５とをこの順に積層し、これらの各膜１３，３，
４，５を保護膜１４にて覆った構造になっている。
記録媒体１は、透明基板１１のプリフォーマットパター
ン形成面１２に、透明誘電体膜１３と、希土類−遷移金
属系の非晶質垂直磁化膜からなる第１の磁性膜３と、貴
金属−遷移金属系の磁性合金からなる第２の磁性膜と、
希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜からなる第３の
磁性膜５とをこの順に積層し、これらの各膜１３，３，
４，５を保護膜１４にて覆った構造になっている。
【００１４】透明基板１１の材質や製造方法、それにフ
ォーマットパターン１２の配列等については、公知に属
する技術であり、かつ本発明の要旨でもないので、説明
を省略する。これらについては、光磁気記録媒体の種類
に応じて、公知に属する適宜の技術を応用して作製でき
る。
ォーマットパターン１２の配列等については、公知に属
する技術であり、かつ本発明の要旨でもないので、説明
を省略する。これらについては、光磁気記録媒体の種類
に応じて、公知に属する適宜の技術を応用して作製でき
る。
【００１５】透明誘電体膜１３は、透明基板１１と第１
の磁性膜３との間で再生用光ビームを多重干渉させ、見
掛け上のカー回転角を大きくするために設けられるもの
であって、透明基板１１よりも屈折率が大きい無機誘電
体などをもって形成される。
の磁性膜３との間で再生用光ビームを多重干渉させ、見
掛け上のカー回転角を大きくするために設けられるもの
であって、透明基板１１よりも屈折率が大きい無機誘電
体などをもって形成される。
【００１６】上記第１の磁性膜３及び第３の磁性膜５
は、公知に属する任意の希土類−遷移金属系の非晶質垂
直磁化膜をもって形成できるが、カー回転角及びファラ
デー回転角が大きいことなどから、〔Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄ
ｙ，Ｎｄ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元
素と、〔Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ〕元素群から選択された少な
くとも１種類の元素との合金、又はこれを主成分とする
合金が特に好適である。また、上記第２の磁性膜４は、
公知に属する任意の貴金属−遷移金属系の磁性合金をも
って形成できるが、光の反射率が高いことなどから、
〔Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ〕元素群から選択され
た少なくとも１種類の元素と、〔Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ〕元
素群から選択された少なくとも１種類の元素との合金、
又はこれを主成分とする合金が特に好適である。
は、公知に属する任意の希土類−遷移金属系の非晶質垂
直磁化膜をもって形成できるが、カー回転角及びファラ
デー回転角が大きいことなどから、〔Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄ
ｙ，Ｎｄ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元
素と、〔Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ〕元素群から選択された少な
くとも１種類の元素との合金、又はこれを主成分とする
合金が特に好適である。また、上記第２の磁性膜４は、
公知に属する任意の貴金属−遷移金属系の磁性合金をも
って形成できるが、光の反射率が高いことなどから、
〔Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ〕元素群から選択され
た少なくとも１種類の元素と、〔Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ〕元
素群から選択された少なくとも１種類の元素との合金、
又はこれを主成分とする合金が特に好適である。
【００１７】もちろん、これら第１、第２、第３の磁性
膜３〜５は、超解像を実現できるようにキュリー温度及
び保磁力が調整されている。すなわち、これらの各磁性
膜３〜５は、室温ＴRTで互いに磁気的に結合するように
成膜され、各磁性膜のキュリー温度を夫々Ｔｃ1 ，Ｔｃ
2 ，Ｔｃ3 とするとき、Ｔｃ2 ＞ＴRTで、かつＴｃ2＜
Ｔｃ1 ，Ｔｃ3 となるように調整され、また上記第１の
磁性膜の保磁力Ｈｃ1は上記第２の磁性膜のキュリー温
度Ｔｃ2 近傍で充分小さく、上記第３の磁性膜の保磁力
Ｈｃ3 は上記室温ＴRTから上記第２の磁性膜のキュリー
