JPS60227404A - 磁気光学記録再生用薄膜材料及びその製造方法 - Google Patents
磁気光学記録再生用薄膜材料及びその製造方法Info
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- JPS60227404A JPS60227404A JP6756084A JP6756084A JPS60227404A JP S60227404 A JPS60227404 A JP S60227404A JP 6756084 A JP6756084 A JP 6756084A JP 6756084 A JP6756084 A JP 6756084A JP S60227404 A JPS60227404 A JP S60227404A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野１
本発明は、レーザー光により情報の記録、再生、消去を
行う磁気光学記録再生用薄膜材料及びその製造方法に関
する。
行う磁気光学記録再生用薄膜材料及びその製造方法に関
する。
［技術背景と従来技術１
近年、高密度高アクセス速度等種々の要求を満足しうる
メモリとして、光メモリが開発されている。これらの光
メモリを分類すれば、記録ディスク上にビット列を形成
しピット部における光ビームの回折現象を利用して再生
信号を得る方法及び記録媒体の反射率変化を利用して再
生信号を得る方法がある。
メモリとして、光メモリが開発されている。これらの光
メモリを分類すれば、記録ディスク上にビット列を形成
しピット部における光ビームの回折現象を利用して再生
信号を得る方法及び記録媒体の反射率変化を利用して再
生信号を得る方法がある。
これらは、再生専用及び追記書込可能型の光デイスク装
置として実用に供されている。しかし、磁気ディスクの
ように不要情報を消去し再再込可能な光ディスクは未だ
研究開発段階にあり、その実用化が急がれているもので
ある。
置として実用に供されている。しかし、磁気ディスクの
ように不要情報を消去し再再込可能な光ディスクは未だ
研究開発段階にあり、その実用化が急がれているもので
ある。
光磁気ディスクに用いられる記録１ｆ１牛用薄膜材料と
しては、従来Ｇｄ、Ｄｙ、゛「ｂ等の希土類元素とｌ’
ｃＳＣｏ、Ｎ１等の遷移金属からなる非晶質合金薄膜及
びＭｎＣｕＢ１．ＭｎＡｌＧｅ′￥？のＭｎ系化合物薄
膜が知られている。
しては、従来Ｇｄ、Ｄｙ、゛「ｂ等の希土類元素とｌ’
ｃＳＣｏ、Ｎ１等の遷移金属からなる非晶質合金薄膜及
びＭｎＣｕＢ１．ＭｎＡｌＧｅ′￥？のＭｎ系化合物薄
膜が知られている。
希土類−遷移金属非晶質合金薄膜は、カー回転角が小さ
しそのため再生時の信号強度が小さＶ）という欠点を有
している。この欠点を改良するために、多層薄膜構造と
し尤の反射、干渉を利用し見掛けのカー回転角を増大さ
せる試みも行われている。しかし、カー回転角が大きく
なると光反射率が低下してしまうために、信号強度を増
大させる根本的な改良とはなっていない。
しそのため再生時の信号強度が小さＶ）という欠点を有
している。この欠点を改良するために、多層薄膜構造と
し尤の反射、干渉を利用し見掛けのカー回転角を増大さ
せる試みも行われている。しかし、カー回転角が大きく
なると光反射率が低下してしまうために、信号強度を増
大させる根本的な改良とはなっていない。
また、Ｍｎ系化合物薄膜については、その磁性がＭｎ原
子同志の原子間距離に鋭敏であり、そのため結晶構造が
くずれた場合全く磁性を示さなり・という特徴を有して
いる。このため通常は熱処理を施し規則的な結晶構造を
付与し、実用に供さなければならない。その−例として
