JP2616120B2 - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JP2616120B2 JP2616120B2 JP2073728A JP7372890A JP2616120B2 JP 2616120 B2 JP2616120 B2 JP 2616120B2 JP 2073728 A JP2073728 A JP 2073728A JP 7372890 A JP7372890 A JP 7372890A JP 2616120 B2 JP2616120 B2 JP 2616120B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーズ光等の光学的手段を用いて情報の記
録、再生、消去を行う光磁気記録媒体に関するものであ
る。
録、再生、消去を行う光磁気記録媒体に関するものであ
る。
従来の技術 近年、情報処理システムにおける処理情報量の急激な
増加に伴い、特にデータ処理システムやオフィスオート
メーション等の分野において記録容量が大きく書換え可
能な記録媒体、とりわけ光磁気記録媒体が注目されてい
る。光磁気記録媒体では媒体上に光ビームを照射し光吸
収による局部的な温度上昇を誘起し記録を行う。再生
は、記録によって誘起された媒体の局部的変化を記録時
のと強度あるいは波長の異なる光ビームで照射し、その
反射光あるいは透過光の磁気カー効果またはファラデー
効果を検出して行う。
増加に伴い、特にデータ処理システムやオフィスオート
メーション等の分野において記録容量が大きく書換え可
能な記録媒体、とりわけ光磁気記録媒体が注目されてい
る。光磁気記録媒体では媒体上に光ビームを照射し光吸
収による局部的な温度上昇を誘起し記録を行う。再生
は、記録によって誘起された媒体の局部的変化を記録時
のと強度あるいは波長の異なる光ビームで照射し、その
反射光あるいは透過光の磁気カー効果またはファラデー
効果を検出して行う。
光磁気記録媒体の記録媒体層としては、TbFe、TbFeC
o、DyFeCo等の希土類一遷移金属合金薄膜がある。これ
ら希土類一遷移金属合金薄膜は、 （１）非晶質であるため任意の基板上に作製が可能であ
る。
o、DyFeCo等の希土類一遷移金属合金薄膜がある。これ
ら希土類一遷移金属合金薄膜は、 （１）非晶質であるため任意の基板上に作製が可能であ
る。
（２）膜面と垂直な方向に磁気異方性を有し、室温にお
いて数koe以上の大きな保磁力を有するため、高密度の
情報記録が可能であり、記録された情報がきわめて安定
である。
いて数koe以上の大きな保磁力を有するため、高密度の
情報記録が可能であり、記録された情報がきわめて安定
である。
（３）適度のキュリー温度を持つ（120℃〜250℃）。と
いうように、記録媒体としての多く用件を満たしてい
る。
いうように、記録媒体としての多く用件を満たしてい
る。
しかし、これら希土類一遷移金属合金薄膜の短所は、
カ一回転角などの磁気光学効果が小さいことである。ま
た、繰り返し記録消去したときに、記録感度等が変化す
るためにパワーマージンが小さいという欠点を有してい
る。
カ一回転角などの磁気光学効果が小さいことである。ま
た、繰り返し記録消去したときに、記録感度等が変化す
るためにパワーマージンが小さいという欠点を有してい
る。
以下、図面を参照しながら、上述した従来の光磁気記
録媒体の一例について説明する。
録媒体の一例について説明する。
第２図は従来の光磁気記録媒体の構造図を示すもので
ある。第２図において、ガラスあるいはプラスチック等
のの基板11に、SiO2、ZnS等の誘電体層12、TbFe、TbFeC
o、DyFeCo等の記録層13、Åｌ、AlTi等の反射膜14、2Mg
O・SiO2、SiN等の保護膜15が順次積層されている。
ある。第２図において、ガラスあるいはプラスチック等
のの基板11に、SiO2、ZnS等の誘電体層12、TbFe、TbFeC
o、DyFeCo等の記録層13、Åｌ、AlTi等の反射膜14、2Mg
O・SiO2、SiN等の保護膜15が順次積層されている。
この時、誘電体層12、記録層13、反射膜14のそれぞれ
の膜厚は、見かけ上のカー回転角を増大させ、10mW以下
のレーザーパワーで記録消去できるように設定されてい
る。
