JPH11203653A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH11203653A JPH11203653A JP330998A JP330998A JPH11203653A JP H11203653 A JPH11203653 A JP H11203653A JP 330998 A JP330998 A JP 330998A JP 330998 A JP330998 A JP 330998A JP H11203653 A JPH11203653 A JP H11203653A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 媒体ノイズの低下及び再生出力電圧の記録密
度依存性の向上を図る。 【解決手段】 垂直磁気記録媒体１０は、基板１２上
に、平滑性制御膜１４、下地軟磁性膜１６、垂直磁化膜
１８がこの順に形成されたものである。平滑性制御膜１
４は、例えば、Ｃ膜若しくはＴｉ膜、又はＣ，Ｔｉ及び
Ｃｒのうちの少なくとも一つを含む合金膜である。平滑
性制御膜１４は、表面平滑性に極めて優れている。その
ため、平滑性制御膜１４上に積層される下地軟磁性膜１
６も、平滑性制御膜１４の表面平滑性を反映して、表面
平滑性に極めて優れたものとなる。したがって、下地軟
磁性膜１６の滑らかな表面上に積層される垂直磁化膜１
８は、初期層の膜厚が小さくなるので、媒体ノイズが低
下する。
度依存性の向上を図る。 【解決手段】 垂直磁気記録媒体１０は、基板１２上
に、平滑性制御膜１４、下地軟磁性膜１６、垂直磁化膜
１８がこの順に形成されたものである。平滑性制御膜１
４は、例えば、Ｃ膜若しくはＴｉ膜、又はＣ，Ｔｉ及び
Ｃｒのうちの少なくとも一つを含む合金膜である。平滑
性制御膜１４は、表面平滑性に極めて優れている。その
ため、平滑性制御膜１４上に積層される下地軟磁性膜１
６も、平滑性制御膜１４の表面平滑性を反映して、表面
平滑性に極めて優れたものとなる。したがって、下地軟
磁性膜１６の滑らかな表面上に積層される垂直磁化膜１
８は、初期層の膜厚が小さくなるので、媒体ノイズが低
下する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気テープや磁気
ディスク等として用いられる垂直磁気記録媒体及びその
製造方法に関する。
ディスク等として用いられる垂直磁気記録媒体及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パ−ソナルコンピュ−タやワ−ク
ステ−ションの進歩に伴うハ−ドディスクドライブの大
容量化及び小型化により、磁気ディスクはさらなる高面
記録密度化が要求されている。しかし、現在広く普及し
ている長手記録方式では、高記録密度を実現しようとす
ると、記録ビットの微細化に伴う記録磁化の熱揺らぎの
問題や、記録ヘッドの記録能力を超えかねない高保磁力
化の問題が発生する。そこで、これらの問題を解決しつ
つ、面記録密度を大幅に向上できる手段として、垂直磁
気記録方式が検討されている。これを実現する垂直磁気
記録媒体として、高透磁率の下地軟磁性膜と高い垂直異
方性の垂直磁化膜とからなる、いわゆる垂直二層媒体が
有望視されている。
ステ−ションの進歩に伴うハ−ドディスクドライブの大
容量化及び小型化により、磁気ディスクはさらなる高面
記録密度化が要求されている。しかし、現在広く普及し
ている長手記録方式では、高記録密度を実現しようとす
ると、記録ビットの微細化に伴う記録磁化の熱揺らぎの
問題や、記録ヘッドの記録能力を超えかねない高保磁力
化の問題が発生する。そこで、これらの問題を解決しつ
つ、面記録密度を大幅に向上できる手段として、垂直磁
気記録方式が検討されている。これを実現する垂直磁気
記録媒体として、高透磁率の下地軟磁性膜と高い垂直異
方性の垂直磁化膜とからなる、いわゆる垂直二層媒体が
有望視されている。
【０００３】図４４は、このような従来の垂直磁気記録
媒体を示す概略断面図である。
媒体を示す概略断面図である。
【０００４】この垂直磁気記録媒体５０は、基板５２上
に、下地軟磁性膜５６及び垂直磁化膜５８がこの順に形
成されたものである。例えば、下地軟磁性膜５６として
はＮｉＦｅ膜、垂直磁化膜５８としてはＣｏＣｒ系合金
膜が用いられる。しかし、ＮｉＦｅからなる下地軟磁性
膜５６とＣｏＣｒからなる垂直磁化膜５８とを形成した
ときに、垂直磁化膜５８の結晶配向度が低下する。そこ
で、これを防ぐために、下地軟磁性膜５６としてセンダ
スト膜（ＦｅＳｉＡｌ合金）を用いたものが報告されて
いる（特開昭５７−３６４３５号公報）。
に、下地軟磁性膜５６及び垂直磁化膜５８がこの順に形
成されたものである。例えば、下地軟磁性膜５６として
はＮｉＦｅ膜、垂直磁化膜５８としてはＣｏＣｒ系合金
膜が用いられる。しかし、ＮｉＦｅからなる下地軟磁性
膜５６とＣｏＣｒからなる垂直磁化膜５８とを形成した
ときに、垂直磁化膜５８の結晶配向度が低下する。そこ
で、これを防ぐために、下地軟磁性膜５６としてセンダ
スト膜（ＦｅＳｉＡｌ合金）を用いたものが報告されて
いる（特開昭５７−３６４３５号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の垂直磁気記録媒体では、媒体ノイズの低下及
び再生出力電圧の記録密度依存性の向上に限界があっ
た。
うな従来の垂直磁気記録媒体では、媒体ノイズの低下及
び再生出力電圧の記録密度依存性の向上に限界があっ
た。
【０００６】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、媒体ノイズを
更に低下できるとともに、再生出力電圧の記録密度依存
性を更に向上できる垂直磁気記録媒体及びその製造方法
を提供することにある。
更に低下できるとともに、再生出力電圧の記録密度依存
性を更に向上できる垂直磁気記録媒体及びその製造方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来の垂直
磁気記録媒体において媒体ノイズの低下及び再生出力電
圧の記録密度依存性の向上を妨げている理由について、
実験及び考察を重ねることによって次の知見を得た。す
なわち、下地軟磁性膜の表面平滑性が悪いことにより、
その上に成膜される垂直磁化膜の垂直配向性が悪くな
る。そのため、初期層（結晶が垂直に配向していない領
域）の膜厚が増大するとともに垂直磁化膜の表面平滑性
も悪くなるので、媒体ノイズが低下しないのである。ま
た、垂直磁化膜の垂直配向性が悪くなるので、再生出力
電圧の記録密度依存性が向上しないのである。本発明
は、これらの知見に基づきなされたものである。
磁気記録媒体において媒体ノイズの低下及び再生出力電
圧の記録密度依存性の向上を妨げている理由について、
実験及び考察を重ねることによって次の知見を得た。す
なわち、下地軟磁性膜の表面平滑性が悪いことにより、
その上に成膜される垂直磁化膜の垂直配向性が悪くな
る。そのため、初期層（結晶が垂直に配向していない領
域）の膜厚が増大するとともに垂直磁化膜の表面平滑性
も悪くなるので、媒体ノイズが低下しないのである。ま
た、垂直磁化膜の垂直配向性が悪くなるので、再生出力
電圧の記録密度依存性が向上しないのである。本発明
は、これらの知見に基づきなされたものである。
【０００８】本発明に係る垂直磁気記録媒体及びその製
造方法は、下地軟磁性膜と垂直磁化膜とがこの順に基板
上に形成された垂直磁気記録媒体において、基板と下地
軟磁性膜との間に平滑性制御膜が挿入されたことを特徴
としている。平滑性制御膜の材質は、Ｃ、Ｔｉ、
Ｃｒを含む合金、Ｔｉを含む合金、Ｃを含む合金、
Ｃｒ及びＴｉを含む合金、Ｔｉ及びＣを含む合金、
Ｃ及びＣｒを含む合金、Ｃｒ、Ｔｉ及びＣを含む合
金の九通りである。これらの材質からなる平滑性制御膜
は、表面平滑性に極めて優れている。そのため、この平
滑性制御膜上に積層される下地軟磁性膜も、平滑性制御
膜の表面平滑性を反映して、表面平滑性に極めて優れた
ものとなる。したがって、下地軟磁性膜の滑らかな表面
上に積層される垂直磁化膜は、垂直配向性及び表面平滑
性が向上する。垂直磁化膜の垂直配向性が向上すると、
初期層が減少することにより媒体ノイズが低下するとと
もに、再生出力電圧の記録密度依存性が向上する。ま
た、垂直磁化膜の表面平滑性が向上すると、記録再生ヘ
ッドの摺動性も向上するので、これによっても媒体ノイ
ズが低下する。
造方法は、下地軟磁性膜と垂直磁化膜とがこの順に基板
上に形成された垂直磁気記録媒体において、基板と下地
軟磁性膜との間に平滑性制御膜が挿入されたことを特徴
としている。平滑性制御膜の材質は、Ｃ、Ｔｉ、
Ｃｒを含む合金、Ｔｉを含む合金、Ｃを含む合金、
Ｃｒ及びＴｉを含む合金、Ｔｉ及びＣを含む合金、
Ｃ及びＣｒを含む合金、Ｃｒ、Ｔｉ及びＣを含む合
金の九通りである。これらの材質からなる平滑性制御膜
は、表面平滑性に極めて優れている。そのため、この平
滑性制御膜上に積層される下地軟磁性膜も、平滑性制御
膜の表面平滑性を反映して、表面平滑性に極めて優れた
ものとなる。したがって、下地軟磁性膜の滑らかな表面
上に積層される垂直磁化膜は、垂直配向性及び表面平滑
性が向上する。垂直磁化膜の垂直配向性が向上すると、
初期層が減少することにより媒体ノイズが低下するとと
もに、再生出力電圧の記録密度依存性が向上する。ま
た、垂直磁化膜の表面平滑性が向上すると、記録再生ヘ
ッドの摺動性も向上するので、これによっても媒体ノイ
ズが低下する。
【０００９】本発明に係る垂直磁気記録媒体及びその製
造方法において、下地軟磁性膜は例えばＦｅＳｉＡｌ膜
又はＦｅＴａＮ膜である。垂直磁化膜は例えばＣｏＣｒ
Ｔａ膜である。また、下地軟磁性膜表面の中心線平均粗
さは、好ましくは２ｎｍ以下、より好ましくは０．９ｎ
ｍ以下、最も好ましくは０．５ｎｍ以下である。平滑性
制御膜の膜厚は、好ましくは１ｎｍをこえ１７ｎｍ未
満、より好ましくは２ｎｍ以上かつ１５ｎｍ以下であ
る。平滑性制御膜のスパッタ成膜時のガス圧は、好まし
くは２０ｍＴｏｒｒ未満、より好ましくは１８ｍＴｏｒ
ｒ以下である。平滑性制御膜のスパッタ成膜時の成膜速
度は、好ましくは２０ｎｍ／ｓ未満、より好ましくは１
８ｎｍ／ｓ以下である。スパッタ成膜で使用されるガス
は、例えばアルゴン、クリプトン、ネオン等である。
造方法において、下地軟磁性膜は例えばＦｅＳｉＡｌ膜
又はＦｅＴａＮ膜である。垂直磁化膜は例えばＣｏＣｒ
Ｔａ膜である。また、下地軟磁性膜表面の中心線平均粗
さは、好ましくは２ｎｍ以下、より好ましくは０．９ｎ
ｍ以下、最も好ましくは０．５ｎｍ以下である。平滑性
制御膜の膜厚は、好ましくは１ｎｍをこえ１７ｎｍ未
満、より好ましくは２ｎｍ以上かつ１５ｎｍ以下であ
