JPS63269354A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS63269354A JPS63269354A JP10548787A JP10548787A JPS63269354A JP S63269354 A JPS63269354 A JP S63269354A JP 10548787 A JP10548787 A JP 10548787A JP 10548787 A JP10548787 A JP 10548787A JP S63269354 A JPS63269354 A JP S63269354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thickness
- magnetic
- magneto
- optical recording
- magnetic film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 32
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910000982 rare earth metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910000687 transition metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は磁性膜が希土類金属ＲＥと遷移金属ＴＭとを交
互に複数層積層されたものである光磁気記録媒体に関す
る。
互に複数層積層されたものである光磁気記録媒体に関す
る。
近年、半導体レーザ光により磁気記録を行なう光磁気記
録媒体が高密度記録用として種々研究されている。従来
、これら光磁気記録媒体としては遷移金属と希土類金属
との合金からなるアモルファス磁性合金膜、例えば丁ｂ
Ｆｅ、 ＧｄＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏ等が
盛んに研究されている。これらアモルファス磁性合金膜
は垂直磁気異方性を示し、高密度記録が可能であり、保
磁力Ｈｃが高く、しかもキュリ一温度Ｔｃは低く光磁気
メモリ材料には適しているものの、磁気光学効果が小さ
く、従ってＣ／Ｎ比が満足できるものではなく、安定性
も良くない等の問題点を有するものであった。
録媒体が高密度記録用として種々研究されている。従来
、これら光磁気記録媒体としては遷移金属と希土類金属
との合金からなるアモルファス磁性合金膜、例えば丁ｂ
Ｆｅ、 ＧｄＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏ等が
盛んに研究されている。これらアモルファス磁性合金膜
は垂直磁気異方性を示し、高密度記録が可能であり、保
磁力Ｈｃが高く、しかもキュリ一温度Ｔｃは低く光磁気
メモリ材料には適しているものの、磁気光学効果が小さ
く、従ってＣ／Ｎ比が満足できるものではなく、安定性
も良くない等の問題点を有するものであった。
本発明は上記の如き問題点を改善し、磁気特性および磁
気温度特性の優れた光磁気記録媒体を提供することを目
的とするものである。
気温度特性の優れた光磁気記録媒体を提供することを目
的とするものである。
本発明の光磁気記録媒体は希土類金属ＲＥ（但し、ＲＥ
はＳｓ、 Ｅｕ、 Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏのう
ちから選ばれる少なくとも１種）と、遷移金＠ＴＭ（但
し、ＴＭはＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃｒ、 Ｃｕのう
ちから選ばれる少なくとも１種）とを磁性膜材料として
使用するものではあるが、これら希土類金属ＲＥと遷移
金属ＴＭとを合金化した薄膜としてではなく、単独にし
かも交互に所定厚さの薄膜として複数層積層して磁性膜
とするものである。
はＳｓ、 Ｅｕ、 Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏのう
ちから選ばれる少なくとも１種）と、遷移金＠ＴＭ（但
し、ＴＭはＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃｒ、 Ｃｕのう
ちから選ばれる少なくとも１種）とを磁性膜材料として
使用するものではあるが、これら希土類金属ＲＥと遷移
金属ＴＭとを合金化した薄膜としてではなく、単独にし
かも交互に所定厚さの薄膜として複数層積層して磁性膜
とするものである。
以下に本発明を添付図面を参照して説明する。
第１図において、基板１上には厚さ１〜３０人の超薄膜
の希土類金属ＲＥ２と厚さ１〜３０人の超薄膜の遷移金
属ＴＭ３とが交互に複数層積層された磁性膜が形成され
てなるものである。
の希土類金属ＲＥ２と厚さ１〜３０人の超薄膜の遷移金
属ＴＭ３とが交互に複数層積層された磁性膜が形成され
てなるものである。
