JPS62170050A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
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- JPS62170050A JPS62170050A JP1291186A JP1291186A JPS62170050A JP S62170050 A JPS62170050 A JP S62170050A JP 1291186 A JP1291186 A JP 1291186A JP 1291186 A JP1291186 A JP 1291186A JP S62170050 A JPS62170050 A JP S62170050A
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- tantalum oxide
- oxide layer
- film
- magneto
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- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、保:fi膜または磁気光学特性を改善する
ための誘電体層を協える光磁気ディスクの改良に関する
。
ための誘電体層を協える光磁気ディスクの改良に関する
。
[従来の技術]
光磁気ディスクは、たとえばレーザによる熱磁気記録お
よび消去と、カー効果またはファラデー効果を利用した
再生とを行なうものである。したがって、占換え可能な
高密度大容量の光メモリを実現することができるので、
人形コンピュータ用補助メモリ、フロッピィディスク代
替および文章・画像フフイル¥(Mめて広節な用途への
応用が期待されている。
よび消去と、カー効果またはファラデー効果を利用した
再生とを行なうものである。したがって、占換え可能な
高密度大容量の光メモリを実現することができるので、
人形コンピュータ用補助メモリ、フロッピィディスク代
替および文章・画像フフイル¥(Mめて広節な用途への
応用が期待されている。
光磁気ディスクに用いる記録媒体としては、多くの材料
が研究されているが、現在、実用可能とされているもの
は、たとえば11公昭60−32331号に示されてい
るような希土類−遷移全屈合金の非品質薄膜である。よ
り詳細には、Qd C0合金のようなl”eを含有しな
いらのら提案されているが、Gd Tb Fe 、Tb
Fc CoまたはTbFe/GdFe多層膜のような
Feを約50原子%以上S有する合金からなる薄膜が実
用可能なものとされている。しかしながら、l”eは酸
化・腐蝕されやすく、さらにTb 、Gd 、Dyなと
の希土類元素が添加されているので、これらの薄膜の酸
化および腐蝕の防止が大きな問題となっている。
が研究されているが、現在、実用可能とされているもの
は、たとえば11公昭60−32331号に示されてい
るような希土類−遷移全屈合金の非品質薄膜である。よ
り詳細には、Qd C0合金のようなl”eを含有しな
いらのら提案されているが、Gd Tb Fe 、Tb
Fc CoまたはTbFe/GdFe多層膜のような
Feを約50原子%以上S有する合金からなる薄膜が実
用可能なものとされている。しかしながら、l”eは酸
化・腐蝕されやすく、さらにTb 、Gd 、Dyなと
の希土類元素が添加されているので、これらの薄膜の酸
化および腐蝕の防止が大きな問題となっている。
そこで従来より、記録膜の酸化および腐蝕を防止するた
めに、記録膜の少なくとも一方面に保護膜を積層した構
造が提案されている。
めに、記録膜の少なくとも一方面に保護膜を積層した構
造が提案されている。
従来の光磁気ディスクの構造を第2図に示す。
ここでは、基板1.10間に、両面を保r!I!膜3a
。
。
3b 、13a 、13b rilわれた記録膜2,1
2が積層されている。この基板1.10は、射出成形に
より安価に製造し得るたとえばポリメチルメタクリレー
トなどの熱可塑性樹脂から構成されるが、これらの樹脂
は吸水性および酸素透過性を有する。よって、記録pA
2.12を保護ツ゛るために、保護膜3a 、3b 、
13a 、13bが介在されている。
2が積層されている。この基板1.10は、射出成形に
より安価に製造し得るたとえばポリメチルメタクリレー
トなどの熱可塑性樹脂から構成されるが、これらの樹脂
は吸水性および酸素透過性を有する。よって、記録pA
2.12を保護ツ゛るために、保護膜3a 、3b 、
13a 、13bが介在されている。
他方、カー効果を利用する光磁気ディスクにおいては、
記録膜として比較的大きなカー効果を示ず希土類−遷移
金属合金薄膜を用いた場合でも、カー回転角は0.2〜
0.45°にすぎない。よって、より大きなカー回転の
ために、多層膜構造を構成し、光の干渉効果によりカー
効果エンハンスメントを得ることも試みられている。づ
