JPS61115317A - 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法 - Google Patents
磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法Info
- Publication number
- JPS61115317A JPS61115317A JP23598384A JP23598384A JPS61115317A JP S61115317 A JPS61115317 A JP S61115317A JP 23598384 A JP23598384 A JP 23598384A JP 23598384 A JP23598384 A JP 23598384A JP S61115317 A JPS61115317 A JP S61115317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- sputtering
- bias voltage
- negative
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、レーザー光により情報の記録、再生、消去を
行うＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系化合物からなる磁気光学記録再
生用薄膜材料の製造方法に関する。
行うＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系化合物からなる磁気光学記録再
生用薄膜材料の製造方法に関する。
［従来の技術１
近年、高密度高アクセス速度等種々の要求を満足しうる
メモリとして、光メモリが開発されている。これらの先
メモリを分類すれば、記録ディスク上にビット列を形成
しピッ）Ｓｂにおける光ビームの回折現象を利用して再
生信号を得る方法及び記録媒体の反射率変化を利用して
再生信号を得る方法がある。
メモリとして、光メモリが開発されている。これらの先
メモリを分類すれば、記録ディスク上にビット列を形成
しピッ）Ｓｂにおける光ビームの回折現象を利用して再
生信号を得る方法及び記録媒体の反射率変化を利用して
再生信号を得る方法がある。
これらは、再生専用及び追記書込可能型の光デイスク装
置として実用に供されている。しかし、磁気ディスクの
ように不要情報を消去し再書込可能な光ディスクは未だ
研究開発段階にあり、その実用化が急がれている。
置として実用に供されている。しかし、磁気ディスクの
ように不要情報を消去し再書込可能な光ディスクは未だ
研究開発段階にあり、その実用化が急がれている。
光磁気ディスクに用いられる記録再生用薄膜材料として
は、従来Ｇｄ、 Ｄｙ、 Ｔｂ等の希土類元素とＦｅ％
Ｃｏ、Ｎｉ等の遷移金属からなる非晶質合金薄膜及びＭ
ｎＣｕＢ１．ＭｎＡｌＧｅ等のＭｎ１Ａ化合物薄膜が知
られている。
は、従来Ｇｄ、 Ｄｙ、 Ｔｂ等の希土類元素とＦｅ％
Ｃｏ、Ｎｉ等の遷移金属からなる非晶質合金薄膜及びＭ
ｎＣｕＢ１．ＭｎＡｌＧｅ等のＭｎ１Ａ化合物薄膜が知
られている。
希土類−遷移金属非晶質合金薄膜は、カー回転角が小さ
く、そのため再生時の信号強度が小さいという欠点を有
している。この欠点を改良するために、多層薄膜構造と
し尤の反射、干渉を利用し見掛けのカー回転角を増大さ
せる試みも行われている。しかし、カー回転角が大きく
なると光反射率が低下してしまうために、信号強度を増
大させる根本的な改良とはなっていない。
く、そのため再生時の信号強度が小さいという欠点を有
している。この欠点を改良するために、多層薄膜構造と
し尤の反射、干渉を利用し見掛けのカー回転角を増大さ
せる試みも行われている。しかし、カー回転角が大きく
なると光反射率が低下してしまうために、信号強度を増
大させる根本的な改良とはなっていない。
また、Ｍ ｎ系化合物薄膜についでは、その磁性がＭｎ
原子同志の原子間距離に鋭敏であり、そのため結晶構造
がくずれた場合全く磁性を示さないという特徴を有して
いる。このため通常は熱処理を施し規則的な結晶構造を
付与し、実用に供さなければならない。その−例として
、ＭｎＣｕＢ１の場合にはその製造方法がＭ ｎ５Ｃｕ
ｓ Ｂ ｉを交互に積層蒸着した後、熱処理を行い高温
下で反応を生じさせて、ＭｎＣｕＢ１化合物の薄膜を得
るというように、製造法が複雑であり、且つ高温環境下
にさらされるために基板材料としてガラス、金属等の耐
熱性材料しか用いることができない等の欠点を有してい
た。
原子同志の原子間距離に鋭敏であり、そのため結晶構造
がくずれた場合全く磁性を示さないという特徴を有して
いる。このため通常は熱処理を施し規則的な結晶構造を
付与し、実用に供さなければならない。その−例として
、ＭｎＣｕＢ１の場合にはその製造方法がＭ ｎ５Ｃｕ
ｓ Ｂ ｉを交互に積層蒸着した後、熱処理を行い高温
下で反応を生じさせて、ＭｎＣｕＢ１化合物の薄膜を得
