JPH04311842A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04311842A JPH04311842A JP7925291A JP7925291A JPH04311842A JP H04311842 A JPH04311842 A JP H04311842A JP 7925291 A JP7925291 A JP 7925291A JP 7925291 A JP7925291 A JP 7925291A JP H04311842 A JPH04311842 A JP H04311842A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
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- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＰｔ、または、Ｐｄ、ま
たは、ＰｔとＰｄとの合金と、Ｃｏとの交互に積層させ
た多層膜を記録膜とする光磁気記録媒体の製造方法に関
する。
たは、ＰｔとＰｄとの合金と、Ｃｏとの交互に積層させ
た多層膜を記録膜とする光磁気記録媒体の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光磁気記録に用いられる光磁気材
料としては特公平１−２３９２７に記載のＴｂＦｅＣｏ
や特開昭６３−７６１３４に記載のＮｄＤｙＦｅＣｏに
代表される希土類一遷移金属合金薄膜が主流であるが、
特開平２−５６７５２や特開平２−２９９５６に記載の
ＣｏとＰｔあるいはＰｄあるいはＰｔＰｄ合金との多層
膜を利用することが検討されていた。ＣｏとＰｔ、Ｐｄ
との多層膜は垂直磁気異方性を有しキュリー温度を摂氏
１００度から３００度の間で変化させることができるの
で光磁気記録用の媒体として利用することができる。ま
た、光磁気記録をより高密度にするためには、波長の短
い光を使う必要がある。希土類一遷移金属合金は波長が
短くなるほどカー回転角が小さくなるが、ＣｏとＰｔ、
Ｐｄとの多層膜では逆に大きくなるので、高密度化には
後者の方が適しているとされている。また、希土類一遷
移金属合金が腐食され易く保護膜なしでは実用にならな
いのに対して、ＣｏとＰｔ、Ｐｄとの多層膜は耐食性に
優れているので保護膜の必要がなく、より信頼性の高い
記録媒体を製造することができる。
料としては特公平１−２３９２７に記載のＴｂＦｅＣｏ
や特開昭６３−７６１３４に記載のＮｄＤｙＦｅＣｏに
代表される希土類一遷移金属合金薄膜が主流であるが、
特開平２−５６７５２や特開平２−２９９５６に記載の
ＣｏとＰｔあるいはＰｄあるいはＰｔＰｄ合金との多層
膜を利用することが検討されていた。ＣｏとＰｔ、Ｐｄ
との多層膜は垂直磁気異方性を有しキュリー温度を摂氏
１００度から３００度の間で変化させることができるの
で光磁気記録用の媒体として利用することができる。ま
た、光磁気記録をより高密度にするためには、波長の短
い光を使う必要がある。希土類一遷移金属合金は波長が
短くなるほどカー回転角が小さくなるが、ＣｏとＰｔ、
Ｐｄとの多層膜では逆に大きくなるので、高密度化には
後者の方が適しているとされている。また、希土類一遷
移金属合金が腐食され易く保護膜なしでは実用にならな
いのに対して、ＣｏとＰｔ、Ｐｄとの多層膜は耐食性に
優れているので保護膜の必要がなく、より信頼性の高い
記録媒体を製造することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＣｏとＰｔ、
Ｐｄとの多層膜は保磁力が従来の希土類一遷移金属合金
に比べて小さいという欠点があった。より高密度の記録
のためにより微小な磁区を形成するためには、大きな保
磁力が必要である。スパッタリング法で製造したとき希
土類一遷移金属合金では５ｋＯｅ以上の保磁力を容易に
得られるのに対してＣｏとＰｔとの多層膜では１ｋＯｅ
前後、ＣｏとＰｄとの多層膜では２ｋＯｅ前後しかえら
れない。ただし、真空蒸着法で製造するとＣｏとＰｔと
の多層膜では３ｋＯｅ前後、ＣｏとＰｄとの多層膜では
５ｋＯｅ前後の比較的大きな保磁力を得ることが出来て
いる。これは、真空蒸着法に比べてスパッタリング法で
はターゲットから飛び出したＣｏ原子、Ｐｔ原子、Ｐｄ
原子が大きな運動エネルギーをもって基板に入射するた
めに多層構造が乱れて界面で各原子が混合するためだと
言われている。しかし、大量生産には液相を介さないス
パッタリング法のほうが適しているので、スパッタリン
グ法によって高保磁力の多層膜を得ることが望まれてい
た。
Ｐｄとの多層膜は保磁力が従来の希土類一遷移金属合金
に比べて小さいという欠点があった。より高密度の記録
