JPH0458661B2 - - Google Patents
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- JPH0458661B2 JPH0458661B2 JP20340483A JP20340483A JPH0458661B2 JP H0458661 B2 JPH0458661 B2 JP H0458661B2 JP 20340483 A JP20340483 A JP 20340483A JP 20340483 A JP20340483 A JP 20340483A JP H0458661 B2 JPH0458661 B2 JP H0458661B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光磁気メモリー、磁気記録、表示素子
などに用いられる光磁気記録媒体に関するもの
で、特に磁気カー効果若しくはフアラデー効果な
どの磁気光学効果を用いて読出すことのできる磁
性薄膜記録媒体に関するものである。
などに用いられる光磁気記録媒体に関するもの
で、特に磁気カー効果若しくはフアラデー効果な
どの磁気光学効果を用いて読出すことのできる磁
性薄膜記録媒体に関するものである。
従来、光磁気記録媒体としてはMnBi，
MnCuBiなどの多結晶体薄膜、GdCo，GdFe，
TbFe，DyFe，GdTbFe，TeDyFeなどの非晶質
薄膜、GIGなどの単結晶薄膜などが知られてい
る。これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近
傍の温度で製作する製膜性、信号を小さな非熱エ
ネルギーで書込むための書込み効率、書込まれた
信号をＳ／Ｎ比よく読出すための読出し効率など
を勘案し、最近では前記非晶質薄膜が光磁気記録
媒体として優れていると考えられている。
MnCuBiなどの多結晶体薄膜、GdCo，GdFe，
TbFe，DyFe，GdTbFe，TeDyFeなどの非晶質
薄膜、GIGなどの単結晶薄膜などが知られてい
る。これらの薄膜のうち、大面積の薄膜を室温近
傍の温度で製作する製膜性、信号を小さな非熱エ
ネルギーで書込むための書込み効率、書込まれた
信号をＳ／Ｎ比よく読出すための読出し効率など
を勘案し、最近では前記非晶質薄膜が光磁気記録
媒体として優れていると考えられている。
一般に磁気カー効果を利用した読出しのＳ／Ｎ
比（Ｓ／Ｎ）は、カー回転角をθK、入射光量を
IO、記録媒体の反射率をＲとしたときに、 （Ｓ／Ｎ）∞√√θk (1) で表わされる。従つてＳ／Ｎ比の良い信号を読出
すためには、大きなθKを持つた材料を見つけ出せ
ばよいことになる。そこで、このような材料とし
て例えばGdTbFeCoの４元系非晶質磁性合金が
特願昭57−77677号等で提案されている。しかし
ながら、このGdTbFeCoのカー回転角をもつて
しても得られる信号のＳ／Ｎ比は充分とは言えな
かつた。また、材料の研究とは別に、上記Ｓ／Ｎ
比の向上を目指して、光磁気記録媒体にカー回転
角強勢層を設けたり、光反射層を設けフアラデー
効果も同時に利用する構成等が提案されている
が、いずれも充分な効果は得られなかつた。
比（Ｓ／Ｎ）は、カー回転角をθK、入射光量を
IO、記録媒体の反射率をＲとしたときに、 （Ｓ／Ｎ）∞√√θk (1) で表わされる。従つてＳ／Ｎ比の良い信号を読出
すためには、大きなθKを持つた材料を見つけ出せ
ばよいことになる。そこで、このような材料とし
て例えばGdTbFeCoの４元系非晶質磁性合金が
特願昭57−77677号等で提案されている。しかし
ながら、このGdTbFeCoのカー回転角をもつて
しても得られる信号のＳ／Ｎ比は充分とは言えな
かつた。また、材料の研究とは別に、上記Ｓ／Ｎ
比の向上を目指して、光磁気記録媒体にカー回転
角強勢層を設けたり、光反射層を設けフアラデー
効果も同時に利用する構成等が提案されている
が、いずれも充分な効果は得られなかつた。
本発明の目的は、Ｓ／Ｎ比の良い読出しが可能
な光磁気記録媒体を提供することにある。
な光磁気記録媒体を提供することにある。
本発明に係る光磁気記録媒体においては、膜面
に垂直方向に磁化容易軸を有するGdTbFeCoか
ら成る非晶質磁性合金にSmを添加することによ
り、上記目的を達成せんとするものである。
に垂直方向に磁化容易軸を有するGdTbFeCoか
ら成る非晶質磁性合金にSmを添加することによ
り、上記目的を達成せんとするものである。
又、本発明に係る光磁気記録媒体において、磁
気カー効果を利用して読出しをする場合、カー回