゛なわち、第3図に断面図で示すように、基板20と記
9.膜22との間に誘電体層26を設けたり、あるいは
第4図に示すように記録膜32と、基板30に重ねられ
ており、A1などからなる反射膜37との間に誘電体層
36を設ける構成が検討されている。
記録膜として比較的大きなカー効果を示ず希土類−遷移
金属合金薄膜を用いた場合でも、カー回転角は0.2〜
0.45°にすぎない。よって、より大きなカー回転の
ために、多層膜構造を構成し、光の干渉効果によりカー
効果エンハンスメントを得ることも試みられている。づ
゛なわち、第3図に断面図で示すように、基板20と記
9.膜22との間に誘電体層26を設けたり、あるいは
第4図に示すように記録膜32と、基板30に重ねられ
ており、A1などからなる反射膜37との間に誘電体層
36を設ける構成が検討されている。
[発明が解決しようとする問題点]
上述した保護膜3a 、3b 、13a 、13bを構
成する材料としては、S ! Ox 、S ! Nx
s AANXあるいはTiNなどの極めて多くの材料が
検討されている。保護膜は、当然のことながら、ピンホ
ールがなくかつそれ自身化学的に安定なものであること
が求められる。のみならず、保護膜を構成する原子が記
録膜中に拡散した場合には再生特性が劣化するので、保
護膜を構成する原子が記録膜に拡散しないものであるこ
とが求められ、このため一般的に酸化物より窒化物、特
にAQN8が適していると考えられているが、なお十分
なものとは言えない。
成する材料としては、S ! Ox 、S ! Nx
s AANXあるいはTiNなどの極めて多くの材料が
検討されている。保護膜は、当然のことながら、ピンホ
ールがなくかつそれ自身化学的に安定なものであること
が求められる。のみならず、保護膜を構成する原子が記
録膜中に拡散した場合には再生特性が劣化するので、保
護膜を構成する原子が記録膜に拡散しないものであるこ
とが求められ、このため一般的に酸化物より窒化物、特
にAQN8が適していると考えられているが、なお十分
なものとは言えない。
また、カー効果あるいはファラデー効果をエンハンスさ
せる膜としては、屈折率の比較的大きな材料が好ましい
。屈折率が大きいほど大きなエンハンス効果を得ること
ができるからであり、屈折率2.65で最も高い再生特
性を1りることができる。しかしながら、化学的に安定
な実用化されている薄膜材料で、このような大きな屈折
率を示すものは存在しない。よって、現在、屈折率2.
2前後のZnS膜が最適なものとして検討されているが
、ZnS膜は安定性等において問題がある。
せる膜としては、屈折率の比較的大きな材料が好ましい
。屈折率が大きいほど大きなエンハンス効果を得ること
ができるからであり、屈折率2.65で最も高い再生特
性を1りることができる。しかしながら、化学的に安定
な実用化されている薄膜材料で、このような大きな屈折
率を示すものは存在しない。よって、現在、屈折率2.
2前後のZnS膜が最適なものとして検討されているが
、ZnS膜は安定性等において問題がある。
そこでより安定であり、かつ磁気光学特性をさらに一層
改善し得る誘電体層が求められている。
改善し得る誘電体層が求められている。
よって、この発明の目的は、化学的に安定であり、構成
原子が記録膜中にさほど拡散せず、かつカー効果または
ファラデー効果を大きくエンハンスさせる薄膜を備えた
光ta気ディスクを提供することにある。
原子が記録膜中にさほど拡散せず、かつカー効果または
ファラデー効果を大きくエンハンスさせる薄膜を備えた
光ta気ディスクを提供することにある。
[問題点を解決するための手段および作用]この発明は
、保護膜または磁気光学特性を改善 。
、保護膜または磁気光学特性を改善 。
するための誘電体層として酸化タンタル層を備えた光磁
気ディスクである。この発明では、酸化タンタル層によ
り、記録膜の保護、あるいはカー効果またはファラデー
効果をエンハンスするよう礼構成されている。酸化タン
タル層は、化学的に表定であり、記録膜中に拡散する余
剰の酸素を有しない。よって再生特性の劣化を引起こす
ことがなく、したがって保1膜として優れた効果を発揮
する。
気ディスクである。この発明では、酸化タンタル層によ
り、記録膜の保護、あるいはカー効果またはファラデー
効果をエンハンスするよう礼構成されている。酸化タン
タル層は、化学的に表定であり、記録膜中に拡散する余
剰の酸素を有しない。よって再生特性の劣化を引起こす
ことがなく、したがって保1膜として優れた効果を発揮
する。
また、酸化タンタル層の屈折率は2.2〜2゜3であり
、従来検討されてぎたZnSに比べてより高い屈折率を
示すので、より大ぎなエンハンス効果を与える。のみな
らず、ZnSのような不安定なものでなく、保護膜とし
ても礪能し1りるものであるため、より優れたエンハン
ス膜を構成することができる。
、従来検討されてぎたZnSに比べてより高い屈折率を
示すので、より大ぎなエンハンス効果を与える。のみな