るというように、製造法が複雑であり、且つ高温環境下
にさらされるために基板材料としてガラス、金属等の耐
熱性材料しか用いることができない等の欠点を有してい
た。
［発明が解決しようとする問題点］
上記の実状に鑑み、本発明者は先に、スパッタリング法
を用いることにより、Ｐ ｔ−Ｍｎ−ＳｂＭ化合物の薄
膜化に成功した結果、磁気光学効果を利用して信号を読
み出す磁気光学記録用ディスクの材料として、Ｐｔ、Ｍ
ｎ及ｖＳｂから成る３元素化合物の薄膜であって磁気カ
ー回転角が大きく再生信号強度の大きな磁気光学記録再
生用薄膜材料並びにＥ記材料の容易なｙｔ′Ｊ７Ｌ方法
につき発明し、これに関しては既に出願されている（特
願昭５９−６７５６０号）。しかし、このようにスパッ
タリング法で形成されるＰ Ｌ−Ｍｎ−ＳｂｉＡ化合物
の薄膜は磁気カー効果については尚改良すべき点があり
、本発明者は更に、製造方法の改良によ’）［”ｔ−Ｍ
ｎ−Ｓｂ系薄膜の磁気カー効果を向上させるべく研究し
た。
を用いることにより、Ｐ ｔ−Ｍｎ−ＳｂＭ化合物の薄
膜化に成功した結果、磁気光学効果を利用して信号を読
み出す磁気光学記録用ディスクの材料として、Ｐｔ、Ｍ
ｎ及ｖＳｂから成る３元素化合物の薄膜であって磁気カ
ー回転角が大きく再生信号強度の大きな磁気光学記録再
生用薄膜材料並びにＥ記材料の容易なｙｔ′Ｊ７Ｌ方法
につき発明し、これに関しては既に出願されている（特
願昭５９−６７５６０号）。しかし、このようにスパッ
タリング法で形成されるＰ Ｌ−Ｍｎ−ＳｂｉＡ化合物
の薄膜は磁気カー効果については尚改良すべき点があり
、本発明者は更に、製造方法の改良によ’）［”ｔ−Ｍ
ｎ−Ｓｂ系薄膜の磁気カー効果を向上させるべく研究し
た。
［問題点を解決するための手段］
研究の結果、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜を高周波スパッタ
リングする際に、基板に負の直流バイアス電圧を印加す
ることにより、Ｐｔ−ＭローＳｂ系薄膜の磁気カー回転
角が向上することを見出すに至った。
リングする際に、基板に負の直流バイアス電圧を印加す
ることにより、Ｐｔ−ＭローＳｂ系薄膜の磁気カー回転
角が向上することを見出すに至った。
即ち、本発明は、基板上にＭｎ、 Ｐｔ及びＳｂを同時
にスパッタリングすることによ？）、該基板上にＰｔ−
Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜を形成する方法において、前記基板に
負の直流バイアス電圧を印加しながら高周波スパッタリ
ングを行うことを特徴とする磁気光学記録再生用Ｐ ｌ
Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜材料の製造方法に関する。
にスパッタリングすることによ？）、該基板上にＰｔ−
Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜を形成する方法において、前記基板に
負の直流バイアス電圧を印加しながら高周波スパッタリ
ングを行うことを特徴とする磁気光学記録再生用Ｐ ｌ
Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜材料の製造方法に関する。
本発明におけるＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系化合物とは、これら
３元素を主成分としてなるものであり、この化合物の結
晶構造及びその特性を損なわない限りにおいて更に他の
元素を含みうるちのであり、例えばｐｔの一部を置き換
えてＣｒｓ Ｆｅｓ Ｃｏｓ Ｎ’ｓＣｕ％Ｒｕ、Ｒｈ
、Ｐｂ、Ａｇ、Ｉｒ、Ａｕ等の遷移元素を含むものであ
っても良いし、またＳｂの一部を置き換えてＡｆ、 Ｇ
ａ、 Ｉｎ、 ”Ｉ’ｌ、 Ｓｉ、 Ｇｅ。
３元素を主成分としてなるものであり、この化合物の結
晶構造及びその特性を損なわない限りにおいて更に他の
元素を含みうるちのであり、例えばｐｔの一部を置き換
えてＣｒｓ Ｆｅｓ Ｃｏｓ Ｎ’ｓＣｕ％Ｒｕ、Ｒｈ
、Ｐｂ、Ａｇ、Ｉｒ、Ａｕ等の遷移元素を含むものであ
っても良いし、またＳｂの一部を置き換えてＡｆ、 Ｇ
ａ、 Ｉｎ、 ”Ｉ’ｌ、 Ｓｉ、 Ｇｅ。
Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等を含む
ものであっても良い。
ものであっても良い。
スパッタリングに際しては、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｓｂの各独立
のターゲットを用意してこれらの３元素がプラズマ中で
混合されるようにしても良いが、プラズマ中で十分な混
合状態が保持され８米るだけ均一な３元素化合物の薄膜
が基板上に形成されるようにするためには３成分の複合
ターゲットを用いるのが望ましい。ｖｉ会ターゲットと
しては例えばＭｎのターデッド上にＳｂのチップとｐｔ
のチップを適当な配置で複数載せたもの、あるいはＰｔ
