JPS6177316A - 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法 - Google Patents
磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法Info
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- JPS6177316A JPS6177316A JP19778084A JP19778084A JPS6177316A JP S6177316 A JPS6177316 A JP S6177316A JP 19778084 A JP19778084 A JP 19778084A JP 19778084 A JP19778084 A JP 19778084A JP S6177316 A JPS6177316 A JP S6177316A
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- Japan
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- heat treatment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、レーザー光により情報の記録、再生、消去を
行うＰＬ−Ｍｎ−８ｂ系化合物からなる磁気光学記録再
生用薄膜材料の製造法に関する。
行うＰＬ−Ｍｎ−８ｂ系化合物からなる磁気光学記録再
生用薄膜材料の製造法に関する。
［従来の技術１
近年、高密度高アクセス速度等種々の要求を満足しうる
メモリとして、光メモリが開発されている。これらの光
メモリを分類すれば、記録ディスク上にビット列を形成
しビット部における光ビームの回折現象を利用して再生
信号を得る方法及び記録媒体の反射率変化を利用して再
生信号を得る方法がある。
メモリとして、光メモリが開発されている。これらの光
メモリを分類すれば、記録ディスク上にビット列を形成
しビット部における光ビームの回折現象を利用して再生
信号を得る方法及び記録媒体の反射率変化を利用して再
生信号を得る方法がある。
これらは、再生専用及び追記書込可能型の光デイスク装
置として実用に供されている。しかし、磁気ディスクの
ように不要情報を消去し再書込可能な光ディスクは未だ
研究開発段階にあり、その実用化が急がれている。
置として実用に供されている。しかし、磁気ディスクの
ように不要情報を消去し再書込可能な光ディスクは未だ
研究開発段階にあり、その実用化が急がれている。
光磁気ディスクに用いられる記録再生用薄膜材料として
は、従来Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ等の希土類元素とＦｅ、Ｃｏ
、Ｎ１等の遷移金属からなる非晶貿介金薄膜及びＭｎＣ
ｕＢ１．ＭｎＡｌＧｅ等のＭ ｎ １Ａ化合物薄膜が知
られている。
は、従来Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ等の希土類元素とＦｅ、Ｃｏ
、Ｎ１等の遷移金属からなる非晶貿介金薄膜及びＭｎＣ
ｕＢ１．ＭｎＡｌＧｅ等のＭ ｎ １Ａ化合物薄膜が知
られている。
希土類−遷移金属非晶質合金薄膜は、カー回転角が小さ
く、そのため再生時の信号強度が小さいという欠、αを
有している。この欠点を改良するために、多層薄膜構造
とし光の反射、モ渉を利用し見掛けのカー回転角を増大
させる試みも行われている。しかし、カー回転角が大き
くなると光反射率が低下してしまうために、信号強度を
増大させる根本的な改良とはなっていない。
く、そのため再生時の信号強度が小さいという欠、αを
有している。この欠点を改良するために、多層薄膜構造
とし光の反射、モ渉を利用し見掛けのカー回転角を増大
させる試みも行われている。しかし、カー回転角が大き
くなると光反射率が低下してしまうために、信号強度を
増大させる根本的な改良とはなっていない。
また、Ｍｎ系化合物薄膜についでは、その磁性がＭｎ原
子同志の原子間距離に鋭敏であり、そのため結晶構造が
くずれた場合全く磁性を示さないという特徴を有してい
る。このため通常は熱処理を施し規則的な結晶構造を付
