JPH02118042A - 磁気光学デイスクのデータ記憶用合金材料及びその製造方法 - Google Patents
磁気光学デイスクのデータ記憶用合金材料及びその製造方法Info
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- JPH02118042A JPH02118042A JP89107105A JP10710589A JPH02118042A JP H02118042 A JPH02118042 A JP H02118042A JP 89107105 A JP89107105 A JP 89107105A JP 10710589 A JP10710589 A JP 10710589A JP H02118042 A JPH02118042 A JP H02118042A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はデータ記憶用合金材料に関し、より具体的には
磁気光学ディスクのデータ記憶用合金利料及びその製造
プロセスに関する。この材料は、Ｍ ｎ Ｂ ｉ合金を
ノリ体とし、ＡＩ原子及びＳｉ（？テしくはＢ ） Ｉ
皇子が添加されることを特徴とする。
磁気光学ディスクのデータ記憶用合金利料及びその製造
プロセスに関する。この材料は、Ｍ ｎ Ｂ ｉ合金を
ノリ体とし、ＡＩ原子及びＳｉ（？テしくはＢ ） Ｉ
皇子が添加されることを特徴とする。
本発明に係る上記磁気光学ディスクのデータ記憶用合金
相！−：１は、現在一般に使用されている種々の磁気光
学フィルムに存在する欠点を克服すると几に、データ記
憶、オーディオ及びビデオ技術用の磁気光学ディスクに
λ・ｌする条件を満足することができる。
相！−：１は、現在一般に使用されている種々の磁気光
学フィルムに存在する欠点を克服すると几に、データ記
憶、オーディオ及びビデオ技術用の磁気光学ディスクに
λ・ｌする条件を満足することができる。
［従来の技術］
現（１°、コンピュータ及びデータ２彷技術の発展は、
データ記憶機能が変化すること無く、レーザにより何度
も書込まれたり消）！されたりする人員のデータを記憶
する能力を青する材料を必要としている。また同時に上
記材料は、次の特徴即ち、信号ノイズ率（Ｓ／Ｎ）が低
く、温度変化に影響されす、史にその製造プロセスが容
易で単純であるという特徴を何することが望ましい。
データ記憶機能が変化すること無く、レーザにより何度
も書込まれたり消）！されたりする人員のデータを記憶
する能力を青する材料を必要としている。また同時に上
記材料は、次の特徴即ち、信号ノイズ率（Ｓ／Ｎ）が低
く、温度変化に影響されす、史にその製造プロセスが容
易で単純であるという特徴を何することが望ましい。
現在のところ、広く使用されている磁気光学ディスクに
おいて、磁気光学ディスクを製造する為の一般的な使用
材料は次の通りである。
おいて、磁気光学ディスクを製造する為の一般的な使用
材料は次の通りである。
ｌ）非晶質ＴｂＦｅＣｏ或いはＧｄＴｂＦｅＣ。
この種材料は非晶質としての利点、即ち原子か整列して
おらず、結晶粒も結晶粒界からのノイズも無い。しかし
この種材料で製造された磁気光字ディスクは低い信号−
ノイズ率Ｓ／Ｎを有し、なぜならＳ／Ｎ率は材料の磁気
光学カー回転θｋに比例し、ＴｂＦｅＣｏ若しくはＧｄ
ＴｂＦｅＣ。
おらず、結晶粒も結晶粒界からのノイズも無い。しかし
この種材料で製造された磁気光字ディスクは低い信号−
ノイズ率Ｓ／Ｎを有し、なぜならＳ／Ｎ率は材料の磁気
光学カー回転θｋに比例し、ＴｂＦｅＣｏ若しくはＧｄ
ＴｂＦｅＣ。
は一般に０．３５−０．４０＠の磁気光学カー回転を有
するからである。更に、この種材料は非晶質であるから
、加熱後非常に時効しやすく、温度変化に対して不安定
であり、またこれは希土類材料で、酸化を受けると共に
高価となる。
するからである。更に、この種材料は非晶質であるから
、加熱後非常に時効しやすく、温度変化に対して不安定
であり、またこれは希土類材料で、酸化を受けると共に
高価となる。
２）イツトリウム鉄ガーネットＹＩＧフィルムこの材料
は結晶質で、その欠点は成長温度が６００℃に達するこ
とである。従ってその製造中、基体として水晶のような
ｄｊＪ高温性の＋イ料が使用されなければならない。ま
た、材！−１の粒子１ｊ法（ｄ）か−膜内に大きく、そ
の表面の抵抗力が強く、適用効果が余り良好でなく、書
込みに高パワー・レーザが８霊となる。
は結晶質で、その欠点は成長温度が６００℃に達するこ
とである。従ってその製造中、基体として水晶のような
ｄｊＪ高温性の＋イ料が使用されなければならない。ま
た、材！−１の粒子１ｊ法（ｄ）か−膜内に大きく、そ
の表面の抵抗力が強く、適用効果が余り良好でなく、書
込みに高パワー・レーザが８霊となる。
３）超格ｊ″−フィルム
これは例えば鉄（Ｆ ｅ）のような遷移金属、及びテル
ビウム（Ｔｂ）のような希土類金属により侵入的に作ら
れた多重層からなるフィルムである。
ビウム（Ｔｂ）のような希土類金属により侵入的に作ら
れた多重層からなるフィルムである。
これもまた非晶質祠事−１である。多数の層か重なって
いる為、その内部、特に界面は内部歪みを白゛し、Ｇ、
？（Ｆｅ）とテルビウム（′ｒｂ）との間の結晶［８子
は適合していない。その結末、この材す１で製造された
磁気光学ディスクは不安定で、変わりやすい使用性能を
釘し、カー回転は小さい。
いる為、その内部、特に界面は内部歪みを白゛し、Ｇ、
？（Ｆｅ）とテルビウム（′ｒｂ）との間の結晶［８子
は適合していない。その結末、この材す１で製造された
磁気光学ディスクは不安定で、変わりやすい使用性能を
釘し、カー回転は小さい。
４）マンガン−ビスマス（ＭｎＢｉ）合金フィルム
これも結晶＋Ａ料て、約０．７ ’の高磁気光学カー回
転を何する。しかしそのキュリー点Ｔｃは高い。
転を何する。しかしそのキュリー点Ｔｃは高い。
史に、磁気光学ディスクの書込み若しくは消去プロセス
にス・Ｉ応して、３７５℃（キュリー点適８７）から室
温に急冷した時、そのカー回転は大幅に低下する。マン
ガン−ビスマス（ＭｎＢｉ）合金材料の粒子寸法（ｄ）
は約数ミクロンで、このような大きな粒子寸法は磁気光
学ディスクの読取り信号／ノイズ率の減少をもたらす。
にス・Ｉ応して、３７５℃（キュリー点適８７）から室
温に急冷した時、そのカー回転は大幅に低下する。マン
ガン−ビスマス（ＭｎＢｉ）合金材料の粒子寸法（ｄ）
は約数ミクロンで、このような大きな粒子寸法は磁気光
学ディスクの読取り信号／ノイズ率の減少をもたらす。
上記の理由から、この材１１の部分的な適用は可能であ