温度Ｔｃ2 より高い所要の温度ＴPSまでの温度範囲で所
要の磁場よりも充分大きくなるように調整される。な
お、上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ2 は、１００
℃≦Ｔｃ2≦１５０℃であることが特に好ましく、また
光反射率Ｒ2 は、０．５≦Ｒ2 であることが特に好まし
い。
膜３〜５は、超解像を実現できるようにキュリー温度及
び保磁力が調整されている。すなわち、これらの各磁性
膜３〜５は、室温ＴRTで互いに磁気的に結合するように
成膜され、各磁性膜のキュリー温度を夫々Ｔｃ1 ，Ｔｃ
2 ，Ｔｃ3 とするとき、Ｔｃ2 ＞ＴRTで、かつＴｃ2＜
Ｔｃ1 ，Ｔｃ3 となるように調整され、また上記第１の
磁性膜の保磁力Ｈｃ1は上記第２の磁性膜のキュリー温
度Ｔｃ2 近傍で充分小さく、上記第３の磁性膜の保磁力
Ｈｃ3 は上記室温ＴRTから上記第２の磁性膜のキュリー
温度Ｔｃ2 より高い所要の温度ＴPSまでの温度範囲で所
要の磁場よりも充分大きくなるように調整される。な
お、上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ2 は、１００
℃≦Ｔｃ2≦１５０℃であることが特に好ましく、また
光反射率Ｒ2 は、０．５≦Ｒ2 であることが特に好まし
い。
【００１８】以下に、より具体的な実施の一例を示し、
本発明の効果を明らかにする。透明基板１１として、片
面にプリフォーマットパターン１２が形成されたポリカ
ーボネートの射出成形品を用いた。このポリカーボネー
ト基板１１のプリフォーマットパターン形成面１２に、
膜厚が約８００Åの窒化珪素（ＳｉＮ）膜１３と、膜厚
が約２００Å、キュリー温度が約３００℃のＧｄ−Ｔｂ
−Ｆｅ−Ｃｏ系非晶質垂直磁化膜からなる第１の磁性膜
３と、膜厚が約５０Å、キュリー温度が約１００℃のＰ
ｔ−Ｃｏ系合金からなる第２の磁性膜４と、膜厚が約５
００Å、キュリー温度が約２００℃のＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ
系非晶質垂直磁化膜からなる第３の磁性膜５と、膜厚が
約１０００Åの窒化珪素（ＳｉＮ）製保護層１４とを連
続スパッタリングし、図１の膜構造を有するディスク単
板を作製した。次いで、このようにして作製された２枚
のディスク単板１６を、図２に示すように、保護層１４
を内側にして同心に貼りあわせ、密着貼りあわせ構造の
光磁気ディスクを作製した。なお、図２の符号１７はデ
ィスク単板１６を貼りあわせる接着層、１８は透明基板
１１の中心部に設けられたセンターハブを示している。
本発明の効果を明らかにする。透明基板１１として、片
面にプリフォーマットパターン１２が形成されたポリカ
ーボネートの射出成形品を用いた。このポリカーボネー
ト基板１１のプリフォーマットパターン形成面１２に、
膜厚が約８００Åの窒化珪素（ＳｉＮ）膜１３と、膜厚
が約２００Å、キュリー温度が約３００℃のＧｄ−Ｔｂ
−Ｆｅ−Ｃｏ系非晶質垂直磁化膜からなる第１の磁性膜
３と、膜厚が約５０Å、キュリー温度が約１００℃のＰ
ｔ−Ｃｏ系合金からなる第２の磁性膜４と、膜厚が約５
００Å、キュリー温度が約２００℃のＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ
系非晶質垂直磁化膜からなる第３の磁性膜５と、膜厚が
約１０００Åの窒化珪素（ＳｉＮ）製保護層１４とを連
続スパッタリングし、図１の膜構造を有するディスク単
板を作製した。次いで、このようにして作製された２枚
のディスク単板１６を、図２に示すように、保護層１４
を内側にして同心に貼りあわせ、密着貼りあわせ構造の
光磁気ディスクを作製した。なお、図２の符号１７はデ
ィスク単板１６を貼りあわせる接着層、１８は透明基板
１１の中心部に設けられたセンターハブを示している。
【００１９】本例の光磁気ディスクをドライブ装置に装
着し、再生パワーを種々変更したときの再生信号出力の
変化、すなわち再生信号出力の再生パワー依存性を調べ
た。その結果を、図３に示す。但し、情報ビット（磁化
ドメイン）の記録条件は、線速度が７．５ｍ／ｓ、記録
周波数が１０ＭＨｚであり、再生時には１ＫＯｅの再生
磁界を印加した。このグラフ図から明らかなように、本
例の光磁気ディスクは、２ｍＷ〜３．５ｍＷの再生パワ
ーを照射したときに５０ｄＢｍ以上の再生出力信号を得
ることができ、再生パワーをこの値に調整することによ
って、１０ＭＨｚの情報ビットを読みだせることが判
る。
着し、再生パワーを種々変更したときの再生信号出力の
変化、すなわち再生信号出力の再生パワー依存性を調べ
た。その結果を、図３に示す。但し、情報ビット（磁化
ドメイン）の記録条件は、線速度が７．５ｍ／ｓ、記録