とＭｎの合金のターゲット−ヒにＳｂのチップを載せた
もの等を用いることができる。これらの場合、ターデッ
ドの大きさ及びチップの大きさと数によって成うナの組
成を調整することができる。
のターゲットを用意してこれらの３元素がプラズマ中で
混合されるようにしても良いが、プラズマ中で十分な混
合状態が保持され８米るだけ均一な３元素化合物の薄膜
が基板上に形成されるようにするためには３成分の複合
ターゲットを用いるのが望ましい。ｖｉ会ターゲットと
しては例えばＭｎのターデッド上にＳｂのチップとｐｔ
のチップを適当な配置で複数載せたもの、あるいはＰｔ
とＭｎの合金のターゲット−ヒにＳｂのチップを載せた
もの等を用いることができる。これらの場合、ターデッ
ドの大きさ及びチップの大きさと数によって成うナの組
成を調整することができる。
薄膜を形成する基板は、金属、プラスチックス、プラス
、セラミックス等を用いることができる。
、セラミックス等を用いることができる。
スパッタリングの’ＪＥ ＵＪＪ ５Ｃは、通常アルゴ
ンブスを用いるが、スパッタリング中におけるＭｎ５Ｓ
ｂターゲツト及び作成された膜の酸化を防止するために
、還元性ブスである水素を適当量添加してもかまわない
、アルゴンガス圧力はスパッタリングが生じるグロー放
電領域である １０−３〜１０−’Ｔ ｏｒｒが用いら
れる。
ンブスを用いるが、スパッタリング中におけるＭｎ５Ｓ
ｂターゲツト及び作成された膜の酸化を防止するために
、還元性ブスである水素を適当量添加してもかまわない
、アルゴンガス圧力はスパッタリングが生じるグロー放
電領域である １０−３〜１０−’Ｔ ｏｒｒが用いら
れる。
本発明において使用されるスパッタリング方法は、基板
に負の直流バイアス電圧を印加しながらの高周波スパッ
タリングである。高周波スパッタリングは、通常数１０
〜数ＫＷ、１３．５６ＭＨｚ。
に負の直流バイアス電圧を印加しながらの高周波スパッ
タリングである。高周波スパッタリングは、通常数１０
〜数ＫＷ、１３．５６ＭＨｚ。
程度の高周波電圧をターゲットと基板との間に印加し、
ターゲットの金属を飛散させて基板上に付着させるもの
で、通常の高周波スパッタ法を用いる。基板には、負の
直流バイアス電圧を印加し、従って、基板とターゲット
との間には、負の直流電圧と高周波電圧とが重畳して印
加されることになる。
ターゲットの金属を飛散させて基板上に付着させるもの
で、通常の高周波スパッタ法を用いる。基板には、負の
直流バイアス電圧を印加し、従って、基板とターゲット
との間には、負の直流電圧と高周波電圧とが重畳して印
加されることになる。
第１図は、本発明方法に用いるスパッタリング装置の原
理図である。図において、１は高周波電源、２は基板に
直流バイアス電圧を印加するための直流可変電圧電源、
３はタープ７ト、４は基板、５は真空槽である。高周波
電圧は、ターデッド３とアース電位である真空槽５との
間に印加され、高周波放電を生じる。また、基板４は、
直流バイアス電圧印加用の電源と結線され、アースつま
り真空槽５に対して＋もしくは−の直流バイアス電圧が
印加できるようになっている。
理図である。図において、１は高周波電源、２は基板に
直流バイアス電圧を印加するための直流可変電圧電源、
３はタープ７ト、４は基板、５は真空槽である。高周波
電圧は、ターデッド３とアース電位である真空槽５との
間に印加され、高周波放電を生じる。また、基板４は、
直流バイアス電圧印加用の電源と結線され、アースつま
り真空槽５に対して＋もしくは−の直流バイアス電圧が
印加できるようになっている。
基板が負の電位になると、スパッタリング雰囲気をＮ１
を威している不活性ブスから生じる陽イオン例えばアル
ゴンイオンが基板上に照射される。
を威している不活性ブスから生じる陽イオン例えばアル
ゴンイオンが基板上に照射される。
このイオン照射によって、基板上に形成されるＰｔ−Ｍ
ｎ−Ｓｂ系薄膜の組成の調整と結晶化が促進？！−れる
。
ｎ−Ｓｂ系薄膜の組成の調整と結晶化が促進？！−れる
。
負の直流バイアス電位は僅がでも形成される薄膜の磁気
カー回転角を向上させる効果があるが、電位があまり大
きく負側に偏ると、陽イオン照射の衝撃が激しくなりす
ぎて、形成される薄膜の組成が大きく変動するようにな
る。
カー回転角を向上させる効果があるが、電位があまり大
きく負側に偏ると、陽イオン照射の衝撃が激しくなりす
ぎて、形成される薄膜の組成が大きく変動するようにな
る。
負の直流バイアス電圧を印加した状態でスパッタリング
により基板上に形成されるＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜の組
成は、原子数比で、Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂ＝２０〜３５：３
０〜４５：２０〜４５となるように、好ましくはＰｔ：
Ｍｎ：Ｓｂ＝２２〜３５：３０−４３：２５〜４２とな
るようにするのが磁気カー回転角の大きい薄膜を得るた
