JP2665295B2 - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
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- JP2665295B2 JP2665295B2 JP7450092A JP7450092A JP2665295B2 JP 2665295 B2 JP2665295 B2 JP 2665295B2 JP 7450092 A JP7450092 A JP 7450092A JP 7450092 A JP7450092 A JP 7450092A JP 2665295 B2 JP2665295 B2 JP 2665295B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光を用いて情報の記録、
再生、消去の少なくとも１つの動作を行う磁気光学記録
装置に使用する磁気光学記憶素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ａｒレーザ、
半導体レーザ等を用いて磁性薄膜上に光学的に情報の記
録、再生、消去を行う方式、すなわち磁気光学記録方式
が高密度化、大容量化及びアクセスの高速化が可能な方
式として注目され、産業界等において重点的に研究開発
が推進されている。また、この方式に用いる記憶材料と
して種々の合金製磁性体が、情報の書き換えが可能なこ
とから注目されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の磁気光
学記憶素子は、一対の基板間に磁性体薄膜を挟持させる
ことにより形成されているので、特に長期間の保存を必
要とする磁気光学記憶素子においては、磁性材料として
Ｆｅ2Ｏ3、ＣｒＯ2等酸化物を用いたものを除いて大
気、水蒸気に触れると腐食されるものがほとんどである
ことから使用環境、保存環境等に制約があり、極めて使
い勝手が悪かったのである。 【０００４】本発明は磁性体薄膜を確実に大気や水蒸気
から遮断し得るようにして酸化や腐食といった環境の影
響を受けることの少ない磁気光学記憶素子を提供するこ
とを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明はガラスあるいは合成樹脂材からなる透明な
第１の基板上に、該第１の基板の内外端縁部を除いて希
土類と遷移金属との合金からなる磁気光学記憶用のアモ
ルファス磁性体薄膜を成膜し、該薄膜の外面を覆って塗
布した紫外線硬化接着剤を介して透明な第２の基板を接
着することを特徴とする磁気光学記憶素子である。 【０００６】 【作用】第１の基板の内外端縁部を除いて希土類と遷移
金属との合金からなる磁気光学記憶用のアモルファス磁
性体薄膜を成膜し、この薄膜の外面全体を覆って紫外線
硬化接着剤で第２の基板を接着することによってアモル
ファス磁性体薄膜を完全に大気から遮断することができ
る。 【０００７】 【実施例】図１は円板状に形成した本願発明の一実施例
の磁気光学記憶素子の断面を示す図である。コーニング
マイクロシート等ガラス製の円板あるいはアクリル、ポ
リカーボネート等樹脂製の円板１の上面に外端縁部６及
び内端縁部７を除いてＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、
Ｈｏ、Ｅｒ等の希土類とＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の遷移金属
とを種々の組成比で組み合わせて構成されるアモルファ
スフェリ磁性体薄膜２を形成する。次に、円板１の外端
縁部６及び内端縁部７並びにアモルファスフェリ磁性体
薄膜２の上面に紫外線硬化接着剤層３を形成し、円板１
と同様にガラス製あるいは樹脂製の円板４を接着してあ
る。なお、図中の符号５は中心孔である。 【０００８】また、円板１の内外端縁部を除いて磁性体
薄膜２を形成する方法としては種々の方法が考えられ
る。 【０００９】例えば真空蒸着法による場合は外端縁部６
及び内端縁部７を隠すようなマスクを使用することによ
り簡単に磁性体薄膜を成膜できる。 【００１０】またスパッタリング法による場合は、真空
蒸着法のようにマスクを使用すると磁性体薄膜を均一に
形成するのが困難なので、この場合には、一旦円板１の
上面全面に磁性体薄膜を形成した後、エッチング法によ
り外端縁部６と内端縁部７との磁性体薄膜を除去すれば
よい。 【００１１】上述のように、接着剤層３はアモルファス
フェリ磁性体薄膜２の全面を覆うように形成されている
ので、この接着剤層３によってアモルファスフェリ磁性
体薄膜２は外部の大気から完全に遮断される。したがっ