、Ｍ ｎ Ｃｕ Ｂ ｉの場合にはその製造方法がＭｎ
、Ｃｕ、Ｂｉを交互に積層蒸着した後、熱処理を行い高
温下で反応を生じさせて、ＭｎＣｕＢ１化合物の薄膜を
得るというように、製造法が複雑であり、佳つ高温環境
下にさらされるために基板材料としてガラス、金属等の
耐熱性材料しか用いることができない等の欠点を有して
いた。
子同志の原子間距離に鋭敏であり、そのため結晶構造が
くずれた場合全く磁性を示さなり・という特徴を有して
いる。このため通常は熱処理を施し規則的な結晶構造を
付与し、実用に供さなければならない。その−例として
、Ｍ ｎ Ｃｕ Ｂ ｉの場合にはその製造方法がＭｎ
、Ｃｕ、Ｂｉを交互に積層蒸着した後、熱処理を行い高
温下で反応を生じさせて、ＭｎＣｕＢ１化合物の薄膜を
得るというように、製造法が複雑であり、佳つ高温環境
下にさらされるために基板材料としてガラス、金属等の
耐熱性材料しか用いることができない等の欠点を有して
いた。
［発明の目的１
本発明は、カー回転角が大きく、また製造方法について
も特に高温熱処理を必要とせず製造プロセス上並びに基
板材料の選択に際しても有利であるＭｎ系化合物薄膜か
ら成る磁気光学記録再生用材料を提供すべくなされもの
である。
も特に高温熱処理を必要とせず製造プロセス上並びに基
板材料の選択に際しても有利であるＭｎ系化合物薄膜か
ら成る磁気光学記録再生用材料を提供すべくなされもの
である。
更に詳しくは、本発明は磁気光学効果を利用して信号を
読み出す磁気光学記録用ディスクの磁気光学記録再生用
薄膜材料として、ＰＬ、Ｍｎ及びＳｂから成る３元素化
合物の薄膜であって磁気カー回転角が大きく再生信号強
度の大きな磁気光学記録再生用薄膜材料を提供するとと
もに、上記材料の容易な製造方法を提供すべくなされた
ものである。
読み出す磁気光学記録用ディスクの磁気光学記録再生用
薄膜材料として、ＰＬ、Ｍｎ及びＳｂから成る３元素化
合物の薄膜であって磁気カー回転角が大きく再生信号強
度の大きな磁気光学記録再生用薄膜材料を提供するとと
もに、上記材料の容易な製造方法を提供すべくなされた
ものである。
［発明の構成と開示１
本願第１の発明は、ＰＬ、Ｍｎ及びｓｂから成る３元素
化合物の薄膜であって極力−効果を有する磁気光学記録
再生用薄膜材料に関するものであり、本願第２の発明は
、基板」二にＰＬ、Ｍｕ及びｓｂを同時にスパッタリン
グすることにより、該基板上にＰｆｌ、Ｍｎ及びｓｂか
ら成る３元素化合物の薄膜を形成すことを特徴とする磁
気光学記録再生用薄膜材料の製造方法に関するものであ
る。
化合物の薄膜であって極力−効果を有する磁気光学記録
再生用薄膜材料に関するものであり、本願第２の発明は
、基板」二にＰＬ、Ｍｕ及びｓｂを同時にスパッタリン
グすることにより、該基板上にＰｆｌ、Ｍｎ及びｓｂか
ら成る３元素化合物の薄膜を形成すことを特徴とする磁
気光学記録再生用薄膜材料の製造方法に関するものであ
る。
本発明におけるＰＬ、Ｍｎ及びｓｂから成る３元素化合
物とは、Ｃ１ｂ−型の結晶構造を有しており、ホイスラ
ー合金Ａ７ＭｎＸ（ＡはＰｄ、Ｎｉ、ｐｔ等ＸはＳｎ、
Ｓｂ、Ｇｅ等）のＡ原子の半分が規則的に欠如した構造
のものである。、Ｐ Ｌ Ｍｎ及びｓｂから成る３元素
化合物については、最近減圧アルゴン雰囲気下８５０℃
での２週間の加熱処理によって作成された材料が優れた
カー効果を有することがＰ 、 Ｇ 、ｖａｎ Ｅ ｎ
ｇｅｎらにより報告されているが（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙ
ｓ、 ＬｅｔＬ、 Ｖｏｌ、４２ Ｎｏ、２ ｐ２０２
−２０４゜１５ Ｊ ａｎｕａｒｙ１９８３）、この化