与し、実用に供さなければならない。その−例として、
ＭｎＣｕＢ１の場合にはその＆！造法がＭｎ％Ｃｕ、Ｂ
ｉを交ｎ−に積層蒸着した後、熱処理を行い高温下で反
応を生ヒさせて、Ｍ ｎ Ｃｕ Ｂ ｉ化合物の薄膜を
得るというように、製造法が複雑であり、且つ高温環境
下にさらされるために基板材料としてガラス、金属等の
耐熱性材料しか用いることができない等の欠、αを有し
ていた。
子同志の原子間距離に鋭敏であり、そのため結晶構造が
くずれた場合全く磁性を示さないという特徴を有してい
る。このため通常は熱処理を施し規則的な結晶構造を付
与し、実用に供さなければならない。その−例として、
ＭｎＣｕＢ１の場合にはその＆！造法がＭｎ％Ｃｕ、Ｂ
ｉを交ｎ−に積層蒸着した後、熱処理を行い高温下で反
応を生ヒさせて、Ｍ ｎ Ｃｕ Ｂ ｉ化合物の薄膜を
得るというように、製造法が複雑であり、且つ高温環境
下にさらされるために基板材料としてガラス、金属等の
耐熱性材料しか用いることができない等の欠、αを有し
ていた。
Ｅ発明が解決しようとする問題点１
上記の実状に鑑み、本発明者は先に、スパッタリング法
を用いることにより、Ｐｔ、−Ｍｎ−８ｂ系化合物の薄
膜化に成功した結果、磁気光学効果を利用して信号を読
み出す磁気光学記録用ディスクの材料として、ＰＬ、Ｍ
ｎ及びＳｂから成る３元素化合物の薄膜であって磁気カ
ー回転角が大きく再生信号強度の大きな磁気光学記録再
生用薄膜材料並びに上記材料の容易な製造方法につき発
明し、これに関しては既に出Ｎされている（特願昭５９
−６７５６０）。この出願においては１００℃以下での
薄膜の形成により、実用」二有利な製造方法を開示した
。しかし、この先の発明に係るＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ４化合
物の薄膜は磁気カー効果についでは尚改良すべき７αが
あり、本発明者は更に、−上記Ｐｔ−Ｍｎ−８ｂｉ薄膜
材料について磁気カー効果のより優れたものを得ること
のできる製造法を研究した。
を用いることにより、Ｐｔ、−Ｍｎ−８ｂ系化合物の薄
膜化に成功した結果、磁気光学効果を利用して信号を読
み出す磁気光学記録用ディスクの材料として、ＰＬ、Ｍ
ｎ及びＳｂから成る３元素化合物の薄膜であって磁気カ
ー回転角が大きく再生信号強度の大きな磁気光学記録再
生用薄膜材料並びに上記材料の容易な製造方法につき発
明し、これに関しては既に出Ｎされている（特願昭５９
−６７５６０）。この出願においては１００℃以下での
薄膜の形成により、実用」二有利な製造方法を開示した
。しかし、この先の発明に係るＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ４化合
物の薄膜は磁気カー効果についでは尚改良すべき７αが
あり、本発明者は更に、−上記Ｐｔ−Ｍｎ−８ｂｉ薄膜
材料について磁気カー効果のより優れたものを得ること
のできる製造法を研究した。
１問題点を解決するための手段］
研究の、結果、スパッタリングにより形成された薄膜を
１００℃より高い温度で加熱処理することによりＰ Ｌ
−Ｍｎ−８ｂ系化合物薄膜の磁気カー効果が向上するこ
とを見出すに至った。
１００℃より高い温度で加熱処理することによりＰ Ｌ
−Ｍｎ−８ｂ系化合物薄膜の磁気カー効果が向上するこ
とを見出すに至った。
即ち、本発明は、基板−ににＰＬ、Ｍｎ及びＳｂを同時
にスパッタリングすることにより、該基板上にＰｔ−Ｍ
ｎ−３ｂ系化合物の薄膜を形成した後、前記薄膜を１０
０℃より高くＳｂの融点より低い温度で加熱処理するこ
とを特徴とする磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法に
関するものである。
にスパッタリングすることにより、該基板上にＰｔ−Ｍ
ｎ−３ｂ系化合物の薄膜を形成した後、前記薄膜を１０
０℃より高くＳｂの融点より低い温度で加熱処理するこ
とを特徴とする磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法に
関するものである。
本発明におけるＰＬ−Ｍｎ−３ｂ系化合物とは、これら
３元素を主成分としてなるものであり、この化合物の結
晶構造及びその特性を損なわない限りにおいて更に他の
元素を含みうるちのであり、例えばＰｔの一部を置き換
