JP3093389B2 - 光磁気メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光磁気メモリ素子の製造方法Info
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Description
情報の記録、消去及び再生を行なう光磁気メモリ素子の
製造方法、更に詳しくは、光磁気メモリ素子における主
としてCo及びPtからなる多層膜の記録層を製造する
方法に関するものである。
多層膜を記録層に用いた光磁気メモリ素子は、短波長領
域(400nm≦λ≦600nm)で Kerr 回転角(θ
k )が大きいために高密度記録材料として提案されてい
る。ところがCo/Pt多層膜をArガスを用いてスパ
ッタリングにより作製する場合、例えば磁気記録研究会
89-45 やIEEE, Trans. Magn., Vol.25, No.5, P.3755-3
757 に示されているように、通常その保磁力(Hc)
は、1kOe以下となり記録されたビットの安定性に問
題がある。
Vol.1248 P.36-48(1990) では製膜中のAr圧を高くす
ることが提案されている。又、Appl. Phys. Lett. Vol.
56(23), P.2345-2347(1990) ではスパッタリングガスに
KrやXeといった原子量の大きいガスを使用すること
が提案されている。又、Appl. Phys. Lett. Vol.58,No.
2(1991) P.191-193 ではZnO等の結晶性下地層を使
用することが提案されている。
方法において、Co/Pt多層膜の保磁力を大きくする
ためにAr圧を高くすると、膜中へのAr原子の混入の
ために孔の多い膜ができてしまい再生の際にノイズの原
因となる。又、KrやXeはArに比べて非常に高価で
あるために、これらのガスを用いることはコストアップ
を招来する。さらに、結晶性下地層を用いた場合には多
結晶膜であるCo/Pt層の粒子径が大きくなってしま
い再生の際のノイズの原因になるという問題点を有して
いる。
リ素子の製造方法は、マグネトロンスパッタ法を用いP
tとCoとを交互に積層したCo/Pt層を成膜する工
程を含む光磁気メモリ素子の製造方法において、ターゲ
ット面上2mmの位置におけるターゲット面内方向の最
大磁束密度を1000ガウス以上とすることを特徴とし
ている。
とした多層膜を作製する際に、比較的低いAr圧で、大
きな保磁力を有する多層膜を得ることができる。従っ
て、この多層膜を記録層とする光磁気メモリ素子は保磁
力が大きいため安定した記録ビットが得られる。
明すると以下の通りである。
ては、回転する基板ホルダー6に基板7が装着されてお
り、ターゲットとして例えばPtターゲット4及びCo
ターゲット5が備えられている。またスパッタガスとし
てのArガスが、取り入れ口9より供給されると共に図
示しない真空ポンプにより排気口10より排気されるよ
うになっている。スパッタ時には、Ptターゲット4お
よびCoターゲット5が同時に放電されることによりP
t,Co原子が基板7に向かって飛来するが、シャッタ
ー8によりPt,Coは混ざりあうことなく基板7上に
順に積層され多層膜が形成される。
ネット2とターゲット材料を装着したバッキングプレー
ト1から構成されている。マグネット2からは磁束3が
バッキングプレート1即ちターゲットの中央部から端部
に向けて図示するように出ている。aは磁束密度をベク
トルで示したものであり、bはその垂直成分cは面内成
分であり、ターゲット面内方向の磁束密度はcで示され
る。
位置において、ターゲット面内方向の最大磁束密度が1
000ガウス以上となるように、マグネット2からの磁
束密度が調整されている。
る、ターゲット面内方向の最大磁束密度が1000ガウ
スの時のターゲット半径方向への磁束密度の変化の様子
を示す。使用したターゲットは3''φのものである。図
中におけるBmax がターゲット面内方向の最大磁束密度
となる。
明の方法により、高い保磁力を持つCo/Pt多層膜が
得られる例を比較例と共に示す。
Å、Co3.5Åからなる層が10層積層されたものとし
た。又Coターゲット5をRFマグネトロン放電Ptタ
ーゲット4をDCマグネトロン放電し、スパッタガスに
Arを用いることで膜を生成した。Ptターゲット4上
の2mmの位置におけるターゲット面内方向の最大磁束
密度は、1200ガウスで一定とした。
パッタ法でアモルファスのAlN層16(厚さ700
Å)をコーティングしたガラス基板15を用いて、Co
/Pt層17を成膜した。図2中におけるCoターゲッ
ト5上2mmの位置でのターゲット面内方向の磁束密度