の膜厚は、見かけ上のカー回転角を増大させ、10mW以下
のレーザーパワーで記録消去できるように設定されてい
る。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような構成では、繰り返し記録消
去したときに記録膜の劣化により記録感度等が変化しや
すく、記録消去パワーに対するマージンが小さいという
課題を有していた。
去したときに記録膜の劣化により記録感度等が変化しや
すく、記録消去パワーに対するマージンが小さいという
課題を有していた。
本発明は上記課題に鑑み、繰り返し記録消去したとき
に記録膜の劣化による記録感度等の変化がなく、記録消
去パワーに対するマージンの広い光磁気記録媒体及びそ
の製造方法を提供するものである。
に記録膜の劣化による記録感度等の変化がなく、記録消
去パワーに対するマージンの広い光磁気記録媒体及びそ
の製造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するための本発明の光磁気記録媒体
は、基板上に誘電体層と垂直磁気異方性を有する記録層
と反射層と保護層とを順次積層した光磁気記録媒体であ
って、前記記録層と前記反射層との間に反射層に用いた
材料の酸化物、窒化物あるいは酸化窒化物の何れかで、
膜厚が60Å以上100Å未満の中間層を設けた構成のもの
である。
は、基板上に誘電体層と垂直磁気異方性を有する記録層
と反射層と保護層とを順次積層した光磁気記録媒体であ
って、前記記録層と前記反射層との間に反射層に用いた
材料の酸化物、窒化物あるいは酸化窒化物の何れかで、
膜厚が60Å以上100Å未満の中間層を設けた構成のもの
である。
さらに、その製造方法は、基板上に誘電体層と記録層
を順次積層したのちに、反射層と同じターゲットを用い
て酸素または窒素の少なくとも１種類の気体を含有する
アルゴンガス雰囲気中で反射層の材料の酸化物、窒化物
または酸化窒化物の何れかの材質の中間層を形成する中
間層形成工程後に、前記中間層形成工程で用いた気体の
導入を停止したアルゴンガス雰囲気中で反射層、保護層
を順次積層するという光磁気記録媒体の製造方法によっ
て構成されたものである。
を順次積層したのちに、反射層と同じターゲットを用い
て酸素または窒素の少なくとも１種類の気体を含有する
アルゴンガス雰囲気中で反射層の材料の酸化物、窒化物
または酸化窒化物の何れかの材質の中間層を形成する中
間層形成工程後に、前記中間層形成工程で用いた気体の
導入を停止したアルゴンガス雰囲気中で反射層、保護層
を順次積層するという光磁気記録媒体の製造方法によっ
て構成されたものである。
作用 本発明は上記した構成によって、繰り返し記録消去し
たときに記録膜の劣化による記録感度等の変化がなく、
記録消去パワーに対するマージンを広げることが出来る
光磁気記録媒体を実現できることとなる。
たときに記録膜の劣化による記録感度等の変化がなく、
記録消去パワーに対するマージンを広げることが出来る
光磁気記録媒体を実現できることとなる。
実施例 以下本発明の一実施例の光磁気記録媒体について、図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例における光磁気記録
媒体の構造図を示すものである。第１図に於いて、トラ
ック案内溝（図示せず）を設けたポリカーボネート基板
１上にZnSの誘電体層２、さらにTbFeCo膜で膜厚40nmの
記録層３が積層され、その上に中間層４が形成され、そ
の上にさらにAlTi膜の膜厚50nmの反射層５、ZnSe・SiO2
の保護層６を順次積層してある。ここで、中間層４の膜
厚に対するパワーマージンを第３図に、C/Nの変化を第
４図に示す。
媒体の構造図を示すものである。第１図に於いて、トラ
ック案内溝（図示せず）を設けたポリカーボネート基板
１上にZnSの誘電体層２、さらにTbFeCo膜で膜厚40nmの
記録層３が積層され、その上に中間層４が形成され、そ
の上にさらにAlTi膜の膜厚50nmの反射層５、ZnSe・SiO2
の保護層６を順次積層してある。ここで、中間層４の膜
厚に対するパワーマージンを第３図に、C/Nの変化を第
４図に示す。
第３図に示すように、パワーマージンは中間層の膜厚
とともに広がり中間層の膜厚が60Å以上では、±30％以