周波数が１０ＭＨｚであり、再生時には１ＫＯｅの再生
磁界を印加した。このグラフ図から明らかなように、本
例の光磁気ディスクは、２ｍＷ〜３．５ｍＷの再生パワ
ーを照射したときに５０ｄＢｍ以上の再生出力信号を得
ることができ、再生パワーをこの値に調整することによ
って、１０ＭＨｚの情報ビットを読みだせることが判
る。
【００２０】また、記録周波数を種々変更したときのＣ
Ｎ比の変化、すなわちＣＮ比の記録周波数依存性を調べ
た。その結果を、図４に示す。このグラフ図から明らか
なように、従来の超解像方式の光磁気ディスクは、記録
周波数にほぼ反比例してＣＮ比が低下するのに対し、本
例の光磁気ディスクは、低下の割合が格段に緩やかであ
り、１５ＭＨｚの記録周波数に対しても５０ｄＢ程度の
ＣＮ比を有しており、コードデータにとって必要なＣＮ
比を確保できることが判る。この結果から、本例の光磁
気記録媒体は、線記録密度において従来品の約３倍の高
密度化を達成できる。
Ｎ比の変化、すなわちＣＮ比の記録周波数依存性を調べ
た。その結果を、図４に示す。このグラフ図から明らか
なように、従来の超解像方式の光磁気ディスクは、記録
周波数にほぼ反比例してＣＮ比が低下するのに対し、本
例の光磁気ディスクは、低下の割合が格段に緩やかであ
り、１５ＭＨｚの記録周波数に対しても５０ｄＢ程度の
ＣＮ比を有しており、コードデータにとって必要なＣＮ
比を確保できることが判る。この結果から、本例の光磁
気記録媒体は、線記録密度において従来品の約３倍の高
密度化を達成できる。
【００２１】なお、上記実施例及び比較例では、透明基
板１１としてポリカーボネート基板を用いたが、これに
代えてガラス基板を用いた場合にも上記と同様の結果が
得られた。また、上記実施例では、エンハンス膜１３及
び保護膜１４として窒化珪素を用いたが、酸化珪素、窒
化アルミニウム等、他の無機誘電体を用いた場合にも上
記と同様の結果が得られた。また、無機保護膜１４に代
えて、ＵＶ樹脂保護膜を形成した場合にも上記と同様の
結果が得られた。また、各膜の膜厚を種々変更した場合
にも、上記と同様の結果が得られた。さらに、上記実施
例では、透明基板１１と第１の磁性膜３との間に窒化珪
素膜（エンハンス膜）１３を設けたが、この膜を設けな
い場合にも、従来の超解像方式の光磁気記録媒体よりも
高い再生出力信号が得られた。
板１１としてポリカーボネート基板を用いたが、これに
代えてガラス基板を用いた場合にも上記と同様の結果が
得られた。また、上記実施例では、エンハンス膜１３及
び保護膜１４として窒化珪素を用いたが、酸化珪素、窒
化アルミニウム等、他の無機誘電体を用いた場合にも上
記と同様の結果が得られた。また、無機保護膜１４に代
えて、ＵＶ樹脂保護膜を形成した場合にも上記と同様の
結果が得られた。また、各膜の膜厚を種々変更した場合
にも、上記と同様の結果が得られた。さらに、上記実施
例では、透明基板１１と第１の磁性膜３との間に窒化珪
素膜（エンハンス膜）１３を設けたが、この膜を設けな
い場合にも、従来の超解像方式の光磁気記録媒体よりも
高い再生出力信号が得られた。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
いわゆる超解像形の光磁気記録媒体を構成する第２の磁
性膜として、光反射率が高い希土類−遷移金属系の磁性
合金を設けたので、従来技術に比べて格段に大きな再生
出力信号を得られる。よって、ドライブ装置の再生回路
を工夫することなく信頼性の高い再生信号を得ることが
でき、かつ高い記録密度が得られる。
いわゆる超解像形の光磁気記録媒体を構成する第２の磁
性膜として、光反射率が高い希土類−遷移金属系の磁性
合金を設けたので、従来技術に比べて格段に大きな再生
出力信号を得られる。よって、ドライブ装置の再生回路
を工夫することなく信頼性の高い再生信号を得ることが
でき、かつ高い記録密度が得られる。
【図１】実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図であ
る。
る。
【図２】密着貼りあわせ形光磁気ディスクの一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】実施例に係る光磁気記録媒体の再生信号出力の
再生パワー依存性を示すグラフ図である。
再生パワー依存性を示すグラフ図である。
【図４】実施例に係る光磁気記録媒体のＣＮ比の記録周
波数依存性を示すグラフ図である。
波数依存性を示すグラフ図である。
【図５】超解像の原理を示す説明図である。