らず、ZnSのような不安定なものでなく、保護膜とし
ても礪能し1りるものであるため、より優れたエンハン
ス膜を構成することができる。
この発明の酸化タンタル層は、1対のターゲットを対向
させ、ターゲット間に垂直に磁界を印加しかつターゲッ
トに高電圧を印加してスパッタを行ない、1対のターゲ
ット間の空間の側面に配置した基板上に81膜を形成さ
せる、いわゆる対向ターゲット式スパッタにより形成す
るものが好ましい。対向ターゲット式スパッタは、たと
えば特開昭58−204175および特開昭60−46
369等に開示されているものであり、特に磁性薄膜を
高速形成することができるものとして知られている。対
向ターゲット式スパッタによる酸化タンタル層の形成は
、酸化タンタルをターゲットとするRFスパッタで行な
ってもよく、あるいはタンタルをターゲットとし雰囲気
ガスに酸素を含有させた反応性DCスパッタで形成して
もよい。膜の組成としては、Ta2O,に近いものが好
ましい。もつとも、Ta2e4〜Sであれば、保護膜と
しての性能にはほとんど差異が認めれない。
させ、ターゲット間に垂直に磁界を印加しかつターゲッ
トに高電圧を印加してスパッタを行ない、1対のターゲ
ット間の空間の側面に配置した基板上に81膜を形成さ
せる、いわゆる対向ターゲット式スパッタにより形成す
るものが好ましい。対向ターゲット式スパッタは、たと
えば特開昭58−204175および特開昭60−46
369等に開示されているものであり、特に磁性薄膜を
高速形成することができるものとして知られている。対
向ターゲット式スパッタによる酸化タンタル層の形成は
、酸化タンタルをターゲットとするRFスパッタで行な
ってもよく、あるいはタンタルをターゲットとし雰囲気
ガスに酸素を含有させた反応性DCスパッタで形成して
もよい。膜の組成としては、Ta2O,に近いものが好
ましい。もつとも、Ta2e4〜Sであれば、保護膜と
しての性能にはほとんど差異が認めれない。
なお、この発明では、光磁気ディスクの構造自体につい
ては特に限定はしない。すなわら、カー効果を利用する
反射型のディスクおよびファラデー効果を利用する透過
型のディスクを問わず、様々な構造の光磁気ディスクに
適用し1りる。
ては特に限定はしない。すなわら、カー効果を利用する
反射型のディスクおよびファラデー効果を利用する透過
型のディスクを問わず、様々な構造の光磁気ディスクに
適用し1りる。
カー効果を利用する光磁気ディスクの侶茫の一例を、第
1図に示す。ここではガラス基板50上にフォトレジス
1−51を形成し、レーザ描画によりガイド溝52が形
成されている。そして、保護膜としての酸化タンタル層
53および記録膜54が積層されており、さらにその上
面にカー効果をエンハンスさせる膜として酸化タンタル
m55が設けられている。また、酸化タンタル層55の
外側には合成樹脂層56が形成されており、この合成樹
脂B56はディスクのt!!勾や汚れの付着を防止する
ために設けられているものであり、たとえばエポキシ樹
脂等の合成樹脂により構成されるしのである。各層の厚
みについても特に限定されろものではないが、たとえば
ガラス基板50は1゜o〜i、5mm、フォトレジスト
51は550−1O0a 、保護gI53は0.1〜0
.2μn+ 、記録膜54は200〜500△、エンハ
ンスnつ)を兼ねた酸化タンタル層はλ/4(λは読出
光の波長)、合成樹脂層56は100〜200μm程度
の厚みとされる。
1図に示す。ここではガラス基板50上にフォトレジス
1−51を形成し、レーザ描画によりガイド溝52が形
成されている。そして、保護膜としての酸化タンタル層
53および記録膜54が積層されており、さらにその上
面にカー効果をエンハンスさせる膜として酸化タンタル
m55が設けられている。また、酸化タンタル層55の
外側には合成樹脂層56が形成されており、この合成樹
脂B56はディスクのt!!勾や汚れの付着を防止する
ために設けられているものであり、たとえばエポキシ樹
脂等の合成樹脂により構成されるしのである。各層の厚
みについても特に限定されろものではないが、たとえば
ガラス基板50は1゜o〜i、5mm、フォトレジスト
51は550−1O0a 、保護gI53は0.1〜0
.2μn+ 、記録膜54は200〜500△、エンハ
ンスnつ)を兼ねた酸化タンタル層はλ/4(λは読出
光の波長)、合成樹脂層56は100〜200μm程度
の厚みとされる。
[発明の効果]
この発明では、保護膜としであるいは磁気光学特性を改
善するための誘電体層として、酸化タンタル層が構成さ
れている。よって、保護膜として使用した場合には、化
学的に安定であり、かつ構成原子が記録膜中へ拡散する
ことがないので、再生特性の優れた光磁気ディスクとす
ることができる。また、カー効果またはファラデー効果
をエンハンスする膜として酸化タンタル層を設けている
場合には、酸化タンタル層の屈折率が2.2〜2゜3程
度と比較的大きいため、カー効果またはファラデー効果