えてＣｒ、’ Ｆｅ、 Ｃｏ、Ｎｉ。
３元素を主成分としてなるものであり、この化合物の結
晶構造及びその特性を損なわない限りにおいて更に他の
元素を含みうるちのであり、例えばＰｔの一部を置き換
えてＣｒ、’ Ｆｅ、 Ｃｏ、Ｎｉ。
Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｉｒ、Ａｕ等の遷移元
素を含むものであっても良いし、またＳｂの一部を置き
換えてＡＩ、 Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｔｌ、 Ｓｉ、 Ｇ
ｅ、 Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等
を含むものであっても良い。
素を含むものであっても良いし、またＳｂの一部を置き
換えてＡＩ、 Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｔｌ、 Ｓｉ、 Ｇ
ｅ、 Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等
を含むものであっても良い。
薄膜は、高周波スパッタリング、直流スパッタリング等
の公知のスパッタリング法により形成される。薄膜を形
成する基板は、スパッタリング中それほど高温にはなら
ないので金属、ガラス、セラミックスの他プラスチック
ス等種々の材料の基板を用いることができる。
の公知のスパッタリング法により形成される。薄膜を形
成する基板は、スパッタリング中それほど高温にはなら
ないので金属、ガラス、セラミックスの他プラスチック
ス等種々の材料の基板を用いることができる。
スパッタリングに際しては、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｓｂの各独立
のターゲットを用意してこれらの３元素がプラズマ中で
混合されるよ）にしても良いが、プラズマ中で十分な混
合状態が保持され小米るだけ均一な３元素化合物の薄膜
が基板上に形成されるようにするためには３成分の複合
ターゲットを用いるのが望ましい。複合ターゲットとし
ては例えばＭｎのターゲット上にＳｂのチップとＰｔの
チップを適当な配置で複数載せたもの、あるいはＰｔと
Ｍｎの合金のターゲット上にＳｂのチップを載せたもの
等を用いることができる。これらの場合、ターゲットの
大きさ及びチップの大きさと数によって成分の組成を調
整することができる。
のターゲットを用意してこれらの３元素がプラズマ中で
混合されるよ）にしても良いが、プラズマ中で十分な混
合状態が保持され小米るだけ均一な３元素化合物の薄膜
が基板上に形成されるようにするためには３成分の複合
ターゲットを用いるのが望ましい。複合ターゲットとし
ては例えばＭｎのターゲット上にＳｂのチップとＰｔの
チップを適当な配置で複数載せたもの、あるいはＰｔと
Ｍｎの合金のターゲット上にＳｂのチップを載せたもの
等を用いることができる。これらの場合、ターゲットの
大きさ及びチップの大きさと数によって成分の組成を調
整することができる。
スパッタリングの雰囲気は、通常Ａｒ１ｆスを用いるが
、スパッタリング中におけるＰ ｔ、 Ｍ ｎ、 Ｓ
ｂターゲット及び作成された膜の酸化を防！Ｉ−するた
めに、還元性がスである水素を適当量添加してもかまわ
ない。Ａｒ圧力はスパッタリングが生じるグロー放電領
域である１ ０−３−１０−’Ｔｏｒｒが用いられる。
、スパッタリング中におけるＰ ｔ、 Ｍ ｎ、 Ｓ
ｂターゲット及び作成された膜の酸化を防！Ｉ−するた
めに、還元性がスである水素を適当量添加してもかまわ
ない。Ａｒ圧力はスパッタリングが生じるグロー放電領
域である１ ０−３−１０−’Ｔｏｒｒが用いられる。
スパッタリングにより薄膜を形成した後、この薄膜を１
００℃より高い温度に加熱処理する。加熱処理の温度は
、薄膜状態を保持し、薄膜の融解によるピンホール生成
を防止するために、Ｐｔ。
００℃より高い温度に加熱処理する。加熱処理の温度は
、薄膜状態を保持し、薄膜の融解によるピンホール生成
を防止するために、Ｐｔ。
Ｍｎ及びＳｂの融点より低い温度とすることが必要であ
る。
る。
Ｐｔ％Ｍｎ及びＳｂの融点はそれぞれ１７７２℃、１２
４４℃及び６３０．７℃であり、従って加熱処理温度は