磁性膜を構成する希土類金属ＲＥ２および遷移金属ＴＭ
３はそれぞれ１〜３０人の超薄膜とすることが必要であ
る。１人より薄いとアモルファス膜と同様な磁気特性を
示し、逆に３０人より厚くなると垂直磁気異方性を示さ
なくなる。そして、この磁性膜の厚さは１００〜５００
０人の範囲とすることが望ましい、この磁性膜の厚さが
１００人より薄いと膜の経時的な酸化劣化が生じやすく
なり、逆に５０００人より厚いと製造上、材料費が高く
つく、作製時間が長くかかる等の問題点が生じる。
３はそれぞれ１〜３０人の超薄膜とすることが必要であ
る。１人より薄いとアモルファス膜と同様な磁気特性を
示し、逆に３０人より厚くなると垂直磁気異方性を示さ
なくなる。そして、この磁性膜の厚さは１００〜５００
０人の範囲とすることが望ましい、この磁性膜の厚さが
１００人より薄いと膜の経時的な酸化劣化が生じやすく
なり、逆に５０００人より厚いと製造上、材料費が高く
つく、作製時間が長くかかる等の問題点が生じる。
本発明において好適に使用できる基板としてはガラス、
石英、プラスチック、セラミック等である。そして、こ
のような基板上に製膜する磁性膜はスパッタリング法、
蒸着法、イオンブレーティング法等で作製できる。
石英、プラスチック、セラミック等である。そして、こ
のような基板上に製膜する磁性膜はスパッタリング法、
蒸着法、イオンブレーティング法等で作製できる。
なお、本発明では基板１上に垂直磁化膜からなる磁性膜
を積層して構成されるものであるが。
を積層して構成されるものであるが。
基板１と磁性膜との間、あるいは磁性膜の上面に保護膜
（ＳｉＮ％５ｉＯ１ＡＱＮ等）、断熱膜（ＳｉＮ、 Ｓ
ｉ０．ＡＱＮ等）、反射膜（Ａｕ、 Ａｇ、 ＡＱ 、
Ｃｕ、 Ｃｒ等）および高透磁率膜（パーマロイ、Ｍ
ｎ−Ｚｎフェライト、 Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｃｕ−
Ｚｎフェライト等）等をスパッタリング法、蒸着法、イ
オンブレーティング法等で作製して任意に設けることが
できる。
（ＳｉＮ％５ｉＯ１ＡＱＮ等）、断熱膜（ＳｉＮ、 Ｓ
ｉ０．ＡＱＮ等）、反射膜（Ａｕ、 Ａｇ、 ＡＱ 、
Ｃｕ、 Ｃｒ等）および高透磁率膜（パーマロイ、Ｍ
ｎ−Ｚｎフェライト、 Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｃｕ−
Ｚｎフェライト等）等をスパッタリング法、蒸着法、イ
オンブレーティング法等で作製して任意に設けることが
できる。
次に５本発明に係る光磁気記録媒体の製造例について説
明する。
明する。
製造に際しては２元マグネトロンスパッタリング装置を
用いた。この装置はターゲット電極が２つあり、それぞ
れにＲＦ電源が設けられており、同時に２つのターゲッ
トをスパッタリングできるようになっている。今回は１
つのターゲット電極の上に希土類金属ＲＥツタ−ットを
設け、もう１つのターゲット電極の上に遷移金属ＴＭツ
タ−ットを設けて同時にスパッタリングを行ない、ター
ゲット上部にある基板を回転させて、ＲＥ層とＴＭ層と
が交互に積層できるようにした。
用いた。この装置はターゲット電極が２つあり、それぞ
れにＲＦ電源が設けられており、同時に２つのターゲッ
トをスパッタリングできるようになっている。今回は１
つのターゲット電極の上に希土類金属ＲＥツタ−ットを
設け、もう１つのターゲット電極の上に遷移金属ＴＭツ
タ−ットを設けて同時にスパッタリングを行ない、ター
ゲット上部にある基板を回転させて、ＲＥ層とＴＭ層と
が交互に積層できるようにした。
磁性膜の作製条件は次のようにした。
残留ガス圧 ： １．０ＸＩＯ−’ＴｏｒｒＡｒガス
圧 ： ５．０ＸｌＯ”’Ｔｏｒｒターゲット材
： Ｆａｇ ｅ＠ｆ”Ｏｇｉｇ ＊Ｔｂ放電電力
： ８００Ｗ（Ｆｅ、、、、Ｃｏ、、０．）。
圧 ： ５．０ＸｌＯ”’Ｔｏｒｒターゲット材
： Ｆａｇ ｅ＠ｆ”Ｏｇｉｇ ＊Ｔｂ放電電力
： ８００Ｗ（Ｆｅ、、、、Ｃｏ、、０．）。
２００Ｗ （Ｔｂ）
スパッタ時間 ： １０ｍ１ｎ（膜厚２５００人）基板
回転数 ： ２．５ｒｐｍ〜３０ｒｐｍ基板
ニスライドガラス 以上のように基板回転数を変化してＴｂのＩＭの厚みｄ
（Ｔｂ）およびＦｅ５ｍ＠５ＣＯ，＋１６の１層の厚
みみｄ （ＦｅＣｏ）を変えて膜を作製した。ただし、
ｄ（ＦｅＣｏ） ／ ｄ （Ｔｂ）の値は１．３５と一
定にして作製した。
回転数 ： ２．５ｒｐｍ〜３０ｒｐｍ基板
ニスライドガラス 以上のように基板回転数を変化してＴｂのＩＭの厚みｄ
（Ｔｂ）およびＦｅ５ｍ＠５ＣＯ，＋１６の１層の厚
みみｄ （ＦｅＣｏ）を変えて膜を作製した。ただし、
ｄ（ＦｅＣｏ） ／ ｄ （Ｔｂ）の値は１．３５と一
定にして作製した。
その時の飽和磁化Ｍｓおよび保磁力Ｈｃの変化を第２図
に示す。膜の周期Ｄ （＝ ｄ （ＦｅＣｏ） 十ｄ（
Ｔｂ））が大きくなると、Ｍｓが大きくなり、Ｈｃは逆
に小さくなり、面内磁気異方性を示すようになる。逆に
Ｄが３０Å以下になると、Ｈｅは急激に大きくなり、Ｍ
ｓは小さくなる。そして、垂直磁気異方性を示す光磁気
記録媒体に適した膜となる。