る。
る。
［発明の要約］
本発明に関連する先行技術は、例えば以下に示される。
（１）デー、チャン等による、１９７０年３月１０発行
のＪ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、の第４１巻、第３号、１３
９５１″ｔ０ （２）ちりお ますたによる、１９８７年５月発行の１
１本Ｊ、Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ、の第２６８、第５号、７
０７−７１２頁。
のＪ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、の第４１巻、第３号、１３
９５１″ｔ０ （２）ちりお ますたによる、１９８７年５月発行の１
１本Ｊ、Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ、の第２６８、第５号、７
０７−７１２頁。
（３）デー、チェン及びワイ、ゴンドによる、１９６４
年３月発行のＪ、Ａｐｐｌ、−Ｐｈｙｓ、の第３５巻、
第３号、１０２４頁。
年３月発行のＪ、Ａｐｐｌ、−Ｐｈｙｓ、の第３５巻、
第３号、１０２４頁。
本発明の目的は、上記材料に存在する上記欠点を克服し
、磁気光学ディスクにおけるデータ記憶、オーディオ及
びビデオ技術の為の条件を満足することである。
、磁気光学ディスクにおけるデータ記憶、オーディオ及
びビデオ技術の為の条件を満足することである。
本発明の他の目的は、高磁気光学カー回転をｆ−４する
磁気光学ディスクのデータ記憶用の新規なタイプの合金
材料を提供することである。
磁気光学ディスクのデータ記憶用の新規なタイプの合金
材料を提供することである。
本発明の他の目的は、低結晶粒子寸法（ｄ）を白”する
磁気光学ディスクのデータ記憶用の新規なタイプの合金
材料を提供することである。
磁気光学ディスクのデータ記憶用の新規なタイプの合金
材料を提供することである。
本発明の他の目的は、高信号／ノイズ率（Ｓ／Ｎ）をＨ
する磁気光学ディスクのデータ記憶用の新規なタイプの
合金材料を提供することである。
する磁気光学ディスクのデータ記憶用の新規なタイプの
合金材料を提供することである。
本発明の他の目的は、例えばキュリー点よりも高い温度
に加熱されている間、及び急冷中、材料の結品枯造が安
定で変わらない、磁気光学ディスクのデータ記憶用の新
規なタイプの材料を提供することである。
に加熱されている間、及び急冷中、材料の結品枯造が安
定で変わらない、磁気光学ディスクのデータ記憶用の新
規なタイプの材料を提供することである。
本発明の他のｔ］的は、磁気光学ディスクのデータ記憶
材料の製造プロセスを提供することで、即ち、先ず多種
の積層材料が順に重ねられ、次に適当な温度でそれらが
アニールされる。
材料の製造プロセスを提供することで、即ち、先ず多種
の積層材料が順に重ねられ、次に適当な温度でそれらが
アニールされる。
最後に本発明の他の目的は、磁気光学ディスクのデータ
１；己Ｗ ＋＋ ｔ４の製造プロセスを提ｆ共すること
で、即ち、先ず多種の材ｆ４が真空スパッタリンクによ
り間欠的に順に重ねられ、次に適当な温度でそれらがア
ニールされる。
１；己Ｗ ＋＋ ｔ４の製造プロセスを提ｆ共すること
で、即ち、先ず多種の材ｆ４が真空スパッタリンクによ
り間欠的に順に重ねられ、次に適当な温度でそれらがア
ニールされる。
本発明のこの製造プロセスは容易ｄつ単純で、入量生産
に適し、低コストとなる。本プロセスにより製造された
データ記憶材料は、多くの素晴らしい特徴をＨする。例
えば、これは室温において高磁気光学回転Ｏｋを有し、
／Ｉｔｌ定波長が６３３ｎ＊の時、それは２．５ ”に
達しくカー回転強化の為のいかなる誘電被覆もなく）、
これは非晶質材料の磁気光学カー回転θに＝０．４０の
６倍の大きさであるその結晶粒子−ｊ法（ｄ）は、４０
０人程度に小さく従って、信号／ノイズ率Ｓ／Ｎは高く
なる。Ｘ線、１ｐ１定は、上記材料が、六方晶のペース
ファーセット（００２）に直角なＣ軸を伴う、適当なコ
ンパクトな六方晶構造を何することを証明する。Ｘ線測
定はまた、材料表面の結晶粒子が細かく且つコンパクト
で金属光沢及び高反射率を有し、更に上記＋４１４の特
性は操作温度の変化により影響されないことを証明する
。
に適し、低コストとなる。本プロセスにより製造された
データ記憶材料は、多くの素晴らしい特徴をＨする。例
えば、これは室温において高磁気光学回転Ｏｋを有し、
／Ｉｔｌ定波長が６３３ｎ＊の時、それは２．５ ”に
達しくカー回転強化の為のいかなる誘電被覆もなく）、
これは非晶質材料の磁気光学カー回転θに＝０．４０の
６倍の大きさであるその結晶粒子−ｊ法（ｄ）は、４０
０人程度に小さく従って、信号／ノイズ率Ｓ／Ｎは高く
なる。Ｘ線、１ｐ１定は、上記材料が、六方晶のペース
ファーセット（００２）に直角なＣ軸を伴う、適当なコ
ンパクトな六方晶構造を何することを証明する。Ｘ線測
定はまた、材料表面の結晶粒子が細かく且つコンパクト
で金属光沢及び高反射率を有し、更に上記＋４１４の特
性は操作温度の変化により影響されないことを証明する
。
［実施例］
本発明に係る磁気光学ディスクのデータ記憶用合金＋４
料及びその製造プロセスが以下に詳細に記述される。
料及びその製造プロセスが以下に詳細に記述される。
磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料第１図乃至第
４図は、本発明に係る製造プロセスにより提供された、
磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料の種々な特徴
を示している。この材料は、マンガン（Ｍ ｎ ）−ビ
スマス（Ｂｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）−シリコン（
Ｓｉ）を含み、Ｍ ｎ Ｂ ｉを母体とし、ＡＩ原子及
びＳｔ原子が添加されている。これは分子構造 Ｍｎ、ＢｉｘＡｌｙＳｉｚで表され、種々の素子の望ま
しい含有比率は以下の通りである。
４図は、本発明に係る製造プロセスにより提供された、
磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料の種々な特徴
を示している。この材料は、マンガン（Ｍ ｎ ）−ビ
スマス（Ｂｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）−シリコン（
Ｓｉ）を含み、Ｍ ｎ Ｂ ｉを母体とし、ＡＩ原子及
