JPH0449547A - 金属積層膜の製造方法 - Google Patents
金属積層膜の製造方法Info
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- JPH0449547A JPH0449547A JP15903590A JP15903590A JPH0449547A JP H0449547 A JPH0449547 A JP H0449547A JP 15903590 A JP15903590 A JP 15903590A JP 15903590 A JP15903590 A JP 15903590A JP H0449547 A JPH0449547 A JP H0449547A
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子計算機等の記録装置などに用いられる光磁
気記録媒体の製造方法に関するものである。
気記録媒体の製造方法に関するものである。
従来の技術
光磁気記録媒体の記録は記録膜をレーザー光などでキュ
リー点近傍まで局所加熱して磁化を消滅させ、外部から
磁界を付与して、その部分を磁化反転させることにより
行(\ 再生は記録膜からのレーザー反射光のカー効果
による偏光面の回転を検出することにより行う。現在、
より高密度で高転送速度な媒体を目指して開発が進んで
いる。その中で、高S/N、オーバーライド、再生減磁
防止を目的として、互いに磁気交換結合している2種類
以上の磁性膜から構成される記録膜を使用している光磁
気記録媒体がある。
リー点近傍まで局所加熱して磁化を消滅させ、外部から
磁界を付与して、その部分を磁化反転させることにより
行(\ 再生は記録膜からのレーザー反射光のカー効果
による偏光面の回転を検出することにより行う。現在、
より高密度で高転送速度な媒体を目指して開発が進んで
いる。その中で、高S/N、オーバーライド、再生減磁
防止を目的として、互いに磁気交換結合している2種類
以上の磁性膜から構成される記録膜を使用している光磁
気記録媒体がある。
発明が解決しようとする課題
ところで、この光磁気記録媒体を作製するにはスパッタ
リングで成膜する場合でも蒸着法で成膜する場合でもそ
れぞれの磁性膜に応じてスパッタリングターゲットある
いは蒸着源を必要とし しかも磁気交換結合させるため
にはすべての磁性膜を同一槽内で成膜しなければならな
賎 よってこの光磁気記録媒体を作製する成膜装置はす
べての磁性膜を成膜するためのスパッタリングターゲッ
トあるいは蒸着源を含む必要があり、成膜装置が犬がか
りで高価格になるという課題を有していた本発明は前記
課題に鑑へ 成膜装置が簡便で低価格な光磁気記録媒体
の製造方法を提供するものである。
リングで成膜する場合でも蒸着法で成膜する場合でもそ
れぞれの磁性膜に応じてスパッタリングターゲットある
いは蒸着源を必要とし しかも磁気交換結合させるため
にはすべての磁性膜を同一槽内で成膜しなければならな
賎 よってこの光磁気記録媒体を作製する成膜装置はす
べての磁性膜を成膜するためのスパッタリングターゲッ
トあるいは蒸着源を含む必要があり、成膜装置が犬がか
りで高価格になるという課題を有していた本発明は前記
課題に鑑へ 成膜装置が簡便で低価格な光磁気記録媒体
の製造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
前記課題を解決するために本発明の光磁気記録媒体の製
造方法はターゲットを1個しか使用しないスパッタリン
グである。
造方法はターゲットを1個しか使用しないスパッタリン
グである。
作用
前記のスパッタリングは単一ターゲットを用いてスパッ
タリングパワーあるいはスパッタリング圧力を変えるだ
けでスパッタリングされた膜の組成比を変えるようにす
る。
タリングパワーあるいはスパッタリング圧力を変えるだ
けでスパッタリングされた膜の組成比を変えるようにす
る。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
すも 第1図は本発明の製造方法を用いて作製する光磁
気記録媒体の構成図であ、% 11は基板 12、1
5は保護風 13は記録[14は記録補助膜である。本
実施例の光磁気記録媒体は再生ビーム光の照射により媒
体の温度が上昇するためへ 保磁力が減少して不安定に
なり、既に記録されている部分の磁化が不規則に反転し
て再生信号が減少するという課題を解決するもので記録
膜が互いに磁気交換結合している組成の異なる2種類の
磁性風 記録膜13、記録補助膜14から構成されてい
る。それぞれの組成は記録膜13はTb22.5Fee
*、sCo*、@、記録補助膜14はTbassFee
s、5cOo、sで膜厚はそれぞれ100OAである。
すも 第1図は本発明の製造方法を用いて作製する光磁
気記録媒体の構成図であ、% 11は基板 12、1
5は保護風 13は記録[14は記録補助膜である。本
実施例の光磁気記録媒体は再生ビーム光の照射により媒
体の温度が上昇するためへ 保磁力が減少して不安定に
なり、既に記録されている部分の磁化が不規則に反転し
て再生信号が減少するという課題を解決するもので記録
膜が互いに磁気交換結合している組成の異なる2種類の
磁性風 記録膜13、記録補助膜14から構成されてい
る。それぞれの組成は記録膜13はTb22.5Fee
*、sCo*、@、記録補助膜14はTbassFee
s、5cOo、sで膜厚はそれぞれ100OAである。
保護膜12、15はZn5eSiO2でその膜厚は82
0Aである。記録膜13、記録補助膜14の磁気特性を
それぞれ第2図(a)(b)に示す。第2図かられかる
ように記録膜13は再生時には媒体の温度は130℃程
度になるがこれにともない保磁力が減少し磁化反転が起
こり易い状態になるが記録補助M14は再生時の媒体の
温度上昇では保磁力は増加する傾向にあり、磁化反転は
起こりに< L% 記録する際には記録膜13と記録
補助膜14は互いの副格子磁化が一方向に揃った状態で
記録され室温においても記録膜と記録補助膜は磁気交換
結合したままで互いの副格子磁化が同一方向に向いた状
態となる。よって再生レーザー光照射により媒体の温度
が上昇するが前記のように記録膜13は保磁力が減少し
既に記録されている部分の磁化反転が起こり昌い状態
となも しかし 記録補助膜14と磁気交換結合してい
るため磁化反転は妨げられるので記録部分の状態は安定
に保たれも 本媒体を作製する方法はアルゴンガスイオ
ンの低気圧放電を使うマグネトロンスパッタリング法で
あ4スパツタリングにおいてはスパッタリングパワーを
変えると組成の異なる膜を成膜することが出来も この
現象を利用して前記の光磁気記録媒体を作製する。スパ
ッタリング圧力4xlO−’TorrでTb21Feマ
・Coo組成のスパッタリングターゲットを使用した場