て、アモルファスフェリ磁性体薄膜２が外部の酸素、水
蒸気等の環境に直接触れることはない。 【００１２】磁性体薄膜２に用いる磁性材料には、アモ
ルファスフェリ磁性体以外にもＭｕＢｉ、ＭｕＢｉＣｕ
等の結晶性磁性体を用いることができる。 【００１３】また、円板１、４の双方が透明である必要
は必ずしもないが、記録ヘッドと相対する側の円板は透
明でなければならない。したがって、他側の円板として
不透明なＡｌ等の金属板、セラミックス等を用いること
も可能であるが、この場合には紫外線硬化接着剤を用い
るよりも通常の接着剤を用いる方が好ましい。 【００１４】また、本発明の磁気光学記憶素子は上述の
実施例のような円板状のものに限られるものではなく、
テープ等にも実施可能である。 【００１５】 【発明の効果】以上のように、本願発明は、磁性体薄膜
の全面を接着剤により覆うことにより大気と完全に遮断
して腐食、酸化等の磁化特性劣化を確実に防止し得ると
いう特有の効果を奏する。
再生、消去の少なくとも１つの動作を行う磁気光学記録
装置に使用する磁気光学記憶素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ａｒレーザ、
半導体レーザ等を用いて磁性薄膜上に光学的に情報の記
録、再生、消去を行う方式、すなわち磁気光学記録方式
が高密度化、大容量化及びアクセスの高速化が可能な方
式として注目され、産業界等において重点的に研究開発
が推進されている。また、この方式に用いる記憶材料と
して種々の合金製磁性体が、情報の書き換えが可能なこ
とから注目されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の磁気光
学記憶素子は、一対の基板間に磁性体薄膜を挟持させる
ことにより形成されているので、特に長期間の保存を必
要とする磁気光学記憶素子においては、磁性材料として
Ｆｅ2Ｏ3、ＣｒＯ2等酸化物を用いたものを除いて大
気、水蒸気に触れると腐食されるものがほとんどである
ことから使用環境、保存環境等に制約があり、極めて使
い勝手が悪かったのである。 【０００４】本発明は磁性体薄膜を確実に大気や水蒸気
から遮断し得るようにして酸化や腐食といった環境の影
響を受けることの少ない磁気光学記憶素子を提供するこ
とを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明はガラスあるいは合成樹脂材からなる透明な
第１の基板上に、該第１の基板の内外端縁部を除いて希
土類と遷移金属との合金からなる磁気光学記憶用のアモ
ルファス磁性体薄膜を成膜し、該薄膜の外面を覆って塗
布した紫外線硬化接着剤を介して透明な第２の基板を接
着することを特徴とする磁気光学記憶素子である。 【０００６】 【作用】第１の基板の内外端縁部を除いて希土類と遷移
金属との合金からなる磁気光学記憶用のアモルファス磁
性体薄膜を成膜し、この薄膜の外面全体を覆って紫外線
硬化接着剤で第２の基板を接着することによってアモル
ファス磁性体薄膜を完全に大気から遮断することができ
る。 【０００７】 【実施例】図１は円板状に形成した本願発明の一実施例
の磁気光学記憶素子の断面を示す図である。コーニング
マイクロシート等ガラス製の円板あるいはアクリル、ポ
リカーボネート等樹脂製の円板１の上面に外端縁部６及
び内端縁部７を除いてＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、
Ｈｏ、Ｅｒ等の希土類とＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の遷移金属
とを種々の組成比で組み合わせて構成されるアモルファ
スフェリ磁性体薄膜２を形成する。次に、円板１の外端
縁部６及び内端縁部７並びにアモルファスフェリ磁性体
薄膜２の上面に紫外線硬化接着剤層３を形成し、円板１
と同様にガラス製あるいは樹脂製の円板４を接着してあ
る。なお、図中の符号５は中心孔である。 【０００８】また、円板１の内外端縁部を除いて磁性体
薄膜２を形成する方法としては種々の方法が考えられ
る。 【０００９】例えば真空蒸着法による場合は外端縁部６
及び内端縁部７を隠すようなマスクを使用することによ
り簡単に磁性体薄膜を成膜できる。 【００１０】またスパッタリング法による場合は、真空
蒸着法のようにマスクを使用すると磁性体薄膜を均一に
形成するのが困難なので、この場合には、一旦円板１の
上面全面に磁性体薄膜を形成した後、エッチング法によ
り外端縁部６と内端縁部７との磁性体薄膜を除去すれば
よい。 【００１１】上述のように、接着剤層３はアモルファス
フェリ磁性体薄膜２の全面を覆うように形成されている