上の広いパワーマージンが得られる。また、第４図に示
すように反射膜構造の光磁気記録媒体では、中間層の膜
厚とともにC/Nは低下するが、C/Nの変化量は中間層の膜
厚が100Å未満の時には0.5dB以下である。
とともに広がり中間層の膜厚が60Å以上では、±30％以
上の広いパワーマージンが得られる。また、第４図に示
すように反射膜構造の光磁気記録媒体では、中間層の膜
厚とともにC/Nは低下するが、C/Nの変化量は中間層の膜
厚が100Å未満の時には0.5dB以下である。
また、第５図の中間層の膜厚に対する記録パワーの依
存性に示すように、中間層の膜厚を増やすことにより、
記録感度も向上させることが出来る。光磁気記録再生装
置では、±30％以上のパワーマージンと、高いC/Nが必
要であるが、第２図に示すような従来の光磁気記録媒体
は、中間層がないためC/Nは十分であるが、パワーマー
ジンが±18％以下である。これに対し、第３図、第４図
の結果に示すように、100Å未満の中間層の好適な膜厚
条件を設定することにより、C/N、パワーマージンとも
に優れ、しかも記録感度の高い高品質な光磁気記録媒体
が実現できる。
存性に示すように、中間層の膜厚を増やすことにより、
記録感度も向上させることが出来る。光磁気記録再生装
置では、±30％以上のパワーマージンと、高いC/Nが必
要であるが、第２図に示すような従来の光磁気記録媒体
は、中間層がないためC/Nは十分であるが、パワーマー
ジンが±18％以下である。これに対し、第３図、第４図
の結果に示すように、100Å未満の中間層の好適な膜厚
条件を設定することにより、C/N、パワーマージンとも
に優れ、しかも記録感度の高い高品質な光磁気記録媒体
が実現できる。
次に本発明の製造方法の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第６図は、本発明の光磁気記録媒体の製造方法の一実
施例におけるスパッタリング装置の構成図を示すもので
ある。第６図に於いて、第１の真空室31には誘電体層用
のZnSターゲット21、記録層用のTbFeCoターゲット22
を、第２の真空室32には反射層用のAlTiターゲット23、
保護層用のZnSe・SiO2ターゲット24をそれぞれ取り付け
てある。ポリカーボネート基板25は基板ホルダー26によ
り固定されており、ターゲット21、22、23、24のそれぞ
れ正面で自公転しながらスパッタリングにより製膜され
るという構成を備えたものである。
施例におけるスパッタリング装置の構成図を示すもので
ある。第６図に於いて、第１の真空室31には誘電体層用
のZnSターゲット21、記録層用のTbFeCoターゲット22
を、第２の真空室32には反射層用のAlTiターゲット23、
保護層用のZnSe・SiO2ターゲット24をそれぞれ取り付け
てある。ポリカーボネート基板25は基板ホルダー26によ
り固定されており、ターゲット21、22、23、24のそれぞ
れ正面で自公転しながらスパッタリングにより製膜され
るという構成を備えたものである。
第６図に示す、第１の真空室31では基板25にZnSター
ゲット21より誘電体層を、TbFeCoターゲット22より記録
層を順次スパッタリングにより積層する。次に、第２の
真空室32ではAlTiターゲット23を用い酸素５％、窒素10
％を含有するアルゴンガス雰囲気中で中間層を製膜す
る。そして、次にアルゴンガス雰囲気中で製膜する。そ
して、次にアルゴンガス雰囲気中でAlTiターゲット23を
用いて反射層を、ZnSe・SiO2ターゲット24を用いて保護
層をそれぞれ積層する。
ゲット21より誘電体層を、TbFeCoターゲット22より記録
層を順次スパッタリングにより積層する。次に、第２の
真空室32ではAlTiターゲット23を用い酸素５％、窒素10
％を含有するアルゴンガス雰囲気中で中間層を製膜す
る。そして、次にアルゴンガス雰囲気中で製膜する。そ
して、次にアルゴンガス雰囲気中でAlTiターゲット23を
用いて反射層を、ZnSe・SiO2ターゲット24を用いて保護
層をそれぞれ積層する。
以上説明してきたように、本実施例の光磁気記録媒体
の製造方法は、反射層用のターゲットを用いて中間層を
製膜するため、スパッタリング装置の構成を変えたり、
新たにターゲットを追加することなく、反射層の場合と