めに望ましい。更に望ましく は、 Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂ
＝２５−３５：３０−４０：３０〜４０であり、更によ
り望ましくはＰｔ：Ｍｎ：Ｓｂ＝２８〜３４：３ｔ〜：
３９：３０〜３８である。
により基板上に形成されるＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜の組
成は、原子数比で、Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂ＝２０〜３５：３
０〜４５：２０〜４５となるように、好ましくはＰｔ：
Ｍｎ：Ｓｂ＝２２〜３５：３０−４３：２５〜４２とな
るようにするのが磁気カー回転角の大きい薄膜を得るた
めに望ましい。更に望ましく は、 Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂ
＝２５−３５：３０−４０：３０〜４０であり、更によ
り望ましくはＰｔ：Ｍｎ：Ｓｂ＝２８〜３４：３ｔ〜：
３９：３０〜３８である。
実験によれば、Ｓｂ成分は直流バイアス電圧が負に大き
く偏るほど選択的に再スパツタされて、薄膜中より出て
ゆく傾向が大きいのに対して、Ｐｔ成分は再スパツタさ
れにくいので、直流バイアス電圧が負側に大きくなるほ
ど、ｐｔが多く、Ｓｂが少ない組成となる。Ｍｎの組成
は直流バイアス電圧値によってそれほど変動しない。従
って、あまりにＰｔが多く、Ｓｂが少ない組成とならな
いようにするためには、直流バイアス電圧値は、制限し
て印加する。
く偏るほど選択的に再スパツタされて、薄膜中より出て
ゆく傾向が大きいのに対して、Ｐｔ成分は再スパツタさ
れにくいので、直流バイアス電圧が負側に大きくなるほ
ど、ｐｔが多く、Ｓｂが少ない組成となる。Ｍｎの組成
は直流バイアス電圧値によってそれほど変動しない。従
って、あまりにＰｔが多く、Ｓｂが少ない組成とならな
いようにするためには、直流バイアス電圧値は、制限し
て印加する。
最適な直流バイアス電圧値は、前記したターデッドにお
けるＰｔ、Ｍｎ５Ｓｂの割合によって異なる。
けるＰｔ、Ｍｎ５Ｓｂの割合によって異なる。
例えばＭｎのターデッド上にｐｔチップとＳｂチップを
載せた複合ターゲットの場合、Ｐｔ及ＶＳｂのチップの
大きさと枚数によって異なる。即ち、前記したようにタ
ーゲットにおけるＰｔ％Ｍｎ％Ｓｂの割合によっても薄
膜組成の調整ができるので、再スパツタされやすいＳｂ
のチップを多く、再スパツタされにくいｐｔのチップを
少なくすることによって、印加すべき直流バイアス電圧
値をより負側に大きく採ることができる。
載せた複合ターゲットの場合、Ｐｔ及ＶＳｂのチップの
大きさと枚数によって異なる。即ち、前記したようにタ
ーゲットにおけるＰｔ％Ｍｎ％Ｓｂの割合によっても薄
膜組成の調整ができるので、再スパツタされやすいＳｂ
のチップを多く、再スパツタされにくいｐｔのチップを
少なくすることによって、印加すべき直流バイアス電圧
値をより負側に大きく採ることができる。
勿論、ターゲットによる組成の調整は、組成範囲を変化
させるだけであるから、結晶化にも関係する直流バイア
ス電圧の印加は、磁気カー回転角の大きい薄膜を得るた
めに不可欠である。
させるだけであるから、結晶化にも関係する直流バイア
ス電圧の印加は、磁気カー回転角の大きい薄膜を得るた
めに不可欠である。
また、いかにターデッドによる組成の調整によって負の
電圧値を大きく採れるとしても、あまりに直流バイアス
電圧が負に大きく偏ると、基板上に形成される薄膜の表
面が不均一になるおそれがあるので、ターゲットの成分
割合に拘わらず負の電位は一２００Ｖ程度までが限界で
ある。
電圧値を大きく採れるとしても、あまりに直流バイアス
電圧が負に大きく偏ると、基板上に形成される薄膜の表
面が不均一になるおそれがあるので、ターゲットの成分
割合に拘わらず負の電位は一２００Ｖ程度までが限界で
ある。
本発明者は、スパッタリング中に基板を加熱する方法、
又は形成後のｆＪ＃膜を加熱する方法によって、磁気カ
ー回転角を向上させる方法を発明し、これらについては
既に出願している（特願昭５９−１９６９１１号、特１
１ｉ昭５９−１９７７８０号）。
又は形成後のｆＪ＃膜を加熱する方法によって、磁気カ
ー回転角を向上させる方法を発明し、これらについては
既に出願している（特願昭５９−１９６９１１号、特１
１ｉ昭５９−１９７７８０号）。
本発明方法を実施するに際しては、これらの方法を組み
合わせることも可能である。
合わせることも可能である。
上記の方法により形成される薄膜の厚さは、３０人〜数
μであるが、光の反射、干渉を利用し見掛けのカー回転
角を増大させる目的のために５ｉＯ１ＡＩＮ等の誘電体
膜やＡ１、Ａｕ、Ｃｕ等の金属反射膜と積層化し、多層
横道とする場合や、また非晶質ＴｂＦｅ、ＣｏＣｒ等の
他の垂直磁化膜とｈｔ層化し、本発明のＰ Ｌ−Ｍｎ−
Ｓｂ系化合物の薄膜に垂直磁気異方性を誘起させて本発