６３０．７℃より低い温度とする。前記したようにＰＬ
−Ｍｎ−８ｂ系化合物にはその特性を損なわない限度に
おいて他の元素も含まれうるので、添加される他の元素
の融点がＳｂよりも更に低い場合には、その融点よりも
低い温度で加熱処理を行うのが望ましい。
４４℃及び６３０．７℃であり、従って加熱処理温度は
６３０．７℃より低い温度とする。前記したようにＰＬ
−Ｍｎ−８ｂ系化合物にはその特性を損なわない限度に
おいて他の元素も含まれうるので、添加される他の元素
の融点がＳｂよりも更に低い場合には、その融点よりも
低い温度で加熱処理を行うのが望ましい。
Ｓｂの融点よりも低い温度であってもがなりの高温にな
ると、薄膜が酸化反応等を受けやすくなり、５００°Ｃ
以上では完全な不活性雰囲気が達成されない限りは薄膜
の酸化その他の反応を避けることができないし、更に高
温度では、薄膜成分の蒸気圧の１−昇に伴い薄膜の組成
が変動するおそれもある。また、加熱処理温度が高くな
ると加熱時に薄膜を支持する基板も高温耐熱性のものを
使用しなければならないので、使用しうる基板の材料が
制限される。この点から加熱処理温度は５００℃以下と
するのが望ましい。また、加熱処理による磁気カー効果
の向−１−は、加熱処理温度が１００℃から２００℃の
開である場合に急激にその度合が増加し、４００℃程度
以」−では徐々にその向上の度合は少なくなるので、効
率的に望ましい加熱処理温度は１００〜４００℃であり
、更に望ましくは１５０〜２５０℃である。
ると、薄膜が酸化反応等を受けやすくなり、５００°Ｃ
以上では完全な不活性雰囲気が達成されない限りは薄膜
の酸化その他の反応を避けることができないし、更に高
温度では、薄膜成分の蒸気圧の１−昇に伴い薄膜の組成
が変動するおそれもある。また、加熱処理温度が高くな
ると加熱時に薄膜を支持する基板も高温耐熱性のものを
使用しなければならないので、使用しうる基板の材料が
制限される。この点から加熱処理温度は５００℃以下と
するのが望ましい。また、加熱処理による磁気カー効果
の向−１−は、加熱処理温度が１００℃から２００℃の
開である場合に急激にその度合が増加し、４００℃程度
以」−では徐々にその向上の度合は少なくなるので、効
率的に望ましい加熱処理温度は１００〜４００℃であり
、更に望ましくは１５０〜２５０℃である。
加熱方法は、室温から時間をかけて昇温させても良いし
、瞬間的に高温度にしても良い。
、瞬間的に高温度にしても良い。
加熱に際しては、真空もしくは成分元素の蒸発を抑制す
るためのアルゴン等の非酸化性又は不活性雰囲気で減圧
とした室内に薄膜を入れ、薄膜を支持する基板を加熱板
の上に載置してこの加熱板に外部から熱を加える。又は
、加熱炉内に薄膜を入れ、炉内を真空、非酸化性又は不
活性雰囲気にして加熱処理する。
るためのアルゴン等の非酸化性又は不活性雰囲気で減圧
とした室内に薄膜を入れ、薄膜を支持する基板を加熱板
の上に載置してこの加熱板に外部から熱を加える。又は
、加熱炉内に薄膜を入れ、炉内を真空、非酸化性又は不
活性雰囲気にして加熱処理する。
瞬間的に高温度にして、薄膜を加熱する場合は、熱源に
大出力パルスレーザ−光を用い、レーザー光パルス幅、
パルス尖頭出力を調整して薄膜に与える熱量を制御し、
加熱処理を行う。加熱処理は、真空もしくは、非酸化性
又は不活性雰囲気中で行う。パルスレーザ−光を用い薄
膜を瞬時に加熱する方法は、主に薄膜のみを加熱するこ
とが可能であり、基板にそれほど高耐熱性のものを用い
なくでもよい点で、加熱板や加熱炉を用いる方法に比べ
て製造プロセス上好ましい方法である。
大出力パルスレーザ−光を用い、レーザー光パルス幅、
パルス尖頭出力を調整して薄膜に与える熱量を制御し、
加熱処理を行う。加熱処理は、真空もしくは、非酸化性
又は不活性雰囲気中で行う。パルスレーザ−光を用い薄
膜を瞬時に加熱する方法は、主に薄膜のみを加熱するこ
とが可能であり、基板にそれほど高耐熱性のものを用い
なくでもよい点で、加熱板や加熱炉を用いる方法に比べ
て製造プロセス上好ましい方法である。
薄膜を支持する基板はスパッタリングの際に用いたもの
をそのまま用いるのが望ましい。
をそのまま用いるのが望ましい。
スパッタリングにより形成された加熱処理前のＰｔ−Ｍ
ｎ−８ｂ系化合物薄膜は、これら３成分の組成によって