合、スパッタリングパワー500Wでスパッタリングす
ると前記の記録膜13の組成の膜が得られ スパッタリ
ングパワー150Wでスパッタリングすると前記の記録
補助膜14の組成の膜が得られる。予めZn5eSiO
pを保護膜12としてマグネトロンスパッタ法で成膜し
たポリカーボネイトディスクを基板として使し\ スパ
ッタリング圧力は4X10−”Torrでまずスパッタ
リングパワー500Wで記録膜13を成膜し 次にスパ
ッタリングパワー150Wで記録補助膜14を成膜すム
その上に保護[15を保護膜12と同様に成膜すム 発明の効果 本発明の光磁気記録媒体の製造方法によれば単一のスパ
ッタリングターゲットを用いて、数種類の互いに磁気交
換結合する磁性膜を記録膜とする光磁気記録媒体を作製
することができ、製造装置が簡便で低価格にすることが
できる。
0Aである。記録膜13、記録補助膜14の磁気特性を
それぞれ第2図(a)(b)に示す。第2図かられかる
ように記録膜13は再生時には媒体の温度は130℃程
度になるがこれにともない保磁力が減少し磁化反転が起
こり易い状態になるが記録補助M14は再生時の媒体の
温度上昇では保磁力は増加する傾向にあり、磁化反転は
起こりに< L% 記録する際には記録膜13と記録
補助膜14は互いの副格子磁化が一方向に揃った状態で
記録され室温においても記録膜と記録補助膜は磁気交換
結合したままで互いの副格子磁化が同一方向に向いた状
態となる。よって再生レーザー光照射により媒体の温度
が上昇するが前記のように記録膜13は保磁力が減少し
既に記録されている部分の磁化反転が起こり昌い状態
となも しかし 記録補助膜14と磁気交換結合してい
るため磁化反転は妨げられるので記録部分の状態は安定
に保たれも 本媒体を作製する方法はアルゴンガスイオ
ンの低気圧放電を使うマグネトロンスパッタリング法で
あ4スパツタリングにおいてはスパッタリングパワーを
変えると組成の異なる膜を成膜することが出来も この
現象を利用して前記の光磁気記録媒体を作製する。スパ
ッタリング圧力4xlO−’TorrでTb21Feマ
・Coo組成のスパッタリングターゲットを使用した場
合、スパッタリングパワー500Wでスパッタリングす
ると前記の記録膜13の組成の膜が得られ スパッタリ
ングパワー150Wでスパッタリングすると前記の記録
補助膜14の組成の膜が得られる。予めZn5eSiO
pを保護膜12としてマグネトロンスパッタ法で成膜し
たポリカーボネイトディスクを基板として使し\ スパ
ッタリング圧力は4X10−”Torrでまずスパッタ
リングパワー500Wで記録膜13を成膜し 次にスパ
ッタリングパワー150Wで記録補助膜14を成膜すム
その上に保護[15を保護膜12と同様に成膜すム 発明の効果 本発明の光磁気記録媒体の製造方法によれば単一のスパ
ッタリングターゲットを用いて、数種類の互いに磁気交
換結合する磁性膜を記録膜とする光磁気記録媒体を作製
することができ、製造装置が簡便で低価格にすることが
できる。
第1図は本発明の光磁気記録媒体の製造方法を使用する
光磁気記録媒体の構造医 第2図は記録膜の磁気特性図
である 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名If・・一
基板 /Z、 15 °°° イラ【 調1 唖13−記
鋒Rt 14− 紀(翫 樟和 1llj 記鯨暎 記錘樟”RJ頃 じ0)
光磁気記録媒体の構造医 第2図は記録膜の磁気特性図
である 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名If・・一
基板 /Z、 15 °°° イラ【 調1 唖13−記
鋒Rt 14− 紀(翫 樟和 1llj 記鯨暎 記錘樟”RJ頃 じ0)
Claims (2)
- (1) スパッタリング法において単一のスパッタリン
グターゲットを用いてスパッタリングパワーを変えて制
御することにより組成比の異なる2種類以上の金属膜を
形成することを特徴とする金属積層膜の製造方法。 - (2) 金属積層膜が光磁気記録膜である特許請求の範
囲第1項記載の金属積層膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15903590A JPH0449547A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 金属積層膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15903590A JPH0449547A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 金属積層膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0449547A true JPH0449547A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15684829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15903590A Pending JPH0449547A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 金属積層膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0449547A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10204924B2 (en) * | 2016-01-12 | 2019-02-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor, manufacturing method thereof, display substrate and display device |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP15903590A patent/JPH0449547A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10204924B2 (en) * | 2016-01-12 | 2019-02-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor, manufacturing method thereof, display substrate and display device |
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