ので、この接着剤層３によってアモルファスフェリ磁性
体薄膜２は外部の大気から完全に遮断される。したがっ
て、アモルファスフェリ磁性体薄膜２が外部の酸素、水
蒸気等の環境に直接触れることはない。 【００１２】磁性体薄膜２に用いる磁性材料には、アモ
ルファスフェリ磁性体以外にもＭｕＢｉ、ＭｕＢｉＣｕ
等の結晶性磁性体を用いることができる。 【００１３】また、円板１、４の双方が透明である必要
は必ずしもないが、記録ヘッドと相対する側の円板は透
明でなければならない。したがって、他側の円板として
不透明なＡｌ等の金属板、セラミックス等を用いること
も可能であるが、この場合には紫外線硬化接着剤を用い
るよりも通常の接着剤を用いる方が好ましい。 【００１４】また、本発明の磁気光学記憶素子は上述の
実施例のような円板状のものに限られるものではなく、
テープ等にも実施可能である。 【００１５】 【発明の効果】以上のように、本願発明は、磁性体薄膜
の全面を接着剤により覆うことにより大気と完全に遮断
して腐食、酸化等の磁化特性劣化を確実に防止し得ると
いう特有の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の一実施例の磁気光学記憶素子の中央
縦断面図である。 【符号の説明】 １ 円板 ２ アモルファスフェリ磁性体薄膜 ３ 紫外線硬化接着剤 ４ 円板 ５ 中心孔 ６ 外端縁部 ７ 内端縁部
縦断面図である。 【符号の説明】 １ 円板 ２ アモルファスフェリ磁性体薄膜 ３ 紫外線硬化接着剤 ４ 円板 ５ 中心孔 ６ 外端縁部 ７ 内端縁部
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭52−109193（ＪＰ，Ａ)
特開 昭51−75523（ＪＰ，Ａ)
特開 昭54−89704（ＪＰ，Ａ)
特開 昭54−130902（ＪＰ，Ａ)
実開 昭55−28227（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．ガラスあるいは合成樹脂材からなる透明な第１の基
板上に、該第１の基板の内外端縁部を除いて希土類と遷
移金属との合金からなる磁気光学記憶用のアモルファス
磁性体薄膜を成膜し、該薄膜の外面を覆って塗布した紫
外線硬化接着剤を介して透明な第２の基板を接着するこ
とを特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7450092A JP2665295B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7450092A JP2665295B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 磁気光学記憶素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10160480A Division JPS5727494A (en) | 1980-06-23 | 1980-07-23 | Magneto-optical storage element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0581716A JPH0581716A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2665295B2 true JP2665295B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=13549097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7450092A Expired - Lifetime JP2665295B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2665295B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5733905B2 (ja) | 2010-03-31 | 2015-06-10 | 本田技研工業株式会社 | 二輪車のホイール構造 |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP7450092A patent/JP2665295B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0581716A (ja) | 1993-04-02 |
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