合物については薄膜の材料は得られていなかった。
物とは、Ｃ１ｂ−型の結晶構造を有しており、ホイスラ
ー合金Ａ７ＭｎＸ（ＡはＰｄ、Ｎｉ、ｐｔ等ＸはＳｎ、
Ｓｂ、Ｇｅ等）のＡ原子の半分が規則的に欠如した構造
のものである。、Ｐ Ｌ Ｍｎ及びｓｂから成る３元素
化合物については、最近減圧アルゴン雰囲気下８５０℃
での２週間の加熱処理によって作成された材料が優れた
カー効果を有することがＰ 、 Ｇ 、ｖａｎ Ｅ ｎ
ｇｅｎらにより報告されているが（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙ
ｓ、 ＬｅｔＬ、 Ｖｏｌ、４２ Ｎｏ、２ ｐ２０２
−２０４゜１５ Ｊ ａｎｕａｒｙ１９８３）、この化
合物については薄膜の材料は得られていなかった。
Ｍ ｎ Ｓ ｂから成る化合物については薄膜の材料が
Ｍ 、 Ｓ、 Ｖ ｉ 、ｉａｙａｒａｇｈａｖａｎら
により報告されているが（Ｊ 、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ
、５１（７）、ｐ３９４９・−３９５２Ｊｕｌｙ１９８
０）、本発明者の研究によれば、このものは磁気カー回
転角が不十分であり、本明細書の比較例にも示すように
スパッタリング法により形成されたＭｎＳｂ薄膜は極力
−回転角が０．２１°とＴｂＦｃ非晶質膜と同程度であ
る。
Ｍ 、 Ｓ、 Ｖ ｉ 、ｉａｙａｒａｇｈａｖａｎら
により報告されているが（Ｊ 、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ
、５１（７）、ｐ３９４９・−３９５２Ｊｕｌｙ１９８
０）、本発明者の研究によれば、このものは磁気カー回
転角が不十分であり、本明細書の比較例にも示すように
スパッタリング法により形成されたＭｎＳｂ薄膜は極力
−回転角が０．２１°とＴｂＦｃ非晶質膜と同程度であ
る。
本発明者は、Ｍ ｎ Ｓ ｂ薄膜よりも磁気カー回転角
が大きい薄膜を得るべく研究を行った結果、Ｍｎ５ｂに
Ｐｔを添加しＰｔ、Ｍｎ及びｓｂから成る３元素化合物
とすることにより、その磁気カー回転角が格段に向上す
ることを見出し、しかもこの材料がスパッタリング法に
より容易に低温の基板上に成長し何等熱処理を必要とす
ることなく磁気カー効果を有する磁性膜として製造しう
ろことを見出しＰＬ、Ｍｎ及びｓｂから成る化合物の薄
膜化に成功し、本発明に至ったものである。
が大きい薄膜を得るべく研究を行った結果、Ｍｎ５ｂに
Ｐｔを添加しＰｔ、Ｍｎ及びｓｂから成る３元素化合物
とすることにより、その磁気カー回転角が格段に向上す
ることを見出し、しかもこの材料がスパッタリング法に
より容易に低温の基板上に成長し何等熱処理を必要とす
ることなく磁気カー効果を有する磁性膜として製造しう
ろことを見出しＰＬ、Ｍｎ及びｓｂから成る化合物の薄
膜化に成功し、本発明に至ったものである。
本発明におけるＰｔ、Ｍｎ及びＳｂから成る３元素化合
物とは、これら３元素を主成分としてなるものであり、
この化合物の結晶補遺及びその特性を損なわない限りに
おいて史に他の元素を含みうるものであり、例えばＰＩ
の一部を置き換えてＣｒ、Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃ
ｕＳ Ｒｕ、 Ｒｈ、 Ｐｂ、 Ａｇ、 Ｉ ｒ。
物とは、これら３元素を主成分としてなるものであり、
この化合物の結晶補遺及びその特性を損なわない限りに
おいて史に他の元素を含みうるものであり、例えばＰＩ
の一部を置き換えてＣｒ、Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃ
ｕＳ Ｒｕ、 Ｒｈ、 Ｐｂ、 Ａｇ、 Ｉ ｒ。