る。平滑性制御膜のスパッタ成膜時のガス圧は、好まし
くは２０ｍＴｏｒｒ未満、より好ましくは１８ｍＴｏｒ
ｒ以下である。平滑性制御膜のスパッタ成膜時の成膜速
度は、好ましくは２０ｎｍ／ｓ未満、より好ましくは１
８ｎｍ／ｓ以下である。スパッタ成膜で使用されるガス
は、例えばアルゴン、クリプトン、ネオン等である。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る垂直磁気記
録媒体の第一実施形態を示す概略断面図である。以下、
この図面に基づき説明する。
録媒体の第一実施形態を示す概略断面図である。以下、
この図面に基づき説明する。
【００１１】本実施形態の垂直磁気記録媒体１０は、基
板１２上に、平滑性制御膜１４、下地軟磁性膜１６、垂
直磁化膜１８がこの順に形成されたものである。平滑性
制御膜１４は、例えば、Ｃ膜若しくはＴｉ膜、又はＣ，
Ｔｉ及びＣｒのうちの少なくとも一つを含む合金膜であ
る。下地軟磁性膜１６は、例えばＦｅＳｉＡｌ膜又はＦ
ｅＴａＮ膜である。垂直磁化膜１８は、例えばＣｏＣｒ
Ｔａ膜である。平滑性制御膜１４の作用によって、下地
軟磁性膜１６の表面平滑性、垂直磁化膜１８の表面平滑
性及び垂直配向性が向上する。
板１２上に、平滑性制御膜１４、下地軟磁性膜１６、垂
直磁化膜１８がこの順に形成されたものである。平滑性
制御膜１４は、例えば、Ｃ膜若しくはＴｉ膜、又はＣ，
Ｔｉ及びＣｒのうちの少なくとも一つを含む合金膜であ
る。下地軟磁性膜１６は、例えばＦｅＳｉＡｌ膜又はＦ
ｅＴａＮ膜である。垂直磁化膜１８は、例えばＣｏＣｒ
Ｔａ膜である。平滑性制御膜１４の作用によって、下地
軟磁性膜１６の表面平滑性、垂直磁化膜１８の表面平滑
性及び垂直配向性が向上する。
【００１２】以下に、本発明の実施例を示す。以下、垂
直磁気記録媒体を単に「媒体」、本発明に係る垂直磁気
記録媒体を「本発明媒体」、比較用の垂直磁気記録媒体
を「比較媒体」と呼ぶことにする。また、「表面粗さＲ
ａ」とは、膜表面における中心線平均粗さのことであ
る。
直磁気記録媒体を単に「媒体」、本発明に係る垂直磁気
記録媒体を「本発明媒体」、比較用の垂直磁気記録媒体
を「比較媒体」と呼ぶことにする。また、「表面粗さＲ
ａ」とは、膜表面における中心線平均粗さのことであ
る。
【００１３】
【実施例１】２．５インチのガラス基板上に、６インチ
φのＣ（３Ｎ）タ−ゲットを用いてスパッタ法により、
１０ｎｍのＣ膜及び２０ｎｍのＣ膜をそれぞれ成膜し
た。成膜条件は、初期真空度５×１０-7ｍＴｏｒｒにお
いて、投入電力０．５ｋＷ、アルゴンガス圧４ｍＴｏｒ
ｒ、成膜速度３ｎｍ／ｓｅｃとした。次に、６インチφ
のＦｅ85Ｓｉ9.6 Ａｌ5.4 （ｗｔ％）のタ−ゲットを用
いて、各媒体上にそれぞれ同じ成膜条件でＦｅＳｉＡｌ
膜を５２０ｎｍ成膜した。続いて、Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔａ3
（ａｔ％）のタ−ゲットを用いて、同じ成膜条件でＣｏ
ＣｒＴａ膜を１００ｎｍ、各媒体上にそれぞれ成膜し
た。ここで、１０ｎｍのＣ膜、２０ｎｍのＣ膜を挿入し
た媒体を、それぞれ本発明媒体Ａ１、比較媒体Ａ２とす
る。
φのＣ（３Ｎ）タ−ゲットを用いてスパッタ法により、
１０ｎｍのＣ膜及び２０ｎｍのＣ膜をそれぞれ成膜し
た。成膜条件は、初期真空度５×１０-7ｍＴｏｒｒにお
いて、投入電力０．５ｋＷ、アルゴンガス圧４ｍＴｏｒ
ｒ、成膜速度３ｎｍ／ｓｅｃとした。次に、６インチφ
のＦｅ85Ｓｉ9.6 Ａｌ5.4 （ｗｔ％）のタ−ゲットを用
いて、各媒体上にそれぞれ同じ成膜条件でＦｅＳｉＡｌ
膜を５２０ｎｍ成膜した。続いて、Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔａ3
（ａｔ％）のタ−ゲットを用いて、同じ成膜条件でＣｏ
ＣｒＴａ膜を１００ｎｍ、各媒体上にそれぞれ成膜し
た。ここで、１０ｎｍのＣ膜、２０ｎｍのＣ膜を挿入し
た媒体を、それぞれ本発明媒体Ａ１、比較媒体Ａ２とす
る。
【００１４】本発明媒体Ａ１及び比較媒体Ａ２の垂直磁
化膜の垂直配向性を調べるために、Ｘ線回折を用いて、
ｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅
（Δθ50）を求めた。図２に、各媒体の表面粗さＲａと
ともにその値を示す。Ｃ膜の膜厚を低減させることによ
って、Ｃ膜の表面平滑性が著しく向上し、その改善効果
によってＦｅＳｉＡｌ膜の表面粗さを向上できることが
わかる。そして、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上に
より、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−クのロッ
キングカ−ブの半値幅は７．１度から４．２度に低減
し、垂直磁化膜の垂直配向性及び表面平滑性の向上につ
ながっていることがわかる。
化膜の垂直配向性を調べるために、Ｘ線回折を用いて、
ｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅
（Δθ50）を求めた。図２に、各媒体の表面粗さＲａと
ともにその値を示す。Ｃ膜の膜厚を低減させることによ
って、Ｃ膜の表面平滑性が著しく向上し、その改善効果
によってＦｅＳｉＡｌ膜の表面粗さを向上できることが
わかる。そして、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上に
より、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−クのロッ
キングカ−ブの半値幅は７．１度から４．２度に低減
し、垂直磁化膜の垂直配向性及び表面平滑性の向上につ
ながっていることがわかる。
【００１５】本発明媒体Ａ１、比較媒体Ａ２について、
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて記録再生の実験を行っ
た。ここで、記録トラック幅は４μｍ、再生トラック幅
は３μｍ、記録ギャップ長は０．４μｍ、再生ギャップ
長は０．３２μｍである。また、評価は、記録電流１０
ｍＡｏｐ、センス電流１２ｍＡ、周速度１２．７ｍ／
ｓ、浮上量４５ｎｍ、ノイズのバンド帯域４５ＭＨｚの
条件下で行った。
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて記録再生の実験を行っ
た。ここで、記録トラック幅は４μｍ、再生トラック幅
は３μｍ、記録ギャップ長は０．４μｍ、再生ギャップ
長は０．３２μｍである。また、評価は、記録電流１０
ｍＡｏｐ、センス電流１２ｍＡ、周速度１２．７ｍ／
ｓ、浮上量４５ｎｍ、ノイズのバンド帯域４５ＭＨｚの
条件下で行った。
【００１６】図３に媒体ノイズの記録密度依存性を示
す。本発明媒体Ａ１は、比較媒体Ａ２に比べて、全記録
密度において媒体ノイズが小さいので、ノイズ特性に非
常に優れていることがわかる。つまり、Ｃ膜の膜厚低減
によるＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上により、垂直
磁化膜の初期層の膜厚を低減させることができ、そのた
め低ノイズ化が実現されたものと考えられる。ＦｅＳｉ
Ａｌ膜は、もともと磁区構造が見えにくいため、磁壁の
移動に伴うノイズが発生しにくいという利点がある。
す。本発明媒体Ａ１は、比較媒体Ａ２に比べて、全記録
密度において媒体ノイズが小さいので、ノイズ特性に非
常に優れていることがわかる。つまり、Ｃ膜の膜厚低減
によるＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上により、垂直
磁化膜の初期層の膜厚を低減させることができ、そのた
め低ノイズ化が実現されたものと考えられる。ＦｅＳｉ
Ａｌ膜は、もともと磁区構造が見えにくいため、磁壁の
移動に伴うノイズが発生しにくいという利点がある。
【００１７】図４に、再生出力電圧の記録密度依存性を
示す。本発明媒体Ａ１は、比較媒体Ａ２に比べ、記録密
度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録密
度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が容
易となる。図２に示したように、垂直磁化膜の垂直配向
性の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながった
と考えられる。
示す。本発明媒体Ａ１は、比較媒体Ａ２に比べ、記録密
度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録密
度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が容
易となる。図２に示したように、垂直磁化膜の垂直配向
性の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながった
と考えられる。
【００１８】図５に、媒体ＳＮ比の記録密度依存性を示
す。本発明媒体Ａ１は、比較媒体Ａ２に比べて、全記録
密度において媒体ＳＮ比が１〜３ｄＢ良好であり、高記
録密度対応の磁気ディスク媒体として優れていることが
わかる。すなわち、本発明媒体Ａ１を用いることによ
り、高記録密度の実現が容易となる。
す。本発明媒体Ａ１は、比較媒体Ａ２に比べて、全記録
密度において媒体ＳＮ比が１〜３ｄＢ良好であり、高記
録密度対応の磁気ディスク媒体として優れていることが
わかる。すなわち、本発明媒体Ａ１を用いることによ
り、高記録密度の実現が容易となる。
【００１９】図６及び図７に、Ｃ膜を１〜２０ｎｍの間
で変化させたときの、Ｃ膜の膜厚と表面粗さＲａ及び媒
体ノイズとの関係を示す。Ｃ膜の膜厚が１５〜１７ｎｍ
を越えると、急激にＲａが増加することがわかる。１５
〜１７ｎｍを越える膜厚になると、膜表面の結晶粒の成
長に伴う表面平滑性の乱れが生じるからと考えられる。
そして、それに伴う媒体ノイズの急激な増加が見られ
る。また、Ｃｒ膜の膜厚を１〜２ｎｍと薄くしすぎても
Ｒａが増加する。１〜２ｎｍの膜厚では、基板上に均一
な膜が形成されず、島状構造となるため、表面平滑性が
悪化すると考えられ、それに伴う媒体ノイズの増加が見
られる。
で変化させたときの、Ｃ膜の膜厚と表面粗さＲａ及び媒
体ノイズとの関係を示す。Ｃ膜の膜厚が１５〜１７ｎｍ
を越えると、急激にＲａが増加することがわかる。１５
〜１７ｎｍを越える膜厚になると、膜表面の結晶粒の成
長に伴う表面平滑性の乱れが生じるからと考えられる。
そして、それに伴う媒体ノイズの急激な増加が見られ
