JPS62172548A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS62172548A JPS62172548A JP1311886A JP1311886A JPS62172548A JP S62172548 A JPS62172548 A JP S62172548A JP 1311886 A JP1311886 A JP 1311886A JP 1311886 A JP1311886 A JP 1311886A JP S62172548 A JPS62172548 A JP S62172548A
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光磁気メモリに用いられる記録媒体に関する
もので、更に詳しくは、膜面と垂直方向に磁化容易軸を
有する磁性膜を記録層としレーザなどの光ビームを照射
した領域に反転磁圧を作ることにより情報を記録するこ
とができ、磁気光学効果を利用して読み出すことのでき
る光磁気記録媒体に関するものである。
もので、更に詳しくは、膜面と垂直方向に磁化容易軸を
有する磁性膜を記録層としレーザなどの光ビームを照射
した領域に反転磁圧を作ることにより情報を記録するこ
とができ、磁気光学効果を利用して読み出すことのでき
る光磁気記録媒体に関するものである。
（従来の技術）
従来の一般的な光磁気記録媒体は、第２図に示すように
、基体１の上に、第一の保護層２、記録層３、第二の保
護層４の順に形成したものから成る。基体１としては、
ガラス、Ａ１合金及びＰＭＭＡ、ポリカーボネイト、エ
ポキシなどのプラスチック基板が用いられ、第−及び第
二の保護層としてはＳｉＯ，５ｉ０２゜Ｓｉ３Ｎ４．Ａ
ＩＮなどの誘電体薄膜が用いられる。第二の保護層とし
ては誘電体薄膜の外にＴｉ、Ｔａなどの金属膜も用いら
れる。記録層としては、ＭｎＢ１゜ＭｎＣｕＢ１などの
多結晶体薄膜、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙなどの希土類金属とＦ
ｅ、Ｃｏなとの鉄族遷移金属との組み合せによって作成
される非晶質合金薄膜、また、ガドリニウム、鉄ガーネ
ットなどの単結晶薄膜などが知られている。これらの薄
膜の中で、非晶質合金薄膜は、書き込み感度が高い、粒
界ノイズが無い、膜面に垂直方向の磁気異方性を有する
膜が容易に作れるなどの利点を有するため、記録媒体と
して最も有望視されている。
、基体１の上に、第一の保護層２、記録層３、第二の保
護層４の順に形成したものから成る。基体１としては、
ガラス、Ａ１合金及びＰＭＭＡ、ポリカーボネイト、エ
ポキシなどのプラスチック基板が用いられ、第−及び第
二の保護層としてはＳｉＯ，５ｉ０２゜Ｓｉ３Ｎ４．Ａ
ＩＮなどの誘電体薄膜が用いられる。第二の保護層とし
ては誘電体薄膜の外にＴｉ、Ｔａなどの金属膜も用いら
れる。記録層としては、ＭｎＢ１゜ＭｎＣｕＢ１などの
多結晶体薄膜、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙなどの希土類金属とＦ
ｅ、Ｃｏなとの鉄族遷移金属との組み合せによって作成
される非晶質合金薄膜、また、ガドリニウム、鉄ガーネ
ットなどの単結晶薄膜などが知られている。これらの薄
膜の中で、非晶質合金薄膜は、書き込み感度が高い、粒
界ノイズが無い、膜面に垂直方向の磁気異方性を有する
膜が容易に作れるなどの利点を有するため、記録媒体と
して最も有望視されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、これらの非晶質合金薄膜は、活性の高い元素か
ら成るため、その磁気特性は、基体の種類及び第一の保
護層の特性に影響されて、変化する。例えば、非晶質合
金薄膜としてＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ。
ら成るため、その磁気特性は、基体の種類及び第一の保
護層の特性に影響されて、変化する。例えば、非晶質合
金薄膜としてＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ。
ＴｂＦｅＣｏ、保護層として、ＳｉＯ，５ｉ０２．ＡＩ
Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４を用いた場合には、基体としてＰＭＭＡ
なとのプラスチックを用いると、ガラス基体を用いた時
に比べて、カーループの角形性の劣化及びカー回転角θ
にの低下が見られた。これは、第一の保護層が、プラス
チックの有するガスによって、酸素などを含有した不完
全なものとなりその結果、非晶質合金薄膜の磁気光学特
性を劣化させたものと考えられる。
Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４を用いた場合には、基体としてＰＭＭＡ