明による膜を先読出層、下地垂直磁化膜を記録保持層と
して用いる場合は５０〜３００人程度の膜厚が好ましい
。
μであるが、光の反射、干渉を利用し見掛けのカー回転
角を増大させる目的のために５ｉＯ１ＡＩＮ等の誘電体
膜やＡ１、Ａｕ、Ｃｕ等の金属反射膜と積層化し、多層
横道とする場合や、また非晶質ＴｂＦｅ、ＣｏＣｒ等の
他の垂直磁化膜とｈｔ層化し、本発明のＰ Ｌ−Ｍｎ−
Ｓｂ系化合物の薄膜に垂直磁気異方性を誘起させて本発
明による膜を先読出層、下地垂直磁化膜を記録保持層と
して用いる場合は５０〜３００人程度の膜厚が好ましい
。
［作用１
本発明においては、基板に負の直流バイアス電圧を印加
した状態でＰｔ、Ｍｎ及びＳｂの高周波スパッタリング
を行うことにより、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜の磁気カー
回転角が向上したものが得られる。
した状態でＰｔ、Ｍｎ及びＳｂの高周波スパッタリング
を行うことにより、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜の磁気カー
回転角が向上したものが得られる。
これは、スパッタリング雰囲気を構成する不活性〃スか
ら生じる陽イオンが、負電位の基板上に形成されつつあ
る薄膜の表面に照射され、この衝撃によって、薄膜中の
ＰｔＭｎＳｂの結晶成長核の生成、それに伴う膜の結晶
性の向上、更にＰｔＭｎＳｂが最適な組成比を取りやす
くする等の現象が生じでいるものと考えられる。
ら生じる陽イオンが、負電位の基板上に形成されつつあ
る薄膜の表面に照射され、この衝撃によって、薄膜中の
ＰｔＭｎＳｂの結晶成長核の生成、それに伴う膜の結晶
性の向上、更にＰｔＭｎＳｂが最適な組成比を取りやす
くする等の現象が生じでいるものと考えられる。
［実験例Ｊ１
５インチ径の９９．９９％の純度のＭ１ターデッド上に
、ｌ０ＪＩＩ角 厚さ２Ｊ！１の９９．９９％の純度の
Ｓｂチップ４６枚と、１０ｚｚ角 厚さｌｚｚの９９．
９％の純度のＰｔチップ１４枚を対称に配置した複合タ
ーゲットを用いてス、バッタリングターｒットとした。
、ｌ０ＪＩＩ角 厚さ２Ｊ！１の９９．９９％の純度の
Ｓｂチップ４６枚と、１０ｚｚ角 厚さｌｚｚの９９．
９％の純度のＰｔチップ１４枚を対称に配置した複合タ
ーゲットを用いてス、バッタリングターｒットとした。
スパッタ装置としては、徳山製作所！ＩＣＦ−８ＥＳマ
グネトロンスパッタリング装置を用い、基板に直流バイ
アス電圧を印加するため、基板取付用治几に真空槽外部
より直流バイアス電圧を印加できるように改造した。
グネトロンスパッタリング装置を用い、基板に直流バイ
アス電圧を印加するため、基板取付用治几に真空槽外部
より直流バイアス電圧を印加できるように改造した。
ガラス基板に直流バイアス電圧を印加するために銀ペー
ストをプラス基板端に塗布し、電極を設け、この銀ペー
スト電極と基板取付用治具とを機械的に接触させ電気的
な接触をとった。基板はスパッタリング中、固定された
状態にしでおいた。
ストをプラス基板端に塗布し、電極を設け、この銀ペー
スト電極と基板取付用治具とを機械的に接触させ電気的
な接触をとった。基板はスパッタリング中、固定された
状態にしでおいた。
高周波スパッタリング中に、ガラス基板側に負の直流バ
イアス電圧を＠１表に示すように０■から−１０（ｉ
Ｖまで１０段階の大きさで印加した場合の１（）種の試
料を作成した。直流バイアス電圧を印加した際の直流電
流は、約７０ＩＩＡであった。
イアス電圧を＠１表に示すように０■から−１０（ｉ
Ｖまで１０段階の大きさで印加した場合の１（）種の試
料を作成した。直流バイアス電圧を印加した際の直流電
流は、約７０ＩＩＡであった。
スパッタリング条件は、投入Ｒ１−′電力２１）ＯＷ、
１３、５６ Ｍ ｌ−１ｚ、アルゴン券囲Ｘ６Ｘ１０−
コＴ ｏｒｒであり、ターデッド面上の汚れ、酸化膜等
を除くため２０分間シャッターを閉じてプレスパツタを
行い、その後シャッターを開いて、プラス基板上に厚さ
２５００人の薄膜を形成した。スバフタ時の基板温度を
サーモラベルにより測定したところいずれの試料の場合
も８０℃であった。それぞれの試料について形成された
薄膜の特性については、６３３ｚｍの波長で磁気カー回
転角（極力−回転角）を測定した結果を各々第１−＆に
示した。いずれの膜も面内磁気異方性を有する膜であっ
た。
１３、５６ Ｍ ｌ−１ｚ、アルゴン券囲Ｘ６Ｘ１０−
コＴ ｏｒｒであり、ターデッド面上の汚れ、酸化膜等
を除くため２０分間シャッターを閉じてプレスパツタを
行い、その後シャッターを開いて、プラス基板上に厚さ
２５００人の薄膜を形成した。スバフタ時の基板温度を
サーモラベルにより測定したところいずれの試料の場合
も８０℃であった。それぞれの試料について形成された
薄膜の特性については、６３３ｚｍの波長で磁気カー回
転角（極力−回転角）を測定した結果を各々第１−＆に
示した。いずれの膜も面内磁気異方性を有する膜であっ
た。
膜の組成は、蛍光Ｘｍによる定性分析によればいずれの