、その結晶性や磁気カー回転角に差があり、ＰＬ−Ｍｎ
−８ｂｉＡ化合物を 一般式 Ｐｔ３．、ＭｎｙＳｂ２（３１”＋５’＋Ｚ＝
１）で表すとすると、０．１３≦Ｘ≦０．３１．０．３
１≦ｙ≦０．４８．０．２８≦２≦０．４９の範囲のも
のが結晶性がよく且つ磁気カー回転角も比較的大きい。
ｎ−８ｂ系化合物薄膜は、これら３成分の組成によって
、その結晶性や磁気カー回転角に差があり、ＰＬ−Ｍｎ
−８ｂｉＡ化合物を 一般式 Ｐｔ３．、ＭｎｙＳｂ２（３１”＋５’＋Ｚ＝
１）で表すとすると、０．１３≦Ｘ≦０．３１．０．３
１≦ｙ≦０．４８．０．２８≦２≦０．４９の範囲のも
のが結晶性がよく且つ磁気カー回転角も比較的大きい。
この内特に、０．２≦Ｘ≦０．３．０．３８≦ｙ≦０．
４８．０．２８≦２≦０．３５の範囲のものは磁気カー
回転角が０．３°以上である。
４８．０．２８≦２≦０．３５の範囲のものは磁気カー
回転角が０．３°以上である。
本発明においては、薄膜の形成後に加熱処理を行い、そ
れにより磁気カー回転角を向−Ｉニさせることができる
が、加熱処理前の薄膜における磁気カー回転角が良けれ
ば加熱処理後の磁気カー回転角は更に良くなるので、ス
パッタリングにより形成される薄膜をＬ記の組成範囲の
ものとすることが望ましい。
れにより磁気カー回転角を向−Ｉニさせることができる
が、加熱処理前の薄膜における磁気カー回転角が良けれ
ば加熱処理後の磁気カー回転角は更に良くなるので、ス
パッタリングにより形成される薄膜をＬ記の組成範囲の
ものとすることが望ましい。
しかしまた、加熱処理前のＰＬ−Ｍｎ−８ｂ系化合物が
アモルファスのもの、従って磁気カー回転角が０のもの
でも、本発明方法により加熱処理を行った薄膜は、結晶
性が向上し、磁気光学記録再生用として用いることがで
きるようになる。例えば、Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂの原子数比
が０．３２：０．３０：０，３８でアモルファスのもの
は２００℃程度まで加熱処理し、室温に冷却した場合に
は、０．１０°程度の磁気カー回転角を示すようになる
。
アモルファスのもの、従って磁気カー回転角が０のもの
でも、本発明方法により加熱処理を行った薄膜は、結晶
性が向上し、磁気光学記録再生用として用いることがで
きるようになる。例えば、Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂの原子数比
が０．３２：０．３０：０，３８でアモルファスのもの
は２００℃程度まで加熱処理し、室温に冷却した場合に
は、０．１０°程度の磁気カー回転角を示すようになる
。
上記の方法により形成される薄膜の厚さは、３０人〜数
μであるが、光の反射、干渉を利用し見掛けのカー回転
角を増大させる目的のためにＳｉｎ。
μであるが、光の反射、干渉を利用し見掛けのカー回転
角を増大させる目的のためにＳｉｎ。
ＡｐＮ等の誘電体膜やＡ１、Ａｕ、Ｃｕ等の金属反射膜
と積層化し、多層構造とする場合や、また非晶質ＴｂＦ
ｅ、ＣｏＣｒ等の他の垂直磁化膜と積層化し、本発明の
ＰＬ−Ｍｎ−３ｂ系化合物の薄膜に垂直磁気異方性を誘
起させ本発明による膜を先読出層、下地垂直磁化膜を記
録保持層として用いる場合は５０〜３００人程度の膜厚
が好まじり・。
と積層化し、多層構造とする場合や、また非晶質ＴｂＦ
ｅ、ＣｏＣｒ等の他の垂直磁化膜と積層化し、本発明の
ＰＬ−Ｍｎ−３ｂ系化合物の薄膜に垂直磁気異方性を誘
起させ本発明による膜を先読出層、下地垂直磁化膜を記
録保持層として用いる場合は５０〜３００人程度の膜厚
が好まじり・。
１作用１
本発明においては、スパッタリングによるＰｔ−Ｍｎ−
８ｂ系化合物からなる薄膜が形成された後に薄膜の温度
を１００℃より高い温度で加熱処理するため、薄膜を構
成しているＦ”１．−Ｍｎ−３ｂ系化合物の結晶性が向
上し、磁気カー回転角が大きくなる。また、スパッタリ
ングにより形成される薄膜がアモルファスのものであっ
ても加熱処理により結晶配列が形成されるものは加熱処
理によって磁気カー回転角を生じるようになる。更に、
加熱処理温度はＳｂの融点よりも低い温度とするために
、薄膜の形状が保持でき、膜にピンホール時の欠陥を生
じない。
８ｂ系化合物からなる薄膜が形成された後に薄膜の温度