る。また、Ｃｒ膜の膜厚を１〜２ｎｍと薄くしすぎても
Ｒａが増加する。１〜２ｎｍの膜厚では、基板上に均一
な膜が形成されず、島状構造となるため、表面平滑性が
悪化すると考えられ、それに伴う媒体ノイズの増加が見
られる。
【００２０】
【実施例２】実施例１においてＣの代わりにＴｉを用い
た媒体を、それぞれ本発明媒体Ｂ１、比較媒体Ｂ２とす
る。
た媒体を、それぞれ本発明媒体Ｂ１、比較媒体Ｂ２とす
る。
【００２１】本発明媒体Ｂ１、比較媒体Ｂ２について、
垂直磁化膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同
様、Ｘ線回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキ
ングカ−ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図８に、各媒
体の表面粗さＲａとともにその値を示す。図８からわか
るように、Ｔｉ膜の膜厚を低減させることによってＴｉ
膜の表面平滑性が著しく向上し、その改善効果によって
ＦｅＳｉＡｌ膜の表面粗さを向上できることがわかる。
そして、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上により、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ
−ブの半値幅は７．５度から４．６度に低減し、垂直磁
化膜の垂直配向性及び表面平滑性の向上につながってい
ることがわかる。
垂直磁化膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同
様、Ｘ線回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキ
ングカ−ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図８に、各媒
体の表面粗さＲａとともにその値を示す。図８からわか
るように、Ｔｉ膜の膜厚を低減させることによってＴｉ
膜の表面平滑性が著しく向上し、その改善効果によって
ＦｅＳｉＡｌ膜の表面粗さを向上できることがわかる。
そして、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上により、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ
−ブの半値幅は７．５度から４．６度に低減し、垂直磁
化膜の垂直配向性及び表面平滑性の向上につながってい
ることがわかる。
【００２２】本発明媒体Ｂ１、比較媒体Ｂ２について、
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図９に、媒体ノイズの記録密度依存性を示
す。本発明媒体Ｂ１は、実施例１と同様、比較媒体Ｂ２
と比べて全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイ
ズ特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｔｉ
膜の膜厚低減によるＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上
により、垂直磁化膜の初期層の膜厚を低減させることが
でき、低ノイズ化が実現されたものと考えられる。
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図９に、媒体ノイズの記録密度依存性を示
す。本発明媒体Ｂ１は、実施例１と同様、比較媒体Ｂ２
と比べて全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイ
ズ特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｔｉ
膜の膜厚低減によるＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上
により、垂直磁化膜の初期層の膜厚を低減させることが
でき、低ノイズ化が実現されたものと考えられる。
【００２３】図１０に、再生出力電圧の記録密度依存性
を示す。本発明媒体Ｂ１は、実施例１と同様、比較媒体
Ｂ２に比べ、記録密度の増大に伴う出力の減衰が遅れる
ことから、高記録密度まで高出力を確保できるので、高
記録密度の実現が容易となる。図８に示したように、垂
直磁化膜の垂直配向性の向上が、出力の記録密度依存性
の向上につながったと考えられる。
を示す。本発明媒体Ｂ１は、実施例１と同様、比較媒体
Ｂ２に比べ、記録密度の増大に伴う出力の減衰が遅れる
ことから、高記録密度まで高出力を確保できるので、高
記録密度の実現が容易となる。図８に示したように、垂
直磁化膜の垂直配向性の向上が、出力の記録密度依存性
の向上につながったと考えられる。
【００２４】図１１に、媒体ＳＮ比の記録密度依存性を
示す。実施例１と同様、本発明媒体Ｂ１は、比較媒体Ｂ
２に比べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が１〜２ｄ
Ｂ良好であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体とし
て優れていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｂ１
を用いることにより、高記録密度の実現が容易となる。
示す。実施例１と同様、本発明媒体Ｂ１は、比較媒体Ｂ
２に比べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が１〜２ｄ
Ｂ良好であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体とし
て優れていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｂ１
を用いることにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００２５】図１２及び図１３に、Ｔｉ膜を１〜２０ｎ
ｍの間で変化させたときの、Ｔｉ膜の膜厚と表面粗さＲ
ａ及び媒体ノイズとの関係を示す。Ｔｉ膜の膜厚が１５
〜１７ｎｍを越えると、急激にＲａが増加することがわ
かる。１５〜１７ｎｍを越える膜厚になると、膜表面の
結晶粒の成長に伴う表面平滑性の乱れが生じるからと考
えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激な増加
が見られる。また、Ｔｉ膜の膜厚を１〜２ｎｍと薄くし
すぎてもＲａが増加する。１〜２ｎｍの膜厚では、基板
上に均一な膜が形成されず、島状構造となるため、表面
平滑性が悪化すると考えられ、それに伴う媒体ノイズの
増加が見られる。
ｍの間で変化させたときの、Ｔｉ膜の膜厚と表面粗さＲ
ａ及び媒体ノイズとの関係を示す。Ｔｉ膜の膜厚が１５
〜１７ｎｍを越えると、急激にＲａが増加することがわ
かる。１５〜１７ｎｍを越える膜厚になると、膜表面の
結晶粒の成長に伴う表面平滑性の乱れが生じるからと考
えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激な増加
が見られる。また、Ｔｉ膜の膜厚を１〜２ｎｍと薄くし
すぎてもＲａが増加する。１〜２ｎｍの膜厚では、基板
上に均一な膜が形成されず、島状構造となるため、表面
平滑性が悪化すると考えられ、それに伴う媒体ノイズの
増加が見られる。
【００２６】
【実施例３】実施例１においてＣの代わりにＣｒ80Ｔｉ
10Ｃ10（ａｔ％）を用いた媒体を、それぞれ本発明媒体
Ｃ１、比較媒体Ｃ２とする。
10Ｃ10（ａｔ％）を用いた媒体を、それぞれ本発明媒体
Ｃ１、比較媒体Ｃ２とする。
【００２７】本発明媒体Ｃ１、比較媒体Ｃ２について、
垂直磁化膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同
様、Ｘ線回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキ
ングカ−ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図１４に、各
媒体の表面粗さＲａとともにその値を示す。図１４から
わかるように、Ｔｉ膜の膜厚を低減させることによって
Ｔｉ膜の表面平滑性が著しく向上し、その改善効果によ
ってＦｅＳｉＡｌ膜の表面粗さを向上できることがわか
る。そして、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上によ
り、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキ
ングカ−ブの半値幅は７．０度から４．２度に低減し、
垂直磁化膜の垂直配向性及び表面平滑性の向上につなが
っていることがわかる。
垂直磁化膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同
様、Ｘ線回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキ
ングカ−ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図１４に、各
媒体の表面粗さＲａとともにその値を示す。図１４から
わかるように、Ｔｉ膜の膜厚を低減させることによって
Ｔｉ膜の表面平滑性が著しく向上し、その改善効果によ
ってＦｅＳｉＡｌ膜の表面粗さを向上できることがわか
る。そして、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上によ
り、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキ
ングカ−ブの半値幅は７．０度から４．２度に低減し、
垂直磁化膜の垂直配向性及び表面平滑性の向上につなが
っていることがわかる。
【００２８】本発明媒体Ｃ１、比較媒体Ｃ２について、
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図１５に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。本発明媒体Ｃ１は、実施例１と同様、比較媒体Ｃ
２と比べて全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノ
イズ特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃ
ｒＴｉＣ膜の膜厚低減によるＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑
性の向上により、垂直磁化膜の初期層の膜厚を低減させ
ることができ、低ノイズ化が実現されたものと考えられ
る。
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図１５に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。本発明媒体Ｃ１は、実施例１と同様、比較媒体Ｃ
２と比べて全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノ
イズ特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃ
ｒＴｉＣ膜の膜厚低減によるＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑
性の向上により、垂直磁化膜の初期層の膜厚を低減させ
ることができ、低ノイズ化が実現されたものと考えられ
る。
【００２９】図１６に、再生出力電圧の記録密度依存性
を示す。本発明媒体Ｃ１は、実施例１と同様、比較媒体
Ｃ２に比べ、記録密度の増大に伴う出力の減衰が遅れる
ことから、高記録密度まで高出力を確保できるので、高
記録密度の実現が容易となる。図１４に示したように、
垂直磁化膜の垂直配向性の向上が、出力の記録密度依存
性の向上につながったと考えられる。
を示す。本発明媒体Ｃ１は、実施例１と同様、比較媒体
Ｃ２に比べ、記録密度の増大に伴う出力の減衰が遅れる
ことから、高記録密度まで高出力を確保できるので、高
記録密度の実現が容易となる。図１４に示したように、
垂直磁化膜の垂直配向性の向上が、出力の記録密度依存
性の向上につながったと考えられる。
【００３０】図１７に、媒体ＳＮ比の記録密度依存性を
示す。実施例１と同様、本発明媒体Ｃ１は、比較媒体Ｃ
２に比べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が３〜８ｄ
Ｂ良好であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体とし
て優れていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｃ１
を用いることにより、高記録密度の実現が容易となる。
示す。実施例１と同様、本発明媒体Ｃ１は、比較媒体Ｃ
２に比べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が３〜８ｄ
Ｂ良好であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体とし
て優れていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｃ１
を用いることにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００３１】図１８及び図１９に、ＣｒＴｉＣ膜を１〜
２０ｎｍの間で変化させたときの、ＣｒＴｉＣ膜の膜厚
と表面粗さＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す。ＣｒＴ
ｉＣ膜の膜厚が１５〜１７ｎｍを越えると、急激にＲａ
が増加することがわかる。１５〜１７ｎｍを越える膜厚
になると、膜表面の結晶粒の成長に伴う表面平滑性の乱
れが生じるからと考えられる。そして、それに伴う媒体
ノイズの急激な増加が見られる。また、ＣｒＴｉＣ膜の
膜厚を１〜２ｎｍと薄くしすぎてもＲａが増加する。１
〜２ｎｍの膜厚では、基板上に均一な膜が形成されず、
島状構造となるため、表面平滑性が悪化すると考えら
れ、それに伴う媒体ノイズの増加が見られる。
２０ｎｍの間で変化させたときの、ＣｒＴｉＣ膜の膜厚
と表面粗さＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す。ＣｒＴ
ｉＣ膜の膜厚が１５〜１７ｎｍを越えると、急激にＲａ
が増加することがわかる。１５〜１７ｎｍを越える膜厚
になると、膜表面の結晶粒の成長に伴う表面平滑性の乱
れが生じるからと考えられる。そして、それに伴う媒体
ノイズの急激な増加が見られる。また、ＣｒＴｉＣ膜の
膜厚を１〜２ｎｍと薄くしすぎてもＲａが増加する。１
〜２ｎｍの膜厚では、基板上に均一な膜が形成されず、
島状構造となるため、表面平滑性が悪化すると考えら
れ、それに伴う媒体ノイズの増加が見られる。
【００３２】
【実施例４】実施例１において、Ｃ膜１０ｎｍの代わり
にＣｒ80Ｔｉ20（ａｔ％）膜１０ｎｍを用い、Ｃｒ80Ｔ
ｉ20膜及びＦｅＳｉＡｌ膜が、成膜時投入電力０．５ｋ
ｗ（成膜速度１３ｎｍ／ｓ）、１ｋｗ（成膜速度２５ｎ
ｍ／ｓ）で成膜された媒体を、それぞれ本発明媒体Ｄ
１、比較媒体Ｄ２とする。
にＣｒ80Ｔｉ20（ａｔ％）膜１０ｎｍを用い、Ｃｒ80Ｔ
ｉ20膜及びＦｅＳｉＡｌ膜が、成膜時投入電力０．５ｋ
ｗ（成膜速度１３ｎｍ／ｓ）、１ｋｗ（成膜速度２５ｎ
ｍ／ｓ）で成膜された媒体を、それぞれ本発明媒体Ｄ
１、比較媒体Ｄ２とする。
【００３３】本発明媒体Ｄ１、比較媒体Ｄ２の垂直磁化
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図２０に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図２０からわかるよ
うに、Ｃｒ80Ｔｉ20膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時投入電
力を低減させることによって、Ｃｒ80Ｔｉ20膜及びＦｅ
ＳｉＡｌ膜の表面平滑性を向上できることがわかる。そ
して、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上により、Ｃｏ
ＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅は１０．２度から４．１度に低減し、垂直磁
化膜の垂直配向性及び表面平滑性の向上につながってい
ることがわかる。
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図２０に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図２０からわかるよ
うに、Ｃｒ80Ｔｉ20膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時投入電
力を低減させることによって、Ｃｒ80Ｔｉ20膜及びＦｅ
ＳｉＡｌ膜の表面平滑性を向上できることがわかる。そ
して、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上により、Ｃｏ
ＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅は１０．２度から４．１度に低減し、垂直磁
化膜の垂直配向性及び表面平滑性の向上につながってい
ることがわかる。
【００３４】本発明媒体Ｄ１、比較媒体Ｄ２について、
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図２１に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｄ１は、比較媒体Ｄ２に比
べて、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ
特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ80
Ｔｉ20膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時投入電力を低減させ
ることによって、Ｃｒ80Ｔｉ20膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の表
面平滑性が著しく向上し、実施例１と同様、低ノイズ化
につながったものと考えられる。
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図２１に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｄ１は、比較媒体Ｄ２に比
べて、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ
特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ80
Ｔｉ20膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時投入電力を低減させ
ることによって、Ｃｒ80Ｔｉ20膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の表
面平滑性が著しく向上し、実施例１と同様、低ノイズ化
につながったものと考えられる。
【００３５】図２２に、再生出力電圧の記録密度依存性
を示す。本発明媒体Ｄ１は、比較媒体Ｄ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
を示す。本発明媒体Ｄ１は、比較媒体Ｄ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
【００３６】図２３に、媒体ＳＮ比の記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｄ１は、比較媒体Ｄ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が１〜４ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｄ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
示す。これより、本発明媒体Ｄ１は、比較媒体Ｄ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が１〜４ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｄ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００３７】図２４及び図２５に、Ｃｒ80Ｔｉ20膜を成
膜速度０．１ｎｍ／ｓ〜２５ｎｍ／ｓの間で変化させた
ときの成膜速度と、Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示