試料もＰｔ、Ｍｎ及びＳｂを′含んでおり、誘導結合プ
ラズマ発光分析法により測定したＰｔ：Ｍｎ：Ｓｂの原
子数比を各直流バイアス電圧値についてｔｔＳ１表に示
した。また、Ｘ線回折によれば、直流バイアス電圧がＯ
〜−５０■の場合の試料はＣ１ｂ型ＰｔＭｎＳｂ結晶の
（１１１）、（１１０）の反射面に鋭いピークを示した
。
試料もＰｔ、Ｍｎ及びＳｂを′含んでおり、誘導結合プ
ラズマ発光分析法により測定したＰｔ：Ｍｎ：Ｓｂの原
子数比を各直流バイアス電圧値についてｔｔＳ１表に示
した。また、Ｘ線回折によれば、直流バイアス電圧がＯ
〜−５０■の場合の試料はＣ１ｂ型ＰｔＭｎＳｂ結晶の
（１１１）、（１１０）の反射面に鋭いピークを示した
。
第 １ 表
試料 直流バイアス 原子数比 磁気カー回転
角Ｎｏ、 電圧（Ｖ） Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂ
θｋ（°）１ ０ １９：３６：
４５ ０．１９２ −１０ ２１：３８：
４１ ０．２５３ −２０ ２３：３９：
３８ ０．２９４ −３０ ２４：３９：
３７ ０．４７５ −４０ ２９：３６：
３５ （１，５２６−４５３３：３４：３３
０．６０７ −５０ ３７：４５：１８
０，０７８ −６０ ４５：４６： ９
０．０１９ ８０ ６１：３３： ６
０１０ −１００ ６５：２８： ６
０第１表に示される結果から、直流バイアス電圧が
負になるにつれＳｂが少なく、Ｆ’ ｔが多い組成とな
る。Ｍｎの原子数比は若干の変動はあるもののＰｔやＳ
ｂと比べるとそれほど変化しない。
角Ｎｏ、 電圧（Ｖ） Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂ
θｋ（°）１ ０ １９：３６：
４５ ０．１９２ −１０ ２１：３８：
４１ ０．２５３ −２０ ２３：３９：
３８ ０．２９４ −３０ ２４：３９：
３７ ０．４７５ −４０ ２９：３６：
３５ （１，５２６−４５３３：３４：３３
０．６０７ −５０ ３７：４５：１８
０，０７８ −６０ ４５：４６： ９
０．０１９ ８０ ６１：３３： ６
０１０ −１００ ６５：２８： ６
０第１表に示される結果から、直流バイアス電圧が
負になるにつれＳｂが少なく、Ｆ’ ｔが多い組成とな
る。Ｍｎの原子数比は若干の変動はあるもののＰｔやＳ
ｂと比べるとそれほど変化しない。
これは、基板へのアルゴンイオンの照射により、Ｓｂ原
子が選択的に再スパツタされて薄膜中から出てゆくが、
ｐｔは再スパツタ率が小さく薄膜中に残りやすいので、
このような現象が生じていると考えられる。
子が選択的に再スパツタされて薄膜中から出てゆくが、
ｐｔは再スパツタ率が小さく薄膜中に残りやすいので、
このような現象が生じていると考えられる。
基板が負の電位にバイアスされている場合には、上記の
ように組成の調整が自動的になされ、負にバイアスされ
ていない場合に比べて、負のバイアスによって磁気カー
回転角が向上することが判る。
ように組成の調整が自動的になされ、負にバイアスされ
ていない場合に比べて、負のバイアスによって磁気カー
回転角が向上することが判る。
尚、この実験例のターデッドについては、印加すべき直
流バイアス電圧は一５０■よりも小さい値が望ましいと
言える。
流バイアス電圧は一５０■よりも小さい値が望ましいと
言える。
［比較例１
５インチ径の９９．９９％の純度のＭｎターゲット上に
、１０ｘｍ角 厚さ２ｕの９９．９９％の純度のＳｂチ
ップと、１０ＩＩＩ角 厚さ２＋＋ｖの９９．９％の純
度のｐｔチップを、それぞれＳｂチップ５０枚とｐｔチ
ップ１８枚、Ｓｂチップ５０枚とｐｔチップ１５枚の岨
み合わせで対称に配置した２種類の複合ターデッドをス
パッタリングターゲットとして２種類の薄膜を形成した
。
、１０ｘｍ角 厚さ２ｕの９９．９９％の純度のＳｂチ
ップと、１０ＩＩＩ角 厚さ２＋＋ｖの９９．９％の純
度のｐｔチップを、それぞれＳｂチップ５０枚とｐｔチ
ップ１８枚、Ｓｂチップ５０枚とｐｔチップ１５枚の岨
み合わせで対称に配置した２種類の複合ターデッドをス
パッタリングターゲットとして２種類の薄膜を形成した
。
基板に直流バイアス電流を印加しない以外は実験例と同
様にして薄膜を形成した。
様にして薄膜を形成した。
形成された薄膜の磁気カー回転角（極力−回転角）は６
３３ｚｙ波艮で、それぞれ０．２６°と０．２４° を
示した。
３３ｚｙ波艮で、それぞれ０．２６°と０．２４° を
示した。
蛍范Ｘ線分析による定性分析によればＰｔ、Ｍｕ及びＳ
ｂを含んでおり、誘導結合プラズマ発光分析法により測
定された１″’Ｌ：Ｍｎ：Ｓｂの原子数比はそれぞれ３
１：３５：３４と２６：３８：３６であった。
ｂを含んでおり、誘導結合プラズマ発光分析法により測
定された１″’Ｌ：Ｍｎ：Ｓｂの原子数比はそれぞれ３
１：３５：３４と２６：３８：３６であった。
［１，とＳｂのチップ枚数を加減することによって実験
例の試料Ｎ００４．５．６とほぼ同じの組成を有する薄
