JPS62234253A

JPS62234253A - 光磁気記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JPS62234253A
Application number: JP7765686A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Toki; 土岐　薫; Masabumi Nakada; 正文中田
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1986-04-03
Filing date: 1986-04-03
Publication date: 1987-10-14
Anticipated expiration: 2010-07-19
Also published as: JPH0766579B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、光磁気メモリに用いられる記録媒体に関する
もので、更に詳しくは、膜面と垂直方向に磁化容易軸を
有する磁性膜を記録層とし、レーザなどの光ビームを照
射した領域に反転磁圧を作ることにより情報を記録する
ことができ、磁気光学効果を利用して読み出すことので
きる光磁気記録媒体に関するものである。

（従来の技術）従来の一般的な光磁気記録媒体は、第２図に示すように
、基体１の上に、第１の保護層２、記録層３、第２の保
護ＰＩ４の順に形成したものから成る。基体１としては
、ガラス、Ａ１合金及びＰＭＭＡ・ポリカーボネイト、
エポキシなどのプラスチック基板が用いられ、第１及び
第２の保護層としては、ＳｉＯ，ＳｉＯ２゜５ｉ３Ｎ４
ＡＩＮなどの誘電体薄膜が用いられる。第２の保護層と
しては、誘電体薄膜の外に、Ｔｉ、Ｔａなどの金属膜も
用いられる記録層としては、ＭｎＢ１゜ＭｎＣｕＢ１な
どの多結晶体薄膜、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙなどの希土類金属
とＦｅ、Ｇｏなどの鉄族遷移金属との組み合せによって
作成される非晶質合金薄膜、また、Ｇｄ５Ｆｅ５０１２
などの単結晶薄膜などが知られている。

これらの薄膜の中で、非晶質合金薄膜は、書き込み感度
が高い、粒界ノイズが無い、膜面に垂直方向の磁気異方
性を有する膜が容易に作れるなどの利点を有するため、
記録媒体として最も有望視されている。

（発明が解決しようとする問題点）しかし、これらの非晶質合金薄膜は、活性の高い元素か
ら成るため、その磁気特性は、基体の種類及び第１の保
護層の特性に影響されて変化する。

例えば、非晶質合金薄膜としてＴｂＦｅＣｏスパッタ膜
、保護層として屈折率１．８以下の窒化ケイ素（ＳｉＮ
）スパッタ膜を用いた場合には、ＴｂＦｅＣｏ膜のカー
ヒステリシスループは、ガラス基板に直接形成したもの
に比べて、Ｔｂが消費された方向にシフトし、角形が悪
く、カー回転角Ｑｋも小さい。これは、上述のＳｉＮ膜
が、化学量論組成Ｓｉ３Ｎ４からはずれた組成となり、
緻密性に劣り、酸素などのガスを吸蔵しているために、
ＴｂＦｅＣｏ膜が酸化した結果生じたものである。一方
、ＳｉＮ膜を、化学量論組成Ｓｉ３Ｎ４に近づけ、緻密
にしたとしても、この膜は、大きな圧縮応力（５〜ＩＯ
Ｘ　１０９ｄｙｎ／ｃｍ２）を有するために、基板に、
ＰＭＭＡなとの樹脂基板を用いると、そりを生じたり、
又、樹脂から水分の除去が不十分な時は、膜の剥離を生
じることが本発明者によって見出だされた。

本発明の目的は、第１の保護層の保護性能を劣化させる
ことなく、膜のストレスを小さくできる光磁気記録媒体
を提供することにある。

（問題点を解決するための手段）第１図に本発明の光磁気記録媒体の断面構成図を示す。

図に示す様に、本発明の光磁気記録媒体は、基体５上に
、誘電体膜がら成る第１の保護層６、膜面に垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質磁性合金膜から成る記録層
７、金属膜もしくは誘電体膜から成る第２の保護層８の
順に形成して光磁気記録媒体において、第１の保護層６
の屈折率が、膜厚方向に変化していることを特徴とする
。また第１の保護層６の屈折率を変化させるためにはス
パッタ製膜時にスパッタガス圧を連続的に変化させれば
よい。

（作用）本発明は、基体と記録層の間に形成される保護層として
、組成が化学量論組成からはずれるにつれて、ストレス
が小さくなる様な誘電体膜を用いる場合に、有効である
。この保護層として基板に近い部分に、組成が化学量論
組成からはずれ、ストレスが小さい層を形成し、記録層
に接する部分は、化学量論組成に近い組成となる様に、
膜厚方向に組成を連続的に変化させることによってね記
録層を劣化させることなく平均的ストレスの小さい保護
層を形成できる。