をより強くエンハンスさぼることができ、したがって読
出精度の改善された光磁気ディスクを1!7ろことがで
きる。
善するための誘電体層として、酸化タンタル層が構成さ
れている。よって、保護膜として使用した場合には、化
学的に安定であり、かつ構成原子が記録膜中へ拡散する
ことがないので、再生特性の優れた光磁気ディスクとす
ることができる。また、カー効果またはファラデー効果
をエンハンスする膜として酸化タンタル層を設けている
場合には、酸化タンタル層の屈折率が2.2〜2゜3程
度と比較的大きいため、カー効果またはファラデー効果
をより強くエンハンスさぼることができ、したがって読
出精度の改善された光磁気ディスクを1!7ろことがで
きる。
なお、希土類−遷移金属合金薄膜のような大きなカー回
転角を示す材料では、磁気光・顎1!f性を改善する必
要がない場合らあるかもしれない。しかしながら、その
ような場合でも、酸化タンクル居は上述のように安定な
保護膜として機能する。よって、この発明は、記録膜の
材料にかかわらず、様々な光磁気ディスクに適用され1
!′7るものである。
転角を示す材料では、磁気光・顎1!f性を改善する必
要がない場合らあるかもしれない。しかしながら、その
ような場合でも、酸化タンクル居は上述のように安定な
保護膜として機能する。よって、この発明は、記録膜の
材料にかかわらず、様々な光磁気ディスクに適用され1
!′7るものである。
[実施例の説明1
次に、具体的な実施1列につき説明する。
1.1mm厚のガラス燵板上に、75μmの厚みのフォ
トレジスト層を形成し、さらに0.1μIの厚みの保護
膜、500Aの厚みのGd、oTbISFQV5からな
る記録膜、λ/4の厚みの保護膜を順次81i層した。
トレジスト層を形成し、さらに0.1μIの厚みの保護
膜、500Aの厚みのGd、oTbISFQV5からな
る記録膜、λ/4の厚みの保護膜を順次81i層した。
R初の保護膜とλ/4の厚みの保護膜は、酸化タンタル
を用いて同一条件でで成した。
を用いて同一条件でで成した。
この酸化タンタル層からなる保護膜およびλ/4の厚み
の保護膜の形成については、下記の3通りの方法(a)
〜(C)にJ、り行ない、それぞれ、実施例1〜3とし
た。
の保護膜の形成については、下記の3通りの方法(a)
〜(C)にJ、り行ない、それぞれ、実施例1〜3とし
た。
(a ) マグネトロンスパッタによるしの。スパッ
タの条件は、ターゲット径:100mm、クーゲット材
:Ta、雰囲気ガス:02、ガス圧:5X 10− ’
l:orrおよび電カニDC300Wである。
タの条件は、ターゲット径:100mm、クーゲット材
:Ta、雰囲気ガス:02、ガス圧:5X 10− ’
l:orrおよび電カニDC300Wである。
(b ) 対向ターゲラ1へ式スパッタによるしの。
スパッタ条件は、ターゲット径:100mm、ターゲッ
ト材:Ta、雰囲気ガス:02、ガス圧:5×1O−3
torrおよび電カニDC300Wである。
ト材:Ta、雰囲気ガス:02、ガス圧:5×1O−3
torrおよび電カニDC300Wである。
(C) 対向ターゲット式スパッタによるもの。
スパッタ条件は、ターゲット径:100mm、タープ1
1〜材:Ta205、雰囲気ガス二02、ガス圧;5×
10−’ torrおよび電カニRF300Wである。
1〜材:Ta205、雰囲気ガス二02、ガス圧;5×
10−’ torrおよび電カニRF300Wである。
なお、比較例として、保護膜およびλ/4厚の保護膜を
SiOうで構成したものを比較例1、AfLN、で構成
したものを比較例2として準備した。
SiOうで構成したものを比較例1、AfLN、で構成
したものを比較例2として準備した。
このうちSiOx膜については、上述した(a )と同
様に7グネトロンスバツタにより形成した。
様に7グネトロンスバツタにより形成した。
また、AuNX膜については、RFマグネトロンスパッ
タにより作成した。
タにより作成した。
上述のようにして得られた実施例1〜3および比較例1
〜2の各光磁気ディスクの初期、/7・θに(Rは反射
率、θと はカー回転角を示す。〉を測定し、かつ60
’Cおよび相対湿度95%の雰囲気に100時間放置し
た後のfl・θk を測定した。このFπ・θと は、
光磁気ディスクの信号/m8−比に比例するパラメータ
である。
〜2の各光磁気ディスクの初期、/7・θに(Rは反射
率、θと はカー回転角を示す。〉を測定し、かつ60
’Cおよび相対湿度95%の雰囲気に100時間放置し
た後のfl・θk を測定した。このFπ・θと は、
光磁気ディスクの信号/m8−比に比例するパラメータ
である。
測定結果を、下記の表に示す。
(以下余白)
TFTS :対向ターゲット式スパッタMS:マグネト
ロンスバッタ 上記表から、この発明の実施例1〜3では、60℃、相
対湿度90%の雰囲気中に100時間放置した侵でも、
Fτ・θ、はほとんど低下しないのに対して、比較例1
および2では太き(低下することがわかる。よって、実