びＳｔ原子が添加されている。これは分子構造 Ｍｎ、ＢｉｘＡｌｙＳｉｚで表され、種々の素子の望ま
しい含有比率は以下の通りである。
原子数比率でＭｎ−１
原子数比率テＢ １−Ｘ＝０．７−１．０原子数比率で
ＡＩ−Ｙユ０．２−０．５原子数比率でＳ １−Ｚ＝＝
０．５−２真空条件下で、透明ハ体上に上記素子が上記
の比率に従って順に蒸着若しくはスパッタされる。
ＡＩ−Ｙユ０．２−０．５原子数比率でＳ １−Ｚ＝＝
０．５−２真空条件下で、透明ハ体上に上記素子が上記
の比率に従って順に蒸着若しくはスパッタされる。
硝子若しくはプラスチックを基体として使用することが
でき、プラスチック基体は例えばポリメチルアクリレー
トである。Ｓ ｉ０２／Ｍｎ／Ｂ ｉ／Ａｌ若しくはＡ
Ｉ ／ Ｍ ｎ ／ Ｂ ｉ ／ Ｓ ｉ Ｏ２が清
浄な透明基体上に順に溶着される。他方、二酸化シリコ
ン（ＳｉＯ２）の代りに三窒化五ボロン（８％Ｎ１）が
使用でき、Ｂ ９ Ｎ ３ ／ Ｍ ｎ ／ Ｂ ｉ／
Ａｌ若しくはＡ Ｉ ／ Ｍ ｎ ／ Ｂ ｉ ／ Ｂ
５Ｎ ３が順に溶着され、透明基体上に磁気光学ディ
スクのデータ記憶用合金材料の積重多層フィルムを形成
する。上記積重多層フィルムは真空次条件下において、
３００−３８０℃で３−５時間アニールされ、次に室温
まで冷却される。アニール後のこのフィルムは良好な性
能をＨする。
でき、プラスチック基体は例えばポリメチルアクリレー
トである。Ｓ ｉ０２／Ｍｎ／Ｂ ｉ／Ａｌ若しくはＡ
Ｉ ／ Ｍ ｎ ／ Ｂ ｉ ／ Ｓ ｉ Ｏ２が清
浄な透明基体上に順に溶着される。他方、二酸化シリコ
ン（ＳｉＯ２）の代りに三窒化五ボロン（８％Ｎ１）が
使用でき、Ｂ ９ Ｎ ３ ／ Ｍ ｎ ／ Ｂ ｉ／
Ａｌ若しくはＡ Ｉ ／ Ｍ ｎ ／ Ｂ ｉ ／ Ｂ
５Ｎ ３が順に溶着され、透明基体上に磁気光学ディ
スクのデータ記憶用合金材料の積重多層フィルムを形成
する。上記積重多層フィルムは真空次条件下において、
３００−３８０℃で３−５時間アニールされ、次に室温
まで冷却される。アニール後のこのフィルムは良好な性
能をＨする。
磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料の性能品質は
、磁気光学上望ましい値として示される物理二の大きさ
で一般的に表現及び指示される。
、磁気光学上望ましい値として示される物理二の大きさ
で一般的に表現及び指示される。
磁気光学メリットθに一、”Ｆ
ここでθには磁気光学カー回転を表し、Ｒは材料の反射
率を表す。
率を表す。
θｋ及びＲが大きいほど、磁気光学ディスクのデータ記
憶用合金材料の性能が良好となる。本発明に係る磁気光
学ディスクのデータ記憶用合金材料の磁気光学カー回転
θには約２，５＠で、先行技術の非晶質４イ料の６倍と
なる。反射率Ｒは約４５９６で先行技術と等しく、測定
結晶粒子寸法は約４００人である。本発明に係る材料の
アニール温度は３００℃に低下し、底が硝子基体の安価
な磁気光学ディスクが使用可能となる。一方粒子寸法（
ｄ）はより小さく形成される。このようなより小さい粒
子寸法は、信号／ノイズ率Ｓ／Ｎに有益であり、従って
好ましい高ｉも；度データ記憶及びオーディオ・ビデオ
記録に有益である。更に第３図から、急冷中、温度が５
００℃から室温に低下したとき、上記合金材料のカー回
転θに１飽和磁化Ｍ ｓ 、保磁力Ｈｃは基本的に変化
しないことが判明する。これは材料の反復使用にとって
好ましく、また記憶データの保存及びオーディオ・ビデ
オ記録を有する磁気光学ディスクの長期間に亘る保存に
とって非常に便利である。
憶用合金材料の性能が良好となる。本発明に係る磁気光
学ディスクのデータ記憶用合金材料の磁気光学カー回転
θには約２，５＠で、先行技術の非晶質４イ料の６倍と
なる。反射率Ｒは約４５９６で先行技術と等しく、測定
結晶粒子寸法は約４００人である。本発明に係る材料の
アニール温度は３００℃に低下し、底が硝子基体の安価
な磁気光学ディスクが使用可能となる。一方粒子寸法（
ｄ）はより小さく形成される。このようなより小さい粒
子寸法は、信号／ノイズ率Ｓ／Ｎに有益であり、従って
好ましい高ｉも；度データ記憶及びオーディオ・ビデオ
記録に有益である。更に第３図から、急冷中、温度が５
００℃から室温に低下したとき、上記合金材料のカー回
転θに１飽和磁化Ｍ ｓ 、保磁力Ｈｃは基本的に変化
しないことが判明する。これは材料の反復使用にとって
好ましく、また記憶データの保存及びオーディオ・ビデ
オ記録を有する磁気光学ディスクの長期間に亘る保存に
とって非常に便利である。
磁気光学ディスクのデータ記録用
合金材料を製造する為のプロセス
蒸着プロセス
透明基体、即ち硝子基体若しくはポリメチルアクリレー
トの一片が用意される。洗浄後これは真空チャンバ内に
収納され、他方二酸化シリコン（ＳｉＯ゜） マンガン
（Ｍｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、若しくは予め作られたマ
ンガン−ビスマス（ＭｎＢｉ）合金及びアルミニウム（
Ａｌ）が収納される。これらの用量は上記各素子の原子
数比率に従って決定され、例えば、もしマンガン（Ｍｎ
）の用量が１グラム原子であれば、ビスマス（Ｂｉ）の
用ｍＸは０．７グラム原子、アルミニウム（Ａｌ）の用
ｆｆ１Ｙは０．２−０．５グラム原子、またシリコン（
Ｓ ｉ）の用ＷＺは０．５−２．０グラム原子となる。
トの一片が用意される。洗浄後これは真空チャンバ内に
収納され、他方二酸化シリコン（ＳｉＯ゜） マンガン
（Ｍｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、若しくは予め作られたマ
ンガン−ビスマス（ＭｎＢｉ）合金及びアルミニウム（
Ａｌ）が収納される。これらの用量は上記各素子の原子
数比率に従って決定され、例えば、もしマンガン（Ｍｎ
）の用量が１グラム原子であれば、ビスマス（Ｂｉ）の
用ｍＸは０．７グラム原子、アルミニウム（Ａｌ）の用
ｆｆ１Ｙは０．２−０．５グラム原子、またシリコン（
Ｓ ｉ）の用ＷＺは０．５−２．０グラム原子となる。
マンガン（Ｍｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（
Ａｌ）及び二酸化シリコン（Ｓ ｉＯ２）の純度は化学
的純度より低くないことが要求される。チャンバ内の真
空が１０〜６１０−７トールに達すると、各ルツボ内の
二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、マンガン（Ｍｎ）、ビス
マス（Ｂｉ）及びアルミニウム（Ａ１）が、夫々の融点