１ 光磁気記録媒体 ３ 第１の磁性膜 ４ 第２の磁性膜 ５ 第３の磁性膜 １１ 透明基板 １３ エンハンス膜 １４ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−83346（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−143042（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (4)
- 【請求項１】 室温Ｔ ＲＴ で互いに磁気的に結合する第
１、第２、第３の磁性膜が透明基板上にこの順で積層さ
れ、これら第１、第２、第３の磁性膜のキュリー温度を
夫々Ｔｃ １ ，Ｔｃ ２ ，Ｔｃ ３ とするとき、Ｔｃ ２ ＞Ｔ
ＲＴ で、かつＴｃ ２ ＜Ｔｃ １ ，Ｔｃ ３ を満たし、上記第
１、第２、第３の磁性膜に再生用外部磁界を印加しつつ
再生用光ビームを照射したとき、上記第１の磁性膜と第
３の磁性膜との磁気的結合が断ち切られ、かつ上記第１
の磁性膜の磁化が局部的に上記再生用外部磁界の方向に
反転して、上記再生用光ビームの照射スポットの一部か
ら上記第３の磁性膜に形成された磁区の信号が検出され
る光磁気記録媒体において、上記第２の磁性膜を、貴金
属−遷移金属系の磁性合金をもって構成したことを特徴
とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１において、上記第１の磁性膜及
び第３の磁性膜が、〔Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ〕元素群
から選択された少なくとも１種類の元素と、〔Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ〕元素群から選択された少なくとも１種類の元
素との合金から形成され、上記第２の磁性膜が、〔Ｐ
ｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ〕元素群から選択された少
なくとも１種類の元素と、〔Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ〕元素群
から選択された少なくとも１種類の元素との合金から形
成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１において、透明基板の片面に、
この透明基板よりも屈折率が大きな透明誘電体膜と、上
記第１の磁性膜と、上記第２の磁性膜と、上記第３の磁
性膜がこの順で積層され、これらの各膜が保護膜にて覆
われていることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１において、上記第２の磁性膜の
キュリー温度Ｔｃ２が、１００℃≦Ｔｃ２≦１５０℃で
あることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18237192A JP3214513B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18237192A JP3214513B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0628722A JPH0628722A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3214513B2 true JP3214513B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=16117146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18237192A Expired - Fee Related JP3214513B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3214513B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107331408A (zh) * | 2016-04-29 | 2017-11-07 | 深圳市金宝盈文化股份有限公司 | 一种具有贵金属片材的cd唱片及其制作工艺 |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP18237192A patent/JP3214513B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0628722A (ja) | 1994-02-04 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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