を1000ガウスになるようにした。磁束密度の増大は
Coターゲット5の厚みを薄くすることで行なった。
17のHcを測定し、ガス圧との関係を図3において曲
線13で示した。ガス圧を高くする程Hcは大きくなる
が、Hc=1kOeを目安とすると、本実施例ではAr
圧が10mTorr 以上でHc>1kOeとなった。
に、Coターゲット5上2mmの位置でのターゲット面
内方向の磁束密度を1500ガウスとして、Co/Pt
層を成膜した。磁束密度の増大はCoターゲット5の厚
みを薄くすることで行なった。
圧の関係を図3中の曲線14で示した。本実施例では、
Ar圧5mTorr 以上でHc>1kOeとなった。
に、Coターゲット5上2mmの位置でのターゲット面
内方向の最大磁束密度を800ガウスとして、Co/P
t層を製造した。
圧の関係を図3中の曲線11で示した。Ar圧が60mT
orr 以上でHc>1kOeとなった。
0ÅのPt層19、膜厚600ÅのMgO層20が順に
成膜されたガラス基板18を用いて、結晶性下地層であ
るMgO層20上にCo/Pt層21を成膜した。図2
におけるCoターゲット5上2mmの位置でのターゲッ
ト面内方向の最大磁束密度を800ガウスとした。
とHcの関係を図3中の曲線12で示した。Ar圧が1
5mTorr 以上でHc>1kOeとなった。
磁束密度として1000ガウス以上が得られるようなタ
ーゲットを用いた作製方法によれば、低いAr圧でも高
いHcが得られることになる。
ットの厚みを薄くすることで行なったが、マグネット材
質を変えることや磁気回路を工夫することでも磁束密度
を大きくすることは可能であり、上記の方法に限定され
るものではない。
法は、以上のように、ターゲット面上2mmの位置にお
けるターゲット面内方向の最大磁束密度を1000ガウ
ス以上とする構成である。
及びPtを主体とした多層膜を作製する際に、比較的低
いAr圧で大きな保磁力を有する多層膜を得ることがで
きる。従って、この多層膜を記録層とする光磁気メモリ
素子は保磁力が大きいため安定した記録ビットが得られ
ると共に、結晶性下地又は高価なXeやKrを用いる必
要がないので、安価に製造できるという効果を奏する。
また、粒子径が小さく膜へのスパッタガス原子の取り込
みが少ないため、再生信号のノイズを小さくすることが
できるという効果も併せて奏する。
示す説明図である。
る。
係を示すグラフである。
るターゲット中心からの距離と磁束密度との関係を示す
グラフである。
膜を示す縦断面図である。
である。
Claims (1)
- 【請求項1】マグネトロンスパッタ法を用いPtとCo
とを交互に積層したCo/Pt層を成膜する工程を含む
光磁気メモリ素子の製造方法において、 ターゲット面上2mmの位置におけるターゲット面内方
向の最大磁束密度を1000ガウス以上とすることを特
徴とする光磁気メモリ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03321950A JP3093389B2 (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03321950A JP3093389B2 (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05159393A JPH05159393A (ja) | 1993-06-25 |
JP3093389B2 true JP3093389B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=18138244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03321950A Expired - Lifetime JP3093389B2 (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3093389B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003264307A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-12-05 JP JP03321950A patent/JP3093389B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05159393A (ja) | 1993-06-25 |
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