JPS63259857A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
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- JPS63259857A JPS63259857A JP9450587A JP9450587A JPS63259857A JP S63259857 A JPS63259857 A JP S63259857A JP 9450587 A JP9450587 A JP 9450587A JP 9450587 A JP9450587 A JP 9450587A JP S63259857 A JPS63259857 A JP S63259857A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜の製造装置における薄膜の製造方法に関
する。
する。
近年、光磁気記録媒体に関する研究が盛んで、実用化に
近いレベルまで進んでいる。そこで、従来の薄膜の製造
装置における光磁気記録媒体の製造工程を、第２図に、
一部上親図を示して詳述する。第２図（２）が、光磁気
記録媒体の保護層を成膜するスパッタ室の断面図で、第
２図（ｂ）が、光磁気記録媒体の光磁気記録層を成膜す
る、スパッタ室の断面図である。 ７が軸回転するトレ
ー、８が透明プラスデック基板の保持板９が透明プラス
チック基板、１０がターゲットである。第１段階は、透
明プラスデック基板である９を８に保持させ、７にセッ
トして真空ポンプでスパッタ室を高真空にする。第２段
階は第２図（２）において７を軸回転つまり、透明プラ
スチック基板を回転しながら、第１層の保護層を成膜す
る。第３段階は第２図（ｂ）のスパッタ室に透明プラス
デック基板を移動後、７を軸回転しながら、第２層の光
磁気記録層を成膜する。第４段階は、光磁気記録層をサ
ンドイッヂ構造にするため、第２図（２）において、
再び保護層を成膜するといった工程である。
近いレベルまで進んでいる。そこで、従来の薄膜の製造
装置における光磁気記録媒体の製造工程を、第２図に、
一部上親図を示して詳述する。第２図（２）が、光磁気
記録媒体の保護層を成膜するスパッタ室の断面図で、第
２図（ｂ）が、光磁気記録媒体の光磁気記録層を成膜す
る、スパッタ室の断面図である。 ７が軸回転するトレ
ー、８が透明プラスデック基板の保持板９が透明プラス
チック基板、１０がターゲットである。第１段階は、透
明プラスデック基板である９を８に保持させ、７にセッ
トして真空ポンプでスパッタ室を高真空にする。第２段
階は第２図（２）において７を軸回転つまり、透明プラ
スチック基板を回転しながら、第１層の保護層を成膜す
る。第３段階は第２図（ｂ）のスパッタ室に透明プラス
デック基板を移動後、７を軸回転しながら、第２層の光
磁気記録層を成膜する。第４段階は、光磁気記録層をサ
ンドイッヂ構造にするため、第２図（２）において、
再び保護層を成膜するといった工程である。
しかし、前述の従来技術では、特に光磁気記録層の組成
が、例えば第１０回日本応用磁気学会学術講演概要集５
２Ｂ−７（１９８Ｇ、１．１）に示されているように、
光磁気録媒体の径方向において、ばらつき、光磁気記録
媒体を製造できないもしくは光磁気記録媒体の一製造工
程で１枚の光磁気記録媒体しか製造できないということ
で、量産性に劣り、製造コストが高くなるという問題点
を有していた。
が、例えば第１０回日本応用磁気学会学術講演概要集５
２Ｂ−７（１９８Ｇ、１．１）に示されているように、
光磁気録媒体の径方向において、ばらつき、光磁気記録
媒体を製造できないもしくは光磁気記録媒体の一製造工
程で１枚の光磁気記録媒体しか製造できないということ
で、量産性に劣り、製造コストが高くなるという問題点
を有していた。
そこで、本発明はとのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、量産性に優れた光磁気記録媒
体の製造方法を提供するところにある。
その目的とするところは、量産性に優れた光磁気記録媒
体の製造方法を提供するところにある。
本発明のＦ、Ｖ膜製造方法は、基板上に単層及び、多層
成膜する薄膜の製造方法において基板を自公転させなが
ら、 薄膜を製造することを特徴とする。
成膜する薄膜の製造方法において基板を自公転させなが
ら、 薄膜を製造することを特徴とする。
本発明の作用を述べれば、基板を自公転させながら、光