転角を増大する為にSmの重量比が0.1％〜20％の
範囲に存する事が望ましい。
気カー効果を利用して読出しをする場合、カー回
転角を増大する為にSmの重量比が0.1％〜20％の
範囲に存する事が望ましい。
以下、本発明の光磁気記録媒体に関して詳述す
る。
る。
本発明では、GdTbFeCoから成る非晶質磁性
合金にSmを加え、従来になかつた
GdTbFeCoSmの５元系非晶質磁性合金で光磁気
記録媒体を形成する事によつて、カー回転角等の
磁気光学定数値の優れた媒体が得られたものであ
る。この結果は後述する実施例より明らかな様
に、組成によつては、従来最大の値が得られると
考えられるGdTbFeCoのカー回転角を凌ぐ値を
有するものである。
合金にSmを加え、従来になかつた
GdTbFeCoSmの５元系非晶質磁性合金で光磁気
記録媒体を形成する事によつて、カー回転角等の
磁気光学定数値の優れた媒体が得られたものであ
る。この結果は後述する実施例より明らかな様
に、組成によつては、従来最大の値が得られると
考えられるGdTbFeCoのカー回転角を凌ぐ値を
有するものである。
〔実施例 １〕
高周波スパツター装置において、１インチ×３
インチの白板ガラスを基板とし、４インチ〓の
46.7wt％Co−残部Fe合金の上に、面積比でGdが
33.3％−残部Tbになるようにそれぞれ５mm角の
Gd，tb片を均一にならべたものを第１のターゲ
ツトとして、又、４インチ〓のSmを第２のターゲ
ツトとして使用した。チヤンバー内1.5×10-5Pa
以下になるまで真空排気した後、Arガスを
30sccm導入し、真空排気系についているコンダ
クタンス可変バルブを操作することによりAr圧
を3Paにした。高周波電源によつて第１のターゲ
ツトはスパツター電力を200W一定として、第２
のターゲツトはスパツター電力を変えて２源同時
スパツターを行い、下記の種々の組成の
GdTbFeCoSm膜を作成した。成膜の際には基板
に−120Vの直流電圧を印加した。
インチの白板ガラスを基板とし、４インチ〓の
46.7wt％Co−残部Fe合金の上に、面積比でGdが
33.3％−残部Tbになるようにそれぞれ５mm角の
Gd，tb片を均一にならべたものを第１のターゲ
ツトとして、又、４インチ〓のSmを第２のターゲ
ツトとして使用した。チヤンバー内1.5×10-5Pa
以下になるまで真空排気した後、Arガスを
30sccm導入し、真空排気系についているコンダ
クタンス可変バルブを操作することによりAr圧
を3Paにした。高周波電源によつて第１のターゲ
ツトはスパツター電力を200W一定として、第２
のターゲツトはスパツター電力を変えて２源同時
スパツターを行い、下記の種々の組成の
GdTbFeCoSm膜を作成した。成膜の際には基板
に−120Vの直流電圧を印加した。
試料１：｛（Gd33.3Tb66.7）24.8（Fe53.3Co46.7）75.2
｝96.6
Sm3.4 〃 ２：｛（Gd33.3Tb66.7）24.8（Fe53.3Co46.7）75.2
｝92.9
Sm7.1 〃 ３：｛（Gd33.3Tb66.7）25.0（Fe53.3Co46.7）75.0
｝89.7
Sm10.3 〃 ４：｛（Gd33.3Tb66.7）24.9（Fe53.3Co46.7）75.1
｝86.0
Sm14.0 〃 ５：｛（Gd33.3Tb66.7）25.1（Fe53.3Co46.7）74.9
｝82.2
Sm17.8 第１図に上記組成のGdTbFeCoSm非晶質磁性
膜におけるSm量（重量％）とカー回転角との関
係を示す。ここでカー回転角の測定はガラス基板
側から波長6328〓の光を入射させて行つた。図か
らわかるように、Sm量が増すにしたがつてカー
回転角が大きくなり7.1％で最大値0.45°になり、
さらにSm量が増すと小さくなつて17.8％で0.41°
となつた。
｝96.6
Sm3.4 〃 ２：｛（Gd33.3Tb66.7）24.8（Fe53.3Co46.7）75.2
｝92.9
Sm7.1 〃 ３：｛（Gd33.3Tb66.7）25.0（Fe53.3Co46.7）75.0
｝89.7
Sm10.3 〃 ４：｛（Gd33.3Tb66.7）24.9（Fe53.3Co46.7）75.1
｝86.0
Sm14.0 〃 ５：｛（Gd33.3Tb66.7）25.1（Fe53.3Co46.7）74.9
｝82.2
Sm17.8 第１図に上記組成のGdTbFeCoSm非晶質磁性
膜におけるSm量（重量％）とカー回転角との関
係を示す。ここでカー回転角の測定はガラス基板