に示す。膜の周期Ｄ （＝ ｄ （ＦｅＣｏ） 十ｄ（
Ｔｂ））が大きくなると、Ｍｓが大きくなり、Ｈｃは逆
に小さくなり、面内磁気異方性を示すようになる。逆に
Ｄが３０Å以下になると、Ｈｅは急激に大きくなり、Ｍ
ｓは小さくなる。そして、垂直磁気異方性を示す光磁気
記録媒体に適した膜となる。
第３図にはＤを変化したときの磁気温度特性の変化を示
す、この第３図より、Ｄを９人から２９人まで大きくす
るにつれてキュリ一温度Ｔｃは低下し、常温（２５℃）
において２６０℃から１７５℃になる０図には示してい
ないがＤが４０Å以上では逆に３００℃以上に急激に大
きくなる。
す、この第３図より、Ｄを９人から２９人まで大きくす
るにつれてキュリ一温度Ｔｃは低下し、常温（２５℃）
において２６０℃から１７５℃になる０図には示してい
ないがＤが４０Å以上では逆に３００℃以上に急激に大
きくなる。
このようにＤを変化することにより、Ｍ ｓ 。
ＨａおよびＴｃ等を任意にコントロールできることがわ
かり、Ｄを１３人〜２９人の範囲に設定すると、Ｍｓが
大きくて垂直磁気異方性を示し、キュリ一温度Ｔｃの低
い磁性膜が得られる。つまり、記録感度が高くて再生特
性の良い光磁気記録媒体が得られる。
かり、Ｄを１３人〜２９人の範囲に設定すると、Ｍｓが
大きくて垂直磁気異方性を示し、キュリ一温度Ｔｃの低
い磁性膜が得られる。つまり、記録感度が高くて再生特
性の良い光磁気記録媒体が得られる。
以上のような本発明によれば、１〜３０人の厚みのＲＥ
およびＴＭの超薄膜を交互に積層することによりＭｓ、
ＨｅおよびＴｃの値を任意にコントロールすることがで
き記録感度が高くて再生特性の良い光磁気記録媒体が得
られるという効果を有する。
およびＴＭの超薄膜を交互に積層することによりＭｓ、
ＨｅおよびＴｃの値を任意にコントロールすることがで
き記録感度が高くて再生特性の良い光磁気記録媒体が得
られるという効果を有する。
第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の部分断面を示す
概略説明図である。 第２図は膜の周期と飽和磁化Ｍｓおよび保磁力Ｈｃとの
関係図である。 第３図は膜の周期を変化させた場合の磁気温度特性図で
ある。 １・・・基 板 ２・・・希土類金ＲＲＥ３
・・・遷移金属ＴＭ
概略説明図である。 第２図は膜の周期と飽和磁化Ｍｓおよび保磁力Ｈｃとの
関係図である。 第３図は膜の周期を変化させた場合の磁気温度特性図で
ある。 １・・・基 板 ２・・・希土類金ＲＲＥ３
・・・遷移金属ＴＭ
Claims (1)
- １、支持体上に磁性膜を有する光磁気記録媒体において
、磁性膜が、希土類金属ＲＥ（但し、ＲＥはＳｍ、Ｅｕ
、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏのうちから選ばれる少なくと
も１種）からなる１〜３０Åの超薄膜と遷移金属ＴＭ（
但し、ＴＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕのうちから
選ばれる少なくとも１種）からなる１〜３０Åの超薄膜
とが交互に複数層積層されたものであることを特徴とす
る光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10548787A JPS63269354A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10548787A JPS63269354A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63269354A true JPS63269354A (ja) | 1988-11-07 |
Family
ID=14408951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10548787A Pending JPS63269354A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63269354A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262741A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH02273348A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH03165349A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JP4697570B2 (ja) * | 2000-08-02 | 2011-06-08 | 日立金属株式会社 | 薄膜希土類永久磁石とその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108112A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Ricoh Co Ltd | 垂直磁化膜 |