雰囲気ガスを変えるだけの簡易な方法で中間層を作製す
ることができる。しかも、本実施例の製造方法で作製し
た光磁気記録媒体は、100Å未満の中間層の好適な膜厚
条件を設定することにより、C/N、パワーマージンとも
に高品質な光磁気記録媒体が実現できる。
の製造方法は、反射層用のターゲットを用いて中間層を
製膜するため、スパッタリング装置の構成を変えたり、
新たにターゲットを追加することなく、反射層の場合と
雰囲気ガスを変えるだけの簡易な方法で中間層を作製す
ることができる。しかも、本実施例の製造方法で作製し
た光磁気記録媒体は、100Å未満の中間層の好適な膜厚
条件を設定することにより、C/N、パワーマージンとも
に高品質な光磁気記録媒体が実現できる。
以上のように本実施例によれば、基板上に誘電体層と
垂直磁気異方性を有する記録層と反射層と保護層とを順
次積層した光磁気記録媒体であって、前記記録層と前記
反射層との間に100Å未満の中間層を設け、中間層は、
反射層に用いた材料の酸化物、窒化物あるいは酸化窒化
物であるという構成によって、繰り返し記録消去したと
きに記録膜の劣化による記録感度等の変化がなく、記録
消去パワーに対するマージンを広げることが出来、しか
も記録感度の高い優れた光磁気記録媒体を実現すること
ができるものである。
垂直磁気異方性を有する記録層と反射層と保護層とを順
次積層した光磁気記録媒体であって、前記記録層と前記
反射層との間に100Å未満の中間層を設け、中間層は、
反射層に用いた材料の酸化物、窒化物あるいは酸化窒化
物であるという構成によって、繰り返し記録消去したと
きに記録膜の劣化による記録感度等の変化がなく、記録
消去パワーに対するマージンを広げることが出来、しか
も記録感度の高い優れた光磁気記録媒体を実現すること
ができるものである。
さらに、基板上に誘電体層と記録層を順次積層したの
ちに、反射層と同じターゲットを用いて酸素または窒素
の少なくとも１種類を含有する雰囲気中で中間層を形成
し、次いでアルゴンガス雰囲気中で反射層、保護層を順
次積層するという光磁気記録媒体の製造方法によって、
簡易な方法で、高品質な光磁気記録媒体を作製できる製
造方法を実現することができる。
ちに、反射層と同じターゲットを用いて酸素または窒素
の少なくとも１種類を含有する雰囲気中で中間層を形成
し、次いでアルゴンガス雰囲気中で反射層、保護層を順
次積層するという光磁気記録媒体の製造方法によって、
簡易な方法で、高品質な光磁気記録媒体を作製できる製
造方法を実現することができる。
なお、本実施例では、トラック案内溝（図示せず）を
設けたポリカーボネート基板１上にZnSの誘電体層２、
さらにTbFeCo膜で膜厚40nmの記録層３が積層し、次にAl
TiONの中間層４が形成し、その上にさらにAlTi膜の膜厚
50nmの反射層５、ZnSe・SiO2の保護層６を順次積層して
ある構成を用いたが、基板１には、アクリル、エポキ
シ、その他のプラスチック基板、あるいはガラス上に紫
外線硬化樹脂にてトラック案内溝を設けた基板、誘電体
層２としてはSiO2、ZnSe・SiO2、記録層３にはTbFe、Dy
FeCo等の垂直磁気異方性を有する材料を、保護層６には
2MgO・SiO2、SiN、AlTiON等の他の材料を用いても同等
あるいはそれ以上の効果が得られる。
設けたポリカーボネート基板１上にZnSの誘電体層２、
さらにTbFeCo膜で膜厚40nmの記録層３が積層し、次にAl
TiONの中間層４が形成し、その上にさらにAlTi膜の膜厚
50nmの反射層５、ZnSe・SiO2の保護層６を順次積層して
ある構成を用いたが、基板１には、アクリル、エポキ
シ、その他のプラスチック基板、あるいはガラス上に紫
外線硬化樹脂にてトラック案内溝を設けた基板、誘電体
層２としてはSiO2、ZnSe・SiO2、記録層３にはTbFe、Dy
FeCo等の垂直磁気異方性を有する材料を、保護層６には
2MgO・SiO2、SiN、AlTiON等の他の材料を用いても同等
あるいはそれ以上の効果が得られる。
また本実施例では、中間層４にAlTiON、反射層５にAl
Tiについて述べてきたが、反射層５として、Al、Cu、A
g、Au、Mg、Snの少なくとも１種類を用いた材料、ある
いはAl、Cu、Ag、Au、Mg、Snの少なくとも１種類とTi、