より伜かに高い温度に夫々加熱され、透明基体上に順に
蒸着され、透明基体／ Ｓ ｉ Ｏ２／ Ｍ ｎ ／Ｂ
ｉ ／ Ａ Ｉ多層薄フィルムが形成されるが、或い
はアルミニウム（Ａｌ）が最初に蒸着されると共にＳｉ
Ｏ□が最後に蒸着され、透明基体／Ａｌ／Ｍ ｎ ／
Ｂ ｉ ／ Ｓ ｉ ０２多層薄フィルムが形成される
。Ｍｎ及びＢｉ蒸着順序を逆にすると、透明基体／ Ｓ
ｉ Ｏ、／ Ｂ ｉ ／ Ｍ ｎ ／ Ａ Ｉ多層薄
フィルム、若しくは透明基体／ Ａ １ ／ Ｂ ｉ
／ Ｍｎ ／ Ｓ ｉ Ｏ。
Ａｌ）及び二酸化シリコン（Ｓ ｉＯ２）の純度は化学
的純度より低くないことが要求される。チャンバ内の真
空が１０〜６１０−７トールに達すると、各ルツボ内の
二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、マンガン（Ｍｎ）、ビス
マス（Ｂｉ）及びアルミニウム（Ａ１）が、夫々の融点
より伜かに高い温度に夫々加熱され、透明基体上に順に
蒸着され、透明基体／ Ｓ ｉ Ｏ２／ Ｍ ｎ ／Ｂ
ｉ ／ Ａ Ｉ多層薄フィルムが形成されるが、或い
はアルミニウム（Ａｌ）が最初に蒸着されると共にＳｉ
Ｏ□が最後に蒸着され、透明基体／Ａｌ／Ｍ ｎ ／
Ｂ ｉ ／ Ｓ ｉ ０２多層薄フィルムが形成される
。Ｍｎ及びＢｉ蒸着順序を逆にすると、透明基体／ Ｓ
ｉ Ｏ、／ Ｂ ｉ ／ Ｍ ｎ ／ Ａ Ｉ多層薄
フィルム、若しくは透明基体／ Ａ １ ／ Ｂ ｉ
／ Ｍｎ ／ Ｓ ｉ Ｏ。
多層薄フィルムの形成が可能となる。蒸着後、上記薄フ
ィルムは真空チャンバ内において３００３８０℃で３−
５時間アニールされ、そして室温まで冷却される。アニ
ールは下記の反応をもたらすのに十分なものである。即
ち、マンガン（Ｍ ｎ ）、ビスマス（Ｂｉ）が、六方
晶のペースファーセッ） （００２）に直角なＣ軸を伴
う、完全に配向されたコンパクトな六方晶構造を形成す
る。シリコン（Ｓｉ）原子及びアルミニウム（Ａ１）原
子は、六方晶ユニット・セルの実体位置及び結晶粒界中
に拡散し、図示の良好な特性の材料を形成する。
ィルムは真空チャンバ内において３００３８０℃で３−
５時間アニールされ、そして室温まで冷却される。アニ
ールは下記の反応をもたらすのに十分なものである。即
ち、マンガン（Ｍ ｎ ）、ビスマス（Ｂｉ）が、六方
晶のペースファーセッ） （００２）に直角なＣ軸を伴
う、完全に配向されたコンパクトな六方晶構造を形成す
る。シリコン（Ｓｉ）原子及びアルミニウム（Ａ１）原
子は、六方晶ユニット・セルの実体位置及び結晶粒界中
に拡散し、図示の良好な特性の材料を形成する。
従って、先行技術のマンガン（Ｍ ｎ ）−ビスマス（
Ｂｉ）合金材料における高温急冷後の性能の劣化が克服
される。ここで薄フイルム内の二酸化シリコン（ＳｉＯ
２）の厚さは１０００−２０００人、マン、Ｉ’／ ン
（Ｍｎ ）−ビスマス（Ｂｉ）合金層の厚さは５００−
１０００人、アルミニウム（Ａｌ）層の厚さは約２００
人のＡＦＩ定１直となる。
Ｂｉ）合金材料における高温急冷後の性能の劣化が克服
される。ここで薄フイルム内の二酸化シリコン（ＳｉＯ
２）の厚さは１０００−２０００人、マン、Ｉ’／ ン
（Ｍｎ ）−ビスマス（Ｂｉ）合金層の厚さは５００−
１０００人、アルミニウム（Ａｌ）層の厚さは約２００
人のＡＦＩ定１直となる。
スパッタ・プロセス
スパッタ・プロセスによりデータ記憶用ＭｎＢ１ＡｌＳ
ｉ合金材料が製造される場合は、アルミニウム（Ａ１）
ターゲット、二酸化シリコン（Ｓｉ０２）ターゲット、
マンガン（Ｍｎ）ターゲット、ビスマス（Ｂｉ）ターゲ
ットが先ず準備されなければならない。ターゲット準備
技術は等業者にとって公知であり、ここで言及する必要
は無いであろう。
ｉ合金材料が製造される場合は、アルミニウム（Ａ１）
ターゲット、二酸化シリコン（Ｓｉ０２）ターゲット、
マンガン（Ｍｎ）ターゲット、ビスマス（Ｂｉ）ターゲ
ットが先ず準備されなければならない。ターゲット準備
技術は等業者にとって公知であり、ここで言及する必要
は無いであろう。
洗浄後、透明基体、即ち硝子基体若しくはポリメチルア
クリレート基体がスパッタ用チャンバ内に収納される。
クリレート基体がスパッタ用チャンバ内に収納される。
真空が１０−Ｌ′−１０−’ ）−ルに達すると、不活
性ガスのアルゴン（ＡＴ）がスノくツタ用チャンバ内に
封入され、所定の電圧において、アルゴン（Ａｒ）イオ
ンが上記二酸化シリコン（Ｓ ｉ Ｏ，）ターゲット、
マンガン（Ｍ ｎ ）ターゲット、ビスマス（Ｂ ｉ）
ターゲ・ノド及びアルミニウム（Ａ１）ターゲットを順
に爆撃するか、或いはアルゴン（Ａｒ）イオンがアルミ
ニウム（Ａｌ）ターゲット、マンガン（Ｆｖｌ ｎ ）
ターゲ・ント、ビスマス（Ｂｉ）ターゲット、二酸化シ
リコン（ＳｉＯ２）ターゲットの順で爆撃し、透明基体
／ Ｓ ｉ ０２ ／ Ｍ ｎ ／ Ｂ ｉ ／ Ａ
Ｉ薄フィルム、或いは透明基体／ Ａ Ｉ ／ Ｍ ｎ
／ Ｂ ｉ ／ Ｓ ｉ ０２薄フイルムを形成する
。Ｍｎ及びＢｉ爆撃順序を逆にすると、週明基体／Ｓ
ｉ０２／Ｂ ｉ／Ｍｎ／Ａ Ｉ薄フィルム、若しくは透
明基体／ Ａ Ｉ ／ Ｂ ｉ ／Ｍ ｎ ／ Ｓ ｉ
０２薄フイルムの形成が可能となる。
性ガスのアルゴン（ＡＴ）がスノくツタ用チャンバ内に
封入され、所定の電圧において、アルゴン（Ａｒ）イオ
ンが上記二酸化シリコン（Ｓ ｉ Ｏ，）ターゲット、
マンガン（Ｍ ｎ ）ターゲット、ビスマス（Ｂ ｉ）
ターゲ・ノド及びアルミニウム（Ａ１）ターゲットを順
に爆撃するか、或いはアルゴン（Ａｒ）イオンがアルミ
ニウム（Ａｌ）ターゲット、マンガン（Ｆｖｌ ｎ ）
ターゲ・ント、ビスマス（Ｂｉ）ターゲット、二酸化シ
リコン（ＳｉＯ２）ターゲットの順で爆撃し、透明基体
／ Ｓ ｉ ０２ ／ Ｍ ｎ ／ Ｂ ｉ ／ Ａ
Ｉ薄フィルム、或いは透明基体／ Ａ Ｉ ／ Ｍ ｎ
／ Ｂ ｉ ／ Ｓ ｉ ０２薄フイルムを形成する
。Ｍｎ及びＢｉ爆撃順序を逆にすると、週明基体／Ｓ
ｉ０２／Ｂ ｉ／Ｍｎ／Ａ Ｉ薄フィルム、若しくは透
明基体／ Ａ Ｉ ／ Ｂ ｉ ／Ｍ ｎ ／ Ｓ ｉ
０２薄フイルムの形成が可能となる。
ここて二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層の厚さは＋０００
−２０００人、マンガン−ビスマス（ＭｎＢｉ）；Ａの
厚さは５００−１０００人、アルミニウム（Ａｔ）層の
ｊｌさは約２００人となる。上記のスパッタされた薄フ
ィルムは１０ｔ′−１０’）−ルの真空の真空チャンバ
内に収納され、３００−３８０℃で３−５時間アニール
され、そして室ｋｍまで冷却される。このようにして透