Ａｕ等の遷移元素を含むものであっても良いし、またｓ
ｂの一部を置き換えてＡ１、Ｇａ、Ｉｎ、′「１１Ｓ
ｉ、 Ｇｅ、 Ｓｎ、 Ｆ’ｂ、 Ｉ”、Ａｓ、Ｂｉ、
Ｓ、Ｓｒ、Ｔｅ等を含むものであっても良い。そして本
発明においては、この３元素化合物が薄膜状態の材料と
して形成されていることを特徴とし優れた極力−効果を
有する磁気范学記＠再生用材料として実用に供されるも
のである。 次に本発明に係る磁気光学記録再生用＃膜
材料は、高周波もしくは直流スパッタリング法により形
成されるものであり、金属、プラスチック、ガラス等の
基板りに容易に作成することが１ｉｆ能である。薄膜作
成時の基板温度は、基板材料の耐熱温度以Ｆであれば制
限されないが、スパッタリング法を用いることにより、
特に耐熱温度が１００℃以下の基板−ヒへの薄膜の形成
も容易に行うことができる。基板温度を１００℃以下と
すれば、アクリル樹脂、ポリカーボネート等の光学用プ
ラスチック材料上への薄膜の製造が可能であり、安価な
光磁気ディスク板を供給できる点で実用−ヒ有用である
。
ｂの一部を置き換えてＡ１、Ｇａ、Ｉｎ、′「１１Ｓ
ｉ、 Ｇｅ、 Ｓｎ、 Ｆ’ｂ、 Ｉ”、Ａｓ、Ｂｉ、
Ｓ、Ｓｒ、Ｔｅ等を含むものであっても良い。そして本
発明においては、この３元素化合物が薄膜状態の材料と
して形成されていることを特徴とし優れた極力−効果を
有する磁気范学記＠再生用材料として実用に供されるも
のである。 次に本発明に係る磁気光学記録再生用＃膜
材料は、高周波もしくは直流スパッタリング法により形
成されるものであり、金属、プラスチック、ガラス等の
基板りに容易に作成することが１ｉｆ能である。薄膜作
成時の基板温度は、基板材料の耐熱温度以Ｆであれば制
限されないが、スパッタリング法を用いることにより、
特に耐熱温度が１００℃以下の基板−ヒへの薄膜の形成
も容易に行うことができる。基板温度を１００℃以下と
すれば、アクリル樹脂、ポリカーボネート等の光学用プ
ラスチック材料上への薄膜の製造が可能であり、安価な
光磁気ディスク板を供給できる点で実用−ヒ有用である
。
スパッタリングに際しては、ｒ’ｔ、 Ｍｎ、 Ｓｂの
各独立のターゲットを用意してこれらの３元素がプラズ
マ中で混合されるようにしても良いが、プラズマ中で十
分な混合状態が保持され出来るだけ均一・な３元素化合
物の薄膜が基板上に形成されるようにするためには３成
分の複合ターゲットを用いるのが望ましい。複合ターゲ
ットとしては例えばＭｎのタープ、７ ）−ヒにｓｂの
チップとｐｔのチップを適当な配置で複数載せたもの、
あるいはｐｔとＭｎの合金のターゲット上にｓｂのチッ
プを載せたもの等を用いることができる。
各独立のターゲットを用意してこれらの３元素がプラズ
マ中で混合されるようにしても良いが、プラズマ中で十
分な混合状態が保持され出来るだけ均一・な３元素化合
物の薄膜が基板上に形成されるようにするためには３成
分の複合ターゲットを用いるのが望ましい。複合ターゲ
ットとしては例えばＭｎのタープ、７ ）−ヒにｓｂの
チップとｐｔのチップを適当な配置で複数載せたもの、
あるいはｐｔとＭｎの合金のターゲット上にｓｂのチッ
プを載せたもの等を用いることができる。
スパッタリングの雰囲気は、通常ＡｒＪ’スを用いるが
、スパッタリング中におけるＰＬ、Ｍｎ１Ｓｂターゲツ
ト及び作成された膜の酸化を防止するために、還元性ガ
スである水素を適当量添加してもかまわない。Ａｒ圧力
はスパッタリングが生じるグロー放電領域である１０１
〜１０−’ Ｔ ｏｒｒが用いられる。
、スパッタリング中におけるＰＬ、Ｍｎ１Ｓｂターゲツ
ト及び作成された膜の酸化を防止するために、還元性ガ