（実施例）ＰＭＭＡ及びガラス基板上に、第１の保護層として、屈
折率が膜厚が増加するにつれて１．７８から２゜０迄連
続的に変化した厚さ１０００人のＳｉＮ膜、記録層とし
て、厚さ１０００人のＴｂＯ，２２（ＦｅＯ，９ＣＯ０
，１）０．７８、第２の保護層として、屈折率１．８５
、厚さ１０００人のＳｉＮ膜を形成した。各々の膜は、
マグネトロンスパッタにより、真空を破ることなく連続
に形成した。ＳｉＮ膜は、Ｓｉターゲットに対して、Ａ
ｒとＮ２の混合ガス（４５゜５％Ｎ２）をスパッタガス
とした反応性スパッタにより作製した。ＳｉＮ膜の屈折
率は、スパッタガス圧により変化させた。第３図に、到
達真空度４Ｘ１０−５Ｐａ以下、パワー密度４．４Ｗ／
ｃｍ２におけるＳｉＮ膜の屈折率とスパッタガス圧の関
係を示す。第１の保護層形成時には、スパッタガス圧を
、初めに８Ｘ１０　”Ｐａに設定し、スパッタを継続さ
せながら、徐々に８゜３Ｘ１０−２Ｐａ迄真空度を高め
た。第２の保護層は、スパッタガス圧５Ｘ１０　”Ｐａ
で形成した。ＳｉＮ膜のストレスは屈折率と、第４図に
示す関係がある。これらの条件によって得られる第１及
び第２のＳｉＮ膜の圧縮応力の大きさは、それぞれ２〜
４×１０９１０９ｄｙｎ１゜５×１０９１０９ｄｙｎ１
であった。記録層ＴｂＦｅＣｏは、ＦｅＣｏターゲット
上に、Ｔｂ片を配した複合ターゲットを用い、Ａｒガス
雰囲気で、パワー密度２Ｗ１ｃｍ２、スパッタガス圧３
．５Ｘ１０　”Ｐａで作製した。

ＰＭＭＡ基板を用いた場合でも、膜の剥離は見られず、
又そりも殆んどなかった。又、カーヒステリシスループ
より測定される記録層は、いずれも、補償組成に対して
遷移金属リッチの極性を有し、抗磁力Ｈｃは約５ＫＯｅ
であった。この特性は、ガラス基板上に直接ＴｂＦｅＣ
ｏ膜を形成した場合と、殆んど同じであった。この様に
、ＴｂＦｅＣｏ膜の磁気特性を劣化させることなく、Ｐ
ＭＭＡ基板を用いた時に生じたＳｉＮ膜のストレスに起
因する問題を解決できた。以上述べた効果は基体として
、ポリカーボネイトを用いた時にも同様に見られた。

（発明の効果）本発明によれば、保護層の記録層に対する保護性能を劣
化させることなく保護層のストレスに起因する問題を解
決できる光磁気記録媒体を提供できる。以上の説明では
、基体と記録層の間に形成される保護層として、ＳｉＮ
膜を用いた場合について述べたが、保護層としてはこれ
に限定されるものではなく、化学量論組成からはずれる
につれて、ストレスが小さくなる様な誘電体膜を用いる
場合、全てに本発明は有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の構成を示す図、第２図は従来の構成
を示す図、第３図はＳｉＮ膜の屈折率とスパッタガス圧
の関係を示す図、第４図はＳｉＮ膜のストレスと屈折率
の関係を示す図である。図において、１，５・・・基体、２，６・・・誘電体か
ら成る保護層、３，７・・・非晶質磁性合金薄膜の記録
層、４，８・・・金属もしくは誘電体から成る保護層で
ある。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基体上に、誘電体膜から成る第１の保護層、膜面
に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質磁性合金膜か
ら成る記録層、金属膜もしくは誘電体膜から成る第２の
保護層の順に形成して成る光磁気記録媒体において、第
１の保護層の屈折率が膜厚方向に変化していることを特
徴とする光磁気記録媒体。
（２）第１の保護層の屈折率が、基体から記録層に近づ
くにつれて大きくなっていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の光磁気記録媒体。
（３）基体上に、誘電体膜から成る第１の保護層、膜面
に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質磁性合金膜か
ら成る記録層、金属膜もしくは誘電体膜から成る第２の
保護層の順に形成する光磁気記録媒体の製造方法におい
て、第１の保護層のスパッタリングによる成膜時に、ス
パッタガス圧を連続的に変えることを特徴とする光磁気
記録媒体の製造方法。