施例1〜3の薄膜がより安定なものであることがわかる
。
ロンスバッタ 上記表から、この発明の実施例1〜3では、60℃、相
対湿度90%の雰囲気中に100時間放置した侵でも、
Fτ・θ、はほとんど低下しないのに対して、比較例1
および2では太き(低下することがわかる。よって、実
施例1〜3の薄膜がより安定なものであることがわかる
。
第1図は、この発明の一実施例の要部を示す断面図であ
る。第2図は、光磁気ディスクの一般的な構造を説明す
るための断面図である。第3図は。 カー効果をエンハンスするためのHM体層を備えた光磁
気ディスクの一例を説明するための断面図であり、第4
図は、他の例を示す断面図である。 図において、53は酸化タンタル居を示す。
る。第2図は、光磁気ディスクの一般的な構造を説明す
るための断面図である。第3図は。 カー効果をエンハンスするためのHM体層を備えた光磁
気ディスクの一例を説明するための断面図であり、第4
図は、他の例を示す断面図である。 図において、53は酸化タンタル居を示す。
Claims (3)
- (1)保護膜または磁気光学特性を改善するための誘電
体層として、酸化タンタル層を備えることを特徴とする
光磁気ディスク。 - (2)前記酸化タンタル層は、酸化タンタルからなる1
対のターゲットを対向させ、ターゲット面に垂直に磁界
を印加し、ターゲットに高電圧を印加してスパッタを行
ない、1対のターゲット間の空間の側面に配置した基板
上に酸化タンタル薄膜を形成させる対向ターゲット式ス
パッタにより形成されるものである、特許請求の範囲第
1項記載の光磁気ディスク。 - (3)前記酸化タンタル層は、記録膜の少なくとも一方
面側に形成されている、特許請求の範囲第1項または第
2項記載の光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1291186A JPS62170050A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1291186A JPS62170050A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 光磁気デイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62170050A true JPS62170050A (ja) | 1987-07-27 |
Family
ID=11818531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1291186A Pending JPS62170050A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62170050A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01171141A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH01173454A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH01204245A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-16 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH07182711A (ja) * | 1994-01-17 | 1995-07-21 | Mitsubishi Chem Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58196641A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
JPS598150A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-17 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
JPS6134747A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 光磁気多層膜媒体 |
-
1986
- 1986-01-22 JP JP1291186A patent/JPS62170050A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH07182711A (ja) * | 1994-01-17 | 1995-07-21 | Mitsubishi Chem Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
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