スである水素を適当量添加してもかまわない。Ａｒ圧力
はスパッタリングが生じるグロー放電領域である１０１
〜１０−’ Ｔ ｏｒｒが用いられる。
Ｆ記の方法により形成される薄膜の厚さは、３０人・−
数μであるが、光の反射、ｆ渉を利用し見掛けのカー回
転角を増大させる目的のためにＳｉｎ。
数μであるが、光の反射、ｆ渉を利用し見掛けのカー回
転角を増大させる目的のためにＳｉｎ。
ＡｉＮ等の誘電体膜やＡ（１，Ａｕ、Ｃｕ等の金属反射
膜と積層化し、多層構造とする場合や、また非晶質Ｔｂ
Ｆ”ｅ、ＣｏＣｒ等の他の％ （ｆｌ。磁化膜と積層化
し、本発明のＰ ｔ％Ｍｎ、 Ｓｔ、からなる３元素化
合物の薄膜に垂直磁気異方性を透気させ本発明による膜
を光読出層、下地垂直磁化膜を記録保持層として用いる
場合は５０〜３’ＯＯλ程度の膜厚が好ましい。
膜と積層化し、多層構造とする場合や、また非晶質Ｔｂ
Ｆ”ｅ、ＣｏＣｒ等の他の％ （ｆｌ。磁化膜と積層化
し、本発明のＰ ｔ％Ｍｎ、 Ｓｔ、からなる３元素化
合物の薄膜に垂直磁気異方性を透気させ本発明による膜
を光読出層、下地垂直磁化膜を記録保持層として用いる
場合は５０〜３’ＯＯλ程度の膜厚が好ましい。
［発明の効果Ｊ
本発明によれば、ＰＬ、Ｍｎ及びｓｂから成る３元素化
合物の薄膜が得られ、極力−効果の大きい磁性膜が得ら
れるため信号再生時の信号強度の大きい磁気光学記録再
生用薄膜材料として光磁気ディスク用媒体の用途に有用
に用いることができる。
合物の薄膜が得られ、極力−効果の大きい磁性膜が得ら
れるため信号再生時の信号強度の大きい磁気光学記録再
生用薄膜材料として光磁気ディスク用媒体の用途に有用
に用いることができる。
また本発明方法によればスパッタリング法を用いるため
熱処理二［程を必要とすることなく容易に薄膜を製造す
ることができ、更に低温の基板−Ｌへの結晶の成長が可
能であるため基板材料の選択範囲が広く比較的安価な光
磁気ディスク板を提供することができる。
熱処理二［程を必要とすることなく容易に薄膜を製造す
ることができ、更に低温の基板−Ｌへの結晶の成長が可
能であるため基板材料の選択範囲が広く比較的安価な光
磁気ディスク板を提供することができる。
天施例
５インチ径のＭｎのターゲット−ヒに１０＋ｙ角厚さ２
ｏのｓｂチップ４６枚及び１０ｘａ角 厚さＩｎの）〕
［チフッ１１０を対称となるように配置した複合ターゲ
ットを用いてスパッタリング用ターゲットとした。
ｏのｓｂチップ４６枚及び１０ｘａ角 厚さＩｎの）〕
［チフッ１１０を対称となるように配置した複合ターゲ
ットを用いてスパッタリング用ターゲットとした。
スパッタ装置としては、徳田關作所製ＣＦ−８ＥＳマグ
ネトロンスパッタリング装置を用いた。
ネトロンスパッタリング装置を用いた。
スパッタリング条件は、投入電力２００Ｗ、アルゴン雰
囲気圧６ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒであり、ターゲツト面
上の汚れ、酸化膜等を除くため２０分間シャターを閉じ
てプレスパツタを行い、その後シャタ−を開いて、プラ
ス基板−Ｖに厚さ２０００λの薄膜を形成した。スパッ
タ時の基板温度をサーモラベルにより測定した結果８０
℃であった。形成された薄膜の特性は、ｔｊＩＪ１図に
示すように６３３１波長で磁気カー回転角（極力−回転
角）０．４０°を示し、面内磁気異方性を有する膜であ
った。
囲気圧６ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒであり、ターゲツト面
上の汚れ、酸化膜等を除くため２０分間シャターを閉じ
てプレスパツタを行い、その後シャタ−を開いて、プラ
ス基板−Ｖに厚さ２０００λの薄膜を形成した。スパッ