のためにより微小な磁区を形成するためには、大きな保
磁力が必要である。スパッタリング法で製造したとき希
土類一遷移金属合金では５ｋＯｅ以上の保磁力を容易に
得られるのに対してＣｏとＰｔとの多層膜では１ｋＯｅ
前後、ＣｏとＰｄとの多層膜では２ｋＯｅ前後しかえら
れない。ただし、真空蒸着法で製造するとＣｏとＰｔと
の多層膜では３ｋＯｅ前後、ＣｏとＰｄとの多層膜では
５ｋＯｅ前後の比較的大きな保磁力を得ることが出来て
いる。これは、真空蒸着法に比べてスパッタリング法で
はターゲットから飛び出したＣｏ原子、Ｐｔ原子、Ｐｄ
原子が大きな運動エネルギーをもって基板に入射するた
めに多層構造が乱れて界面で各原子が混合するためだと
言われている。しかし、大量生産には液相を介さないス
パッタリング法のほうが適しているので、スパッタリン
グ法によって高保磁力の多層膜を得ることが望まれてい
た。
【０００４】そこで、本発明は、Ｐｔ−Ｃｏ、Ｐｄ−Ｃ
ｏ、ＰｔＰｄ−Ｃｏ多層膜を製造する際、真空蒸着法で
製造したときに得られる保磁力と同等の大きさの保磁力
を持つ磁性膜をスパッタリング法で作製することを目的
とする。
ｏ、ＰｔＰｄ−Ｃｏ多層膜を製造する際、真空蒸着法で
製造したときに得られる保磁力と同等の大きさの保磁力
を持つ磁性膜をスパッタリング法で作製することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
の製造方法は、Ｐｔ、または、Ｐｄ、または、ＰｔとＰ
ｄとの合金とＣｏとを交互に積層させた多層膜を記録膜
とする光磁気記録媒体の製造方法において、Ｐｔ、また
は、ＰｔとＰｄとの合金のターゲット、Ｃｏのターゲッ
トを用いてスパッタリング法で基板に膜形成する際に前
記ターゲットの面に対して基板の面が斜め、または垂直
になるように基板を配置すること、さらには、基板をタ
ーゲットの面に対して前記基板の面が斜め、または垂直
になるように基板を配置したうえで、基板面内で回転さ
せながら膜形成を行うことを特徴とする。
の製造方法は、Ｐｔ、または、Ｐｄ、または、ＰｔとＰ
ｄとの合金とＣｏとを交互に積層させた多層膜を記録膜
とする光磁気記録媒体の製造方法において、Ｐｔ、また
は、ＰｔとＰｄとの合金のターゲット、Ｃｏのターゲッ
トを用いてスパッタリング法で基板に膜形成する際に前
記ターゲットの面に対して基板の面が斜め、または垂直
になるように基板を配置すること、さらには、基板をタ
ーゲットの面に対して前記基板の面が斜め、または垂直
になるように基板を配置したうえで、基板面内で回転さ
せながら膜形成を行うことを特徴とする。
【０００６】
【作用】基板を斜めにしたことで、大きな運動エネルギ
ーを持つ原子が入射しても各層の界面での混合が起こり
にくくなった。
ーを持つ原子が入射しても各層の界面での混合が起こり
にくくなった。
【０００７】
【実施例】実施例１：図１は本発明の光磁気記録媒体の
製造方法を示す構成図である。図１に示されるのはスパ
ッタリング装置の内部であり、実際には真空槽に囲われ
て、排気装置で排気され真空が保持されている。スパッ
タリング法で膜形成をおこなう際には、排気装置で１０
−６Ｔｏｒｒ以下の真空度にした後、Ａｒガスを１ｍＴ
ｏｒｒ導入しておこなった。そして、Ｐｔターゲット１
０１、Ｃｏターゲット１０２にそれぞれ電圧を印加して
放電させて膜形成をおこなった。多層膜を形成すること
が目的なのでＰｔの原子とＣｏの原子とが混じり合わな
いようにしきり板１０３を設け、基板１０５を配置した
基板ホルダ１０４をしきり板１０３を隔てて、Ｐｔター
ゲット側、Ｃｏターゲット側の間を往復運動させた。そ
の結果図２に示されるようなＣｏ層２０１、Ｐｔ層２０
２が基板２０３上に交互に積層したような多層膜が得ら
れる。本発明の光磁気記録媒体の製造方法の特徴は基板
１０５がＰｔターゲット１０１やＣｏターゲット１０２
の面に対して斜めまたは垂直に取付けられている点であ
る。従来の技術ではターゲット面に対して基板の面が平
行になるように基板が取付けられている。この従来の製
造方法で作製した光磁気記録媒体のカー回転角ヒステリ
シスカーブを測定した結果を図３に示す。保磁力は３０
０Ｏｅ程度で角型比は１を大きく切っている。これに対
して本発明の製造方法で作製した光磁気記録媒体のカー
回転角ヒステリシスカーブを測定した結果を図４に示す
。保磁力として３ｋＯｅ以上が得られ、角型比として１
が得られている。この値は真空蒸着法で作製したＰｔ−
Ｃｏ多層膜並である。このように、本発明の製造方法に
よれば量産性に優れたスパッタリング法で真空蒸着法並
の特性が得られる光磁気記録媒体を製造することが可能
である。
製造方法を示す構成図である。図１に示されるのはスパ
ッタリング装置の内部であり、実際には真空槽に囲われ
て、排気装置で排気され真空が保持されている。スパッ