なとのプラスチックを用いると、ガラス基体を用いた時
に比べて、カーループの角形性の劣化及びカー回転角θ
にの低下が見られた。これは、第一の保護層が、プラス
チックの有するガスによって、酸素などを含有した不完
全なものとなりその結果、非晶質合金薄膜の磁気光学特
性を劣化させたものと考えられる。
本発明の目的は、この様な基体が有するガスの記録層へ
の影響を軽減できる光磁気記録媒体を提供することにあ
る。
の影響を軽減できる光磁気記録媒体を提供することにあ
る。
（問題点を解決するための手段）
第１図に、本発明の光磁気記録媒体の断面構成図を示す
。図に示すように、本発明の光磁気記録媒体は、基体５
上に、金属の薄膜層６、誘電体から成る第一の保護層７
、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質磁性合
金膜の記録層８、金属もしくは誘電体から成る第二の保
護層９の順に形成したものから構成さ扛る。
。図に示すように、本発明の光磁気記録媒体は、基体５
上に、金属の薄膜層６、誘電体から成る第一の保護層７
、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質磁性合
金膜の記録層８、金属もしくは誘電体から成る第二の保
護層９の順に形成したものから構成さ扛る。
本発明と第２図に示した従来の構成との違いは、基体と
第一の保護層と成す誘電体層の間に、金属の薄膜層が形
成されていることである。
第一の保護層と成す誘電体層の間に、金属の薄膜層が形
成されていることである。
（作用）
基体と、第一の保護層との間に形成される金属薄膜材料
としては、ガス成分を取り込み易い、いわゆるゲッター
作用のあるものが選ばれる。この金属薄膜は、基体が有
するガス成分を吸収する働きがあるため、ガス成分によ
る第一の保護層の劣化を小さくできる。
としては、ガス成分を取り込み易い、いわゆるゲッター
作用のあるものが選ばれる。この金属薄膜は、基体が有
するガス成分を吸収する働きがあるため、ガス成分によ
る第一の保護層の劣化を小さくできる。
（実施例）
ＰＭＭＡ基板上にＴｉを５人の厚さにスパッタリングし
て、金属薄膜層を形成した。続いてこれの上に、誘電体
層として厚さ１０００人のＳｉ３Ｎ４、非晶質磁性合金
膜として厚さ１０００人のＧｄｏ、ＩＴｂ□、ＩＦｅ□
、Ｂ、さらに保護層として厚さ１０００人のＳｉ３Ｎ４
をスパッタリングにより形成した。これらのスパッタリ
ングは、真空を破ることなく連続に行なわれた。このよ
うにして得た光磁気記録媒体（サンプルＡ）と、Ｔｉ薄
膜層を形成しなかった光磁気記録媒体（サンプルＢ）に
対して、Ｈｅ−Ｎｅレーザを用いて基板側から測定した
カーヒステリシスループを第１表および第３図に示す。
て、金属薄膜層を形成した。続いてこれの上に、誘電体
層として厚さ１０００人のＳｉ３Ｎ４、非晶質磁性合金
膜として厚さ１０００人のＧｄｏ、ＩＴｂ□、ＩＦｅ□
、Ｂ、さらに保護層として厚さ１０００人のＳｉ３Ｎ４
をスパッタリングにより形成した。これらのスパッタリ
ングは、真空を破ることなく連続に行なわれた。このよ
うにして得た光磁気記録媒体（サンプルＡ）と、Ｔｉ薄
膜層を形成しなかった光磁気記録媒体（サンプルＢ）に
対して、Ｈｅ−Ｎｅレーザを用いて基板側から測定した
カーヒステリシスループを第１表および第３図に示す。
第１表
いずれのサンプルも、カーヒステリシスループの極性は
、補償組成に対してＦｅリッチである。サンプルＡはＢ
に比べて、カーヒステリシスループの角形性が良く、ま
た、カー回転角θｋ及び抗磁力Ｈｅ共に大きい。このよ
うに、基板と第一の保護層との間にＴｉ薄膜層を形成す
ることによって、記録層を成すＧｄ□、ＩＴｂ□、ＩＦ
ｅ□、Ｂ膜の磁気光学特性が向上している。記録層とし
てＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏを用いた場合にも、同様の効
果が見られた。これは、Ｔｉ薄膜層によって、基板が有
するガス成分による記録層への影響が小さくかり、その
結果記録層の特性が改善されるためと思われる。
、補償組成に対してＦｅリッチである。サンプルＡはＢ
に比べて、カーヒステリシスループの角形性が良く、ま
た、カー回転角θｋ及び抗磁力Ｈｅ共に大きい。このよ
うに、基板と第一の保護層との間にＴｉ薄膜層を形成す
ることによって、記録層を成すＧｄ□、ＩＴｂ□、ＩＦ
ｅ□、Ｂ膜の磁気光学特性が向上している。記録層とし
てＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏを用いた場合にも、同様の効
果が見られた。これは、Ｔｉ薄膜層によって、基板が有
するガス成分による記録層への影響が小さくかり、その
結果記録層の特性が改善されるためと思われる。
この様な効果は第一の保護層としてＳｉＯ，５ｉ０２゜