Ｖ、Cr、Ｙ、Zr、Nb、Mo、Pt、Pb、Biの少なくととも一
種類を含有した材料を、中間層４には反射層に用いた材
料の酸化物、窒化物あるいは酸化窒化物を用いても、記
録層３と反射層５との間に膜厚が60Å以下100Å未満の
中間層４を設けるという構成によって、繰り返し記録消
去したときに記録膜の劣化による記録感度等の変化がな
く、記録消去パワーに対するマージンを広げることが出
来る優れた光磁気記録媒体を実現することができるもの
である。
Tiについて述べてきたが、反射層５として、Al、Cu、A
g、Au、Mg、Snの少なくとも１種類を用いた材料、ある
いはAl、Cu、Ag、Au、Mg、Snの少なくとも１種類とTi、
Ｖ、Cr、Ｙ、Zr、Nb、Mo、Pt、Pb、Biの少なくととも一
種類を含有した材料を、中間層４には反射層に用いた材
料の酸化物、窒化物あるいは酸化窒化物を用いても、記
録層３と反射層５との間に膜厚が60Å以下100Å未満の
中間層４を設けるという構成によって、繰り返し記録消
去したときに記録膜の劣化による記録感度等の変化がな
く、記録消去パワーに対するマージンを広げることが出
来る優れた光磁気記録媒体を実現することができるもの
である。
発明の効果 以上のように本発明は、基板上に誘電体層と垂直磁気
異方性を有する記録層と反射層と保護層とを順次積層し
た光磁気記録媒体であって、前記記録層と前記反射層と
の間に膜厚が60Å以下100Å未満の中間層を設け、中間
層は、反射層に用いた材料の酸化物、窒化物あるいは酸
化窒化物であるという構成によって、繰り返し記録消去
したときに記録膜の劣化による記録感度等の変化がな
く、記録消去パワーに対するマージンを広げることが出
来、しかも記録感度の高い優れた光磁気記録媒体を実現
することができるものである。
異方性を有する記録層と反射層と保護層とを順次積層し
た光磁気記録媒体であって、前記記録層と前記反射層と
の間に膜厚が60Å以下100Å未満の中間層を設け、中間
層は、反射層に用いた材料の酸化物、窒化物あるいは酸
化窒化物であるという構成によって、繰り返し記録消去
したときに記録膜の劣化による記録感度等の変化がな
く、記録消去パワーに対するマージンを広げることが出
来、しかも記録感度の高い優れた光磁気記録媒体を実現
することができるものである。
さらに、基板上に誘電体層と記録層を順次積層したの
ちに、反射層と同じターゲットを用いて酸素または窒素
の少なくとも１種類を含有する雰囲気中で中間層を形成
し、次いでアルゴンガス雰囲気中で反射層、保護層を順
次積層するという光磁気記録媒体の製造方法により、高
品質な光磁気記録媒体を作製できる製造方法を実現する
ことができるものである。
ちに、反射層と同じターゲットを用いて酸素または窒素
の少なくとも１種類を含有する雰囲気中で中間層を形成
し、次いでアルゴンガス雰囲気中で反射層、保護層を順
次積層するという光磁気記録媒体の製造方法により、高
品質な光磁気記録媒体を作製できる製造方法を実現する
ことができるものである。
第１図は本発明の実施例に於ける光磁気記録媒体の構造
図、第２図は従来の光磁気記録媒体の構造図、第３図は
本発明の実施例に於ける中間層の膜厚に対するパワーマ
ージンの特性図、第４図は本発明の実施例に於ける中間
層の膜厚に対するC/Nの変化の特性図、第５図は本発明
の実施例に於ける中間層の膜厚に対する記録パワーの特
性図、第６図は本発明の実施例に於けるスパッタリング
装置の構成図である。 １……基板、２……誘電体層、３……記録層、４……中
間層、５……反射層、６……保護層、11……基板、12…
…誘電体層、13……記録層、14……反射層、15……保護
層、21……ZnSターゲット、22……TbFeCoターゲット、2
3……AlTiターゲット、24……ZnSe・SiO2ターゲット、2
5……基板、26……基板ホルダー、31……第１の真空
室、32……第２の真空室。
図、第２図は従来の光磁気記録媒体の構造図、第３図は
本発明の実施例に於ける中間層の膜厚に対するパワーマ
ージンの特性図、第４図は本発明の実施例に於ける中間
層の膜厚に対するC/Nの変化の特性図、第５図は本発明
の実施例に於ける中間層の膜厚に対する記録パワーの特
性図、第６図は本発明の実施例に於けるスパッタリング
装置の構成図である。 １……基板、２……誘電体層、３……記録層、４……中