す。これによると、成膜速度が１８〜２０ｎｍ／ｓを越
えると、急激にＲａが増加することがわかる。１８〜２
０ｎｍ／ｓを越える成膜速度になると、成膜速度の成長
に伴う膜表面の粒径の成長により、表面平滑性の乱れが
生じるからと考えられる。そして、それに伴う媒体ノイ
ズの急激な増加が見られると考えられる。
膜速度０．１ｎｍ／ｓ〜２５ｎｍ／ｓの間で変化させた
ときの成膜速度と、Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示
す。これによると、成膜速度が１８〜２０ｎｍ／ｓを越
えると、急激にＲａが増加することがわかる。１８〜２
０ｎｍ／ｓを越える成膜速度になると、成膜速度の成長
に伴う膜表面の粒径の成長により、表面平滑性の乱れが
生じるからと考えられる。そして、それに伴う媒体ノイ
ズの急激な増加が見られると考えられる。
【００３８】
【実施例５】実施例１において、Ｃ膜１０ｎｍの代わり
にＣｒ50Ｔｉ50（ａｔ％）膜１０ｎｍを用い、Ｃｒ50Ｔ
ｉ50膜及びＦｅＳｉＡｌ膜の成膜条件がアルゴンガス圧
４ｍＴｏｒｒ、２０ｍＴｏｒｒである媒体を、それぞれ
本発明媒体Ｅ１、比較媒体Ｅ２とする。
にＣｒ50Ｔｉ50（ａｔ％）膜１０ｎｍを用い、Ｃｒ50Ｔ
ｉ50膜及びＦｅＳｉＡｌ膜の成膜条件がアルゴンガス圧
４ｍＴｏｒｒ、２０ｍＴｏｒｒである媒体を、それぞれ
本発明媒体Ｅ１、比較媒体Ｅ２とする。
【００３９】本発明媒体Ｅ１、比較媒体Ｅ２の垂直磁化
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図２６に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図２６からわかるよ
うに、Ｃｒ50Ｔｉ50膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時アルゴ
ンガス圧を低減させることによって、Ｃｒ50Ｔｉ50膜、
ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性を向上できることがわか
る。そして、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上によ
り、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキ
ングカ−ブの半値幅は１１．７度から４．３度に低減
し、垂直磁化膜の垂直配向性及び表面平滑性の向上につ
ながっていることがわかる。
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図２６に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図２６からわかるよ
うに、Ｃｒ50Ｔｉ50膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時アルゴ
ンガス圧を低減させることによって、Ｃｒ50Ｔｉ50膜、
ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性を向上できることがわか
る。そして、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上によ
り、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキ
ングカ−ブの半値幅は１１．７度から４．３度に低減
し、垂直磁化膜の垂直配向性及び表面平滑性の向上につ
ながっていることがわかる。
【００４０】本発明媒体Ｅ１、比較媒体Ｅ２について、
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図２７に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｅ１は、比較媒体Ｅ２に比
べて、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ
特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ50
Ｔｉ50膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時のアルゴンガス圧を
低減させることによって、Ｃｒ50Ｔｉ50膜、ＦｅＳｉＡ
ｌ膜の表面平滑性が著しく向上し、実施例１と同様、低
ノイズ化につながったものと考えられる。
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図２７に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｅ１は、比較媒体Ｅ２に比
べて、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ
特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ50
Ｔｉ50膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時のアルゴンガス圧を
低減させることによって、Ｃｒ50Ｔｉ50膜、ＦｅＳｉＡ
ｌ膜の表面平滑性が著しく向上し、実施例１と同様、低
ノイズ化につながったものと考えられる。
【００４１】図２８に、再生出力電圧の記録密度依存性
を示す。本発明媒体Ｅ１は、比較媒体Ｅ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
を示す。本発明媒体Ｅ１は、比較媒体Ｅ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
【００４２】図２９に、媒体ＳＮ比の記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｅ１は、比較媒体Ｅ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が１〜２ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｅ１２を用
いることにより、高記録密度の実現が容易となる。
示す。これより、本発明媒体Ｅ１は、比較媒体Ｅ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が１〜２ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｅ１２を用
いることにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００４３】図３０及び図３１に、Ｃｒ50Ｔｉ50膜をア
ルゴンガス圧０．５〜４０ｍＴｏｒｒの間で変化させた
ときのＣｒ50Ｔｉ50膜成膜時アルゴンガス圧と、Ｒａ及
び媒体ノイズとの関係を示す。これによると、Ｃｒ50Ｔ
ｉ50膜成膜時アルゴンガス圧が２０〜３０ｍＴｏｒｒを
越えると、急激にＲａが増加することがわかる。２０〜
３０ｍＴｏｒｒを越えるアルゴンガス圧になると、先細
りの柱状構造の成長に伴う表面平滑性の乱れが生じるか
らと考えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激
な増加が見られると考えられる。
ルゴンガス圧０．５〜４０ｍＴｏｒｒの間で変化させた
ときのＣｒ50Ｔｉ50膜成膜時アルゴンガス圧と、Ｒａ及
び媒体ノイズとの関係を示す。これによると、Ｃｒ50Ｔ
ｉ50膜成膜時アルゴンガス圧が２０〜３０ｍＴｏｒｒを
越えると、急激にＲａが増加することがわかる。２０〜
３０ｍＴｏｒｒを越えるアルゴンガス圧になると、先細
りの柱状構造の成長に伴う表面平滑性の乱れが生じるか
らと考えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激
な増加が見られると考えられる。
【００４４】
【実施例６】実施例１において、Ｃ膜１０ｎｍの代わり
にＣｒ90Ｃ10（ａｔ％）膜１０ｎｍを用い、ＦｅＳｉＡ
ｌ膜の代わりにＦｅＴａＮ膜を用い、Ｃｒ90Ｃ10膜及び
ＦｅＴａＮ膜が、成膜時投入電力０．５ｋｗ（成膜速度
１３ｎｍ／ｓ）、１ｋｗ（成膜速度２５ｎｍ／ｓ）で成
膜された媒体を、それぞれ本発明媒体Ｆ１、比較媒体Ｆ
２とする。
にＣｒ90Ｃ10（ａｔ％）膜１０ｎｍを用い、ＦｅＳｉＡ
ｌ膜の代わりにＦｅＴａＮ膜を用い、Ｃｒ90Ｃ10膜及び
ＦｅＴａＮ膜が、成膜時投入電力０．５ｋｗ（成膜速度
１３ｎｍ／ｓ）、１ｋｗ（成膜速度２５ｎｍ／ｓ）で成
膜された媒体を、それぞれ本発明媒体Ｆ１、比較媒体Ｆ
２とする。
【００４５】本発明媒体Ｆ１、比較媒体Ｆ２の垂直磁化
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図３２に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図３２からわかるよ
うに、Ｃｒ90Ｃ10膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時投入電力を
低減させることによって、Ｃｒ90Ｃ10膜、ＦｅＴａＮ膜
の表面平滑性を向上できることがわかる。そして、Ｆｅ
ＴａＮ膜の表面平滑性の向上により、ＣｏＣｒＴａ膜の
ｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅は
９．９度から４．２度に低減し、垂直磁化膜の垂直配向
性及び表面平滑性の向上につながっていることがわか
る。
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図３２に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図３２からわかるよ
うに、Ｃｒ90Ｃ10膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時投入電力を
低減させることによって、Ｃｒ90Ｃ10膜、ＦｅＴａＮ膜
の表面平滑性を向上できることがわかる。そして、Ｆｅ
ＴａＮ膜の表面平滑性の向上により、ＣｏＣｒＴａ膜の
ｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅は
９．９度から４．２度に低減し、垂直磁化膜の垂直配向
性及び表面平滑性の向上につながっていることがわか
る。
【００４６】本発明媒体Ｆ１、比較媒体Ｆ２について、