を１００℃より高い温度で加熱処理するため、薄膜を構
成しているＦ”１．−Ｍｎ−３ｂ系化合物の結晶性が向
上し、磁気カー回転角が大きくなる。また、スパッタリ
ングにより形成される薄膜がアモルファスのものであっ
ても加熱処理により結晶配列が形成されるものは加熱処
理によって磁気カー回転角を生じるようになる。更に、
加熱処理温度はＳｂの融点よりも低い温度とするために
、薄膜の形状が保持でき、膜にピンホール時の欠陥を生
じない。
［実施例１１
５インチ径のＭｎのターデッド上にＪＯｚｚ角厚さ２１
肩のＳｂチップ４６枚及び１０肩ｌ角 厚さ１１ＷＪの
Ｐｔチップ１０枚を対称となるように配置した複合ター
ゲットを用いてスパッタリング用ターデッドとした。
肩のＳｂチップ４６枚及び１０肩ｌ角 厚さ１１ＷＪの
Ｐｔチップ１０枚を対称となるように配置した複合ター
ゲットを用いてスパッタリング用ターデッドとした。
スパッタ装置としては、徳田製作所製ＣＦ−８ＥＳマグ
ネトロンスパッタリング装置を用いた。
ネトロンスパッタリング装置を用いた。
基板は回転プラネタリ一式の清共に取り付けて、１１一
基板を自公転させながらスパッタリングを行った。
スパッタリング条件は、投入電力２００Ｗ、アルゴン雰
囲気圧６ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒであり、ターデッド面
上の汚れ、酸化膜等を除くため２０分間シャッターを閉
じてプレスパツタを行い、その後シャッターを開いて、
ガラス基板上に厚さ２０００人の薄膜を形成した。薄膜
形成時の基板の温度はサーモラベルによる測定によると
８０℃であった。形成された薄膜の特性については、６
３３１１ｊＩ波長で磁気カー回転角（極力−回転角）を
測定したところ、０．４０°を示した。膜の組成は、蛍
光Ｘ線による定性分析によればＰＬ、Ｍｎ及びＳｂを含
んでおり、プラズマ誘導結合発光分析法により測定した
Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂの原子数比は０，２３：０，４３：０
，３４であった。
囲気圧６ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒであり、ターデッド面
上の汚れ、酸化膜等を除くため２０分間シャッターを閉
じてプレスパツタを行い、その後シャッターを開いて、
ガラス基板上に厚さ２０００人の薄膜を形成した。薄膜
形成時の基板の温度はサーモラベルによる測定によると
８０℃であった。形成された薄膜の特性については、６
３３１１ｊＩ波長で磁気カー回転角（極力−回転角）を
測定したところ、０．４０°を示した。膜の組成は、蛍
光Ｘ線による定性分析によればＰＬ、Ｍｎ及びＳｂを含
んでおり、プラズマ誘導結合発光分析法により測定した
Ｐｔ：Ｍｎ：Ｓｂの原子数比は０，２３：０，４３：０
，３４であった。
また、Ｘ線回折によればＣｕ−ＫＯ線により２θ＝２４
，５°近辺にピークを示した。
，５°近辺にピークを示した。
上記のようにして基板上に形成された薄膜を基板ごと真
空中に置き、基板を載置した銅板を外部より加熱するこ
とにより、基板の背面から加熱処理した。銅板の中に銅
−コンスタンタン熱電対を差し込んで、室温から２００
℃まで加熱し、次いで２００℃から２０℃まで冷却し、
更に再度２００℃まで加熱した後室温まで冷却した。温
度の上昇又は下降を測定しながら、各温度における薄膜
の磁気カー回転角を測定した結果を第１図に示す。
空中に置き、基板を載置した銅板を外部より加熱するこ
とにより、基板の背面から加熱処理した。銅板の中に銅
−コンスタンタン熱電対を差し込んで、室温から２００
℃まで加熱し、次いで２００℃から２０℃まで冷却し、
更に再度２００℃まで加熱した後室温まで冷却した。温
度の上昇又は下降を測定しながら、各温度における薄膜
の磁気カー回転角を測定した結果を第１図に示す。
第１図から明らかなように、加熱処理温度温で０．４０
”であった磁気カー回転角は、温度の上昇とともに磁化
が弱まるため一旦磁気カー回転角が小さくなるが、加熱
後冷却すると、加熱前よりも磁気カー回転角は大きなも
のとなり、室温では０．５２°を示すようになる。また
、加熱処理は１回で十分効果があることが判る。
”であった磁気カー回転角は、温度の上昇とともに磁化