タ時の基板温度をサーモラベルにより測定した結果８０
℃であった。形成された薄膜の特性は、ｔｊＩＪ１図に
示すように６３３１波長で磁気カー回転角（極力−回転
角）０．４０°を示し、面内磁気異方性を有する膜であ
った。
膜の組成は、蛍光Ｘ線による定性分析によればＰｔ、Ｍ
ｎ及びｓｂを含んでおり、原子吸光分析によればＰｔ：
Ｍｎ：Ｓｂの原子数比は２３：４３：３４であった。ま
たＸ線回折によれば（１１１）の反射面に鋭いピークを
示しＣ１ｂ型の結晶構造であることが確認された。
ｎ及びｓｂを含んでおり、原子吸光分析によればＰｔ：
Ｍｎ：Ｓｂの原子数比は２３：４３：３４であった。ま
たＸ線回折によれば（１１１）の反射面に鋭いピークを
示しＣ１ｂ型の結晶構造であることが確認された。
比較例
５インチ径の９９．９９％の純度のＭｎターデッ）１に
１０＃Ｊ＋角 厚さ２Ｈの９９．９９％の純度のｓｂチ
ップ５２枚を対称に配置した複合ターゲットを用いてス
パッタターゲットとした。
１０＃Ｊ＋角 厚さ２Ｈの９９．９９％の純度のｓｂチ
ップ５２枚を対称に配置した複合ターゲットを用いてス
パッタターゲットとした。
スパッタ条件は実施例と同様とし、ガラス基板上に厚さ
２５００スの薄膜を形成した。
２５００スの薄膜を形成した。
磁気カー回転角（極力−回転角）を測定しところ６３３
ｚ＊の波長で０．２１”であった、、極力−回転角の測
定例をｆ５２図に示す。
ｚ＊の波長で０．２１”であった、、極力−回転角の測
定例をｆ５２図に示す。
蛍光Ｘ線による定性分析によればＭｎ、Ｓｂの２成分に
より構成されており、原子吸光分析によればＭｎ：Ｓｂ
の原子数比は５１：４９であった。またＸ線回折によれ
ば（ｉｉｏ）反射面に鋭いピークを示しＭｎＳｂ化合物
を代表するＮｉＡｓ型の結晶構造であることが確認され
た。
より構成されており、原子吸光分析によればＭｎ：Ｓｂ
の原子数比は５１：４９であった。またＸ線回折によれ
ば（ｉｉｏ）反射面に鋭いピークを示しＭｎＳｂ化合物
を代表するＮｉＡｓ型の結晶構造であることが確認され
た。
第１図は、本発明の実施例に基づき作成されたＰＬ、Ｍ
ｎ及びｓｂから成る３元素化合物の薄膜について６３３
ｗｘ波長で測定された磁気カー回転角を印加磁界に対し
て示したグラフである。 第２図は、比較例に基づき作成されたＭｎＳｂ薄校に９
いて６３３ｕ汲長で測定された磁気カー回転角を印加磁
界に対して示したグツ７である。 第 １ 図 第２図 手 続 補 正 書、（自発） 昭和５９ 、（ｌ−９月２５８ 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第６７５６０号 ２、発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都￥ＷＫｕ米ｋＭＭＷ”ｘ丁目９番１１号名
称 （１１０） 貧’４（ｅ￥〒ソ棟式会式会社６正の
内容 （１）明細書１１１頁第６行（［・・・・・・膜であっ
た。」の行）と同頁第７行（１−膜の組成は・・・・・
・」の行）の間に次の記載を挿入する。 「 第１図において、磁気カー回転角（極力−回転角）
の値が０．１８°及び−０，１８°の付近に現れている
グラフ曲線上の滑らかでない変化は、垂直磁気異方性に
基づくものと判断され、この膜が垂直磁気異方性を有す
ることを示している。」（２）明細書第９頁第１２行に
［透気］とあるのを「誘起」と訂正する。 Ｔ−統 補 正 書（自発） 昭和５９年９月２７日 特許庁長官 志 賀 ・ｒ 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第６７５６０号 ２、発明の名称 磁気光学記録再生用薄膜材料及びその 製造方法 ３、補正をする者 ｉｓ ｒｌ＋、との関係 特許出願人 住所 東京都苓芙Ｖ日−’ｔｋＭＭＭ’を丁目９番１１