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図３３に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｆ１は、比較媒体Ｆ２に比
べて全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ特
性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ90Ｃ
10膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時投入電力を低減させること
によって、Ｃｒ90Ｃ10膜、ＦｅＴａＮ膜の表面平滑性が
著しく向上し、実施例１と同様、低ノイズ化につながっ
たものと考えられる。
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図３３に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｆ１は、比較媒体Ｆ２に比
べて全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ特
性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ90Ｃ
10膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時投入電力を低減させること
によって、Ｃｒ90Ｃ10膜、ＦｅＴａＮ膜の表面平滑性が
著しく向上し、実施例１と同様、低ノイズ化につながっ
たものと考えられる。
【００４７】図３４に、再生出力電圧の記録密度依存性
を示す。本発明媒体Ｆ１は、比較媒体Ｆ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
を示す。本発明媒体Ｆ１は、比較媒体Ｆ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
【００４８】図３５に、媒体ＳＮ比の記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｆ１は、比較媒体Ｆ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が２〜４ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｆ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
示す。これより、本発明媒体Ｆ１は、比較媒体Ｆ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が２〜４ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｆ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００４９】図３６及び図３７に、Ｃｒ90Ｃ10膜を成膜
速度０．１ｎｍ／ｓ〜２５ｎｍ／ｓの間で変化させたと
きの成膜速度と、Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示す。
これによると、成膜速度が１８〜２０ｎｍ／ｓを越える
と、急激にＲａが増加することがわかる。１８〜２０ｎ
ｍ／ｓを越える成膜速度になると、成膜速度の成長に伴
う膜表面の粒径の成長により、表面平滑性の乱れが生じ
るからと考えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの
急激な増加が見られると考えられる。
速度０．１ｎｍ／ｓ〜２５ｎｍ／ｓの間で変化させたと
きの成膜速度と、Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示す。
これによると、成膜速度が１８〜２０ｎｍ／ｓを越える
と、急激にＲａが増加することがわかる。１８〜２０ｎ
ｍ／ｓを越える成膜速度になると、成膜速度の成長に伴
う膜表面の粒径の成長により、表面平滑性の乱れが生じ
るからと考えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの
急激な増加が見られると考えられる。
【００５０】
【実施例７】実施例１において、Ｃ膜１０ｎｍの代わり
にＴｉ90Ｃ10（ａｔ％）膜１０ｎｍを用い、Ｔｉ90Ｃ10
膜及びＦｅＴａＮ膜の成膜条件がアルゴンガス圧４ｍＴ
ｏｒｒ、２０ｍＴｏｒｒである媒体を、それぞれ本発明
媒体Ｇ１、比較媒体Ｇ２とする。
にＴｉ90Ｃ10（ａｔ％）膜１０ｎｍを用い、Ｔｉ90Ｃ10
膜及びＦｅＴａＮ膜の成膜条件がアルゴンガス圧４ｍＴ
ｏｒｒ、２０ｍＴｏｒｒである媒体を、それぞれ本発明
媒体Ｇ１、比較媒体Ｇ２とする。
【００５１】本発明媒体Ｇ１、比較媒体Ｇ２の垂直磁化
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図３８に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図３８からわかるよ
うに、Ｔｉ90Ｃ10膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時アルゴンガ
ス圧を低減させることによって、Ｔｉ90Ｃ10膜、ＦｅＴ
ａＮ膜の表面平滑性を向上できることがわかる。そし
て、ＦｅＴａＮ膜の表面平滑性の向上により、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの
半値幅は１５．６度から３．９度に低減し、垂直磁化膜
の垂直配向性及び表面平滑性の向上につながっているこ
とがわかる。
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図３８に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図３８からわかるよ
うに、Ｔｉ90Ｃ10膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時アルゴンガ
ス圧を低減させることによって、Ｔｉ90Ｃ10膜、ＦｅＴ
ａＮ膜の表面平滑性を向上できることがわかる。そし
て、ＦｅＴａＮ膜の表面平滑性の向上により、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの
半値幅は１５．６度から３．９度に低減し、垂直磁化膜
の垂直配向性及び表面平滑性の向上につながっているこ
とがわかる。
【００５２】本発明媒体Ｇ１、比較媒体Ｇ２について、
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図３９に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｇ１は、比較媒体Ｇ２に比
べて全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ特
性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｔｉ90Ｃ
10膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時のアルゴンガス圧を低減さ
せることによって、Ｔｉ90Ｃ10膜、ＦｅＴａＮ膜の表面
平滑性が著しく向上し、実施例１と同様、低ノイズ化に
つながったものと考えられる。
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図３９に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｇ１は、比較媒体Ｇ２に比
べて全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ特
性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｔｉ90Ｃ
10膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時のアルゴンガス圧を低減さ
せることによって、Ｔｉ90Ｃ10膜、ＦｅＴａＮ膜の表面
平滑性が著しく向上し、実施例１と同様、低ノイズ化に
つながったものと考えられる。
【００５３】図４０に、再生出力電圧の記録密度依存性
を示す。本発明媒体Ｇ１は、比較媒体Ｇ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
を示す。本発明媒体Ｇ１は、比較媒体Ｇ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
【００５４】図４１に、媒体ＳＮ比の記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｇ１は、比較媒体Ｇ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が２〜６ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｇ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
示す。これより、本発明媒体Ｇ１は、比較媒体Ｇ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が２〜６ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｇ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００５５】図４２及び図４３に、Ｔｉ90Ｃ10膜をアル
ゴンガス圧０．５〜４０ｍＴｏｒｒの間で変化させたと
きのＴｉ90Ｃ10膜成膜時アルゴンガス圧と、Ｒａ及び媒
体ノイズとの関係を示す。これによると、Ｔｉ90Ｃ10膜
成膜時アルゴンガス圧が２０〜３０ｍＴｏｒｒを越える
と、急激にＲａが増加することがわかる。２０〜３０ｍ
Ｔｏｒｒを越えるアルゴンガス圧になると、先細りの柱
状構造の成長に伴う表面平滑性の乱れが生じるからと考
えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激な増加
が見られると考えられる。
ゴンガス圧０．５〜４０ｍＴｏｒｒの間で変化させたと
きのＴｉ90Ｃ10膜成膜時アルゴンガス圧と、Ｒａ及び媒
体ノイズとの関係を示す。これによると、Ｔｉ90Ｃ10膜
成膜時アルゴンガス圧が２０〜３０ｍＴｏｒｒを越える
と、急激にＲａが増加することがわかる。２０〜３０ｍ