が弱まるため一旦磁気カー回転角が小さくなるが、加熱
後冷却すると、加熱前よりも磁気カー回転角は大きなも
のとなり、室温では０．５２°を示すようになる。また
、加熱処理は１回で十分効果があることが判る。
［実施例２１
５インチ径のＭｎのターデッド上に１０ｉｚｚ角厚さ２
ｚｚのＳｂチップ４４枚及び１０ｘｍ角 厚さ１■のＰ
ｔチップを１０枚を対称となるように配置した複合ター
ゲットを用いてスパッタリング用ターゲットとした他は
実施例１と同様にして、薄膜を形成した。形成された薄
膜の磁気カー回転角（極カー回転角）は６３３ｚｍ波長
で０．２８°を示し、原子数比はＰ Ｌ：Ｍｎ：Ｓ ｂ
＝０．２１：０．４７：０．３２であった。また、Ｘ線
回折によればＣｕ−Ｋａ線により２θ＝２４．５近辺に
ピークを示した。
ｚｚのＳｂチップ４４枚及び１０ｘｍ角 厚さ１■のＰ
ｔチップを１０枚を対称となるように配置した複合ター
ゲットを用いてスパッタリング用ターゲットとした他は
実施例１と同様にして、薄膜を形成した。形成された薄
膜の磁気カー回転角（極カー回転角）は６３３ｚｍ波長
で０．２８°を示し、原子数比はＰ Ｌ：Ｍｎ：Ｓ ｂ
＝０．２１：０．４７：０．３２であった。また、Ｘ線
回折によればＣｕ−Ｋａ線により２θ＝２４．５近辺に
ピークを示した。
この薄膜を２００℃まで加熱処理し、室温まで冷却した
時の磁気カー回転角は０．４１°を示した。
時の磁気カー回転角は０．４１°を示した。
［実施例３］
５インチ径のＭｎのターゲット」−に１０ｚｘ角厚さ２
ＩのＳｂチップ５４枚及び１０１ＩＩ角 厚さ１１ＩＩ
のＰ［チップを１３枚を対称となるように配置した複合
ターゲットを用いてスパッタリング用ターゲットとした
他は実施例１と同様にして、薄膜を形成した。形成され
た薄膜はＸ６回折によればアモルファスであり、磁気カ
ー回転角（極力−回転角）は６３３ｎ波長で０°であっ
た。また、実施例１と同様な測定により薄膜の原子数比
はＰ ｔ：Ｍｎ：Ｓ ｂ＝ｏ、３２：０．３０：０．３
８であった。
ＩのＳｂチップ５４枚及び１０１ＩＩ角 厚さ１１ＩＩ
のＰ［チップを１３枚を対称となるように配置した複合
ターゲットを用いてスパッタリング用ターゲットとした
他は実施例１と同様にして、薄膜を形成した。形成され
た薄膜はＸ６回折によればアモルファスであり、磁気カ
ー回転角（極力−回転角）は６３３ｎ波長で０°であっ
た。また、実施例１と同様な測定により薄膜の原子数比
はＰ ｔ：Ｍｎ：Ｓ ｂ＝ｏ、３２：０．３０：０．３
８であった。
この薄膜を減圧アルゴンガス中で２００℃まで加熱処理
し、室温まで冷却した時の磁気カー回転角は０．１０°
となった。
し、室温まで冷却した時の磁気カー回転角は０．１０°
となった。
［実施例４１
実施例１と同様に形成されたＰ Ｌ：Ｍ ｎ：Ｓ ｂの
原子数比０．２３：０．４３：０．３４の薄膜を４００
℃まで加熱処理し、室温まで冷却した時の磁気カー同転
角は（１、６＋１ ’であった。
原子数比０．２３：０．４３：０．３４の薄膜を４００
℃まで加熱処理し、室温まで冷却した時の磁気カー同転
角は（１、６＋１ ’であった。
Ｅ発明の効果１
本発明によれば、スパッタリングにより薄膜を形成した
後に１００℃よりも高い温度で薄膜を加熱処理するため
に、Ｉ” ｔ、−Ｍｎ−８ｂ系化合物薄膜の結晶性が向
上するので、磁気カー効果（極力−効果）のより大きい
磁性膜が４６られるため信号再生時の信号強度の大きい
磁気光学記録再生用薄膜材料として光磁気ディスク用媒
体の用途に有用である。また、本発明方法における薄膜
形成後の加熱処理は、金属を積Ｍ蒸着したものを合金化
するための高温加熱等に比べて加熱温度もそれほど高く
ないので、各種の基板を用いて容易に薄膜を製造するこ
とができる。
後に１００℃よりも高い温度で薄膜を加熱処理するため
に、Ｉ” ｔ、−Ｍｎ−８ｂ系化合物薄膜の結晶性が向
上するので、磁気カー効果（極力−効果）のより大きい
磁性膜が４６られるため信号再生時の信号強度の大きい
磁気光学記録再生用薄膜材料として光磁気ディスク用媒
体の用途に有用である。また、本発明方法における薄膜
形成後の加熱処理は、金属を積Ｍ蒸着したものを合金化
するための高温加熱等に比べて加熱温度もそれほど高く
ないので、各種の基板を用いて容易に薄膜を製造するこ
とができる。
一１５＝
第１図は、本発明の実施例１のＰＬ−ＭｒｒＳｂ系化合