磁気記録媒体を製造することにより、光磁気記録層の組
成分布がなくなることである。
磁気記録媒体を製造することにより、光磁気記録層の組
成分布がなくなることである。
本発明の具体的応用分野の一例は、光磁気記録媒体の製
造工程におひる薄膜製造過程で、以下、実施例に基づき
詳細に説明する。
造工程におひる薄膜製造過程で、以下、実施例に基づき
詳細に説明する。
第１図は、本発明の実施例における光磁気記録媒体の製
造方法において、透明プラスチック基板を一度に多数枚
、スパッタ室に収容した時の断面図と正面図である。４
の透明プラスチック基板であるポリカーボネート（案内
溝付である。）を２の保持板と３の基板押さえとでザン
ドイッヂし、■の回転するトレーにセットさせる。６の
空隙によって、１を回転させると、４のポリカーボネー
トは、公転とともに自転つまり、自公転をすることにな
る。第３図は、本発明の薄膜の製造方法によって作製し
た最終的な光磁気記録媒体の断面図である。１１の透明
プラスデック基板であるポリカーボネート基板（案内溝
付である。）をアルゴンと窒素奮囲気中での反応性ＲＦ
マグネトロンスパッタリング法を用いて、１２の窒化ア
ルミニウムシリコンを１０００人成膜する。
造方法において、透明プラスチック基板を一度に多数枚
、スパッタ室に収容した時の断面図と正面図である。４
の透明プラスチック基板であるポリカーボネート（案内
溝付である。）を２の保持板と３の基板押さえとでザン
ドイッヂし、■の回転するトレーにセットさせる。６の
空隙によって、１を回転させると、４のポリカーボネー
トは、公転とともに自転つまり、自公転をすることにな
る。第３図は、本発明の薄膜の製造方法によって作製し
た最終的な光磁気記録媒体の断面図である。１１の透明
プラスデック基板であるポリカーボネート基板（案内溝
付である。）をアルゴンと窒素奮囲気中での反応性ＲＦ
マグネトロンスパッタリング法を用いて、１２の窒化ア
ルミニウムシリコンを１０００人成膜する。
次にＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて、Ｂ、
のＮｄＤｙＦｅＣｏＴ ｉの光磁気記録層を４００人成
膜する。そして、光磁気記録層の酸化防止のために１４
の窒化アルミニウムシリコンでザンドイッチする。膜厚
は１０００入である。
のＮｄＤｙＦｅＣｏＴ ｉの光磁気記録層を４００人成
膜する。そして、光磁気記録層の酸化防止のために１４
の窒化アルミニウムシリコンでザンドイッチする。膜厚
は１０００入である。
最後に１５．の窒化アルミニウムシリコンを９００人成
膜した１６．のポリカーボネート基板（案内溝なしであ
る。）と１７．のＵＶ硬化樹脂で貼り合わせる。第４図
は、光磁気記録媒体」二の光磁気記録層であるＮｄＤｙ
ＦｅＣｏＴｉの（Ｎｄ十Ｄｙ）組成分布を示す図である
。１８は本発明の薄膜の製造方法において作製した光磁
気記録媒体の光磁気記録層の（Ｎｄ＋Ｄｙ）組成分布図
で、１９、は、従来の薄膜の製造方法において作製した
光磁気記録媒体の光磁気記録層の（Ｎ ｄ Ｄ ｙ）組
成分布図である。１９．の従来法では（ＮｄＤｙ）組成
分布は、光磁気記録媒体の径方向において避けられず（
具体的には光磁気記録媒体の中心にいくにつれ（Ｎｄ＋
Ｄｙ）の量が増加した。）光磁気記録媒体の特性のバラ
ツキにもつながっていた。そこで本発明の薄膜の製造方
法を用いることで（ＮｄＤＶ）量の組成分布も無くなっ
た。次に比較例として、 第５図から第７図に、従来法
と本発明における薄膜の製造方法によって作製した、光
磁気記録媒体の特性の、比較した結果を示す。以下、順
追って説明する。第５図は光磁気記録層であるＮｄＤｙ
ＦｅＣｏＴｉ層の保磁力の光磁気記録媒体上の分布を示
す図である６２０は、本発明の薄膜の製造方法によって
作製した光磁気記録媒体の保磁力を示し、２１は従来の
薄膜の製造方法において作製した光磁気記録媒体の保磁
力を示す。第６図は、光磁気記録層であるＮｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ層のファラディ回転角の光磁気記録媒体上の分
布を示す図である。２２．は本発明のＦ、ＶＶの製造方
法において作製した光磁気記録媒体のファラディ回転角
を示し、２３は従来の薄膜の製造方法において作製した
光磁気記録媒体の７７９１４回転角を示す。第７図は、
光磁気記録媒体のＣＮＲの光磁気記録媒体上の分布を示
す図である。２４は本発明の薄膜の製造方法において作
製した光磁気記録媒体のＣＮＲを示し、２５．は、従来