Ｔｏｒｒを越えるアルゴンガス圧になると、先細りの柱
状構造の成長に伴う表面平滑性の乱れが生じるからと考
えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激な増加
が見られると考えられる。
【００５６】
【発明の効果】本発明に係る垂直磁気記録媒体及びその
製造方法によれば、基板と下地軟磁性膜との間に平滑性
制御膜を挿入したことにより、下地軟磁性膜の表面平滑
性を著しく向上できるので、垂直磁化膜の垂直配向性及
び表面平滑性を向上できる。したがって、媒体ノイズを
低下できるので、再生出力信号の記録密度依存性を向上
できる。
製造方法によれば、基板と下地軟磁性膜との間に平滑性
制御膜を挿入したことにより、下地軟磁性膜の表面平滑
性を著しく向上できるので、垂直磁化膜の垂直配向性及
び表面平滑性を向上できる。したがって、媒体ノイズを
低下できるので、再生出力信号の記録密度依存性を向上
できる。
【図１】本発明に係る垂直磁気記録媒体の一実施形態を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施例１における、Ｃ膜、ＦｅＳｉＡ
ｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜の
垂直配向性を示す図表である。
ｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜の
垂直配向性を示す図表である。
【図３】本発明の実施例１における、媒体ノイズの記録
密度依存性を示すグラフである。
密度依存性を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例１における、再生出力電圧の記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図５】本発明の実施例１における、媒体ＳＮ比の記録
密度依存性を示すグラフである。
密度依存性を示すグラフである。
【図６】本発明の実施例１における、Ｃ膜の膜厚とＲａ
及び媒体ノイズとの関係を示す図表である。
及び媒体ノイズとの関係を示す図表である。
【図７】本発明の実施例１における、Ｃ膜の膜厚とＲａ
及び媒体ノイズとの関係を示すグラフである。
及び媒体ノイズとの関係を示すグラフである。
【図８】本発明の実施例２における、Ｔｉ膜、ＦｅＳｉ
Ａｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜
の垂直配向性を示す図表である。
Ａｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜
の垂直配向性を示す図表である。
【図９】本発明の実施例２における、媒体ノイズの記録
密度依存性を示すグラフである。
密度依存性を示すグラフである。
【図１０】本発明の実施例２における、再生出力電圧の
記録密度依存性を示すグラフである。
記録密度依存性を示すグラフである。
【図１１】本発明の実施例２における、媒体ＳＮ比の記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図１２】本発明の実施例２における、Ｔｉ膜の膜厚と
Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表である。
Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表である。
【図１３】本発明の実施例２における、Ｔｉ膜の膜厚と
Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフである。
Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフである。
【図１４】本発明の実施例３における、Ｃｒ50Ｔｉ40Ｃ
10膜、ＦｅＳｉＡｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及び
ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性を示す図表である。
10膜、ＦｅＳｉＡｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及び
ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性を示す図表である。
【図１５】本発明の実施例３における、媒体ノイズの記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図１６】本発明の実施例３における、再生出力電圧の
記録密度依存性を示すグラフである。
記録密度依存性を示すグラフである。
【図１７】本発明の実施例３における、媒体ＳＮ比の記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図１８】本発明の実施例３における、Ｃｒ50Ｔｉ40Ｃ
10膜の膜厚とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表で
ある。
10膜の膜厚とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表で
ある。
【図１９】本発明の実施例３における、Ｃｒ50Ｔｉ40Ｃ
10膜の膜厚とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフ
である。
10膜の膜厚とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフ
である。
【図２０】本発明の実施例４における、Ｃｒ80Ｔｉ
20膜、ＦｅＳｉＡｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及び
ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性を示す図表である。
20膜、ＦｅＳｉＡｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及び
ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性を示す図表である。
【図２１】本発明の実施例４における、媒体ノイズの記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図２２】本発明の実施例４における、再生出力電圧の
記録密度依存性を示すグラフである。
記録密度依存性を示すグラフである。
【図２３】本発明の実施例４における、媒体ＳＮ比の記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図２４】本発明の実施例４における、Ｃｒ80Ｔｉ20膜
の成膜速度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表で
ある。
の成膜速度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表で
ある。
【図２５】本発明の実施例４における、Ｃｒ80Ｔｉ20膜
の成膜速度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフ
である。
の成膜速度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフ
である。
【図２６】本発明の実施例５における、Ｃｒ50Ｔｉ
50膜、ＦｅＳｉＡｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及び
ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性を示す図表である。
50膜、ＦｅＳｉＡｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及び
ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性を示す図表である。
【図２７】本発明の実施例５における、媒体ノイズの記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図２８】本発明の実施例５における、再生出力電圧の
記録密度依存性を示すグラフである。
記録密度依存性を示すグラフである。
【図２９】本発明の実施例５における、媒体ＳＮ比の記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図３０】本発明の実施例５における、Ｃｒ50Ｔｉ50膜
の成膜時アルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係
を示す図表である。
の成膜時アルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係
を示す図表である。
【図３１】本発明の実施例５における、Ｃｒ50Ｔｉ50膜
の成膜時アルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係
を示すグラフである。
の成膜時アルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係
を示すグラフである。
【図３２】本発明の実施例６における、Ｃｒ90Ｃ10膜、
ＦｅＴａＮ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒ
Ｔａ膜の垂直配向性を示す図表である。
ＦｅＴａＮ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒ
Ｔａ膜の垂直配向性を示す図表である。
【図３３】本発明の実施例６における、媒体ノイズの記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図３４】本発明の実施例６における、再生出力電圧の
記録密度依存性を示すグラフである。
記録密度依存性を示すグラフである。
【図３５】本発明の実施例６における、媒体ＳＮ比の記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図３６】本発明の実施例６における、Ｃｒ90Ｃ10膜の
成膜速度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表であ
る。
成膜速度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表であ