明基体／ Ｓ ｉ ０２ ／ Ｍ ｎ ／ Ｂ ｉ ／
Ａｌ多層薄フィルム、或いは透明基体／Ａｌ／〜ｉ ｎ
／ Ｂ ｉ ／ Ｓ ｉ Ｏ□多層薄フィルムが製造
される。基体／Ａｌ／〜Ｉｎ／Ｂ ｉ／Ｓ ｉ ０２構
造をａする上記多層薄フィルムは、良好な磁気光学ディ
スクのデータ記録用合金材料となる。
−２０００人、マンガン−ビスマス（ＭｎＢｉ）；Ａの
厚さは５００−１０００人、アルミニウム（Ａｔ）層の
ｊｌさは約２００人となる。上記のスパッタされた薄フ
ィルムは１０ｔ′−１０’）−ルの真空の真空チャンバ
内に収納され、３００−３８０℃で３−５時間アニール
され、そして室ｋｍまで冷却される。このようにして透
明基体／ Ｓ ｉ ０２ ／ Ｍ ｎ ／ Ｂ ｉ ／
Ａｌ多層薄フィルム、或いは透明基体／Ａｌ／〜ｉ ｎ
／ Ｂ ｉ ／ Ｓ ｉ Ｏ□多層薄フィルムが製造
される。基体／Ａｌ／〜Ｉｎ／Ｂ ｉ／Ｓ ｉ ０２構
造をａする上記多層薄フィルムは、良好な磁気光学ディ
スクのデータ記録用合金材料となる。
上記製造プロセスにおいて、他の技術的手続きを変えず
に、５ｉ０２の代りに８５Ｎ ｍが用いられると、基体
／ＢＮ／Ｍｎ／Ｂ ｉ ／Ａ Ｉ多層薄フィルム、或い
は基体／ Ａ ｌ ／ Ｍ ｎ ／ Ｂ ｉ ／ Ｂ
Ｎ多層薄フィルムが形成される。これらは同様に良好な
磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料である。
に、５ｉ０２の代りに８５Ｎ ｍが用いられると、基体
／ＢＮ／Ｍｎ／Ｂ ｉ ／Ａ Ｉ多層薄フィルム、或い
は基体／ Ａ ｌ ／ Ｍ ｎ ／ Ｂ ｉ ／ Ｂ
Ｎ多層薄フィルムが形成される。これらは同様に良好な
磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料である。
望ましい実施例
磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料を製造する為
の望ましい実施例が以下に紹介される。
の望ましい実施例が以下に紹介される。
スパッタ・プロセスがＡＤＳＭＯ（磁気光学ディスクの
データ記憶用合金材料）功多層薄フィルムを製造する為
の例である。
データ記憶用合金材料）功多層薄フィルムを製造する為
の例である。
先ず、アルミニウム（Ａｌ）ターゲット、二酸化シリコ
ン（Ｓｉ０２）ターゲット、マンガン（Ｍｎ）ターゲッ
ト、ビスマス（Ｂｉ）ターゲットがＱＱされなければな
らない。
ン（Ｓｉ０２）ターゲット、マンガン（Ｍｎ）ターゲッ
ト、ビスマス（Ｂｉ）ターゲットがＱＱされなければな
らない。
洗浄後、硝子基体のような透明基体がスパッタ用チャン
バ内に収納される。真空が１Ｏ−ｂ−１０−’ ）−ル
に達すると、不活性ガスのアルゴン（Ａ「）がスパッタ
用チャンバ内に封入され、所定の高電圧によりイオン化
される。アルゴン（Ａｒ）イオンは上記アルミニウム（
Ａｌ）ターゲットを爆撃する。アルミニウム（Ａｌ）は
上記硝子基体上にｍ６する。アルミニウム（Ａｌ）層の
厚さは約２００人となるように制御される。爆撃時間が
増加するにつれ、アルミニウム（Ａり層の厚さは増加し
、そして次に上記マンガン（Ｍ ｎ ）ターゲット、ビ
スマス（Ｂｉ）ターゲット（若しくはＢｉツタ−ット、
Ｍｎターゲットの順で）が別々に専撃され、反復爆撃数
が１−１００以上なされ、多層ＭｎＢｉ（若しくはＢｉ
Ｍｎ） 、ＭｎＢ１ （若しくはＢｉＭｎ） 、Ｍｎ
Ｂ ｉ （若しくはＢｉＭｎ）・が形成される。全厚
さは約５００−１．０００人である。最後に上記二酸化
シリコン（Ｓ ｉ ０２ ）層がスパッタされ、その厚
さは約１０００−２０００人となる。このようにして、
硝子話体／Ａ Ｉ／Ｍｎ／Ｂｉ／ＳｉＯ２若しくは硝子
基体／ Ａ Ｉ ／ Ｂ ｉ ／Ｍｎ／ＳｉＯ２の積匝
多層薄フィルムが形成される。上記のスパッタされた薄
フィルムは１０−６−１０−’ トールの真空の真空チ
ャンバ内において、３００−３８０℃で３−５時間アニ
ールされ、そして室温まで冷却される。ここでアニール
温度は合金（ＭｎＢｉ）材料形成の温度より５０−８０
℃低い。
バ内に収納される。真空が１Ｏ−ｂ−１０−’ ）−ル
に達すると、不活性ガスのアルゴン（Ａ「）がスパッタ
用チャンバ内に封入され、所定の高電圧によりイオン化
される。アルゴン（Ａｒ）イオンは上記アルミニウム（
Ａｌ）ターゲットを爆撃する。アルミニウム（Ａｌ）は
上記硝子基体上にｍ６する。アルミニウム（Ａｌ）層の
厚さは約２００人となるように制御される。爆撃時間が
増加するにつれ、アルミニウム（Ａり層の厚さは増加し
、そして次に上記マンガン（Ｍ ｎ ）ターゲット、ビ
スマス（Ｂｉ）ターゲット（若しくはＢｉツタ−ット、
Ｍｎターゲットの順で）が別々に専撃され、反復爆撃数
が１−１００以上なされ、多層ＭｎＢｉ（若しくはＢｉ
Ｍｎ） 、ＭｎＢ１ （若しくはＢｉＭｎ） 、Ｍｎ
Ｂ ｉ （若しくはＢｉＭｎ）・が形成される。全厚
さは約５００−１．０００人である。最後に上記二酸化
シリコン（Ｓ ｉ ０２ ）層がスパッタされ、その厚
さは約１０００−２０００人となる。このようにして、
硝子話体／Ａ Ｉ／Ｍｎ／Ｂｉ／ＳｉＯ２若しくは硝子
基体／ Ａ Ｉ ／ Ｂ ｉ ／Ｍｎ／ＳｉＯ２の積匝
多層薄フィルムが形成される。上記のスパッタされた薄
フィルムは１０−６−１０−’ トールの真空の真空チ
ャンバ内において、３００−３８０℃で３−５時間アニ
ールされ、そして室温まで冷却される。ここでアニール
温度は合金（ＭｎＢｉ）材料形成の温度より５０−８０
℃低い。
上記薄フィルムが低温度でアニールされた時、長距離範
囲において拡散するよりも、隣接マンガン（Ｍ ｎ ）
−ビスマス（Ｂ１）原子間で互いに拡散する。低温度で
のマンガン（Ｍ ｎ ）−ビスマス（Ｄ ｉ）のアニー
ルは、結晶構造の最良の配向を伴う細密でコンパクトな
六方晶構造を形成し得る。
囲において拡散するよりも、隣接マンガン（Ｍ ｎ ）
−ビスマス（Ｂ１）原子間で互いに拡散する。低温度で
のマンガン（Ｍ ｎ ）−ビスマス（Ｄ ｉ）のアニー
ルは、結晶構造の最良の配向を伴う細密でコンパクトな
六方晶構造を形成し得る。
粒子・ｊ法（ｄ）は例えばｄ−：４００人へ減少し、上
記積重多層フィルムの粒界により発生されるノイズを削
減でき、従って（二号／ノイズ率Ｓ／Ｎが増大する。
記積重多層フィルムの粒界により発生されるノイズを削
減でき、従って（二号／ノイズ率Ｓ／Ｎが増大する。
積車多層薄フィルムがアニールされる時、アルミニウム
原子及びシリコン原子はマンガン（〜１【ｌ）ビスマス
（Ｂ ｉ）結晶ユニット・セル内の侵入位置を占め、従