間層、５……反射層、６……保護層、11……基板、12…
…誘電体層、13……記録層、14……反射層、15……保護
層、21……ZnSターゲット、22……TbFeCoターゲット、2
3……AlTiターゲット、24……ZnSe・SiO2ターゲット、2
5……基板、26……基板ホルダー、31……第１の真空
室、32……第２の真空室。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−158645（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−308452（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−302947（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−128346（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に誘電体層と垂直磁気異方性を有す
る記録層と反射層と保護層とを順次積層した光磁気記録
媒体であって、前記記録層と前記反射層との間に反射層
に用いる材料の酸化物、窒化物、酸化窒化物の何れか
で、膜厚が60Å以上100Å未満の中間層を設けたことを
特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】基板上に誘電体層と記録層を順次積層した
のちに、反射層と同じターゲットを用いて酸素または窒
素の少なくとも１種類の気体を含有するアルゴンガス雰
囲気中で反射層の材料の酸化物、窒化物または酸化窒化
物の何れかの材質の中間層を形成する中間層形成工程後
に、前記中間層形成工程で用いた気体の導入を停止した
アルゴンガス雰囲気中で反射層、保護層を順次積層する
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2073728A JP2616120B2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2073728A JP2616120B2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03273542A JPH03273542A (ja) | 1991-12-04 |
| JP2616120B2 true JP2616120B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=13526583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2073728A Expired - Fee Related JP2616120B2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616120B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2589332B2 (ja) * | 1987-12-15 | 1997-03-12 | シャープ株式会社 | 磁気光学記憶素子 |
| JPH02128346A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気デイスク |
| JP2654689B2 (ja) * | 1989-05-16 | 1997-09-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH02308452A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-21 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP2073728A patent/JP2616120B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03273542A (ja) | 1991-12-04 |
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