る。
【図３７】本発明の実施例６における、Ｃｒ90Ｃ10膜の
成膜速度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフで
ある。
成膜速度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフで
ある。
【図３８】本発明の実施例７における、Ｔｉ90Ｃ10膜、
ＦｅＴａＮ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒ
Ｔａ膜の垂直配向性を示す図表である。
ＦｅＴａＮ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒ
Ｔａ膜の垂直配向性を示す図表である。
【図３９】本発明の実施例７における、媒体ノイズの記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図４０】本発明の実施例７における、再生出力電圧の
記録密度依存性を示すグラフである。
記録密度依存性を示すグラフである。
【図４１】本発明の実施例７における、媒体ＳＮ比の記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図４２】本発明の実施例７における、Ｔｉ90Ｃ10膜成
膜時のアルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係を
示す図表である。
膜時のアルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係を
示す図表である。
【図４３】本発明の実施例７における、Ｔｉ90Ｃ10膜成
膜時のアルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係を
示すグラフである。
膜時のアルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係を
示すグラフである。
【図４４】従来の垂直磁気記録媒体を示す概略断面図で
ある。
ある。
１０ 垂直磁気記録媒体 １２ 基板 １４ 平滑性制御膜 １６ 下地軟磁性膜 １８ 垂直磁化膜
Claims (18)
- 【請求項１】 下地軟磁性膜と垂直磁化膜とがこの順に
基板上に形成された垂直磁気記録媒体において、 前記基板と前記下地軟磁性膜との間に、Ｃ又はＴｉから
なる平滑性制御膜が挿入されたことを特徴とする垂直磁
気記録媒体。 - 【請求項２】 下地軟磁性膜と垂直磁化膜とがこの順に
基板上に形成された垂直磁気記録媒体において、 前記基板と前記下地軟磁性膜との間に、Ｃｒ，Ｔｉ及び
Ｃのうちの少なくとも一つを含む合金からなる平滑性制
御膜が挿入されたことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記下地軟磁性膜がＦｅＳｉＡｌ膜又は
ＦｅＴａＮ膜である、請求項１又は２記載の垂直磁気記
録媒体。 - 【請求項４】 前記下地軟磁性膜表面の中心線平均粗さ
が２ｎｍ以下である、請求項１，２又は３記載の垂直磁
気記録媒体。 - 【請求項５】 前記下地軟磁性膜表面の中心線平均粗さ
が０．９ｎｍ以下である、請求項１，２又は３記載の垂
直磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記下地軟磁性膜表面の中心線平均粗さ
が０．５ｎｍ以下である、請求項１，２又は３記載の垂
直磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記平滑性制御膜の膜厚が１ｎｍをこえ
１７ｎｍ未満である、請求項１，２，３，４，５又は６
記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記平滑性制御膜の膜厚が２ｎｍ以上か
つ１５ｎｍ以下である、請求項１，２，３，４，５又は
６記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記平滑性制御膜が２０ｍＴｏｒｒ未満
のガス圧でスパッタ成膜されたものである、請求項１，
２，３，４，５，６，７又は８記載の垂直磁気記録媒
体。 - 【請求項１０】 前記平滑性制御膜が１８ｍＴｏｒｒ以
下のガス圧でスパッタ成膜されたものである、請求項
１，２，３，４，５，６，７又は８記載の垂直磁気記録
媒体。 - 【請求項１１】 前記平滑性制御膜が２０ｎｍ／ｓ未満
の成膜速度でスパッタ成膜されたものである、請求項
１，２，３，４，５，６，７又は８記載の垂直磁気記録
媒体。 - 【請求項１２】 前記平滑性制御膜が１８ｎｍ／ｓ以下
の成膜速度でスパッタ成膜されたものである、請求項
１，２，３，４，５，６，７又は８記載の垂直磁気記録
媒体。 - 【請求項１３】 前記スパッタ成膜に使用されたガスが
アルゴンである、請求項９，１０，１１又は１２記載の
垂直磁気記録媒体。 - 【請求項１４】 ２０ｍＴｏｒｒ未満のガス圧で前記平
滑性制御膜を前記基板上にスパッタ成膜し、この平滑性
制御膜上に前記下地軟磁性膜を成膜し、この下地軟磁性
膜上に前記垂直磁化膜を成膜する、請求項９記載の垂直
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１５】 １８ｍＴｏｒｒ以下のガス圧で前記平
滑性制御膜を前記基板上にスパッタ成膜し、この平滑性
制御膜上に前記下地軟磁性膜を成膜し、この下地軟磁性
膜上に前記垂直磁化膜を成膜する、請求項１０記載の垂
直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１６】 ２０ｎｍ／ｓ未満の成膜速度で前記平
滑性制御膜を前記基板上にスパッタ成膜し、この平滑性
制御膜上に前記下地軟磁性膜を成膜し、この下地軟磁性
膜上に前記垂直磁化膜を成膜する、請求項１１記載の垂
直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１７】 １８ｎｍ／ｓ以下の成膜速度で前記平
滑性制御膜を前記基板上にスパッタ成膜し、この平滑性
制御膜上に前記下地軟磁性膜を成膜し、この下地軟磁性
膜上に前記垂直磁化膜を成膜する、請求項１２記載の垂
直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１８】 前記スパッタ成膜に使用されるガスが
アルゴンである、請求項１４，１５，１６又は１７記載
の垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00330998A JP3529258B2 (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 垂直磁気記録媒体 |
| US09/172,911 US6387483B1 (en) | 1997-12-18 | 1998-10-15 | Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing process therefor |
| KR1019980043373A KR100319502B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-10-16 | 수직자기기록매체및그제조공정 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00330998A JP3529258B2 (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11203653A true JPH11203653A (ja) | 1999-07-30 |
| JP3529258B2 JP3529258B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=11553765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00330998A Expired - Lifetime JP3529258B2 (ja) | 1997-12-18 | 1998-01-09 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3529258B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001069595A1 (fr) * | 2000-03-17 | 2001-09-20 | Migaku Takahashi | Support d'enregistrement magnetique vertical et son procede d'evaluation |
| WO2003028011A1 (fr) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Anelva Corporation | Support d'enregistrement magnetique vertical, ses procede et appareil de fabrication et appareil d'enregistrement magnetique |
-
1998
- 1998-01-09 JP JP00330998A patent/JP3529258B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001069595A1 (fr) * | 2000-03-17 | 2001-09-20 | Migaku Takahashi | Support d'enregistrement magnetique vertical et son procede d'evaluation |
| WO2003028011A1 (fr) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Anelva Corporation | Support d'enregistrement magnetique vertical, ses procede et appareil de fabrication et appareil d'enregistrement magnetique |
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|---|---|
| JP3529258B2 (ja) | 2004-05-24 |
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