号名称 （１１０’）％弱゛イｅ￥〒Ｗｂ式会社代表者
に 板 Ｆ′ ４、代理人 明細書の「発明の詳細な説明］の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第１０頁第９行の［＊施例］を「実施例１
」（２）明細書第１１頁第１２行（「とが確認された。 −１の行）と同頁第１４行（「比較例」の行）の間に以
下の記載を挿入する。 ［実施例２ ５インチ径のＭｎのターゲット上に１０ｚｚ角厚さ２■
のｓｂチップ及び１０ｉｘ角 厚さ１ａｘのｐｔチップ
をそれぞれ第１表に示した枚数ずつ対称となるように配
置した試料Ｎｏ、１〜１２の複合ターゲットを用いてス
パッタリング用ターデッドとした他は、実施例１と同様
にしてスパッタリングを行い基板上に薄膜を形成した。 スパッタ時の基板温度をサーモラベルにより測定した結
果いずれの試料についても８０℃であった。形成された
薄膜の特性については、６３３ｚｗ波長で測定した各試
料の磁気カー回転角（極力−回転角）を第１表に示した
。いずれの試料も面内磁気異方性を有する膜であった。 膜の組成は、蛍光Ｘ線による定性分析によればＰＬ、Ｍ
ｎ及びｓｂを含んでおり、誘導結合プラズマ発光分析法
により測定したＰｔ：Ｍｎ：Ｓｂの原子数比を各試料に
ついて＠１表に示した。またＸ線回折によればＣｕ−Ｋ
ａ線により２θ＝２４．５゜近辺に鋭いピークを示した
。 第１表
ｎ及びｓｂから成る３元素化合物の薄膜について６３３
ｗｘ波長で測定された磁気カー回転角を印加磁界に対し
て示したグラフである。 第２図は、比較例に基づき作成されたＭｎＳｂ薄校に９
いて６３３ｕ汲長で測定された磁気カー回転角を印加磁
界に対して示したグツ７である。 第 １ 図 第２図 手 続 補 正 書、（自発） 昭和５９ 、（ｌ−９月２５８ 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第６７５６０号 ２、発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都￥ＷＫｕ米ｋＭＭＷ”ｘ丁目９番１１号名
称 （１１０） 貧’４（ｅ￥〒ソ棟式会式会社６正の
内容 （１）明細書１１１頁第６行（［・・・・・・膜であっ
た。」の行）と同頁第７行（１−膜の組成は・・・・・
・」の行）の間に次の記載を挿入する。 「 第１図において、磁気カー回転角（極力−回転角）
の値が０．１８°及び−０，１８°の付近に現れている
グラフ曲線上の滑らかでない変化は、垂直磁気異方性に
基づくものと判断され、この膜が垂直磁気異方性を有す
ることを示している。」（２）明細書第９頁第１２行に
［透気］とあるのを「誘起」と訂正する。 Ｔ−統 補 正 書（自発） 昭和５９年９月２７日 特許庁長官 志 賀 ・ｒ 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第６７５６０号 ２、発明の名称 磁気光学記録再生用薄膜材料及びその 製造方法 ３、補正をする者 ｉｓ ｒｌ＋、との関係 特許出願人 住所 東京都苓芙Ｖ日−’ｔｋＭＭＭ’を丁目９番１１
号名称 （１１０’）％弱゛イｅ￥〒Ｗｂ式会社代表者
に 板 Ｆ′ ４、代理人 明細書の「発明の詳細な説明］の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第１０頁第９行の［＊施例］を「実施例１
」（２）明細書第１１頁第１２行（「とが確認された。 −１の行）と同頁第１４行（「比較例」の行）の間に以
下の記載を挿入する。 ［実施例２ ５インチ径のＭｎのターゲット上に１０ｚｚ角厚さ２■