ＡＩＮを用いた場合、及び金属薄膜層としてＳｉ、Ｔｂ
。
ＡＩＮを用いた場合、及び金属薄膜層としてＳｉ、Ｔｂ
。
Ｇｄを形成した場合においても見られた。また、金属薄
膜層の厚さは５人に限るものではなく、レーザ光源を基
板側から入射させた時の反射率の設定値に応じて、数オ
ングストローム−数十オングストロームに形成される。
膜層の厚さは５人に限るものではなく、レーザ光源を基
板側から入射させた時の反射率の設定値に応じて、数オ
ングストローム−数十オングストロームに形成される。
さらに本発明は、スパッタリングばかりでなく蒸着によ
って作製される光磁気記録媒体に対しても、同様に適用
できる。なお、記録層と基板との間に金属薄膜層のみを
形成した場合でも所定の効果は認められた。
って作製される光磁気記録媒体に対しても、同様に適用
できる。なお、記録層と基板との間に金属薄膜層のみを
形成した場合でも所定の効果は認められた。
（発明の効果）
このように、本発明によれば、基体が有するガス成分に
よる第一の保護層の劣化、すなわち、記録層の下地の劣
化を軽減でき、従って、記録層の特性も改善される。そ
の結果、プラスチック基板を用いた場合でも、良好なる
磁気光学特性を有する光磁気記録媒体を提供できる。
よる第一の保護層の劣化、すなわち、記録層の下地の劣
化を軽減でき、従って、記録層の特性も改善される。そ
の結果、プラスチック基板を用いた場合でも、良好なる
磁気光学特性を有する光磁気記録媒体を提供できる。
第１図は、本発明の構成を示す図、第２図は従来の構成
を示す図、第３図はカーヒステリシスループを示す図。 図において、１，５・・・基体、２，７・・・第一の保
護層（誘電体層）、３，８・・・非晶質磁性合金膜の記
録層、４，９・・・第二の保護層（金属もしくは誘電体
から成る保護層）、６・・・第１図 第２図
を示す図、第３図はカーヒステリシスループを示す図。 図において、１，５・・・基体、２，７・・・第一の保
護層（誘電体層）、３，８・・・非晶質磁性合金膜の記
録層、４，９・・・第二の保護層（金属もしくは誘電体
から成る保護層）、６・・・第１図 第２図
Claims (1)
- 基体上に、金属の薄膜層、誘電体から成る第一の保護層
、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質磁性合
金膜の記録層、金属もしくは誘電体から成る第二の保護
層の順に形成して成ることを特徴とする光磁気記録媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311886A JPS62172548A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311886A JPS62172548A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62172548A true JPS62172548A (ja) | 1987-07-29 |
Family
ID=11824238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1311886A Pending JPS62172548A (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62172548A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63200345A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | 光磁気デイスク |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60197966A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6129437A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-01-23 JP JP1311886A patent/JPS62172548A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60197966A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6129437A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63200345A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | 光磁気デイスク |
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