膜が得られたが、組１反が同じであっても実験例のＮ０
０４．５．６の薄膜の方が磁気カー回転角が大きいもの
が得られることがｔ′する。即ち、負の直流バイアス電
圧の印加は単に組成の調整ではなく、結晶性を向トさせ
る効果があることを示している。
例の試料Ｎ００４．５．６とほぼ同じの組成を有する薄
膜が得られたが、組１反が同じであっても実験例のＮ０
０４．５．６の薄膜の方が磁気カー回転角が大きいもの
が得られることがｔ′する。即ち、負の直流バイアス電
圧の印加は単に組成の調整ではなく、結晶性を向トさせ
る効果があることを示している。
［発明の効果１
本発明は、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系ｒ４膜のスバ・ンタリン
グによる製造において、基板に負の直流／バイアス電圧
を印加しながら高周波スパッタリング法を用いて薄膜を
形成することにより、通常のスパッタリングによる場合
に比べて磁気カー回転角が大きいものが得られ、信号再
生時の信号強度の大きい磁気光学記録再生用薄膜材料と
して光磁気ディスク用媒体の用途に有用なものとなる。
グによる製造において、基板に負の直流／バイアス電圧
を印加しながら高周波スパッタリング法を用いて薄膜を
形成することにより、通常のスパッタリングによる場合
に比べて磁気カー回転角が大きいものが得られ、信号再
生時の信号強度の大きい磁気光学記録再生用薄膜材料と
して光磁気ディスク用媒体の用途に有用なものとなる。
第１図は、本発明方法に用いるスパッタリング装置の原
理図である。
理図である。
Claims (5)
- （１）基板上にＰｔ、Ｍｎ及びＳｂを同時にスパッタリ
ングすることにより、該基板上にＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系薄
膜を形成する方法において、前記基板に負の直流バイア
ス電圧を印加しながら高周波スパッタリングを行うこと
を特徴とする磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法。 - （２）基板上に形成されるＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜の組
成が、原子数比で、Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂ＝２０〜３５：３
０〜４５：２０〜４５である特許請求の範囲第１項記載
の磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法。 - （３）基板上に形成されるＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜の組
成が、原子数比で、Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂ＝２２〜３５：３
０〜４３：２５〜４２である特許請求の範囲第１項記載
の磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法。 - （４）基板上に形成されるＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜の組
成が、原子数比で、Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂ＝２５〜３５：３
０〜４０：３０〜４０である特許請求の範囲第１項記載
の磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法。 - （５）基板上に形成されるＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜の組
成が、原子数比で、Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂ＝２８〜３４：３
１〜３９：３０〜３８である特許請求の範囲第１項記載
の磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23598384A JPS61115317A (ja) | 1984-11-10 | 1984-11-10 | 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23598384A JPS61115317A (ja) | 1984-11-10 | 1984-11-10 | 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61115317A true JPS61115317A (ja) | 1986-06-02 |
Family