物薄膜について、加熱昇温過程及び冷却過程と各温度に
おける６３３ｕ波長で測定された磁気カー回転角を示し
たグラフである。 」 □□□□ニー
物薄膜について、加熱昇温過程及び冷却過程と各温度に
おける６３３ｕ波長で測定された磁気カー回転角を示し
たグラフである。 」 □□□□ニー
Claims (4)
- （１）基板上にＰｔ、Ｍｎ及びＳｂを同時にスパッタリ
ングすることにより、該基板上にＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ系化
合物の薄膜を形成した後、前記薄膜を１００℃より高く
Ｓｂの融点よりも低い温度で加熱処理することを特徴と
する磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法。 - （２）薄膜の加熱処理温度が５００℃以下である特許請
求の範囲第１項記載の磁気光学記録再生用薄膜材料の製
造法。 - （３）スパッタリングの際のターゲットがＰｔ、Ｍｎ及
びＳｂの複合ターゲットである特許請求の範囲第１項又
は第２項のいずれかに記載の磁気光学記録再生用薄膜材
料の製造法。 - （４）複合ターゲットがＭｎのターゲット上にＰｔのチ
ップとＳｂのチップを載せたものである特許請求の範囲
第３項記載の磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19778084A JPS6177316A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19778084A JPS6177316A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177316A true JPS6177316A (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=16380222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19778084A Pending JPS6177316A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177316A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63259857A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-26 | Seiko Epson Corp | 薄膜の製造方法 |
| WO1996008008A1 (fr) * | 1994-09-06 | 1996-03-14 | Migaku Takahashi | Couche magneto-optique mince, support d'enregistrement magneto-optique et son procede de production |
-
1984
- 1984-09-22 JP JP19778084A patent/JPS6177316A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63259857A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-26 | Seiko Epson Corp | 薄膜の製造方法 |
| WO1996008008A1 (fr) * | 1994-09-06 | 1996-03-14 | Migaku Takahashi | Couche magneto-optique mince, support d'enregistrement magneto-optique et son procede de production |
| US6190763B1 (en) * | 1994-09-06 | 2001-02-20 | Migaku Takahashi | Magnetooptic thin film, magnetoopic record medium |
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