って上記積重多層薄フィルムは良好な／２ｉ度安定性を
有する。第３図図示の如く、θｋ 、 Ｍ ｓ及びＨｃ
は急冷温度（Ｔ）に伴って大きく変化しない。従って本
発明の望ましい実施例は、先行技術において存在した問
題、即ち、アニール中上記マンガン（〜１ｎ）−ビスマ
ス（Ｂｉ）の性能が悪化するという問題を克服できるこ
とが分かる。そして上記磁気光学カー回転θｋか大幅に
増大し、上記粒子・１法が細かくなる。これらは全て磁
気光学ディスクのデータ記憶用材料にとつて必要となる
。
原子及びシリコン原子はマンガン（〜１【ｌ）ビスマス
（Ｂ ｉ）結晶ユニット・セル内の侵入位置を占め、従
って上記積重多層薄フィルムは良好な／２ｉ度安定性を
有する。第３図図示の如く、θｋ 、 Ｍ ｓ及びＨｃ
は急冷温度（Ｔ）に伴って大きく変化しない。従って本
発明の望ましい実施例は、先行技術において存在した問
題、即ち、アニール中上記マンガン（〜１ｎ）−ビスマ
ス（Ｂｉ）の性能が悪化するという問題を克服できるこ
とが分かる。そして上記磁気光学カー回転θｋか大幅に
増大し、上記粒子・１法が細かくなる。これらは全て磁
気光学ディスクのデータ記憶用材料にとつて必要となる
。
要約すると、上記本発明に係る磁気光学ディスクのデー
タ記憶用合金材（１の磁気光学的に望ましい値は非晶質
ＴｂＦｅＣｏの各位に比べて遥かに良好である。上記本
発明に係る磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料の
性能はまた、Ｍ ｎ Ｂ ｉ結晶合金材料の性能よりも
望ましい。上記磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材
料と、従来のＭ ｎ Ｂ ｉ合金相１−１とを比較する
と、本発明はより大きな磁気光学効果を白゛し、急冷に
より性能が低下するというＭ ｎ Ｂ ｉの欠点を克服
する点を特徴とする。非晶質ＴｂＦｅＣｏ及びＧｄＴｂ
Ｆｅを比較すると、本発明の材料は、より高い磁気光学
カー回転θｋを杓°し、時効及び酸化し難い点を特徴と
する。上記本発明の材料は、高い反射率、細密でコンパ
クトな結晶配向、安定な結晶粒子構造をｒイし、温度変
化により影響を受けない。上記本発明の製造プロセスは
、操作するのに単純且つ簡単で、大量生産に適した安価
なもので、将来的な広範囲に亘る適用可能性を示唆する
ものである。
タ記憶用合金材（１の磁気光学的に望ましい値は非晶質
ＴｂＦｅＣｏの各位に比べて遥かに良好である。上記本
発明に係る磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料の
性能はまた、Ｍ ｎ Ｂ ｉ結晶合金材料の性能よりも
望ましい。上記磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材
料と、従来のＭ ｎ Ｂ ｉ合金相１−１とを比較する
と、本発明はより大きな磁気光学効果を白゛し、急冷に
より性能が低下するというＭ ｎ Ｂ ｉの欠点を克服
する点を特徴とする。非晶質ＴｂＦｅＣｏ及びＧｄＴｂ
Ｆｅを比較すると、本発明の材料は、より高い磁気光学
カー回転θｋを杓°し、時効及び酸化し難い点を特徴と
する。上記本発明の材料は、高い反射率、細密でコンパ
クトな結晶配向、安定な結晶粒子構造をｒイし、温度変
化により影響を受けない。上記本発明の製造プロセスは
、操作するのに単純且つ簡単で、大量生産に適した安価
なもので、将来的な広範囲に亘る適用可能性を示唆する
ものである。
第１図は、本発明に係るプロセスにより製造された磁気
光学ディスクのデータ記憶用 Ｍ ｎ Ｂ ｉ Ａ Ｉ Ｓ ｉ烏合フィルムの各層に
おける種々の素子のＩＩｎ子シロ濃度を示す。横軸は上
記材料の各層を大々代表する上記材料の離層時間（ｍｉ
ｎ、）を示し、縦軸は原子９ｏ濃度を示す。 第２図は、本発明に係るプロセスにより製造された磁気
光学ディスクのデータ記憶用 Ｍ ｎ Ｂ ｉ Ａ Ｉ Ｓ ｉ合金材料上のＸ線構造
分析（Ｃｏ Ｋ ｔｘツタ−ット）の結果を示す。（黄
軸は回折角度２θを示し、縦軸は回折強度を示す。図か
ら、２θユ３５°でピーク値が存在することが分かる。 これは、本発明に係る材料か、Ｍ ｎ Ｂ ｉと同様に
完全に配向されたコンパクトな六方晶（を造を（Ｊ−シ
、Ｃ軸かヘースファーセット（００２）に直角で、不均
一性か（ｊ （Ｅ Ｌないことを示す。 第゛３図は、急冷’ｔＭ度（Ｔ）に対する磁気光学カー
回転θｌ（の曲線、急冷温度にχ・１する飽和磁化強度
（Ｍ ｓ ）の曲線、及び急冷温度に対する保磁力（Ｈ
ｃ）の曲線を示す。各曲線は、本発明に係るプロセスに
より製造された磁気光学ディスクのデータ記憶用Ｍ ｎ
Ｂ ｉ Ａ Ｉ Ｓ ｉ合金材料からの測定に基づく
。この図から、本発明に係る合金材料の磁気光学カー回
転θに１飽和磁化Ｍｓ及び保磁力Ｈｃが、基本的に冷却
温度に伴って変化せず、これに対して従来のＭｎＢ１合
金フィルムのθにＭｓ−及びＨｃ’は温度変化に伴って
大きく変化することが分かる。 第４図は、本発明に係るプロセスにより製造された磁気
光学ディスクのデータ記憶用 Ｍ ｎ Ｂ ｉ Ａ Ｉ Ｓ ｉ合金材料から測定され
た、波長λに幻する反射率の曲線、カー回転θにの曲線
を示す。図から、波長が８３３＋＋ｉにおいて、磁気光
学的に望ましい値θｋが非常に大きく、現在試験的に用
いられている非晶質ＴｂＦｅＣｏ：ＨＬ＜はＧｄＴｂＦ
ｅＣｏの値の６倍以上であることが分かる。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 Ｆｉｇ。 呵吟メ峨− Ｆｉｇ、 １ Ｈｅ １ｏｅ１ ４！釦 瓜Ｖ ス皮 偉り動鴫す菰β１） Ｆｉｇ、 ３
光学ディスクのデータ記憶用 Ｍ ｎ Ｂ ｉ Ａ Ｉ Ｓ ｉ烏合フィルムの各層に
おける種々の素子のＩＩｎ子シロ濃度を示す。横軸は上
記材料の各層を大々代表する上記材料の離層時間（ｍｉ
ｎ、）を示し、縦軸は原子９ｏ濃度を示す。 第２図は、本発明に係るプロセスにより製造された磁気
光学ディスクのデータ記憶用 Ｍ ｎ Ｂ ｉ Ａ Ｉ Ｓ ｉ合金材料上のＸ線構造
分析（Ｃｏ Ｋ ｔｘツタ−ット）の結果を示す。（黄
軸は回折角度２θを示し、縦軸は回折強度を示す。図か
ら、２θユ３５°でピーク値が存在することが分かる。 これは、本発明に係る材料か、Ｍ ｎ Ｂ ｉと同様に
完全に配向されたコンパクトな六方晶（を造を（Ｊ−シ
、Ｃ軸かヘースファーセット（００２）に直角で、不均
一性か（ｊ （Ｅ Ｌないことを示す。 第゛３図は、急冷’ｔＭ度（Ｔ）に対する磁気光学カー
回転θｌ（の曲線、急冷温度にχ・１する飽和磁化強度