側から波長6328〓の光を入射させて行つた。図か
らわかるように、Sm量が増すにしたがつてカー
回転角が大きくなり7.1％で最大値0.45°になり、
さらにSm量が増すと小さくなつて17.8％で0.41°
となつた。
第２図は上記実施例におけるSm量（重量％）
と保磁力の大きさおよび角形比との関係を示す。
磁性膜の保磁力は小さすぎると記録が不安定とな
り、大きすぎると着磁・消磁の際に非常に大きな
磁場を必要として実用上不都合であり、適当な値
である事が望ましい。本実施例では第２図破線で
示すように、保磁力はSm量が20wt％まで1KOe
前後で大きな変動がなく、取扱い易い光磁気記録
媒体が得られた。また角形比は（残留磁化）／
（飽和磁化）を表わし、記録パターンの安定性に
関係するものであるが、本実施例では第２図に図
示した範囲で、ほぼ角形比１で記録パターンの安
定した光磁気記録媒体が得られた。
と保磁力の大きさおよび角形比との関係を示す。
磁性膜の保磁力は小さすぎると記録が不安定とな
り、大きすぎると着磁・消磁の際に非常に大きな
磁場を必要として実用上不都合であり、適当な値
である事が望ましい。本実施例では第２図破線で
示すように、保磁力はSm量が20wt％まで1KOe
前後で大きな変動がなく、取扱い易い光磁気記録
媒体が得られた。また角形比は（残留磁化）／
（飽和磁化）を表わし、記録パターンの安定性に
関係するものであるが、本実施例では第２図に図
示した範囲で、ほぼ角形比１で記録パターンの安
定した光磁気記録媒体が得られた。
〔実施例 ２〕
高周波スパツター装置において、１インチ×３
インチの白板ガラスを基板とし、50％Co−Fe合
金の直径５インチの円板の上に、大きさ10mm×10
mm×厚さ１mmの50％Gd−Tb合金の小片17枚と大
きさ10mm×10mm×厚さ１mmのSmの小片を均一に
載せたものをターゲツトとして成膜した。Sm量
はSm片の枚数を変えることにより変化させた。
まず、チヤンバー内が1.5×10-5Pa以下になるま
で真空排気した後、Arガスを30sccm導入し真空
排気系についているコンダクタンスバルグを操作
することにより、Ar圧を3Paに保つた。高周波電
力は400W，基板へのバイアス電圧は印加せずに
成膜した。できた膜はエツクス線マイクロアナラ
イザーを使用して組成分析を行つた。
インチの白板ガラスを基板とし、50％Co−Fe合
金の直径５インチの円板の上に、大きさ10mm×10
mm×厚さ１mmの50％Gd−Tb合金の小片17枚と大
きさ10mm×10mm×厚さ１mmのSmの小片を均一に
載せたものをターゲツトとして成膜した。Sm量
はSm片の枚数を変えることにより変化させた。
まず、チヤンバー内が1.5×10-5Pa以下になるま
で真空排気した後、Arガスを30sccm導入し真空
排気系についているコンダクタンスバルグを操作
することにより、Ar圧を3Paに保つた。高周波電
力は400W，基板へのバイアス電圧は印加せずに
成膜した。できた膜はエツクス線マイクロアナラ
イザーを使用して組成分析を行つた。
試料６：｛（Gd49.6Tb50.4）26.2（Fe49.8Co50.2）73.8
｝97.7
Sm2.3 〃 ７：｛（Gd49.6Tb50.4）26.1（Fe49.8Co50.2）73.9
｝95.3
Sm4.7 〃 ８：｛（Gd49.6Tb50.4）26.3（Fe49.8Co50.2）73.7
｝90.7
Sm9.3 〃 ９：｛（Gd49.6Tb50.4）26.2（Fe49.8Co50.2）73.8
｝86.4
Sm13.6 〃10：｛（Gd49.6Tb50.4）26.4（Fe49.8Co50.2）73.6｝
82.2
Sm17.8 第２実施例におけるSm量（重量％）とカー回
転角との関係を第３図に示す。測定は第１実施例
と同様に、ガラス基板側から波長6328Åの光を入
射させて行つた。本実施例では、Sm量が4.7〜
9.3wt％の間でカー回転角0.5度という値を得た。
また、図示していないが、第３図の組成範囲で角
形比１、保磁力1.4〜1.8KOeであり、光磁気記録
媒体として良好なものであつた。
｝97.7
Sm2.3 〃 ７：｛（Gd49.6Tb50.4）26.1（Fe49.8Co50.2）73.9
｝95.3
Sm4.7 〃 ８：｛（Gd49.6Tb50.4）26.3（Fe49.8Co50.2）73.7
｝90.7
Sm9.3 〃 ９：｛（Gd49.6Tb50.4）26.2（Fe49.8Co50.2）73.8
｝86.4
Sm13.6 〃10：｛（Gd49.6Tb50.4）26.4（Fe49.8Co50.2）73.6｝