のｓｂチップ及び１０ｉｘ角 厚さ１ａｘのｐｔチップ
をそれぞれ第１表に示した枚数ずつ対称となるように配
置した試料Ｎｏ、１〜１２の複合ターゲットを用いてス
パッタリング用ターデッドとした他は、実施例１と同様
にしてスパッタリングを行い基板上に薄膜を形成した。 スパッタ時の基板温度をサーモラベルにより測定した結
果いずれの試料についても８０℃であった。形成された
薄膜の特性については、６３３ｚｗ波長で測定した各試
料の磁気カー回転角（極力−回転角）を第１表に示した
。いずれの試料も面内磁気異方性を有する膜であった。 膜の組成は、蛍光Ｘ線による定性分析によればＰＬ、Ｍ
ｎ及びｓｂを含んでおり、誘導結合プラズマ発光分析法
により測定したＰｔ：Ｍｎ：Ｓｂの原子数比を各試料に
ついて＠１表に示した。またＸ線回折によればＣｕ−Ｋ
ａ線により２θ＝２４．５゜近辺に鋭いピークを示した
。 第１表
Claims (5)
- （１）Ｐｔ、Ｍｎ及びｓｂから成る３元素化合物の薄膜
であって極力−効果を有する磁気光学記録再生用薄膜材
料。 - （２）基板上にＰＬ、Ｍｎ及びｓｂを同時にスパッタリ
ングすることにより、該基板上にＰＬ、Ｍｎ及びｓｂか
ら成る３元素化合物の薄膜を形成すことを特徴とする磁
気光学記録再生用薄膜材料の製造方法。 - （３）スパッタリングの際のターゲットがｐｔ、Ｍｎ及
びｓｂの複合ターゲットである特許請求の範囲第２項記
載の磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法。 - （４）複合ターゲットがＭｎのターゲット七にＰｔのチ
ップとｓｂのチップを載せたものである特許請求の範囲
第３項記載の磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法。 - （５）基板温度が１００℃以Ｆである特許請求の範囲第
２項記載の磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6756084A JPS60227404A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 磁気光学記録再生用薄膜材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6756084A JPS60227404A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 磁気光学記録再生用薄膜材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60227404A true JPS60227404A (ja) | 1985-11-12 |
Family
ID=13348463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6756084A Pending JPS60227404A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 磁気光学記録再生用薄膜材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60227404A (ja) |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP6756084A patent/JPS60227404A/ja active Pending
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