（Ｍ ｓ ）の曲線、及び急冷温度に対する保磁力（Ｈ
ｃ）の曲線を示す。各曲線は、本発明に係るプロセスに
より製造された磁気光学ディスクのデータ記憶用Ｍ ｎ
Ｂ ｉ Ａ Ｉ Ｓ ｉ合金材料からの測定に基づく
。この図から、本発明に係る合金材料の磁気光学カー回
転θに１飽和磁化Ｍｓ及び保磁力Ｈｃが、基本的に冷却
温度に伴って変化せず、これに対して従来のＭｎＢ１合
金フィルムのθにＭｓ−及びＨｃ’は温度変化に伴って
大きく変化することが分かる。 第４図は、本発明に係るプロセスにより製造された磁気
光学ディスクのデータ記憶用 Ｍ ｎ Ｂ ｉ Ａ Ｉ Ｓ ｉ合金材料から測定され
た、波長λに幻する反射率の曲線、カー回転θにの曲線
を示す。図から、波長が８３３＋＋ｉにおいて、磁気光
学的に望ましい値θｋが非常に大きく、現在試験的に用
いられている非晶質ＴｂＦｅＣｏ：ＨＬ＜はＧｄＴｂＦ
ｅＣｏの値の６倍以上であることが分かる。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 Ｆｉｇ。 呵吟メ峨− Ｆｉｇ、 １ Ｈｅ １ｏｅ１ ４！釦 瓜Ｖ ス皮 偉り動鴫す菰β１） Ｆｉｇ、 ３
Claims (24)
- （１）マンガン（Ｍｎ）、ビスマス（Ｂｉ）を含む磁気
光学ディスクのデータ記憶用合金材料（ＡＤＳＭＯ）で
あって、アルミニウム（Ａｌ）、及びシリコン（Ｓｉ）
若しくはボロン（Ｂ）を更に含み、マンガン−ビスマス
（ＭｎＢｉ）合金を母体とし、アルミニウム（Ａｌ）原
子、及び二酸化シリコン（ＳｉＯ＿２）若しくは三窒化
五ボロン（Ｂ＿５Ｎ＿３）が添加されていることを特徴
とする合金材料。 - （２）マンガン（Ｍｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）及び二酸化シリコン （ＳｉＯ＿２）の前記各素子が、透明基体上に所定の順
序で溶着され、多層構造のフィルムを形成する請求項（
１）に記載の磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料
。 - （３）分子構造が、Ｍｎ＿１Ｂｉ＿ＸＡｌ＿ＹＳｉ＿ｚ
からなり、ここでＸ＝０．７−１．０、Ｙ＝０．２−０
．５、Ｚ＝０．５−２．０で、フィルムは前記原子比率
に従って形成される請求項（１）に記載の磁気光学ディ
スクのデータ記憶用合金材料。 - （４）シリコン（Ｓｉ）原子の代りにボロン（Ｂ）原子
が使用され、二酸化シリコン（ＳｉＯ＿２）の代りに三
窒化五ボロン（Ｂ＿５Ｎ＿３）が使用される請求項（１
）に記載の磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料。 - （５）透明基体上に溶着されるＭｎ、Ｂｉ、Ａｌ及びＳ
ｉＯ＿２の所定順序が、透明基体／ＳｉＯ＿２／Ｍｎ／
Ｂｉ／Ａｌ若しくは透明基体／ＳｉＯ＿２／Ｂｉ／Ｍｎ
／Ａｌである請求項（１）に記載の磁気光学ディスクの
データ記憶用合金材料。 - （６）ＭｎＢｉ若しくはＢｉＭｎの積重層数が１−１０
０以上である請求項（５）に記載の磁気光学ディスクの
データ記憶用合金材料。 - （７）透明基体上に溶着されるＭｎ、Ｂｉ、Ａｌ及びＳ
ｉＯ＿２の所定順序が、透明基体／Ａｌ／Ｍｎ／Ｂｉ／
ＳｉＯ＿２若しくは透明基体／Ａｌ／Ｂｉ／Ｍｎ／Ｓｉ
Ｏ＿２である請求項（１）に記載の磁気光学ディスクの
データ記憶用合金材料。 - （８）ＭｎＢｉ若しくはＢｉＭｎの積重層数が１−１０
０以上である請求項（７）に記載の磁気光学ディスクの
データ記憶用合金材料。 - （９）前記透明基体材料が硝子基体である請求項（３）
に記載の磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料。 - （１０）前記透明基体材料がポリメチルアクリレートの
ようなプラスチック基体である請求項（３）に記載の磁
気光学ディスクのデータ記憶用合金材料。 - （１１）前記素子の純度が少なくとも化学的純度よりも
低くない請求項（１）に記載の磁気光学ディスクのデー
タ記憶用合金材料。 - （１２）磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料（Ａ
ＤＳＭＯ）を製造する為の方法であって、透明基体を準
備する工程と、 前記透明基体上に所定順序でＭｎ、Ｂｉ、Ａｌ及びＳｉ
Ｏ＿２を溶着させ、多層フィルムを形成する工程と、 前記多層フィルムを真空チャンバ内において３００−３
８０℃で３−５時間アニールし、続いて前記多層フィル
ムを室温まで冷却する工程と、を含むことを特徴とする
製造方法。 - （１３）前記透明基体上にＭｎ、Ｂｉ、Ａｌ及びＳｉＯ
＿２を溶着させる所定順序が、 ＳｉＯ＿２を溶着させ、 Ｍｎ若しくはＢｉを溶着させ、 Ｂｉ若しくはＭｎを溶着させ、 ＡＩを溶着させる、 順序からなる請求項（１２）に記載の磁気光学ディスク
のデータ記憶用合金材料の製造方法。 - （１４）前記透明基体上にＭｎ、Ｂｉ、Ａｌ及びＳｉＯ
＿２を溶着させる所定順序が、 Ａｌを溶着させ、 Ｍｎ若しくはＢｉを溶着させ、 Ｂｉ若しくはＭｎを溶着させ、 ＳｉＯ＿２を溶着させる、 順序からなる請求項（１２）に記載の磁気光学ディスク
のデータ記憶用合金材料の製造方法。 - （１５）ＭｎＢｉ若しくはＢｉＭｎの溶着数が１−１０
０以上であり、積重多層フィルムが形成される請求項（
１２）に記載の磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材
料の製造方法。 - （１６）所定順序で前記透明基体上にＭｎ、Ｂｉ、Ａｌ
及びＳｉＯ＿２を溶着させる為に、真空チャンバ内での
蒸着技術が用いられる請求項（１２）に記載の磁気光学
ディスクのデータ記憶用合金材料の製造方法。 - （１７）所定順序で前記透明基体上にＭｎ、Ｂｉ、Ａｌ
及びＳｉＯ＿２を溶着させる為に、真空チャンバ内での
スパッタ技術が用いられる請求項（１２）に記載の磁気
光学ディスクのデータ記憶用合金材料の製造方法。 - （１８）磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料（Ａ
ＤＳＭＯ）を製造する為の方法であって、透明基体を準
備する工程と、 前記透明基体上に所定順序でＭｎ、Ｂｉ、Ａｌ及びＢ＿
５Ｎ＿３を溶着させ、多層フィルムを形成する工程と、 前記多層フィルムを真空チャンバ内において３００−３
８０℃で３−５時間アニールし、続いて前記多層フィル
ムを室温まで冷却する工程と、を含むことを特徴とする
製造方法。 - （１９）前記透明基体上にＭｎ、Ｂｉ、Ａｌ及びＢ＿５