ID=16994074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23598384A Pending JPS61115317A (ja) | 1984-11-10 | 1984-11-10 | 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61115317A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008008A1 (fr) * | 1994-09-06 | 1996-03-14 | Migaku Takahashi | Couche magneto-optique mince, support d'enregistrement magneto-optique et son procede de production |
| EP1372149A1 (en) * | 2002-06-14 | 2003-12-17 | TDK Corporation | Optical recording medium |
-
1984
- 1984-11-10 JP JP23598384A patent/JPS61115317A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008008A1 (fr) * | 1994-09-06 | 1996-03-14 | Migaku Takahashi | Couche magneto-optique mince, support d'enregistrement magneto-optique et son procede de production |
| US6190763B1 (en) * | 1994-09-06 | 2001-02-20 | Migaku Takahashi | Magnetooptic thin film, magnetoopic record medium |
| EP1372149A1 (en) * | 2002-06-14 | 2003-12-17 | TDK Corporation | Optical recording medium |
| US7083894B2 (en) | 2002-06-14 | 2006-08-01 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0670858B2 (ja) | 光磁気記録媒体とその製法 | |
| JPS61115317A (ja) | 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法 | |
| JPH0582723B2 (ja) | ||
| JP2002038258A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPS62222609A (ja) | 光磁気記緑媒体 | |
| JPH0227545A (ja) | 光磁気記録層及びその成膜方法 | |
| JPS60231935A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6098611A (ja) | 熱磁気記録材料の製造方法 | |
| JPS6179216A (ja) | 磁気光学記録再生用Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜材料の製造方法 | |
| JPH0619859B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP4029991B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6138530B2 (ja) | ||
| JP3512667B2 (ja) | 相変化記録媒体の製造方法及び製造装置 | |
| JP2825059B2 (ja) | 光ディスク及びその製造方法 | |
| JP2830192B2 (ja) | 光熱磁気記録媒体 | |
| JPS60125933A (ja) | 磁性媒体の製法 | |
| JPS63285739A (ja) | 磁気光学記録再生用薄膜の製造方法 | |
| JPS6177316A (ja) | 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法 | |
| JPH0664759B2 (ja) | 非晶質磁気光学層 | |
| JPS6175511A (ja) | 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造方法 | |
| JPS59162250A (ja) | 磁性合金 | |
| JPS60130806A (ja) | 非晶質磁気光学層 | |
| JPH0462814A (ja) | 人工格子膜の製造方法 | |
| JPS60227404A (ja) | 磁気光学記録再生用薄膜材料及びその製造方法 | |
| JPS62277646A (ja) | 光磁気デイスクの製造方法 |