の薄膜の製造方法において作製した光磁気５１２録媒体
のＣＮＲを示す。
膜した１６．のポリカーボネート基板（案内溝なしであ
る。）と１７．のＵＶ硬化樹脂で貼り合わせる。第４図
は、光磁気記録媒体」二の光磁気記録層であるＮｄＤｙ
ＦｅＣｏＴｉの（Ｎｄ十Ｄｙ）組成分布を示す図である
。１８は本発明の薄膜の製造方法において作製した光磁
気記録媒体の光磁気記録層の（Ｎｄ＋Ｄｙ）組成分布図
で、１９、は、従来の薄膜の製造方法において作製した
光磁気記録媒体の光磁気記録層の（Ｎ ｄ Ｄ ｙ）組
成分布図である。１９．の従来法では（ＮｄＤｙ）組成
分布は、光磁気記録媒体の径方向において避けられず（
具体的には光磁気記録媒体の中心にいくにつれ（Ｎｄ＋
Ｄｙ）の量が増加した。）光磁気記録媒体の特性のバラ
ツキにもつながっていた。そこで本発明の薄膜の製造方
法を用いることで（ＮｄＤＶ）量の組成分布も無くなっ
た。次に比較例として、 第５図から第７図に、従来法
と本発明における薄膜の製造方法によって作製した、光
磁気記録媒体の特性の、比較した結果を示す。以下、順
追って説明する。第５図は光磁気記録層であるＮｄＤｙ
ＦｅＣｏＴｉ層の保磁力の光磁気記録媒体上の分布を示
す図である６２０は、本発明の薄膜の製造方法によって
作製した光磁気記録媒体の保磁力を示し、２１は従来の
薄膜の製造方法において作製した光磁気記録媒体の保磁
力を示す。第６図は、光磁気記録層であるＮｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ層のファラディ回転角の光磁気記録媒体上の分
布を示す図である。２２．は本発明のＦ、ＶＶの製造方
法において作製した光磁気記録媒体のファラディ回転角
を示し、２３は従来の薄膜の製造方法において作製した
光磁気記録媒体の７７９１４回転角を示す。第７図は、
光磁気記録媒体のＣＮＲの光磁気記録媒体上の分布を示
す図である。２４は本発明の薄膜の製造方法において作
製した光磁気記録媒体のＣＮＲを示し、２５．は、従来
の薄膜の製造方法において作製した光磁気５１２録媒体
のＣＮＲを示す。
第６図から第８図より薄膜の製造方法において基板を自
公転しながら光磁気記録媒体を作製しないと、光磁気記
録媒体の特性が光磁気記録媒体」二の径方向において、
バラツキ、また、実用レベルの目安とされている５０ｄ
ＢのＣＮＲも達成されていないことがわかる。したがっ
て、本発明によれば従来法において問題とされていた光
磁気記録媒体の特性の面内分布が従来法と比較してない
優れた光磁気記録媒体を作製することができた。また薄
膜製造装置において、１枚の保持板で多数枚の光磁気記
録媒体作製が可能となり、量産性を向上することができ
た。
公転しながら光磁気記録媒体を作製しないと、光磁気記
録媒体の特性が光磁気記録媒体」二の径方向において、
バラツキ、また、実用レベルの目安とされている５０ｄ
ＢのＣＮＲも達成されていないことがわかる。したがっ
て、本発明によれば従来法において問題とされていた光
磁気記録媒体の特性の面内分布が従来法と比較してない
優れた光磁気記録媒体を作製することができた。また薄
膜製造装置において、１枚の保持板で多数枚の光磁気記
録媒体作製が可能となり、量産性を向上することができ
た。
尚、本実施例においては、ファラデイ一方式、カ一方式
のどちらの光磁気記録媒体の製造方法においても本発明
は有効である。また保護層に窒化アルミニウムシリコン
を用いたが、Ｓｉｎ、ＳｉＯｘ 、Ｔｉ１ｔ Ｎ Ａｂ
Ｏｓ 、ＭｇＯ等の酸化物、ＡｌＮ１５ｉＮの窒化物、
ＺｎＳ、ＣｄＳ等の硫化物、Ｃｒ１Ｔｉ等でも、本発明
は有効である。
のどちらの光磁気記録媒体の製造方法においても本発明
は有効である。また保護層に窒化アルミニウムシリコン
を用いたが、Ｓｉｎ、ＳｉＯｘ 、Ｔｉ１ｔ Ｎ Ａｂ
Ｏｓ 、ＭｇＯ等の酸化物、ＡｌＮ１５ｉＮの窒化物、
ＺｎＳ、ＣｄＳ等の硫化物、Ｃｒ１Ｔｉ等でも、本発明
は有効である。
光磁気記録層もＴ ｂ Ｆ ｃ ＣＯ１Ｇ ｄ Ｆ ｃ
ＣＯＮ ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏｌＮｄ
ＧｄＦｅｃｏｌＳｍＤｙＦｅＣｏ等のＲＥ−ＴＭ系なら
何ら、さしつかえない。また、本発明は、薄膜を作製す
る時に従来法で組成分布が出るものであれば、を効なも
のである。特に、ＣｏＺｒＮｂ１ＣｏＺｒ等の非晶質軟
磁性膜を作製する時は有効である。
ＣＯＮ ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏｌＮｄ
ＧｄＦｅｃｏｌＳｍＤｙＦｅＣｏ等のＲＥ−ＴＭ系なら
何ら、さしつかえない。また、本発明は、薄膜を作製す
る時に従来法で組成分布が出るものであれば、を効なも
のである。特に、ＣｏＺｒＮｂ１ＣｏＺｒ等の非晶質軟
磁性膜を作製する時は有効である。
以上に述べたように、本発明によれば、基板上に単層、
及び多層成膜する薄膜の製造方法において、基板を自公
転させながら、光磁気記録媒体を製造したことにより、
従来法と比較して、光磁気記録媒体の特性の向上と面内
分布がなくなり、量産性の向上、コストダウンなどに多
大の効果を有するものである。
及び多層成膜する薄膜の製造方法において、基板を自公
転させながら、光磁気記録媒体を製造したことにより、
従来法と比較して、光磁気記録媒体の特性の向上と面内
分布がなくなり、量産性の向上、コストダウンなどに多
大の効果を有するものである。
第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施例における光磁
気記録媒体の製造方法において、透明プラスデック基板
を一度に多数枚、スパッタ室に収容した時の（ａ）断面
図、（ｂ）正面図。 第２図（ａ）、（ｂ）は、従来の光磁気記録媒体の製造
方法において同図（ａ）は、光磁気記録媒体の保護層を
成膜するスパッタ室の断面図。同図（ｂ）は、光磁気記
録層を成膜するスパッタ室の断面図。 第３図は、本発明の薄膜の製造方法によって作製した最
終的な光磁気記録媒体の断面図。 第４図は、光磁気記録層であるＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉの
（Ｎ ｄ 十Ｄ ｙ ）組成分布を示す図。 第５図は、光磁気記録層であるＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉ層
の保磁力の光磁気記録媒体上の分布を示す図。 第６図は、光磁気記録層であるＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉ層
のファラデイ一方式の光磁気記録媒体上の分布を示す図
。 第７図は、光磁気記録媒体のＣＮＲの光磁気記録媒体上
の分布を示す図。 １、トレー。 ２、基板の保持板。 ３、基板押さえ。 ４、案内溝付であるポリカーボネート基板。 ５、ターゲット。 ６、空隙。 ７．１と同じ。 ８．２と同じ。 ９．４と同じ。 １０．５と同じ。 １１．４と同じ。 １２、膜厚が１０００人である窒化アルミニウムシリコ
ン膜。 １３、膜厚が４００人であるＮｄＤｙＦｅＣ。 Ｔｉ膜。 １４．１２と同じ。 １５、膜厚が９００人である窒化アルミニウムシリコン
膜。 １６、案内溝なしのポリカーボネート基板。 １７、ＵＶ硬化樹脂層。 １８、本発明の薄膜の製造方法において作製した、光磁
気記録層の（Ｎｄ＋Ｄｙ）組成分布図。 １９、従来の薄膜の製造方法において作製した光磁気記
録層の（Ｎｄ＋Ｄｙ）組成分布図。 ２０、本発明の簿膜の製造方法において作製した光磁気
記録媒体の保磁力の分布図。 ２１、従来の薄膜の製造方法において作製した光磁気記
録媒体の保磁力の分布図。 ２２、本発明の簿膜の製造方法において作製した光磁気
記録媒体のファラディ回転角の分布図。 ２３、従来の薄膜の製造方法において作製した光磁気記
録媒体の、ファラディ回転角の分布図。 ２４、本発明の薄Ｖの製造方法において作製した光磁気
記録媒体のＣＮＲの分布図。 ２５、従来の薄膜の製造方法において作製した光磁気記
録媒体のＣＮＲの分布図。 以」二 第１図（ＣＡ、）
気記録媒体の製造方法において、透明プラスデック基板
を一度に多数枚、スパッタ室に収容した時の（ａ）断面
図、（ｂ）正面図。 第２図（ａ）、（ｂ）は、従来の光磁気記録媒体の製造
方法において同図（ａ）は、光磁気記録媒体の保護層を
成膜するスパッタ室の断面図。同図（ｂ）は、光磁気記
録層を成膜するスパッタ室の断面図。 第３図は、本発明の薄膜の製造方法によって作製した最
終的な光磁気記録媒体の断面図。 第４図は、光磁気記録層であるＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉの
（Ｎ ｄ 十Ｄ ｙ ）組成分布を示す図。 第５図は、光磁気記録層であるＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉ層