Ｎ＿３を溶着させる所定順序が、 Ｂ＿５Ｎ＿３を溶着させ、 Ｍｎ若しくはＢｉを溶着させ、 Ｂｉ若しくはＭｎを溶着させ、 Ａｌを溶着させる、 順序からなる請求項（１８）に記載の磁気光学ディスク
のデータ記憶用合金材料の製造方法。 - （２０）前記透明基体上にＭｎ、Ｂｉ、Ａｌ及びＢ＿５
Ｎ＿３を溶着させる所定順序が、 Ａｌを溶着させ、 Ｍｎ若しくはＢｉを溶着させ、 Ｂｉ若しくはＭｎを溶着させ、 Ｂ＿５Ｎ＿３を溶着させる、 順序からなる請求項（１８）に記載の磁気光学ディスク
のデータ記憶用合金材料の製造方法。 - （２１）ＭｎＢｉ若しくはＢｉＭｎの溶着数が１−１０
０以上であり、積重多層フィルムが形成される請求項（
１８）に記載の磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材
料の製造方法。 - （２２）所定順序で前記透明基体上にＭｎ、Ｂｉ、Ａｌ
及びＢ＿５Ｎ＿３を溶着させる為に、真空チャンバ内で
の蒸着技術が用いられる請求項（１８）に記載の磁気光
学ディスクのデータ記憶用合金材料の製造方法。 - （２３）所定順序で前記透明基体上にＭｎ、Ｂｉ、Ａｌ
及びＢ＿５Ｎ＿３を溶着させる為に、真空チャンバ内で
のスパッタ技術が用いられる請求項（１８）に記載の磁
気光学ディスクのデータ記憶用合金材料の製造方法。 - （２４）前記Ｍｎ、Ｂｉ、Ａｌ及びＢ＿５Ｎ＿３の純度
が少なくとも化学的純度よりも低くない請求項（１８）
に記載の磁気光学ディスクのデータ記憶用合金材料の製
造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN88102222.5 | 1988-04-28 | ||
| CN88102222A CN1013324B (zh) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 磁光盘存储合金材料及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02118042A true JPH02118042A (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=4832062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP89107105A Pending JPH02118042A (ja) | 1988-04-28 | 1989-04-26 | 磁気光学デイスクのデータ記憶用合金材料及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4975336A (ja) |
| EP (1) | EP0339608A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02118042A (ja) |
| CN (1) | CN1013324B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06267126A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法および記録媒体 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2017226A1 (en) * | 1989-05-23 | 1990-11-23 | Kiyotaka Shindo | Information recording media |
| CN1303588C (zh) * | 1991-06-04 | 2007-03-07 | 三菱电机株式会社 | 光学数据存贮介质 |
| CN102122559B (zh) * | 2010-01-08 | 2013-01-02 | 复旦大学 | 一种增强型复合磁性材料及其制备方法和应用 |
| CN111394696A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-10 | 山西师范大学 | 一种低温相锰铋薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3615892A (en) * | 1968-10-30 | 1971-10-26 | Oakite Prod Inc | Composition and method for black coating on metals |
| JPS4989897A (ja) * | 1972-12-29 | 1974-08-28 | ||
| JPS5930230A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-17 | Sony Corp | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
| JP2561655B2 (ja) * | 1987-01-29 | 1996-12-11 | 株式会社日立製作所 | 面内磁気記録媒体 |
-
1988
- 1988-04-28 CN CN88102222A patent/CN1013324B/zh not_active Expired
-
1989
- 1989-04-26 EP EP19890107553 patent/EP0339608A3/en not_active Withdrawn
- 1989-04-26 JP JP89107105A patent/JPH02118042A/ja active Pending
- 1989-04-27 US US07/343,592 patent/US4975336A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06267126A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法および記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4975336A (en) | 1990-12-04 |
| CN1013324B (zh) | 1991-07-24 |
| CN1037797A (zh) | 1989-12-06 |
| EP0339608A3 (en) | 1990-11-07 |
| EP0339608A2 (en) | 1989-11-02 |
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