| JPS6226659A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS62128041A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS63211141A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP10548787A patent/JPS63269354A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108112A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Ricoh Co Ltd | 垂直磁化膜 |
| JPS6226659A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS62128041A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS63211141A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録媒体 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262741A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH02273348A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH03165349A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JP4697570B2 (ja) * | 2000-08-02 | 2011-06-08 | 日立金属株式会社 | 薄膜希土類永久磁石とその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3042878B2 (ja) | 磁気光学記録用多層体をスパッターする方法 | |
| JPH063768B2 (ja) | 垂直磁化膜 | |
| JPS6134744A (ja) | 磁気光学記録媒体 | |
| JPS63269354A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2561130B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63273236A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6154059A (ja) | 磁気光学記録膜 | |
| US5529854A (en) | Magneto-optic recording systems | |
| JPH02118042A (ja) | 磁気光学デイスクのデータ記憶用合金材料及びその製造方法 | |
| JPH0230104A (ja) | 垂直磁化膜 | |
| JPS63140076A (ja) | 垂直磁化膜 | |
| US6096446A (en) | Magnetooptical recording medium and method of producing the same | |
| JP2707560B2 (ja) | 人工格子光磁気記録媒体 | |
| JPS62234253A (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS61296551A (ja) | 光磁気記録素子の製造方法 | |
| JPS63148447A (ja) | 光熱磁気記録媒体 | |
| JPH03120643A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62165753A (ja) | 磁気光学記録媒体 | |
| JPS60173745A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63164049A (ja) | 光磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS61188759A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| Carey et al. | Thermo-magneto-optic materials for high density data storage | |
| JPH02268407A (ja) | 多層状強磁性体 | |
| JPH0714227A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH05314561A (ja) | 光磁気記録膜 |