82.2
Sm17.8 第２実施例におけるSm量（重量％）とカー回
転角との関係を第３図に示す。測定は第１実施例
と同様に、ガラス基板側から波長6328Åの光を入
射させて行つた。本実施例では、Sm量が4.7〜
9.3wt％の間でカー回転角0.5度という値を得た。
また、図示していないが、第３図の組成範囲で角
形比１、保磁力1.4〜1.8KOeであり、光磁気記録
媒体として良好なものであつた。
第１及び第２実施例から明らかなように、本発
明に係る光磁気記録媒体はGdTbFeCoから成る
非晶質磁性合金に、Smを重量比で0.1％〜20％添
加することにより、GdTbFeCoよりもカー回転
角が大きく、角形比及び保磁力も適当な光磁気記
録媒体と成るものである。尚、実施例において磁
性膜はスパツター法によつて製膜したが、電子ビ
ーム法、イオンスパツター法、フラツシユ法等に
よつて製膜してもよい事は勿論である。
明に係る光磁気記録媒体はGdTbFeCoから成る
非晶質磁性合金に、Smを重量比で0.1％〜20％添
加することにより、GdTbFeCoよりもカー回転
角が大きく、角形比及び保磁力も適当な光磁気記
録媒体と成るものである。尚、実施例において磁
性膜はスパツター法によつて製膜したが、電子ビ
ーム法、イオンスパツター法、フラツシユ法等に
よつて製膜してもよい事は勿論である。
以上、読出しのＳ／Ｎ比に関しては、カー回転
角を様いて説明を行つたが、本発明の光磁気記録
媒体は、フアラデー効果を様いて読出す場合にも
有効で、良好なＳ／Ｎ比が得られるものである。
角を様いて説明を行つたが、本発明の光磁気記録
媒体は、フアラデー効果を様いて読出す場合にも
有効で、良好なＳ／Ｎ比が得られるものである。
以上説明したように、本発明はGdTbFeCoよ
り成る非晶質磁性合金にSmを添加して光磁気記
録媒体を構成したので、従来より大きなＳ／Ｎ比
で読出しが可能となつた。
り成る非晶質磁性合金にSmを添加して光磁気記
録媒体を構成したので、従来より大きなＳ／Ｎ比
で読出しが可能となつた。
第１図は本発明の第１実施例におけるSmの量
とカー回転角との関係を示す図、第２図は本発明
の第１実施例におけるSmの量と保磁力及び角形
比との関係を示す図、第３図は本発明の第２実施
例におけるSmの量とカー回転角との関係を示す
図である。
とカー回転角との関係を示す図、第２図は本発明
の第１実施例におけるSmの量と保磁力及び角形
比との関係を示す図、第３図は本発明の第２実施
例におけるSmの量とカー回転角との関係を示す
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する
GdTbFeCoから成る非晶質磁性合金にSmを添加
した事を特徴とする光磁気記録媒体。 ２ 前記Smの重量比が0.1％〜20％の範囲に存す
る特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20340483A JPS6095743A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20340483A JPS6095743A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095743A JPS6095743A (ja) | 1985-05-29 |
| JPH0458661B2 true JPH0458661B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=16473491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20340483A Granted JPS6095743A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095743A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6212941A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP20340483A patent/JPS6095743A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6095743A (ja) | 1985-05-29 |
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