タリング法で膜形成をおこなう際には、排気装置で１０
−６Ｔｏｒｒ以下の真空度にした後、Ａｒガスを１ｍＴ
ｏｒｒ導入しておこなった。そして、Ｐｔターゲット１
０１、Ｃｏターゲット１０２にそれぞれ電圧を印加して
放電させて膜形成をおこなった。多層膜を形成すること
が目的なのでＰｔの原子とＣｏの原子とが混じり合わな
いようにしきり板１０３を設け、基板１０５を配置した
基板ホルダ１０４をしきり板１０３を隔てて、Ｐｔター
ゲット側、Ｃｏターゲット側の間を往復運動させた。そ
の結果図２に示されるようなＣｏ層２０１、Ｐｔ層２０
２が基板２０３上に交互に積層したような多層膜が得ら
れる。本発明の光磁気記録媒体の製造方法の特徴は基板
１０５がＰｔターゲット１０１やＣｏターゲット１０２
の面に対して斜めまたは垂直に取付けられている点であ
る。従来の技術ではターゲット面に対して基板の面が平
行になるように基板が取付けられている。この従来の製
造方法で作製した光磁気記録媒体のカー回転角ヒステリ
シスカーブを測定した結果を図３に示す。保磁力は３０
０Ｏｅ程度で角型比は１を大きく切っている。これに対
して本発明の製造方法で作製した光磁気記録媒体のカー
回転角ヒステリシスカーブを測定した結果を図４に示す
。保磁力として３ｋＯｅ以上が得られ、角型比として１
が得られている。この値は真空蒸着法で作製したＰｔ−
Ｃｏ多層膜並である。このように、本発明の製造方法に
よれば量産性に優れたスパッタリング法で真空蒸着法並
の特性が得られる光磁気記録媒体を製造することが可能
である。
【０００８】実施例２：光磁気記録媒体を製造する際に
は優れた特性が基板全体にわたって均一に得られなけれ
ばならない。そこで、図５に示すようにモータ５０２の
回転軸に固定された基板回転テーブル５０３に基板５０
４が取付けられ、さらにモータ５０２は基板傾斜台５０
１に取付けられた装置を用いて膜形成をおこなった。こ
のような装置を用いることによって基板５０４の面をタ
ーゲット５０５の面に対して斜めに保持したまま、基板
５０４を回転させて膜形成をおこなうことが出来る。
は優れた特性が基板全体にわたって均一に得られなけれ
ばならない。そこで、図５に示すようにモータ５０２の
回転軸に固定された基板回転テーブル５０３に基板５０
４が取付けられ、さらにモータ５０２は基板傾斜台５０
１に取付けられた装置を用いて膜形成をおこなった。こ
のような装置を用いることによって基板５０４の面をタ
ーゲット５０５の面に対して斜めに保持したまま、基板
５０４を回転させて膜形成をおこなうことが出来る。
【０００９】ターゲットとしてＰｔとＣｏを用いて、Ｐ
ｔ−Ｃｏ多層膜を作製したところ直径１３０ｍｍの円形
基板全体にわたって３ｋＯｅ以上の保磁力を得ることが
出来た。
ｔ−Ｃｏ多層膜を作製したところ直径１３０ｍｍの円形
基板全体にわたって３ｋＯｅ以上の保磁力を得ることが
出来た。
【００１０】実施例１、実施例２においてＰｔ−Ｃｏ多
層膜の例を述べたが、本発明の製造方法はこの多層膜に
限定されるものではなく、同様にＰｄ−Ｃｏ多層膜、Ｐ
ｔＰｄ合金−Ｃｏ多層膜の製造にも有効であることは明
らかである。
層膜の例を述べたが、本発明の製造方法はこの多層膜に
限定されるものではなく、同様にＰｄ−Ｃｏ多層膜、Ｐ
ｔＰｄ合金−Ｃｏ多層膜の製造にも有効であることは明
らかである。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録媒体の製造方法は、Ｐｔ、または、Ｐｄ、または、Ｐ
ｔとＰｄとの合金と、Ｃｏとを交互に積層させた多層膜
を記録膜とする光磁気記録媒体の製造方法において、Ｐ
ｔ、または、Ｐｄ、または、ＰｔとＰｄとの合金のター
ゲット、Ｃｏのターゲットを用いてスパッタリング法で
基板に膜形成する際にターゲットの面に対して基板の面
が斜め、または垂直になるように基板を配置すること、
さらには、基板をターゲットの面に対して前記基板の面
が斜め、または垂直になるように基板を配置したうえで
、基板面内で回転させながら膜形成を行うことによって
、スパッタリング法で保磁力の大きい光磁気記録媒体を
得ることが可能になった。スパッタリング法は真空蒸着
法に比べ量産性に優れており、高い性能を有する光磁気
記録媒体を低コストで供給することが可能である。
録媒体の製造方法は、Ｐｔ、または、Ｐｄ、または、Ｐ
ｔとＰｄとの合金と、Ｃｏとを交互に積層させた多層膜
を記録膜とする光磁気記録媒体の製造方法において、Ｐ
ｔ、または、Ｐｄ、または、ＰｔとＰｄとの合金のター
ゲット、Ｃｏのターゲットを用いてスパッタリング法で
基板に膜形成する際にターゲットの面に対して基板の面
が斜め、または垂直になるように基板を配置すること、
さらには、基板をターゲットの面に対して前記基板の面
が斜め、または垂直になるように基板を配置したうえで