の保磁力の光磁気記録媒体上の分布を示す図。 第６図は、光磁気記録層であるＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉ層
のファラデイ一方式の光磁気記録媒体上の分布を示す図
。 第７図は、光磁気記録媒体のＣＮＲの光磁気記録媒体上
の分布を示す図。 １、トレー。 ２、基板の保持板。 ３、基板押さえ。 ４、案内溝付であるポリカーボネート基板。 ５、ターゲット。 ６、空隙。 ７．１と同じ。 ８．２と同じ。 ９．４と同じ。 １０．５と同じ。 １１．４と同じ。 １２、膜厚が１０００人である窒化アルミニウムシリコ
ン膜。 １３、膜厚が４００人であるＮｄＤｙＦｅＣ。 Ｔｉ膜。 １４．１２と同じ。 １５、膜厚が９００人である窒化アルミニウムシリコン
膜。 １６、案内溝なしのポリカーボネート基板。 １７、ＵＶ硬化樹脂層。 １８、本発明の薄膜の製造方法において作製した、光磁
気記録層の（Ｎｄ＋Ｄｙ）組成分布図。 １９、従来の薄膜の製造方法において作製した光磁気記
録層の（Ｎｄ＋Ｄｙ）組成分布図。 ２０、本発明の簿膜の製造方法において作製した光磁気
記録媒体の保磁力の分布図。 ２１、従来の薄膜の製造方法において作製した光磁気記
録媒体の保磁力の分布図。 ２２、本発明の簿膜の製造方法において作製した光磁気
記録媒体のファラディ回転角の分布図。 ２３、従来の薄膜の製造方法において作製した光磁気記
録媒体の、ファラディ回転角の分布図。 ２４、本発明の薄Ｖの製造方法において作製した光磁気
記録媒体のＣＮＲの分布図。 ２５、従来の薄膜の製造方法において作製した光磁気記
録媒体のＣＮＲの分布図。 以」二 第１図（ＣＡ、）
Claims (1)
- 基板上に、単層及び、多層成膜する薄膜の製造方法に
おいて、前記基板を自公転させながら、薄膜を製造する
ことを特徴とする薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9450587A JPS63259857A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9450587A JPS63259857A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63259857A true JPS63259857A (ja) | 1988-10-26 |
Family
ID=14112173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9450587A Pending JPS63259857A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63259857A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5757871A (en) * | 1980-09-24 | 1982-04-07 | Canon Inc | Vapor depositing device |
| JPS60204850A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 磁性薄膜及びその製造方法 |
| JPS6177316A (ja) * | 1984-09-22 | 1986-04-19 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法 |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP9450587A patent/JPS63259857A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5757871A (en) * | 1980-09-24 | 1982-04-07 | Canon Inc | Vapor depositing device |
| JPS60204850A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 磁性薄膜及びその製造方法 |
| JPS6177316A (ja) * | 1984-09-22 | 1986-04-19 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法 |
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