、基板面内で回転させながら膜形成を行うことによって
、スパッタリング法で保磁力の大きい光磁気記録媒体を
得ることが可能になった。スパッタリング法は真空蒸着
法に比べ量産性に優れており、高い性能を有する光磁気
記録媒体を低コストで供給することが可能である。
【図１】本発明の製造方法にもちいる製造装置の一例を
示した構成図である。
示した構成図である。
【図２】Ｐｔ−Ｃｏ多層膜の断面を示した説明図である
。
。
【図３】従来の製造方法で製造したＰｔ−Ｃｏ多層膜の
カー回転角ヒステリシスカーブを測定した結果を示す特
性図である。
カー回転角ヒステリシスカーブを測定した結果を示す特
性図である。
【図４】本発明の製造方法で製造したＰｔ−Ｃｏ多層膜
のカー回転角ヒステリシスカーブを測定した結果を示す
特性図である。
のカー回転角ヒステリシスカーブを測定した結果を示す
特性図である。
【図５】本発明の製造方法にもちいる製造装置の一例を
示す、実施例２に対応する構成図である。
示す、実施例２に対応する構成図である。
Claims (2)
- 【請求項１】Ｐｔ、または、Ｐｄ、または、ＰｔとＰｄ
との合金と、Ｃｏとを交互に積層させた多層膜を記録膜
とする光磁気記録媒体の製造方法において、Ｐｔ、また
は、Ｐｄ、または、ＰｔとＰｄとの合金のターゲット、
Ｃｏのターゲットを用いてスパッタリング法で基板に膜
形成する際に前記ターゲットの面に対して前記基板の面
が斜め、または垂直になるように前記基板を配置するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】請求項１の基板を前記ターゲットの面に対
して前記基板の面が斜め、または垂直になるように前記
基板を配置したうえで、基板面内で回転させながら膜形
成を行うことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7925291A JPH04311842A (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7925291A JPH04311842A (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311842A true JPH04311842A (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=13684664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7925291A Pending JPH04311842A (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04311842A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6241857B1 (en) | 1996-11-20 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Method of depositing film and sputtering apparatus |
| EP1318209A1 (en) * | 2001-10-30 | 2003-06-11 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus and film forming method |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP7925291A patent/JPH04311842A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6241857B1 (en) | 1996-11-20 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Method of depositing film and sputtering apparatus |
| EP1318209A1 (en) * | 2001-10-30 | 2003-06-11 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus and film forming method |
| US7156961B2 (en) | 2001-10-30 | 2007-01-02 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus and film forming method |
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